JPH0286487A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光記録媒体に関する。

（従来の技術） 光記録媒体は低価格、大容量の記録媒体として開発が進
められている。従来この分野では無機系材料薄膜を記録
層とし半導体レーザの照射によって発生する熱を利用し
て記録層に穴を開けるか又は相変化を生じさせることで
記録部に表面反射率の変化を生じさせるいわゆるヒート
モードの記録媒体が主であった。最近では材料として用
いているテルル等の毒性のために有機物を用いる試みが
なされている。

（発明が解決しようとする課題） しかしヒートモードの光記録では光エネルギーを１度熱
に変換するために基板等への熱の散逸が起こり感度に限
界がある。又穴開は式の記録では情報の消去は困難であ
る。

本発明は、記録時に形状変化を伴わない光吸収率の変化
を利用する記録方式により、消去可能な有機記録材料を
提供するものである。

（課題を解決するための手段） 本発明は金属アルミニウム層、金属アルミニウムとショ
ットキバリアを形成する有機色素並びに電子供与性物質
及び／又は電子受容性物質を含み、電子供与性物質及び
電子受容性物質が混合原子価状態をとりうる遷移金属錯
体である光記録媒体に関する。

上記電子供与性物質及び電子受容性物質は下記一般式（
１）、（１１）又は（［［）で示される化合物の中から
選ばれるのが好ましい。

式（１）及び（ＩＩ）において、Ｚはｏ、ｓ及びＮＲ（
Ｒは水素又はアルキル基）から選ばれる原子又は原子団
であり各位置において相異していてもよく、Ｘ及びＸｏ
　は水素、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲン基、
アルコキシ基、アルキルアミノ基、ニトロ基又はシアノ
基から選ばれＸ及びＸ“は同一でもよく、ｎは１〜４の
整数、ｍは＋２〜−２の整数、Ａはｍによって規定され
る電荷を中和するに必要な電荷数を有するアニオン、カ
チオン又はその群、及びＭは遷移金属イオンを表わす（
ただし、ｍがＯの場合にはＡは存在しない）。

式（ＩＩＩ）において、Ｚ゛はＳ及びＮＲ（Ｒは水素又
はアルキル基）から選ばれ各位置において相異していて
もよく、Ｙは水素、アルキル基、置換アルキル基、フェ
ニル基、置換フェニル基、及びシアノ基から選ばれ、各
位置において相異していてもよく、ｍは＋２〜−２の整
数、Ａはｍによって規定される電荷を中和するに必要な
電荷数を有するアニオン、カチオン又はその群、及びＭ
は遷移金属イオンを表わす（ただし、ｍが０の場合には
Ａは存在しない）。

これらの化合物は例えば、マクレパティ−（Ｊ。

＾、　Ｍｃｌｅｖｅｒｔｙ）　　ら、プロダレスインイ
ンオーガニ７クケミストリー（Ｐｒｏｇ、　Ｉｎｏｒｇ
、　Ｃｈｅｗ、）　１０巻、４９頁（１９６８）、シエ
ラウツア−（Ｇ、　Ｎ。

５ｃｈｒａｕｚｅｒ）　ら、アカウンツオブケミカルリ
チーチ（Ａｃｅ、　Ｃｈｅｗ、　Ｒｅｓ、）　２巻、７
２頁（Ｌ　９６９）、インオーガーｙクシンセシス（Ｉ
ｎｏｒｇ、　５ｙｎ）　１０巻、２頁にその合成法、特
性が詳しくまとめられており、通常の状態では一２価の
アニオン、０価の中性物質の状態で空気中で安定に単離
でき、その荷電状態は中心金属イオンの種類、配位子の
種類によって異なる。これらの化合物には一２価にアニ
オンから２価のカチオンの範囲の全部又はその−部につ
き種々の酸化状態が確認されており、その一部について
は異なる酸化状態のまま空気中で安定に単離できること
が知られれている。例えばニッケルビス（ジチオマレオ
ニトリル）錯体である下記化合物Ｕａについては次の両
者の錯体■ａ−１、ｌ１ａ−２が単離されており異なる
物性を示す。

（以下余白） これらは空気中、溶液中で安定であり、かつ両者は酸化
還元電位＋〇、２３Ｖ（対飽和カロメル電極、以下νｓ
、ＳＣＥと略す）で電気的又は化学的に可逆な酸化還元
反応を行って相互に変換され、その際に近赤外領域での
吸収係数の大幅な変化を伴う、同様の反応が種々これら
の化合物群より見い出すことができる０例えば白金ビス
（ジチオマレオニトリル）ジアニオン錯体←モノアニオ
ン錯体、ニッケルビス（ジチオスチリベン）錯体（１１
ｂ−１）＋４ニツケルビス（ジチオスチリヘン）モノア
ニオン錯体（Ｉｌｂ−２＞ ｂ−１ 〔ニッケルビス（Ｏ−７二二レンジイミン）錯体）＠（
Ｉａ−１）”にニッケルビス（０−フェニレンジイミン
）錯体）”（Ｉａ−２） （Ｉａ−１） １９挙げられる。適した化合物錯体を示すとコバルトビ
ス（ジチオマレオニトリル）錯体、銅ビス（ジチオマレ
オニトリル）錯体、鉄ビス（ジチオマレオニトリル）錯
体及びその二量体、ニッケルビス（トルエン３．４ジチ
オレート）錯体、白金ビス（トルエン３．４ジチオレー
ト）錯体、ニッケルビス（４−ジメチルアミノフェニル
１．２−ジチオレート）錯体、ニッケルビス（３，４，
５゜６テトラクロロベンゼンジチオレー））ｔｆｆ体、
ニッケルビス（１，２−ジチオナフタリン）錯体、白金
ビス（１，２−ジチオナフタリン）錯体、パラジウムビ
ス（ジチオマレオニトリル）錯体、白金ビス（ジチオス
チリベン）錯体、パラジウムビス（ジチオスチリベン）
錯体、ニッケルビス（Ｐ、Ｐ゛−ジクロロジチオスチリ
ベン）錯体、ニッケルビス（Ｐ　、　Ｐ’−ジメトキシ
ジチオスチリベン）錯体、白金ビス（Ｐ　、　Ｐ”−ジ
クロロジチオスチリベン）錯体、ニッケルビス（トリレ
ン３．４ジイミン）錯体、ニッケルビス（１，２−キシ
レン−３，４−ジイミン）錯体、ニッケルビス（４−ク
ロロ−１，２−フェニレンジイミン）錯体、白金ビス（
１，２−フェニレンジイミン）　１Ｍ体、ニッケルビス
（ジイミノマレオニトリル）錯体、ニッケルビス（ビス
（トリフルオロメチル）エチレンジチェート）錯体、ニ
ッケルビス（エチレンジチェート）錯体、白金ビス（ビ
ス（トリフルオロメチル）エチレンジチェート）ｊｌｉ
体等が挙げられる。

これらは系の種類、吸収極大位置、酸化還元準位等を考
慮して最終的に選択されるべきであるが、種々の酸化状
態のうちの第一酸化還元電位での反応を考慮して選択す
ることが化合物の安定上望ましい。またそのときの酸化
還元電位は総合的に決定されるべきであるが酸化還元電
位が−０，５ｖ〜＋　０．８　Ｖ　（ｖｓ　５ＣＥ）好
ましくは−０，２Ｖ　〜＋０．５ｖの範囲にあることが
好ましい、これはこの範囲特に好ましくはＯｖ〜＋〇、
　４　Ｖで再酸化状態が大気下及び溶媒存在下で安定に
存在しうる範囲であるからである。もちろん系の密閉化
等の手段をとる場合にはこの限りでない。

先にあげた遷移金属錯体は好適な結果を与えるが、他の
混合原子価をとりうる物質の使用も考えられる。他の例
としてはプルシアン青、鉄−イオウクラスター化合物、
ニッケルビス（デュロキノン）錯体等が挙げられる。ま
たこれら混合原子価をとりうる物質と併用して、他の通
常の電子供与性物質又は電子受容性物質を用いてもよい
。

本発明で用いる金属アルミニウムとショットキバリアを
形成する有機色素としては、記録用光源として各種のレ
ーザ、例えばガスレーザ、色素レーザ、半導体レーザ等
を用いることができることから、可視域から近赤外域に
吸収を有するものが好ましい。その中でもチジアン系染
料、オキサジン系染料、キサンチン系染料、ポルフィリ
ン系染料、テトラフェニルポルフィリン系染料、鉄族遷
移金属トリスビピリジル錯体、鉄族遷移金属トリスフェ
ナンスロリン錯体及びフタロシアニン化合物は光安定性
が高く好ましい。特にポリフィリン系染料及びフタロシ
アニン化合物は有機太陽電池の研究も盛んであるように
高い量子効率のショットキバリアを形成し好ましい。金
属アルミニウムとショットキバリアを形成する有機色素
の例としては、チオニン、メチレンブルー、メチレンバ
イオレフト、タレジルバイオレット、レゾルフィン、ナ
イルブルー　エリスロシンＢ１エオシンＹ１エオシン８
１メチルエオシン、フロラシンＢ１０−ダミン６Ｇ、ロ
ーズベンガル、２３゜７、　８．１２．１３．１７．１
８−オクタエチル−２１Ｈ。

２３Ｈ−ポルフィン、２．　３．　７．　８．１２．１
３．１７゜１８−オクタエチルポルフィンコバルト錯体
、２゜３、　７．　８．１２．１３．１７．１８−オク
タエチルポルフィンマグネシウム錯体、２，３，７．８
，１２゜１３、１７．１８−オクタエチルポルフィンニ
ッケル錯体、２．　３．　７．　８．１２．１３．１７
．１８−オクタエチルポルフィンマンガン錯体、ｓ、　
ｔｏ、　１５．２０−テトラフェニル−２１８，２３Ｈ
−ポルフィン、５゜１０、１５．２０−テトラフェニル
ポルフィンマグネシウム錯体、５．１０．１５．２０−
テトラフェニルポルフィン亜鉛錯体、５．１０．１５．
２０−テトラフェニルポルフィン塩化鉄錯体、５．１０
．１５．２０−テトラフェニルポルフィンコバルト錯体
、５．１０．１５゜２０−テトラフェニルポルフィンニ
ッケル錯体、５゜１０、１５．２０−テトラキス（２−
ピルジル）　−２ＬＨ。

２３Ｈ−ポルフィン、５．１０．１５．２０−テトラキ
ス（４−ピルジル）−２ＬＨ，２３Ｈ−ポルフィン、５
゜１０、１５．２０−テトラキス（４−ジメシルアミノ
フェニル）　−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン、ルテニウ
ムトリス（２，２’−ビピリジル）錯体、オスミウムト
リス（２，２°−ビピリジル）錯体、ロジウムトリス（
２，２°−ビピリジル）錯体、ロジウムトリス（１，１
０−フェナンスロリン錯体）、ルテニウムトリス（１，
ｔｏ−フェナンスロリン錯体）、オスミウムトリス（１
，１０−フェナンスロリン錯体）　、２９Ｈ，３１Ｈ−
フタロシアニン、亜鉛フタロシアニン、マグネシウムフ
タロシアニン、マンガンフタロシアニン、バナジルフタ
ロシアニン、テトラアミノ−２９Ｈ，３１Ｈ−フタロシ
アニン、銅フタロシアニン、シリコンフタロシアニン等
が挙げられる。

これらの各材料を積層することによってアルミニウム／
有機色素／金属錯体又は金属錯体／アルミニウム／有機
色素よりなる記録膜とすることができる。この構成にお
いてアルミニウム／有機色素への光照射によって酸化状
態の変化した金属錯体を安定に存在させるためには電解
質（特に電解質を含むイオン供給層）が金属錯体層に隣
接することが好ましい、電解質としては、ポリエチレン
オキシド、ポリプロピレンオキシド、ポリエチレンイミ
ン、ポリエピクロルヒドリン、ポリエチレンサクシネー
ト等のポリマーと過塩素酸リチウム、過塩素酸ナトリウ
ム等の塩との組み合せからなる固体電解質や、過塩素酸
イオン、臭素イオン、沃素イオン等のアニオンをドープ
したポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン等の
電解重合膜等が挙げられる。又過塩素酸ナトリウム、過
塩素酸リチウム、塩化ナトリウム、塩化リチウム、沃化
リチウム等の電解質を含む電解液を使用してもよい。

記録膜構造としては、電荷分離に寄与するアルミニウム
／を機色素膜のアルミニウム側に電子受容性物質（金属
錯体）又は有機色素側に電子供与性物質（金属錯体）又
はこれらの両者を積層し、更に金属錯体にイオン供給層
を積層したものがよい、更に記録膜に電場を印加し消去
を行うための電極をアルミニウムの対極として備えるこ
ともできる。電極としてはＩＴＯ、アルミニウム、金等
の透明電極が好ましいが、アルミニウム、金、銅、銀等
の不透明電極であってもよい、第１図は光記録媒体の一
例（構造図）を示す、第１図においてガラス基板ｌの上
部にＩＴＯ電極２を有している。

他方のガラス基板７には蒸着アルミニウム層６、有機色
素層としてポルフィリン系金属錯体層５及び電子受容性
有機金属錯体層４を積層している。

これら２種の基板を電解質層３を挟んで配置し記録膜を
構成している。

前記各層の厚さは適宜決定されるが、アルミニウム層は
２００〜４００人、有機色素は２０〜２０００人、金属
錯体は２０〜２０００人及びイオン供給層は０．５〜１
０μｍが好ましい。

また、前記金属錯体及び有機色素はポリプレン、ポリメ
チルメタクリレート等の分散媒体中に分散させてもよい
が、分散媒体は各成分の機能が阻害されない程度の量で
使用される。

これらの有機金属錯体及び金属アルミニウムとショット
キバリアを形成する有機色素及び電解質を成膜するため
の手段としては、塗布法、浸漬法、真空蒸発法、スパッ
タリング法、電解重合法、電着法、ＬＢ腹膜法既存の種
々の成膜法を用いることができる。金属アルミニウムは
真空蒸着法等によって成膜するのが好ましい。

本発明において金属アルミニウム、有機金属錯体及び金
属アルミニウムとショットキバリアを形成する有機色素
を含有する記録層は自己支持性のものであってもよいが
、透明性基体上又は金属基体上に形成されているのが望
ましい、ｉ３明性基体としては、石英ガラス、はうけい
酸ガラス等の無機ガラス類、ポリメチルメタクリレート
樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂等のプラス
チック基板が用いられる。上記基体上には、更にトラッ
キング用の溝、記録層をはさんで透明電極等が形成され
ていてもよい、ｉ３明電極を設けて、この電極間に適当
な電位を印加することにより有機金属錯体の酸化状態を
制御し情報の消去を行うことも可能である。

本発明の記録膜は、有機色素への光照射によりアルミニ
ウム／有機色素界面での電荷分離を起こし、これにより
近接する有機金属錯体の酸化状態を変化することによっ
て有機金属錯体の光学的変化として記録が達成される。

記録後はアルミニウム／有機色素界面でのショットキバ
リアが逆電子移動すなわち逆反応を抑制し記録状態は安
定化する。更にアルミニウムの対電極を設けるなどして
強制的に逆電場を印加することでショットキバリアを超
えて電子を注入し逆反応を起こして消去を行うことがで
きる。この後更に再書き込みができる。

本発明は、光記録方式に基づく各種光記録媒体に応用可
能であるが特に光ディスク、表示素子等の情報記録分野
に応用できる６ （実施例） 以下実施例により本発明を説明する。

試験例１ 本発明に用いる遷移金属錯体の固体膜としての酸化還元
特性を６１　ＬＴＩする目的で次のような実験を行った
。電子供与性の金属錯体であるニッケルビス（１，２−
フェニレンジイミン）の中性塩（以下（Ｎ　ｉ　　（Ｏ
ＰＤ）　ｔ　）　’と略す）を２．１×１０−’Ｔｏｒ
ｒ、　２７０℃で真空蒸着しＩＴＯ透明ガラス基板上に
厚さ１２００人の青色の薄膜を得た。

この膜を０．１　Ｍ　Ｎ　ａ　ＣＩ　Ｏａ水溶液中で定
電位電解を行った。以下電位は参照電極（飽和カロメル
電極）に対する電位である。ＩＴＯ電極に＋〇、５Ｖヲ
印加ｔルト（Ｎ　ｉ　　（ＯＰ　Ｄ）　ｔ　）　’　Ｉ
Ｉ！ハ赤橙色に変化した。この状態における膜の吸収ス
ペクトリルは近赤外域の吸収が減少しており（Ｎｉ（Ｏ
ＰＤ）ｚ　）”生成しているものと考えられる。

次にＩＴＯ電極に一〇、　５　Ｖを印加したところ最初
の青い膜に戻った。ＩＴＯ電極に±１．　ＯＶの矩形波
を印加し、この間の膜の吸光度変化を半導体レーザによ
り８３０ｎｍで測定した。印加電圧に対する吸光度変化
は数千回操り返した後も安定であった。

試験例２ 電子受容性の金属錯体であるニッケルビス（ジチオスチ
リベン）の中性塩（以下（Ｎｉ　　（ＤＴＳＢ）　ｔ　
）　’と略す）を１．６　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒｓ２３
０℃で真空蒸着しｒＴｏ透明ガラス電極上に緑色の薄膜
を得た。試験例１と同様にして（Ｎｉ（ＤＴＳＢ）ｔ　
）’　Ｉｆ！の酸化還元を確認した。

試験例３ 電子供与性の金属錯体であるニッケルビス（ジチオマレ
オニトリル）のジアニオンと４級アンモニウム塩ポリマ
であるポリブレンとのイオン結合体（Ｎ　ｉ　　（ＭＮ
Ｔ）　ｔ　／ポリブレンと略す〕をＤＭＦに溶解しＩＴ
Ｏ電極上に回転塗布法により厚さ約２μｍの橙色の薄膜
を得た。

試験例１と同様にしてこの薄膜の印加電圧に対する吸光
度変化を測定した。この結果を第２図に示す。この薄膜
は繰り返し酸化還元に対して安定であった。

試験例４ 試験例１で得た（Ｎ　ｉ　　（ＯＰＤ）　ｚ　）　’の
蒸着膜上に亜鉛テトラフェニルポルフィリン（以下Ｚｎ
ＴＰＰと略す）を厚さ７００人に真空蒸着し、さらに金
属アルミニウムを厚さ４００人に真空蒸着した。このＩ
ＴＯ／　（Ｎ　ｉ　　（ＯＰＤ）ｔ　）’　／ＺｎＴＰ
Ｐ／ＡＩ積層セルのＩ−Ｖ特性を測定したところＡＩ側
に負バイアスを印加した場合が順方向となる様な整流性
を示した。又セルに光照射を行い発生する光電流を微小
電流計で測定した。

照射光の波長を順次変え測定される光電流値を波長に対
してプロットして第３図に示したアクションスペクトル
を得た。第３図の７クシ日ンスペクトルはＺｎＴＰＰの
吸収を反映しており、アルミニウム／ＺｎＴＰＰ界面の
ショットキバリアが有効に機能していることを示す。

試験例５ 試験例４で（Ｎ　ｉ　　（ＯＰＤ）　ｚ　）　’蒸着膜
の代わりに試験例３で得たＮ　ｉ　　（ＭＮＴ）　ｚ　
／ポリブレン塗布膜を用いて同様の積層セルを作製した
。

このセルのＩ−Ｖ特性を測定したところＡｌ側に負バイ
アスを印加した場合が順方向となる様な整流性を示した
。又セルに光照射したところＺｎＴＰＰの吸収を反映す
るアクションスペクトルが得られた。

試験例６ 試験例４でＺｎＴＰＰＯ代わりに亜鉛フタロシアニン（
以下ＺｎＰｃと略す）を用いて同様の積層セルを作製し
た。このセルのｌ　−Ｖ特性を測定したところＡｌ側に
負バイアスを印加した場合が順方向となる様な整流性を
示した。又セルに光照射したところＺｎＰｃの吸収を反
映するアクションスペクトルが得られた。

実施例１ ガラス基板上に金属アルミニウムを厚さ３００人に１着
しさらにＺｎＴＰＰを厚さ８００人に及び（Ｎ　ｉ　　
（ＯＰＤ）　ｚ　）　’を厚さ１０００人に順次蒸着積
層した。このガラス／　Ａ　Ｉ　／　Ｚ　ｎ　Ｔ　Ｐ　
Ｐ／　（Ｎ　ｉ　　（ＯＰＤ）　２　）　’積層セル（
光記録媒体）を０．２　Ｍ　Ｌ　ｉ　ＣＩ　Ｏ４水を８
液にｔ受？貞し、シアン青フィルタ、Ｙ−４８フイルタ
を通した５００Ｗキセノン光（波長５００ｎｍ〜６５０
ｎｍ）を照射した。その結果６８０ｎｍ付近の （Ｎ　ｉ　　（ＯＰＤ）　ｚ　）　’の吸収の減少が観
察された。

実施例２ ガラス基板上に金属アルミニウムを厚さ３００人に蒸着
しさらにＺｎＰｃを厚さ６００人に及び（Ｎ　ｉ　　（
ＯＰＤ）　ｔ　）　’を厚さ１０００人に順次蒸着積層
した。このガラス／　Ａ　Ｉ　／　Ｚ　ｎ　Ｐ　ｃ　／
（Ｎ　ｉ　　（ＯＰＤ）　ｔ　）　’積層セル（光記録
媒体）を０．２ＭＮａＣｌ０．水溶液に浸漬し６２０ｎ
ｍ干渉フィルタを通した５００Ｗキセノン光を照射した
。その結果６８０ｎｍ付近の （Ｎ　ｉ　　（ＯＰＤ）　ｚ　）　’の吸収の減少が観
察された。

実施例３ ポリエチレングリコール（分子ｉｔ５，０００）１．５
ｇと過塩素酸リチウム０．０８ｇをエタノール１００ｍ
１に溶解しＩＴＯガラス電極上にスピナを用いて塗布を
行った後、６０℃で５時間乾燥して厚さ１．５μｍの固
体電解質層を作製した。実施例２で作製したガラス／Ａ
ｌ／ＺｎＰｃ／　（Ｎｉ（ＯＰＤ）ｔ　）”積層セルに
固体電解質膜／ＩＴＯ電極を圧着し全固体セル（光記録
媒体）を作製した。このセルに６２０ｎｍ干渉フィルタ
を通した５００Ｗキセノン光を照射したところ、照射部
の６８０ｎｍ付近の（Ｎｉ　　（ＯＰＤ）ｚ　）’の吸
収が減少した。さらにＩＴＯ側に＋ｔ、ＯＶの電位を印
加したところ６８０ｎｍの吸収は回復した。

（発明の効果） 本発明の光記録媒体は、記録安定性に優れ、記録の消去
、再書き込みも可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光記録媒体の構成の一例を示す断面図
、第２図は試験例３で得た有機金属錯体薄膜の印加電圧
に対する吸光度変化を示すグラフ、第３図は試験例４で
得た積層セル（光記録媒体）の光電流スペクトルを示す
。 符号の説明 ■　ガラス基板　　　　２　１ＴＯ電極３　電解質層 ４　電子受容性有機金属錯体層 ５　ポルフィリン系金属錯体層 ６　蒸着アルミニウム層 ７　ガラス基板

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、金属アルミニウム、金属アルミニウムとショットキ
   バリアを形成する有機色素、電子供与性物質及び／又は
   電子受容性物質並びに電解質を含み、電子供与性物質及
   び電子受容性物質が混合原子価状態をとりうる遷移金属
   錯体である光記録媒体。 ２、電子供与性物質及び電子受容性物質が、下記一般式
   （ I ）（II）又は（III）で示される化合物の中から選
   ばれるものである請求項第１項記載の光記録媒体。 （ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （II） ▲数式、化学式、表等があります▼ 式（ I ）及び（II）において、ＺはＯ、Ｓ及びＮＲ（
   Ｒは水素又はアルキル基）から選ばれる原子又は原子団
   であり各位置において相異していてもよく、Ｘ及びＸ′
   は水素、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲン基、ア
   ルコキシ基、アルキルアミノ基、ニトロ基又はシアノ基
   から選ばれＸ及びＸ′は同一でもよく、ｎは１〜４の整
   数、ｍは＋２〜−２の整数、Ａはｍによって規定される
   電荷を中和するに必要な電荷数を有するアニオン、カチ
   オン又はその群、及びＭは遷移金属イオンを表わす（た
   だし、ｍが０の場合にはＡは存在しない）。 （III） ▲数式、化学式、表等があります▼ 式（III）において、Ｚ′はＳ及びＮＲ（Ｒは水素又は
   アルキル基）から選ばれ、各位置において相異していて
   もよく、Ｙは水素、アルキル基、置換アルキル基、フェ
   ニル基、置換フェニル基、及びシアノ基から選ばれ、各
   位置において相異していてもよく、ｍは＋２〜−２の整
   数、Ａはｍによって規定される電荷を中和するに必要な
   電荷数を有するアニオン又はカチオン又はその群及びＭ
   は遷移金属イオンを表わす（ただし、ｍが０の場合には
   Ａは存在しない）。 ３、光記録媒体が金属アルミニウム層、金属アルミニウ
   ムとシヨットキバリアを形成する有機色素を含む層、電
   子受容性物質を含む層及び電解質を含むイオン供給層を
   積層してなる請求項第１項又は第２項記載の光記録媒体
   。 ４、光記録媒体が金属アルミニウム層、金属アルミニウ
   ムとショットキバリアを形成する有機色素を含む層、電
   子供与物質を含む層及び電解質を含むイオン供給層を積
   層してなる請求項第１項又は第２項記載の光記録媒体。 ５、光記録媒体が金属アルミニウム層、金属アルミニウ
   ムとショツトキバリアを形成する有機色素を含む層、電
   子受容性物質を含む層、電子供与物質を含む層及び電解
   質を含むイオン供給層を積層してなる請求項第１項又は
   第２項記載の光記録媒体。 ６、イオン供給層が固体電解質を含む層である請求項第
   ３項、第４項又は第５項記載の光記録媒体。 ７、光記録媒体が電極を含む請求項第１項又は第２項記
   載の光記録媒体。 ８、前記電極がＩＴＯ透明電極である請求項第７項記載
   の光記録媒体。