JPH0288467A - 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 - Google Patents

窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法

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JPH0288467A
JPH0288467A JP63236513A JP23651388A JPH0288467A JP H0288467 A JPH0288467 A JP H0288467A JP 63236513 A JP63236513 A JP 63236513A JP 23651388 A JP23651388 A JP 23651388A JP H0288467 A JPH0288467 A JP H0288467A
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JP
Japan
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sintered body
surface roughness
present
sintered
aluminum nitride
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JP63236513A
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English (en)
Inventor
Makoto Yokoi
誠 横井
Takao Kanamaru
金丸 孝男
Masato Kumagai
正人 熊谷
Ryoji Uchimura
良治 内村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JFE Steel Corp
Original Assignee
Kawasaki Steel Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野1 本発明は窒化アルミニウム(以下ARNと記す)焼結体
を1支的に使用する場合、−例として代表的な製品であ
る電気絶縁基板において、焼結したままで表面粗さの小
さい焼結体およびその製造方法に関する。
[従来の技術] 従来集積回路の絶縁基板材料としてアルミナの焼結体が
広く使用されている。しかし1回路の高集積化の要求が
高まるにつれ、アルミナの熱伝導率(20W / m 
、 K )では不七分であり、また、実装するシリコン
チップとの熱膨張差が大きいため、接着性が悪いという
欠点が問題となってきている。
アルミナに代る材料として酸化ベリリウム、炭化珪素な
どがあるが、酸化ベリリウムは毒性があり、かつ高価で
ある。また炭化珪素は誘導率が太き(、絶縁耐圧が小さ
いという問題があり、本命ではない。
一方、AβNは熱伝導率が高(、絶縁抵抗が高く、誘電
率が小さく、熱膨張率がシリコンに近いため、最も有望
視されている。
AQNは難焼結材料であるため、それ単体では緻密な焼
結体が得られない。
AffNに酸化イツトリウムを混合し、N2ガスまたは
不活性ガス中で1500〜2200℃で加熱焼結するこ
とにより複合焼結体を製造することは公知である(特公
昭47−18655)。
しかし、この上記の組成物では緻密な焼結体はできても
焼結したままで平滑、平坦な焼結面を得ることはできず
、熱伝導率においても低いものしか得られないという欠
点があった。
また、従来の焼成方法は、特公昭58−495IOの実
施例に示されているAl2N容器中にARN扮を包埋粉
として焼結する方法が一般的であった。この方法では以
下の欠点があった。
■ 焼結体の表面に包埋粉が固着する。、■ 焼結体表
面が平滑、平坦でなくなる。
〔発明が解決しようとする課題〕 Al2N焼結体の工業的な応用製品の一つとして代表的
な絶縁基板がある。
絶縁基板をハイブリッドIC用基板として用いる場合、
その表面に回路、抵抗体、誘電体等を印刷や、46等に
より形成する必要があり、基板表面の平坦さ、平滑さが
要求される。以前から一般的に用いられているアルミナ
製の基板の場合には表面粗さとしてRaで0.3〜0.
6μmのものが賞用されている。
従来のAl2N焼結体は、焼結のままでは表面性状の平
滑なものが得られず、研削により表面特性の向上をはか
る方法が取られていた。これでは、研削によりコスト高
になるばかりか、研削分の原料、焼成コストも無駄であ
る。
従って1本発明の目的は、熱伝導性の高いAl2N焼結
体であって、焼成後のその表面が平坦、平滑であり、通
常のアルミナ基鈑の表面の敷粉除去方法として工業的に
一般に使用されている液体ホーニング程度の処理により
、製品の表面粗さがRaで0.6μm以下である焼結体
、およびその製造方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段] 発明者等は以上のAffN焼結体およびその製造法の欠
点に鑑み、種々実験、検討を加えた結果、以下の発明を
見出した。
本発明者らは、Al2Nの焼結体の製造において、Y2
03を助剤として添加した場合、原料ARN中の酸素含
有量により、生成した焼結体中の生成相がxI!的に異
なり、Y2O3の添加量がその所定!、%より過剰に加
えられると1表面に析出し、表面粗度を悪化させること
に注目した。そこで原料AQNの酸素含有量に応じたY
2O3斌を添加することにより、焼結体表面性状の向上
を達成することができ本発明を完成した。
すなわち1本発明は焼結のままで表面粗さがRaで0.
6μm以下であるAεN焼結体であり、その製造方法は
ARN粉の酸素含有量を[0111%)とするとき、下
記の領域で囲まれる徹の[Y2O3]  (市川%)を
内掛添加した/INを原料とし、このARNのグリーン
シートを容器中に詰めて、該容器中にN2ガスを容器容
積の0、O1〜20倍/分の範囲で流して焼成すること
を特徴とする。
市販されているAl2Nの粉末には、通常1重量%程度
の不純物酸素が含まれる。酸素はサブミクロンのAl2
N粒表面に層状に分布する。焼結助剤としてY2O3を
添加し、焼結すると、八βの酸化物とY2O3が反応し
、低融点の液相を生成し、液相焼結機構により緻密化が
進行し密度100%の焼結体となる。
Y2O3の添加量と表面粗さとの間に関係があり、Y2
O3あるいは2Y203・AJ2203がX線で検出さ
れたものは表面が粗かった。
これは焼結の際の生成液相と、ARN粒との濡れ易さや
軟化温度の差に起因すると考えられる。
このため、本発明者らはARNの酸素含有量により、焼
結体の表面性状をよくするために、Y2O3の添加量の
最適範囲を見出し、本発明に到達した0本発明によると
AβN焼結体の表面粗さを低いレベルに保つには、原料
の含有する酸素量を測定し、それに適するY2O3量を
第1図の点A、Bより下側の領域から求めればよい。
点C,Dより下側の領域および点B、Cより右側の領域
では、AβN焼結体の熱伝導率が小さく1表面粗さと熱
伝導率の両方の要求を満たさない。
従って1表面粗さ特性高熱伝導率の両方を満たす領域は
第1図の点0、A、B、C,Dに囲まれた領域から求め
ればよい。
一方、一般にAl2N焼結体の焼成はシート成形法によ
り得られたグリーンシートを容器の中に収納し、175
0〜1950℃でN2中にて行われる。しかし、グリー
ンシート中に含まれる結合剤、可塑剤等は昇温途中で分
解し、炭素性ガスに変る。
炭素性ガスが存在すると、焼結の際液相が表面側にしみ
出してくる。
しみ出しがか少な(でも、多くても、表面粗度は悪化す
る。このため、本発明とらは焼結の際の容器中にN2ガ
スを吹込むことにより、炭素性ガスの濃度を制御する方
法について研究を重ねて本発明に到達した。
本発明の装造方法により、熱伝導率140〜180W/
m、にで表面粗さがRaで0.3〜0.5μmの焼結体
を得ることができた。
本発明に従うと、A Q Nグリーンシートを焼成する
容器は密閉されていなければならない。
通常1750〜2000℃で使用できる炉の発熱体はマ
ツフル等の材質は黒鉛質であり、容器内の雰囲気制御が
外の黒鉛の影響を受けないようにしなければならない。
るつぼ内に吹込むN2ガス量は容器容積の0.0【倍/
分未満では炭素ガス雰囲気が強すぎるため、焼結の進行
を妨げ、不可である。
吹込むN2ガス遣か20倍/分より多いと。
A Q Nあるいは液相の蒸発により1表面の微構造組
織が悪くなり、表面粗度が悪くなる。
本発明の好ましい態様に従うと、熱伝導性が高<、シか
も表面粗さの小さい1例えば絶縁基板に適したAl2N
焼結体を得ることができる。
〔実施例1 以下1本発明を実施例により詳細に説明するが、これら
の実施例は本発明の単なる例示であって、本発明の範囲
を何ら限定するものではない。
実施例1 平均粒径0.8μmで酸参含有かの異なるAI!N扮5
種に対し、y2o3iを所定凝添加し、ボールミルに入
れ、分散剤、有機溶媒とともに十分混合、解砕した後バ
インダを加え、ドクタブレード法によりシートを成形し
、成形板を製造した。
この成形板から、70mm口の基板を打抜加工し、これ
らをN2雰囲気炉内にてAffN823内に密閉し、1
800℃で3時間焼結した。
得られた基板をホーニング処理にてクリーニングした。
表面の粗さを表面粗度計(クリヤサーフ5システム、 
Taylor−11obson社N)にて測定し、Ra
を求めた。
第2図にAQN粉末の酸素含有Fitをパラメータとし
たときのY2O3添加礒と表面粗さRaとの関係を示す
第1図に第2図でRa≦0.6μmになるようにして求
めたY2O3添加量と/’I!N粉の酸素含有量との関
係を示す。本発明と比較例を代表して、ARN粉の酸素
含有pO,8wj%、1.4wし%。
2、 l w t%のもので示す。(第1表、第2表)
七記結県により1本発明の方法に従って製造された焼結
体は全て表面粗度Raで0.6μm以下に押えられてお
り、他の比較例を見ても本発明の効果を確認することが
できる。
実施例2 実施例1と同じ方法で得たAffNグリンーンシートを
ARN容器内に収納し、N2ガスを吹込みながら、N2
雰囲気中Al21800”Cにて3時間焼結した。
この時の焼結体の表面粗度の測定結果を第3表に示す。
上記結果により本発明の方法に従って製造された焼結体
は表面粗度が小さ(、本発明の効果を確認することがで
きる。
本発明 無印 比較例 本 本発明 無印 比較例 (**熱伝導率 180W/m。
第 表 本  本発明 無印 比較例 〔発明の効果] 本発明のAffN焼結体は焼結のままで表面粗さがRa
で0.6μm以下の平滑モ坦なもので、研削工程を要す
ることなく、絶縁基板として好適に使用することができ
る。
本発明の方法に従うと1表面粗度がRaで0.6μm以
下の、IC用基基鈑して好適でしかも熱伝導率の高い焼
結体の製造が可能となり、産業界の要求に合致したAQ
N焼結体を提供できる。
本発明に従う高熱伝導性AQN焼結体は、ハイブリッド
Ic用基扱等のコストを低減させ、ますます使用可能な
範囲を拡大させるため、極めて産業上有用である。
【図面の簡単な説明】 第1図は、Al2N粉の酸素含有量と[Y2O3]との
関係を示すグラフ、第2図はY2O3添加頃と表面粗さ
との関係を示すグラフである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 焼結のままで表面粗さがRaで0.6μm以下であ
    る窒化アルミニウム焼結体。 2 窒化アルミニウム粉の酸素含有量を[0](重量%
    )とするとき、下記の領域で囲まれる量の[Y_2O_
    3](重量%)を内掛添加した窒化アルミニウムを原料
    とし、該窒化アルミニウムグリーンシートを容器中に詰
    めて、該容器中にN_2ガスを容器容積の0.01〜2
    0倍/分の範囲で流すことを特徴とする窒化アルミニウ
    ム焼結体の製造方法。 3 [0]−1.5≦[Y_2O_3] ≦3[0]+1.0 (0<[0]≦2)
JP63236513A 1988-09-22 1988-09-22 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 Pending JPH0288467A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0450172A (ja) * 1990-06-18 1992-02-19 Kawasaki Steel Corp 高熱伝導性AlN焼結体の製造方法
US6144283A (en) * 1998-05-19 2000-11-07 Yazaki Corporation Temperature detectable large-current fuse and method of assembling the same
JP2007070218A (ja) * 2005-08-11 2007-03-22 Tokuyama Corp 窒化アルミニウム焼結体
US8597743B2 (en) 2005-08-11 2013-12-03 Tokuyama Corporation Aluminum nitride sintered body

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0450172A (ja) * 1990-06-18 1992-02-19 Kawasaki Steel Corp 高熱伝導性AlN焼結体の製造方法
US6144283A (en) * 1998-05-19 2000-11-07 Yazaki Corporation Temperature detectable large-current fuse and method of assembling the same
JP2007070218A (ja) * 2005-08-11 2007-03-22 Tokuyama Corp 窒化アルミニウム焼結体
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