JPH0286150A - モールドダイオードおよびその製造方法 - Google Patents
モールドダイオードおよびその製造方法Info
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- JPH0286150A JPH0286150A JP63237790A JP23779088A JPH0286150A JP H0286150 A JPH0286150 A JP H0286150A JP 63237790 A JP63237790 A JP 63237790A JP 23779088 A JP23779088 A JP 23779088A JP H0286150 A JPH0286150 A JP H0286150A
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- electrodes
- diode
- resin
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産」ＬＬｑ主団り１厨−
本発明はモールドダイオードの構造及び、その製造方法
に関するものである。
に関するものである。
直釆叫皮断
従来、モールドダイオードは第３図に示すように、ダイ
オードの特性を出すペレット２０．ペレットの電気的特
性を外部に導き出すり−ド２１ａ ＋ ２ ｌ ｂ
、ペレット２０とリード２１ｂを電気的に接合するワイ
ヤ２２、これらを固定し、外観を形成するモールド樹脂
２３から形成されていた。
オードの特性を出すペレット２０．ペレットの電気的特
性を外部に導き出すり−ド２１ａ ＋ ２ ｌ ｂ
、ペレット２０とリード２１ｂを電気的に接合するワイ
ヤ２２、これらを固定し、外観を形成するモールド樹脂
２３から形成されていた。
製造工程では、第４図に示すようにモールド成形工程で
、ペレット２０をマウントし、ワイヤ２２で接続したリ
ードフレームをモールド金型（図示せず）内に配置して
おいて、モールド金型内にモールド樹脂２３を供給して
モールド成形後、モールド樹脂２３とリードフレームの
不要部分を切断除去していた。
、ペレット２０をマウントし、ワイヤ２２で接続したリ
ードフレームをモールド金型（図示せず）内に配置して
おいて、モールド金型内にモールド樹脂２３を供給して
モールド成形後、モールド樹脂２３とリードフレームの
不要部分を切断除去していた。
しかしながら、この場合、モールド樹脂２３が、ペレッ
ト２０とリードフレーム２１ａ、２１ｂ。
ト２０とリードフレーム２１ａ、２１ｂ。
ワイヤ２２の全てを覆うため、外形寸法の小型化がしに
くい構造であり、一方、製造工程においてはモールド成
形時のモールド樹脂のカス２４およびリードフレームの
切断後のくす２５が発生するものであった。
くい構造であり、一方、製造工程においてはモールド成
形時のモールド樹脂のカス２４およびリードフレームの
切断後のくす２５が発生するものであった。
の
そこで、本発明は、裏表の両面に電極をつけたペレット
をモールド樹脂で覆い、樹脂の外部に出たペレットの電
極に外部電極を電気的に接合させ、リードフレーム、ワ
イヤを用いない構造にした。
をモールド樹脂で覆い、樹脂の外部に出たペレットの電
極に外部電極を電気的に接合させ、リードフレーム、ワ
イヤを用いない構造にした。
また、製造方法において、（ａ）ウェハー内に多数のダ
イオードを形成するウェハー製造工程と、（ｂ） 前記
ウェハーを個々のダイオードペレットに分割するペレッ
ト分割工程と、（Ｃ）各ペレｙ）間にモールド樹脂を流
し込むモールド成形工程と、（ｄ）ペレットの電極をモ
ールド樹脂の表面に出すモールド研磨工程と、（ｅ）各
ダイオードの電気的特性を検査測定する検測工程と、（
ｆ）モールド樹脂を分割し、個々のモールドダイオード
に分ける分割工程と、（ｇ）個々のモールドダイオード
に外部電極を取付ける工程とを含むことを特徴とする。
イオードを形成するウェハー製造工程と、（ｂ） 前記
ウェハーを個々のダイオードペレットに分割するペレッ
ト分割工程と、（Ｃ）各ペレｙ）間にモールド樹脂を流
し込むモールド成形工程と、（ｄ）ペレットの電極をモ
ールド樹脂の表面に出すモールド研磨工程と、（ｅ）各
ダイオードの電気的特性を検査測定する検測工程と、（
ｆ）モールド樹脂を分割し、個々のモールドダイオード
に分ける分割工程と、（ｇ）個々のモールドダイオード
に外部電極を取付ける工程とを含むことを特徴とする。
１且
上記の構造にすることにより、モールドダイオードの外
形寸法をさらに小さく１ｍｍ以下にすることができ、リ
ードフレームのカットくずが発生せず、モールド樹脂の
ムダの少ない製造方法により製造することができる。
形寸法をさらに小さく１ｍｍ以下にすることができ、リ
ードフレームのカットくずが発生せず、モールド樹脂の
ムダの少ない製造方法により製造することができる。
Ｌｉ性
次に本発明について、図面に従って説明する。
第１図（ａ）は、この発明の一実施例のモールドダイオ
ードの断面図である。図において１ａはダイオードペレ
ット、ｌｂ＋１ｂはペレットにつけられたペレット電極
であり、ペレット１ａ及びペレット電極１．ｂ、１ｂの
周囲はモールド樹脂２で覆われている。外部電極３は、
モールド樹脂２にはめ込まれ、ペレｙ）電極１ｂ、ｌｂ
と電気的接合をとる様になっている。
ードの断面図である。図において１ａはダイオードペレ
ット、ｌｂ＋１ｂはペレットにつけられたペレット電極
であり、ペレット１ａ及びペレット電極１．ｂ、１ｂの
周囲はモールド樹脂２で覆われている。外部電極３は、
モールド樹脂２にはめ込まれ、ペレｙ）電極１ｂ、ｌｂ
と電気的接合をとる様になっている。
第２図（ａ）〜（ｇ）は上記モールドダイオードの製造
方法の実施例である。第２図（ａ）はウェハー製造工程
で、ウェハー５にペレット電極６，６をウェハー５の裏
表の両面に、各ダイオード素子に対応して付けた構造で
ある。第２図（ｂ）は、前記ウェハー５を貼付テープ７
に貼付けた後、各ダイオードペレット８に分割するペレ
ット分割工程であり、分割されたペレット８はペレット
間にモールド樹脂を流し込むために、貼付テープ７を引
伸ばして、等間隔のすき間をあけて整列している。
方法の実施例である。第２図（ａ）はウェハー製造工程
で、ウェハー５にペレット電極６，６をウェハー５の裏
表の両面に、各ダイオード素子に対応して付けた構造で
ある。第２図（ｂ）は、前記ウェハー５を貼付テープ７
に貼付けた後、各ダイオードペレット８に分割するペレ
ット分割工程であり、分割されたペレット８はペレット
間にモールド樹脂を流し込むために、貼付テープ７を引
伸ばして、等間隔のすき間をあけて整列している。
第２図（ｃ）はモールド成形工程で、前工程ですき間の
あけられたペレット８の間にモールド樹脂９を流し込み
固めたものである。第２図（ｄ）はモールド研磨工程で
、前工程でペレット電極６，６の上面にムダについたモ
ールド樹脂９を研磨し、ペレット電極６，６をモールド
樹脂９の外部に出すものである。
あけられたペレット８の間にモールド樹脂９を流し込み
固めたものである。第２図（ｄ）はモールド研磨工程で
、前工程でペレット電極６，６の上面にムダについたモ
ールド樹脂９を研磨し、ペレット電極６，６をモールド
樹脂９の外部に出すものである。
第２図（ｅ）は各ダイオードペレット８の電気的特性を
検査、測定する工程で、前工程でムキ出しになったペレ
ット電極６，６に検測ピン１０ａ。
検査、測定する工程で、前工程でムキ出しになったペレ
ット電極６，６に検測ピン１０ａ。
１０ｂを当て、特性を測定する。第２図（ｆ）はモール
ド分割工程で、各モールド素子１１毎に切り離す。第２
図（ｇ）は電極取付は工程で、前ニー程で分割されたダ
イオード素子１１毎に外部電極１２を取り付ける。
ド分割工程で、各モールド素子１１毎に切り離す。第２
図（ｇ）は電極取付は工程で、前ニー程で分割されたダ
イオード素子１１毎に外部電極１２を取り付ける。
災１圀２゜
第１図（ｂ）は、外部電極４をメツキにより付けた他の
実施例であり、その他は第１図（ａ）と同じである。
実施例であり、その他は第１図（ａ）と同じである。
この実施例のモールドダイオードの製造方法は、第２図
（ａ）〜（ｅ）までは第１図（ａ）の実施例の場合と同
様であるが、この後、一方のペレット電極６を共通電極
に接続して他方のペレット電極６に外部電極４をメツキ
形成し、さらに外部電極４を共通電極に接続して一方の
ペレｙ）電極６に外部電極４をメツキ形成して、モール
ド樹脂９を分割して各モールド素子に分割する。
（ａ）〜（ｅ）までは第１図（ａ）の実施例の場合と同
様であるが、この後、一方のペレット電極６を共通電極
に接続して他方のペレット電極６に外部電極４をメツキ
形成し、さらに外部電極４を共通電極に接続して一方の
ペレｙ）電極６に外部電極４をメツキ形成して、モール
ド樹脂９を分割して各モールド素子に分割する。
なお、第２図（ｅ）の検測工程を省略して、モールド素
子を形成後に検測工程を実施してもよい。
子を形成後に検測工程を実施してもよい。
ｉ匪悲肱敦
上述のように、本発明のモールドダイオードはリードフ
レームやワイヤを使用しない構造としたことにより、外
形寸法の小型化がしやすく、ｌｌｌ１１以下にすること
ができ、又製造方法においては、モールド樹脂のムダが
発生しなく、リードフレームのカット＜ずが発生しない
方法で製造できる効果がある。
レームやワイヤを使用しない構造としたことにより、外
形寸法の小型化がしやすく、ｌｌｌ１１以下にすること
ができ、又製造方法においては、モールド樹脂のムダが
発生しなく、リードフレームのカット＜ずが発生しない
方法で製造できる効果がある。
第１図（ａＬ（ｂ）は本発明の異なる実施例のモールド
ダイオードの断面図、第２図（ａ）ないしくｇ）は本発
明のモールドダイオード製造方法を示す各工程の断面図
である。 第３図は従来のモールドダイオードの断面図、第４図は
従来のモールドダイオードのモールド成形後の平面図で
ある。 １ａ・・・・・・ダイオードペレット、１ｂ・・・・・
・ペレット電極、 ２・・・・・・モールド樹脂、 ３．４・・・・・・外部電極、 ５・・・・・・ウェハー、 ６・・・・・・ペレット電極、 ７・・・・・・貼付テープ、 ８・・・・・・ダイオードペレット、 ９・・・・・・モールド樹脂、 １０ａ、１０ｂ・・・・・・検測ピン、１１・・・・・
・モールド素子、 １２・・・・・・外部電極。 第 １ 図（α） 乍 ］ 図（ｂ）
ダイオードの断面図、第２図（ａ）ないしくｇ）は本発
明のモールドダイオード製造方法を示す各工程の断面図
である。 第３図は従来のモールドダイオードの断面図、第４図は
従来のモールドダイオードのモールド成形後の平面図で
ある。 １ａ・・・・・・ダイオードペレット、１ｂ・・・・・
・ペレット電極、 ２・・・・・・モールド樹脂、 ３．４・・・・・・外部電極、 ５・・・・・・ウェハー、 ６・・・・・・ペレット電極、 ７・・・・・・貼付テープ、 ８・・・・・・ダイオードペレット、 ９・・・・・・モールド樹脂、 １０ａ、１０ｂ・・・・・・検測ピン、１１・・・・・
・モールド素子、 １２・・・・・・外部電極。 第 １ 図（α） 乍 ］ 図（ｂ）
Claims (2)
- （１）裏表の両面に電極をつけたペレットをモールド樹
脂でおおい、樹脂の外部に出たペレットの電極に外部電
極を電気的に接合させて取り付けたモールドダイオード
。 - （２）ａ）ウェハー内に多数のダイオードを形成するウ
ェハー製造工程と、 ｂ）前記ウェハーを個々のダイオードペレットに分割す
るペレット分割工程と、 ｃ）各ペレット間にモールド樹脂を流し込むモールド成
形工程と、 ｄ）ペレットの電極をモールド樹脂の表面に出すモール
ド研磨工程と、 ｅ）各ダイオードの電気的特性を検査測定する検測工程
と、 ｆ）モールド樹脂を分割し、個々のモールドダイオード
に分ける分割工程と、 ｇ）個々のモールドダイオードに外部電極を取付ける工
程とを含むことを特徴とするモールドダイオードの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63237790A JP2558840B2 (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | モールドダイオードおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63237790A JP2558840B2 (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | モールドダイオードおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0286150A true JPH0286150A (ja) | 1990-03-27 |
| JP2558840B2 JP2558840B2 (ja) | 1996-11-27 |
Family
ID=17020470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63237790A Expired - Fee Related JP2558840B2 (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | モールドダイオードおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2558840B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001345560A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-12-14 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板およびその製造方法、並びに電子部品 |
| WO2007013262A1 (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-01 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | 太陽電池モジュール用端子ボックス |
| JP2007506279A (ja) * | 2003-09-18 | 2007-03-15 | クリー インコーポレイテッド | 成形チップの製造方法および装置 |
| JP2010062316A (ja) * | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Toshiba Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2010087490A (ja) * | 2008-09-03 | 2010-04-15 | Toshiba Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| US9041285B2 (en) | 2007-12-14 | 2015-05-26 | Cree, Inc. | Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force |
| US10546846B2 (en) | 2010-07-23 | 2020-01-28 | Cree, Inc. | Light transmission control for masking appearance of solid state light sources |
-
1988
- 1988-09-22 JP JP63237790A patent/JP2558840B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001345560A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-12-14 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板およびその製造方法、並びに電子部品 |
| JP2007506279A (ja) * | 2003-09-18 | 2007-03-15 | クリー インコーポレイテッド | 成形チップの製造方法および装置 |
| US10164158B2 (en) | 2003-09-18 | 2018-12-25 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method and apparatus |
| US10546978B2 (en) | 2003-09-18 | 2020-01-28 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method and apparatus |
| EP1665361B1 (en) * | 2003-09-18 | 2020-03-25 | Cree, Inc. | Method for encapsulating light emitting diodes |
| WO2007013262A1 (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-01 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | 太陽電池モジュール用端子ボックス |
| US9041285B2 (en) | 2007-12-14 | 2015-05-26 | Cree, Inc. | Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force |
| JP2010062316A (ja) * | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Toshiba Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2010087490A (ja) * | 2008-09-03 | 2010-04-15 | Toshiba Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| US8378479B2 (en) | 2008-09-03 | 2013-02-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for fabricating semiconductor device |
| US10546846B2 (en) | 2010-07-23 | 2020-01-28 | Cree, Inc. | Light transmission control for masking appearance of solid state light sources |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2558840B2 (ja) | 1996-11-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |