JPH0288467A - 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 - Google Patents
窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH0288467A JPH0288467A JP63236513A JP23651388A JPH0288467A JP H0288467 A JPH0288467 A JP H0288467A JP 63236513 A JP63236513 A JP 63236513A JP 23651388 A JP23651388 A JP 23651388A JP H0288467 A JPH0288467 A JP H0288467A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sintered body
- surface roughness
- present
- sintered
- aluminum nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 title claims description 6
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 23
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 11
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 14
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 12
- 238000012856 packing Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 5
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 1
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 1
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- -1 matsufuru Chemical compound 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野1
本発明は窒化アルミニウム(以下ARNと記す)焼結体
を1支的に使用する場合、−例として代表的な製品であ
る電気絶縁基板において、焼結したままで表面粗さの小
さい焼結体およびその製造方法に関する。
を1支的に使用する場合、−例として代表的な製品であ
る電気絶縁基板において、焼結したままで表面粗さの小
さい焼結体およびその製造方法に関する。
[従来の技術]
従来集積回路の絶縁基板材料としてアルミナの焼結体が
広く使用されている。しかし1回路の高集積化の要求が
高まるにつれ、アルミナの熱伝導率(20W / m
、 K )では不七分であり、また、実装するシリコン
チップとの熱膨張差が大きいため、接着性が悪いという
欠点が問題となってきている。
広く使用されている。しかし1回路の高集積化の要求が
高まるにつれ、アルミナの熱伝導率(20W / m
、 K )では不七分であり、また、実装するシリコン
チップとの熱膨張差が大きいため、接着性が悪いという
欠点が問題となってきている。
アルミナに代る材料として酸化ベリリウム、炭化珪素な
どがあるが、酸化ベリリウムは毒性があり、かつ高価で
ある。また炭化珪素は誘導率が太き(、絶縁耐圧が小さ
いという問題があり、本命ではない。
どがあるが、酸化ベリリウムは毒性があり、かつ高価で
ある。また炭化珪素は誘導率が太き(、絶縁耐圧が小さ
いという問題があり、本命ではない。
一方、AβNは熱伝導率が高(、絶縁抵抗が高く、誘電
率が小さく、熱膨張率がシリコンに近いため、最も有望
視されている。
率が小さく、熱膨張率がシリコンに近いため、最も有望
視されている。
AQNは難焼結材料であるため、それ単体では緻密な焼
結体が得られない。
結体が得られない。
AffNに酸化イツトリウムを混合し、N2ガスまたは
不活性ガス中で1500〜2200℃で加熱焼結するこ
とにより複合焼結体を製造することは公知である(特公
昭47−18655)。
不活性ガス中で1500〜2200℃で加熱焼結するこ
とにより複合焼結体を製造することは公知である(特公
昭47−18655)。
しかし、この上記の組成物では緻密な焼結体はできても
焼結したままで平滑、平坦な焼結面を得ることはできず
、熱伝導率においても低いものしか得られないという欠
点があった。
焼結したままで平滑、平坦な焼結面を得ることはできず
、熱伝導率においても低いものしか得られないという欠
点があった。
また、従来の焼成方法は、特公昭58−495IOの実
施例に示されているAl2N容器中にARN扮を包埋粉
として焼結する方法が一般的であった。この方法では以
下の欠点があった。
施例に示されているAl2N容器中にARN扮を包埋粉
として焼結する方法が一般的であった。この方法では以
下の欠点があった。
■ 焼結体の表面に包埋粉が固着する。、■ 焼結体表
面が平滑、平坦でなくなる。
面が平滑、平坦でなくなる。
〔発明が解決しようとする課題〕
Al2N焼結体の工業的な応用製品の一つとして代表的
な絶縁基板がある。
な絶縁基板がある。
絶縁基板をハイブリッドIC用基板として用いる場合、
その表面に回路、抵抗体、誘電体等を印刷や、46等に
より形成する必要があり、基板表面の平坦さ、平滑さが
要求される。以前から一般的に用いられているアルミナ
製の基板の場合には表面粗さとしてRaで0.3〜0.
6μmのものが賞用されている。
その表面に回路、抵抗体、誘電体等を印刷や、46等に
より形成する必要があり、基板表面の平坦さ、平滑さが
要求される。以前から一般的に用いられているアルミナ
製の基板の場合には表面粗さとしてRaで0.3〜0.
6μmのものが賞用されている。
従来のAl2N焼結体は、焼結のままでは表面性状の平
滑なものが得られず、研削により表面特性の向上をはか
る方法が取られていた。これでは、研削によりコスト高
になるばかりか、研削分の原料、焼成コストも無駄であ
る。
滑なものが得られず、研削により表面特性の向上をはか
る方法が取られていた。これでは、研削によりコスト高
になるばかりか、研削分の原料、焼成コストも無駄であ
る。
従って1本発明の目的は、熱伝導性の高いAl2N焼結
体であって、焼成後のその表面が平坦、平滑であり、通
常のアルミナ基鈑の表面の敷粉除去方法として工業的に
一般に使用されている液体ホーニング程度の処理により
、製品の表面粗さがRaで0.6μm以下である焼結体
、およびその製造方法を提供することにある。
体であって、焼成後のその表面が平坦、平滑であり、通
常のアルミナ基鈑の表面の敷粉除去方法として工業的に
一般に使用されている液体ホーニング程度の処理により
、製品の表面粗さがRaで0.6μm以下である焼結体
、およびその製造方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段]
発明者等は以上のAffN焼結体およびその製造法の欠
点に鑑み、種々実験、検討を加えた結果、以下の発明を
見出した。
点に鑑み、種々実験、検討を加えた結果、以下の発明を
見出した。
本発明者らは、Al2Nの焼結体の製造において、Y2
03を助剤として添加した場合、原料ARN中の酸素含
有量により、生成した焼結体中の生成相がxI!的に異
なり、Y2O3の添加量がその所定!、%より過剰に加
えられると1表面に析出し、表面粗度を悪化させること
に注目した。そこで原料AQNの酸素含有量に応じたY
2O3斌を添加することにより、焼結体表面性状の向上
を達成することができ本発明を完成した。
03を助剤として添加した場合、原料ARN中の酸素含
有量により、生成した焼結体中の生成相がxI!的に異
なり、Y2O3の添加量がその所定!、%より過剰に加
えられると1表面に析出し、表面粗度を悪化させること
に注目した。そこで原料AQNの酸素含有量に応じたY
2O3斌を添加することにより、焼結体表面性状の向上
を達成することができ本発明を完成した。
すなわち1本発明は焼結のままで表面粗さがRaで0.
6μm以下であるAεN焼結体であり、その製造方法は
ARN粉の酸素含有量を[0111%)とするとき、下
記の領域で囲まれる徹の[Y2O3] (市川%)を
内掛添加した/INを原料とし、このARNのグリーン
シートを容器中に詰めて、該容器中にN2ガスを容器容
積の0、O1〜20倍/分の範囲で流して焼成すること
を特徴とする。
6μm以下であるAεN焼結体であり、その製造方法は
ARN粉の酸素含有量を[0111%)とするとき、下
記の領域で囲まれる徹の[Y2O3] (市川%)を
内掛添加した/INを原料とし、このARNのグリーン
シートを容器中に詰めて、該容器中にN2ガスを容器容
積の0、O1〜20倍/分の範囲で流して焼成すること
を特徴とする。
市販されているAl2Nの粉末には、通常1重量%程度
の不純物酸素が含まれる。酸素はサブミクロンのAl2
N粒表面に層状に分布する。焼結助剤としてY2O3を
添加し、焼結すると、八βの酸化物とY2O3が反応し
、低融点の液相を生成し、液相焼結機構により緻密化が
進行し密度100%の焼結体となる。
の不純物酸素が含まれる。酸素はサブミクロンのAl2
N粒表面に層状に分布する。焼結助剤としてY2O3を
添加し、焼結すると、八βの酸化物とY2O3が反応し
、低融点の液相を生成し、液相焼結機構により緻密化が
進行し密度100%の焼結体となる。
Y2O3の添加量と表面粗さとの間に関係があり、Y2
O3あるいは2Y203・AJ2203がX線で検出さ
れたものは表面が粗かった。
O3あるいは2Y203・AJ2203がX線で検出さ
れたものは表面が粗かった。
これは焼結の際の生成液相と、ARN粒との濡れ易さや
軟化温度の差に起因すると考えられる。
軟化温度の差に起因すると考えられる。
このため、本発明者らはARNの酸素含有量により、焼
結体の表面性状をよくするために、Y2O3の添加量の
最適範囲を見出し、本発明に到達した0本発明によると
AβN焼結体の表面粗さを低いレベルに保つには、原料
の含有する酸素量を測定し、それに適するY2O3量を
第1図の点A、Bより下側の領域から求めればよい。
結体の表面性状をよくするために、Y2O3の添加量の
最適範囲を見出し、本発明に到達した0本発明によると
AβN焼結体の表面粗さを低いレベルに保つには、原料
の含有する酸素量を測定し、それに適するY2O3量を
第1図の点A、Bより下側の領域から求めればよい。
点C,Dより下側の領域および点B、Cより右側の領域
では、AβN焼結体の熱伝導率が小さく1表面粗さと熱
伝導率の両方の要求を満たさない。
では、AβN焼結体の熱伝導率が小さく1表面粗さと熱
伝導率の両方の要求を満たさない。
従って1表面粗さ特性高熱伝導率の両方を満たす領域は
第1図の点0、A、B、C,Dに囲まれた領域から求め
ればよい。
第1図の点0、A、B、C,Dに囲まれた領域から求め
ればよい。
一方、一般にAl2N焼結体の焼成はシート成形法によ
り得られたグリーンシートを容器の中に収納し、175
0〜1950℃でN2中にて行われる。しかし、グリー
ンシート中に含まれる結合剤、可塑剤等は昇温途中で分
解し、炭素性ガスに変る。
り得られたグリーンシートを容器の中に収納し、175
0〜1950℃でN2中にて行われる。しかし、グリー
ンシート中に含まれる結合剤、可塑剤等は昇温途中で分
解し、炭素性ガスに変る。
炭素性ガスが存在すると、焼結の際液相が表面側にしみ
出してくる。
出してくる。
しみ出しがか少な(でも、多くても、表面粗度は悪化す
る。このため、本発明とらは焼結の際の容器中にN2ガ
スを吹込むことにより、炭素性ガスの濃度を制御する方
法について研究を重ねて本発明に到達した。
る。このため、本発明とらは焼結の際の容器中にN2ガ
スを吹込むことにより、炭素性ガスの濃度を制御する方
法について研究を重ねて本発明に到達した。
本発明の装造方法により、熱伝導率140〜180W/
m、にで表面粗さがRaで0.3〜0.5μmの焼結体
を得ることができた。
m、にで表面粗さがRaで0.3〜0.5μmの焼結体
を得ることができた。
本発明に従うと、A Q Nグリーンシートを焼成する
容器は密閉されていなければならない。
容器は密閉されていなければならない。
通常1750〜2000℃で使用できる炉の発熱体はマ
ツフル等の材質は黒鉛質であり、容器内の雰囲気制御が
外の黒鉛の影響を受けないようにしなければならない。
ツフル等の材質は黒鉛質であり、容器内の雰囲気制御が
外の黒鉛の影響を受けないようにしなければならない。
るつぼ内に吹込むN2ガス量は容器容積の0.0【倍/
分未満では炭素ガス雰囲気が強すぎるため、焼結の進行
を妨げ、不可である。
分未満では炭素ガス雰囲気が強すぎるため、焼結の進行
を妨げ、不可である。
吹込むN2ガス遣か20倍/分より多いと。
A Q Nあるいは液相の蒸発により1表面の微構造組
織が悪くなり、表面粗度が悪くなる。
織が悪くなり、表面粗度が悪くなる。
本発明の好ましい態様に従うと、熱伝導性が高<、シか
も表面粗さの小さい1例えば絶縁基板に適したAl2N
焼結体を得ることができる。
も表面粗さの小さい1例えば絶縁基板に適したAl2N
焼結体を得ることができる。
〔実施例1
以下1本発明を実施例により詳細に説明するが、これら
の実施例は本発明の単なる例示であって、本発明の範囲
を何ら限定するものではない。
の実施例は本発明の単なる例示であって、本発明の範囲
を何ら限定するものではない。
実施例1
平均粒径0.8μmで酸参含有かの異なるAI!N扮5
種に対し、y2o3iを所定凝添加し、ボールミルに入
れ、分散剤、有機溶媒とともに十分混合、解砕した後バ
インダを加え、ドクタブレード法によりシートを成形し
、成形板を製造した。
種に対し、y2o3iを所定凝添加し、ボールミルに入
れ、分散剤、有機溶媒とともに十分混合、解砕した後バ
インダを加え、ドクタブレード法によりシートを成形し
、成形板を製造した。
この成形板から、70mm口の基板を打抜加工し、これ
らをN2雰囲気炉内にてAffN823内に密閉し、1
800℃で3時間焼結した。
らをN2雰囲気炉内にてAffN823内に密閉し、1
800℃で3時間焼結した。
得られた基板をホーニング処理にてクリーニングした。
表面の粗さを表面粗度計(クリヤサーフ5システム、
Taylor−11obson社N)にて測定し、Ra
を求めた。
Taylor−11obson社N)にて測定し、Ra
を求めた。
第2図にAQN粉末の酸素含有Fitをパラメータとし
たときのY2O3添加礒と表面粗さRaとの関係を示す
。
たときのY2O3添加礒と表面粗さRaとの関係を示す
。
第1図に第2図でRa≦0.6μmになるようにして求
めたY2O3添加量と/’I!N粉の酸素含有量との関
係を示す。本発明と比較例を代表して、ARN粉の酸素
含有pO,8wj%、1.4wし%。
めたY2O3添加量と/’I!N粉の酸素含有量との関
係を示す。本発明と比較例を代表して、ARN粉の酸素
含有pO,8wj%、1.4wし%。
2、 l w t%のもので示す。(第1表、第2表)
七記結県により1本発明の方法に従って製造された焼結
体は全て表面粗度Raで0.6μm以下に押えられてお
り、他の比較例を見ても本発明の効果を確認することが
できる。
七記結県により1本発明の方法に従って製造された焼結
体は全て表面粗度Raで0.6μm以下に押えられてお
り、他の比較例を見ても本発明の効果を確認することが
できる。
実施例2
実施例1と同じ方法で得たAffNグリンーンシートを
ARN容器内に収納し、N2ガスを吹込みながら、N2
雰囲気中Al21800”Cにて3時間焼結した。
ARN容器内に収納し、N2ガスを吹込みながら、N2
雰囲気中Al21800”Cにて3時間焼結した。
この時の焼結体の表面粗度の測定結果を第3表に示す。
上記結果により本発明の方法に従って製造された焼結体
は表面粗度が小さ(、本発明の効果を確認することがで
きる。
は表面粗度が小さ(、本発明の効果を確認することがで
きる。
本発明
無印 比較例
本 本発明
無印 比較例
(**熱伝導率
180W/m。
第
表
本 本発明
無印 比較例
〔発明の効果]
本発明のAffN焼結体は焼結のままで表面粗さがRa
で0.6μm以下の平滑モ坦なもので、研削工程を要す
ることなく、絶縁基板として好適に使用することができ
る。
で0.6μm以下の平滑モ坦なもので、研削工程を要す
ることなく、絶縁基板として好適に使用することができ
る。
本発明の方法に従うと1表面粗度がRaで0.6μm以
下の、IC用基基鈑して好適でしかも熱伝導率の高い焼
結体の製造が可能となり、産業界の要求に合致したAQ
N焼結体を提供できる。
下の、IC用基基鈑して好適でしかも熱伝導率の高い焼
結体の製造が可能となり、産業界の要求に合致したAQ
N焼結体を提供できる。
本発明に従う高熱伝導性AQN焼結体は、ハイブリッド
Ic用基扱等のコストを低減させ、ますます使用可能な
範囲を拡大させるため、極めて産業上有用である。
Ic用基扱等のコストを低減させ、ますます使用可能な
範囲を拡大させるため、極めて産業上有用である。
【図面の簡単な説明】
第1図は、Al2N粉の酸素含有量と[Y2O3]との
関係を示すグラフ、第2図はY2O3添加頃と表面粗さ
との関係を示すグラフである。
関係を示すグラフ、第2図はY2O3添加頃と表面粗さ
との関係を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 焼結のままで表面粗さがRaで0.6μm以下であ
る窒化アルミニウム焼結体。 2 窒化アルミニウム粉の酸素含有量を[0](重量%
)とするとき、下記の領域で囲まれる量の[Y_2O_
3](重量%)を内掛添加した窒化アルミニウムを原料
とし、該窒化アルミニウムグリーンシートを容器中に詰
めて、該容器中にN_2ガスを容器容積の0.01〜2
0倍/分の範囲で流すことを特徴とする窒化アルミニウ
ム焼結体の製造方法。 3 [0]−1.5≦[Y_2O_3] ≦3[0]+1.0 (0<[0]≦2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63236513A JPH0288467A (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63236513A JPH0288467A (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0288467A true JPH0288467A (ja) | 1990-03-28 |
Family
ID=17001819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63236513A Pending JPH0288467A (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0288467A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0450172A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-19 | Kawasaki Steel Corp | 高熱伝導性AlN焼結体の製造方法 |
| US6144283A (en) * | 1998-05-19 | 2000-11-07 | Yazaki Corporation | Temperature detectable large-current fuse and method of assembling the same |
| JP2007070218A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-03-22 | Tokuyama Corp | 窒化アルミニウム焼結体 |
| US8597743B2 (en) | 2005-08-11 | 2013-12-03 | Tokuyama Corporation | Aluminum nitride sintered body |
-
1988
- 1988-09-22 JP JP63236513A patent/JPH0288467A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0450172A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-19 | Kawasaki Steel Corp | 高熱伝導性AlN焼結体の製造方法 |
| US6144283A (en) * | 1998-05-19 | 2000-11-07 | Yazaki Corporation | Temperature detectable large-current fuse and method of assembling the same |
| JP2007070218A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-03-22 | Tokuyama Corp | 窒化アルミニウム焼結体 |
| US8597743B2 (en) | 2005-08-11 | 2013-12-03 | Tokuyama Corporation | Aluminum nitride sintered body |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4701427A (en) | Sintered silicon carbide ceramic body of high electrical resistivity | |
| KR960006250B1 (ko) | 고열전도성 질화규소 소결체 및 그 제조방법 | |
| EP0959056A1 (en) | Method for controlling firing shrinkage of ceramic green body | |
| EP0287841B1 (en) | Sintered body of aluminum nitride | |
| KR100756619B1 (ko) | 질화알루미늄 소결체, 반도체 제조용 부재 및 질화알루미늄소결체의 제조 방법 | |
| US8231964B2 (en) | Aluminum oxide sintered body, method for producing the same and member for semiconductor producing apparatus | |
| WO1999011583A1 (en) | Silicon nitride sinter having high thermal conductivity and process for preparing the same | |
| JPH0288467A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 | |
| EP0885858B1 (en) | Recrystallized silicon carbide sintered material and manufacturing method thereof | |
| JP2000272968A (ja) | 窒化ケイ素焼結体及びその製造方法 | |
| JP3106160B2 (ja) | 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 | |
| JP3145519B2 (ja) | 窒化アルミニウム質焼結体 | |
| JPH01252584A (ja) | 複合セラミックス焼結体およびその製造方法 | |
| JP3450400B2 (ja) | 窒化アルミニウム焼結体および窒化アルミニウム多層回路基板 | |
| JPH0442861A (ja) | 高強度な窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | |
| JP3656899B2 (ja) | 高密度ジルコニウム酸バリウム焼結体および製造法 | |
| JP3157957B2 (ja) | 高熱伝導性炭化珪素質焼結体及びその製造方法 | |
| JPH02279568A (ja) | 窒化アルミニウム質焼結体およびその製造方法 | |
| JP2778732B2 (ja) | 窒化ほう素―窒化アルミニウム系複合焼結体およびその製造方法 | |
| JPS59156961A (ja) | アルミナ焼結基板の製造方法 | |
| JPS6184036A (ja) | 熱伝導性AlNセラミツクス基板 | |
| JPS61286267A (ja) | 窒化アルミニウム質焼結体の製造方法 | |
| JP3106186B2 (ja) | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | |
| JPH11322436A (ja) | 窒化珪素質焼結体の製造方法 | |
| JPS63230574A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体の製造法 |