JPH0289207A - 垂直異方性を有する薄膜磁気装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は垂直異方性を有する薄膜磁気装置に関する。

読出し、読出し／書込み、或いは書込み用薄膜記録ヘッ
ドの様な磁気装置は、装置材料の活性領域に於いて、特
定の磁気配向、或いは磁区を有する様に設計される。こ
れら磁区の各々の静的状態は、製造工程を制御すること
により、所望通り設計することができる。性能は磁区の
構造に大きく結び付いている。従って、磁区構造を制御
することにより装置の性能に影響を及ぼすことができる
。

薄膜磁気ヘッド等に於ける磁束の導通は、二つの機構、
即ち、磁壁移動及び磁区回転によって達成される。磁壁
移動が生じると、磁束が磁区の壁に沿って薄膜ヘッドを
通して伝播する。磁束が平衡状態に戻ろうとする時、磁
壁に沿って磁束が広がる。しかしながら、磁壁移動は低
周波数の磁束の導通を促進するが、高周波数の磁束の導
通に対しては、磁壁移動は媒体としては劣ったものであ
る。更に、磁気ヘッド材料の欠陥があると、磁束がこの
欠陥によって乱されて、磁壁移動による磁束の導通の期
間のバルクハウゼンノイズの源となる場合がある。この
様なノイズは記録されたデータを間違って読出す結果と
なる。

磁壁による磁束の導通は、平行軸に沿って軸状に配列さ
れた一連の隣接する磁区を構成することにより達成する
ことができる。この様にすることで、ある角度で第１の
磁区に当たる磁束が、その磁区に磁化を生じて、この磁
区は静的配向から萌記角度だけ回転されて、隣接する磁
区に影響を及ぼす。この様な回転は、同様にして磁束伝
達の磁区に沿って、一連の隣接する各磁区によって伝達
される。この様にして、磁束は磁極内に導通され、一連
の磁区回転によって薄膜ヘッドのヨークを通過する。

ヨークは磁束をトランスデユーサに通過して、磁束レベ
ル或いは磁束の変化の割合に比例する電気信号を発生さ
せることを可能にする。ヨークのりラフタンスが高いと
、磁束のかなりの量がトランスジューサーを迂回して、
装置の出力が減少する。

薄膜ヘッドの様な従来の装置は、通常基板面に平行であ
り、且つ信号磁束軸を横切る方向の異方性を（安定磁区
配向が）有して通常製造される。

この形態のヘッドに於いて、（より高いトラック密度の
要請により）　トラック幅がより小さくなると、回転に
より磁束を転送できる横磁化領域は零に収束する。これ
は、磁束通路を支配し、回転による導通を防いでいる端
部領域＜ｍ方向に配向された磁束が閉じ込められている
領域）から結果される。ヘッドは従って、高周波数で高
リラクタンスを示す。

上記の配向を有する通常の記録ヘッドに於ける別の雑音
は、磁束が回転により導通している場合においても、磁
束がヨークを通して磁極片から縦方向に伝達する時に磁
束は殆ど放散出来ないことである。磁区回転が装置の縦
方向平面内のみに磁束を効率的に導通することが出来る
ので、別の可能性のある方向はその平面外であり、且つ
高リラクタンスである。

本発明の要約 本発明の一つの特徴は、薄膜層の平面に垂直な異方性を
有する磁気薄膜層を作り出すことによって磁気薄膜装置
を通しての回転磁束導通を可能にすることに関する。こ
の際、薄膜は薄膜層の平面内に安定状態の回転導通路が
存在するように十分な厚さに積層゛されている。

本発明の別の特徴は、磁気装置内に垂直方向に配向した
中心磁区を形成することを可能にして、回転による信号
磁束の導通路が、極めて狭い信号磁束路に対しても開放
され続けるようにすることにある。

本発明の別の特徴は、二つの所望される面内回転磁束伝
達方向と垂直に、磁気装置の極の安定磁区状態を配向す
ることにある。

本発明の別の特徴は、幅の狭いトラックヘッド用の極を
通して流れる回転磁束を相対的な幅が殆ど押しつけない
平面内に、この形態の磁極内の端部磁区を配向すること
にある。

本発明の別の特徴は、垂直異方性を有する磁気装置内に
磁束を発散させることにある。

本発明の好ましい実施例は、基板上に形成された磁気装
置の少なくとも一つの層からなり、この層は、基板表面
に垂直に配向する好ましい安定種磁区を有している。

別の利点及び特徴は、好ましい実施例及び特許請求の範
囲の記述から明らかになるであるであろう。

好ましい実施例の記述 第１図は、磁気記録媒体（図示せず）から通常の二極磁
気記録ヘッド１０の極端（ボール・チップ）１６．１８
を望む斜視図である。谷径１２゜１４の極端１６．１８
は、磁気記録媒体に曝される。各磁極は端部において、
厚さｔを有している。

製造される際に、この様な通常の装置は各磁極は、複数
の横磁区２０によって決められた中心領域２１を有して
いる。横磁区は、信号磁束の流れの軸に垂直な共通の平
行軸に沿って、並べられている。各磁区２０の安定状＝
ｍ気配向は各磁区内の矢印によって示され、Ｘ軸に沿っ
ている。この横方向配向は、回転磁束伝達を容易にする
。それで、磁束は隣接する磁区２０を通して直列的に伝
播し、縦方向Ｙ軸に沿ってヨーク区分１５の背後方向へ
流れる。Ｚ軸は面外であるので、高リラクタンス通路と
なる。誘導的トランスジューサ１３は、信号磁束流を検
出或いは誘導することができるヨークの中央部内に図示
的に示されている。

中央領域への両側に、横方向の端部磁区２２が設けられ
ている。各端部磁区の各々は、幅Ｗ８を有している。端
部磁区は、各磁区内の矢印によって示された縦方向に配
向されている。この磁区２２は回転による導通は促進し
ないが、むしろ隣接磁区２０に関連する閉磁区として機
能し、また回転伝達効率を減少する。

極１２及び１４はギャップ層ｇによって分離されており
、第１図内に比例的で無く示されている。

当業者には、ギャップｇは基板上の複数のヘッド１０を
形成する多段階成長過程の部分として設けられているＡ
ＩＪａの様な絶縁材料に依り通常形成できることが理解
されるであろう。典型的なキャップ幅範囲は０．２から
１．０ミクロンの範囲である。

記録媒体上へヘッド１０によってデータを記録する間、
配向された磁化を有するトラックが生成される。このト
ラックは、ヘッド１０の動作幅れによって決められる幅
を有する。更に、第１図に示される様に、トラック幅Ｗ
ｔは、所望されない端部磁区２２の幅２Ｗ、（即ち、Ｗ
Ｘ　＋ＷＸ　）と所望される中央領域幅Ｗｒとの和と考
えられる。

読み出しサイクルの間、高周波数で、ヘッド１０の中央
の漢方向に配向された領域Ｗｒ内のみで磁極からヨーク
へトラックからの信号が導通される。記録データが増大
すると、トラック幅はより狭くされる。しかしながら、
トラック幅がＷ。

が成る与えられた比率で減少してより高いトラック密度
が達成されると、中央領域２１の幅Ｗｒが、より大きい
比で零に減少する。従って、回転導通は、トラック幅が
通常のヘッドで狭くなると、零になる。

本発明の好ましい実施例における、記録ヘッド３０の様
な薄膜磁気装置は第２図に示される様に二つの磁極３２
及び３４を有している。一方が他方の頂部上にあり、薄
膜厚さ軸Ｔの方向で基板堆積面に平行に且つギャップ層
ｇによって分離されて磁極が形成されている。磁極３２
は複数の中央磁区３６を有して構成されている。磁極３
４も同様に構成される。これら磁区は、基板堆積面に垂
直に異方的に配向されている。

第２図の構成により、所望の中央幅Ｗｒはトラック幅Ｗ
、に等しくなる。ここで、幅ＷＬは、２Ｗ、＠部磁区因
子の摂動効果を受けることなしに、かなり減少すること
ができる。もちろん、端部磁区は薄膜ヘッドにおいて固
有なものであり、端部磁区３８は磁極３２．３４の十分
内側或いは十分外側に位置する様に見える。しかしなが
ら、この構成によりこれらの端部磁区は、（障害となる
）幅方向でなく　（磁極が十分な厚さであると過程する
と、磁束回転伝達を維持するのに障害とならない）ヘッ
ドの厚さ方向に追い去さられる。この様にして、ヘッド
は、十分な厚さＴに被覆することができ、磁極の水平面
における端部磁区３８は中央磁区３６と比較して小さく
、従って、磁束の伝達に影響しない。

磁区３６の幅を変化して、狭い端部がらヨークの中央方
向へ発散させることはが更に好ましい。

ここで、磁極端における磁区３６．の幅はヨークの中央
付近の磁区３６゜の幅Ｗ。より小さい。

ヨークの構成に依存して、磁区３６の幅をヨークの背後
に向かうにつれて減少することができる。

この狭幅化は回転伝達を妨げない。

本発明の装置におけるトランスジューサは、ヨーク部分
と関連しており、インダクタ１３として図示されている
。しかしながら、様々なトランスジューサの構成が、本
発明を実施する範囲ないで利用可能である。

磁区３６の初期磁化は垂直（Ｚ）方向（厚さ方向）にあ
り、二つの垂直（Ｘ、　Ｙ）方向（横及び縦方向）が磁
極の面内での回転伝達を行うことが可能となる。このこ
とは、横及び縦方向の伝達要素が磁束移動における面内
において利用可能であるため、ヨーク中での磁束の伸長
を促進するための付加的な効果を有することになる。

第２図の装置の動作において、媒体からの信号磁束はヘ
ッド極片４２，４４と相互作用する。その際、順次各磁
区３６は角度φだけ回転することにより反応する。従っ
て、信号磁束は装置のヨークまで伝達する。これは、壁
連結による伝達の欠点を除去し、端部磁区の影響を除去
し、所望されないバルクハウゼンノイズを抑圧し、また
磁束が伸長することを可能にする。

磁極の頂部及び底部表面に於ける磁区から端部磁区の影
響を除去するために、基準より厚い約３ミクロン或いは
それ以上の薄膜を被覆することが必要である。磁極端に
おけるギャップｇは通常の厚さを有することができる。

普通に配向された薄膜ヘッドに関して、本発明を利用す
る理想的なトラック幅は、幅Ｗｔが略２Ｗ、に等しい点
と決められる（即ち、Ｗｒ及び回転信号磁束路は零に近
づく）。

製　　造 ドライ真空堆積法において、垂直に配向された一つの層
（或いは複数の層）は、堆積中に垂直方向に配向された
磁場内にウェハー基板を設置し、このウェハー基板上に
堆積することができる。垂直方向に配向された磁場は、
例えば、コイルによって又はスパッタリング装置のマグ
ネトロンターゲット磁石によって供給することができる
。また、垂直配向方向に結晶軸を有する結晶配向を有す
る薄膜を成長することによっても配向を達成することが
できる。別の方法では、負の磁気歪及び引っ張り応力を
有して磁極を堆積し、磁気異方性が垂直方向に誘起する
ようにする。

第１の磁極が設置された後、（非磁性体）ギャップ層を
堆積することができる。各磁極が堆積さた後、ヨーク及
びトランスジュサーをマスクイオンミリング方法により
形成することかできる。

湿式方法においては、各磁極層はバイアス磁場内での被
覆マスクを通して堆積され、適当な磁区配向を達成する
。Ｎ１−Ｐ、　Ａｕ、　Ｃｕ等の金属である場合、非磁
性層を被覆することができる。セラミックがバッファー
層に使用される場合、これは、マスクが取り除かれた後
スパッターされる必要がある。この構造は次の磁極を受
は入れる用意があり、それから種層及びマスクが置かれ
、極はその上にメツキされる。

上述された技術が有する問題は、極めて高い温度（例え
ば、ＮｉＦｅ或いはＮｉＦｅＣｏ極に対して３０分以上
の場合、２００℃以上）が、磁場を設定することにより
得られる誘起異方性を劣化させる。この感能性は、強い
垂直磁場内での高温アニーリングを行うことにより解決
される。

上述された方法で使用することができる磁極材料として
はニッケル、鉄及びコバルト合金、ガーネット磁石、フ
ェライト結晶磁石、及び他の代替物が使用できる。

他の実施例は特許請求の範囲内に記載される。

【図面の簡単な説明】 第１図は、従来の２極磁気記録ヘツドの断面図、第２図
は、本発明の好適な実施例を具体化する薄膜磁気装置の
断面図。 １０・・・磁気記録ヘッド、１２．１４・・・極、１３
・・・トランスデユーサ、１５・・・ヨーク部分、１６
．１８・・・極端、２０・・・横磁区、２１・・・中央
領域、２２・・・端部磁区、３２．３４・・・磁極、３
６・・・中央磁区、３８・・・端部磁区。 ＩＧＩ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）安定した磁気配向を有する磁気構造を通して所望
   の方向で回転により信号磁束を伝達する方法が、 前記磁気配向を安定した配きに配向して、縦及び横方向
   の比較的好ましい信号磁束導通路を形成して、回転によ
   り信号磁束を前記構造に通過させる工程を含むことを特
   徴とする方法。 （２）前記構造は、十分な厚さを有して形成された層を
   備えることにより、この層の平面内に安定な状態の回転
   導通路を設け、前記層の平面に垂直な安定な磁気配向を
   有することを特徴とする請求項（１）記載の方法。 （３）前記安定な状態の通路が、この安定な状態の通路
   に垂直に配向された、複数の直列に配列された平行な磁
   区から成ることを特徴とする請求項（２）記載の方法。 （４）前記層が、第１の幅の第１の区分及びより広い幅
   の第２の区分を有する請求項（２）に記載の方法。 （５）端部磁区を、前記層の頂部及び底部に平行にその
   内部に位置する工程を含むことを特徴とする請求項（２
   ）記載の方法。 （６）端部磁区を、前記層の頂部及び底部に平行にその
   内部に位置する工程を含むことを特徴とする請求項（３
   ）記載の方法。 （７）前記層が、鉄合金であることを特徴とする請求項
   （２）記載の方法。 （８）前記層が、ニッケル合金であることを特徴とする
   請求項（２）記載の方法。 （９）前記層が、コバルト合金であることを特徴とする
   請求項（２）記載の方法。 （１０）前記層が、ガーネット磁石であることを特徴と
   する請求項（２）記載の方法。 （１１）前記層が、フェライト磁石であることを特徴と
   する請求項（２）記載の方法。 （１２）前記磁気層が、軟磁性薄膜であることを特徴と
   する請求項（２）記載の方法。 （１３）回転磁束導通を可能とする磁気薄膜装置を形成
   する方法が、 前記層内に、前記層の面に対して垂直な磁気異方性を誘
   起しながら磁性層を形成し、 安定状態の回転導通路が前記層の面内形成されるに十分
   な厚さの層を形成することから成ることを特徴とする方
   法。 （１４）前記磁性層を覆ってギャップ層を形成し、第２
   の層をこの上に形成する工程を更に有することを特徴と
   する請求項（１３）記載の方法。 （１５）前記第２の層は、この層の面に垂直な磁気異方
   性を有して形成され、前記第２の層は、この層の平面内
   に安定状態の回転導通路が形成されるに十分な厚さを有
   することを特徴とする請求項（１４）記載の方法。 （１６）前記層に垂直な軸に沿った結晶軸を有して前記
   層を成長させる工程を含むことを特徴とする請求項（１
   ３）記載の方法。 （１７）前記層が、鉄合金であることを特徴とする請求
   項（１３）記載の方法。 （１８）前記層が、ニッケル合金であることを特徴とす
   る請求項（１３）記載の方法。 （１９）前記層が、コバルト合金であることを特徴とす
   る請求項（１３）記載の方法。 （２０）　前記層が、ガーネット磁石であることを特徴
   とする請求項（１３）記載の方法。 （２１）前記層が、フェライト磁石であることを特徴と
   する請求項（１３）記載の方法。（２２）前記磁性層が
   、軟磁性薄膜であることを特徴とする請求項（１３）記
   載の方法。（２３）前記層を、真空蒸着により形成する
   工程を含むことを特徴とする請求項（１３）記載の方法
   。 （２４）前記層の平面に垂直な磁場内で、前記層がアニ
   ーリングされることを特徴とする請求項（１３）記載の
   方法。 （２５）前記層の平面に垂直な磁場内で、前記層を形成
   する工程を有することを特徴とする請求項（１３）記載
   の方法。 （２６）前記磁気異方性が、垂直方向に誘起されるよう
   に、負の磁気歪及び応力を有して前記層を堆積する工程
   を有する請求項（１３）記載の方法。 （２７）前記層が、第１の幅の第１の部分及びより広い
   第２の部分を有する請求項（１３）記載の方法。 （２８）前記層の頂部及び底部内で、これに平行に端部
   磁区を設置する工程を含む請求項（１３）記載の方法。 （２９）薄膜極及びヨークに対して垂直な異方性を達成
   する方法であり、基板上に一つの極層を形成し、前記極
   層の中央磁区を前記基板に垂直に配向する工程を有する
   方法。 （３０）前記第１の極層に結合するギャップ層を形成し
   、前記ギャップ層に結合する第２の極層を形成する工程
   を含む請求項（２９）記載の方法。 （３１）第２の極層の中央磁区を前記基板に垂直に配向
   する工程を含む請求項（３０）記載の方法。 （３２）前記基板に垂直な結晶軸を有して前記極層を成
   長する工程を含む請求項（２９）記載の方法。 （３３）前記層が、鉄合金である請求項（２９）記載の
   方法。 （３４）前記層が、ニッケル合金である請求項（２９）
   記載の方法。 （３５）前記層が、コバルト合金である請求項（２９）
   記載の方法。 （３６）前記層が、ガーネット磁石である請求項（２９
   ）記載の方法。 （３７）前記層が、フェライト磁石である請求項（２９
   ）記載の方法。 （３８）前記磁性層が、軟磁性薄膜である請求項（２９
   ）記載の方法。 （３９）前記極層の形成が、真空蒸着によって前記基板
   上に薄膜を形成することを含む請求項（２９）記載の方
   法。 （４０）前記極層の形成が、前記基板に垂直な磁界中で
   前記極層をアニーリングすることを含む請求項（３９）
   記載の方法。 （４１）前記極層の形成が、前記基板平面に垂直な磁場
   中で前記極層を堆積することを含む請求項（３９）記載
   の方法。 （４２）磁気異方性が、垂直方向に誘起されるように負
   の磁気歪及び内部応力を伴って前記極層を堆積する工程
   を含む請求項（２９）記載の方法。 （４３）前記層が、第１の幅を有する第１の部分及びよ
   り広い幅の第２の部分を有する請求項（２９）記載の方
   法。 （４４）端部磁区を、前記層の頂部及び底部表面内で、
   これらに平行に位置する工程を含む請求項（２９）記載
   の方法。 （４５）基体、 前記基体に接続された一つの極から成る信 号磁束の回転導通を行うことのできる薄膜磁気装置にお
   いて、 前記極が磁区を有しており、この磁区の多くが前記基体
   の平面に垂直に配向されており、前記装置を通しての信
   号磁束の回転導通のための２軸面内路を形成しているこ
   とを特徴とする薄膜磁気装置。 （４６）前記極層に結合し、前記基体に平行な絶縁ギャ
   ップ層を更に含むことを特徴とする請求項（４５）記載
   の装置。 （４７）前記ギャップ層に結合し、前記基体に平行な第
   ２の極層を有しており、これら極層は平行な異方性軸を
   有しており、前記２つの極層は先端で結合しておらず、
   ヨークにおいて互いに結合している請求項（４５）記載
   の装置。 （４８）前記２つの極層は、先端で同じ平面にある請求
   項（４６）記載の装置。 （４９）前記２つの極層は、互いに積層されている請求
   項（４６）記載の装置。 （５０）前記磁区は、二つの所望される面内での回転磁
   束伝達方向に垂直に配向されている請求項（４５）記載
   の装置。 （５１）前記装置は、所望の幅及び所望の厚さを有して
   おり、前記極層上に端部磁区を有し、前記端部磁区は前
   記装置の幅には寄与しない請求項（４５）記載の装置。 （５２）前記装置は、所望の厚さ及び任意の狭い幅を有
   し、更に前記極層上に端部磁区を有し、この端部磁区は
   装置の前記幅には寄与せず、前記装置は任意の狭いトラ
   ック幅を有する磁気記録ヘッドとして使用できる請求項
   （４５）記載の装置。 （５３）所望の幅及び厚さを有し、信号磁束を回転伝達
   することのできる薄膜磁気装置が、 基体、 この基体に接続された少なくとも一つの極を有し、 前記極は磁区を有し、前記磁区の多数が前記基体の面に
   垂直に配向され、装置を通して信号磁束を回転導通する
   ためのの２軸面内路を形成しており、前記極は端部磁区
   を有しており、前記端部磁区は装置の幅に寄与しないこ
   とを特徴とする薄膜磁気装置。 （５４）所望の厚さ及び任意の狭いトラック幅を有し、
   信号磁束の回転導通を行うことのできる薄膜磁気記録装
   置が、 基体、 この基体に接続された一つの極を有し、 前記極は磁区を有し、この磁区の多くが、前記基体の面
   に垂直に配向されており、前記装置を通して信号磁束を
   回転導通するための２軸の比較的低リラクタンス通路を
   形成しており、前記極が端部磁区を有し、そして前記端
   部磁区は前記装置の幅には寄与しないことを特徴とする
   薄膜磁気装置。 （５５）（ｉ）垂直配向された磁気バイアス内にウエフ
   ァー基板を設置し、 （ｉｉ）前記磁場内で前記基板上に薄膜層を堆積する工
   程を有する回転信号磁束伝達可能な磁気薄膜装置を形成
   するための乾燥真空堆積法。 （５６）非磁性バッファ層を前記薄膜層上に堆積し、ヨ
   ーク及びトランスデューサを形成し、前記磁場内で第２
   の薄膜層を堆積する工程を更に有する請求項（５５）記
   載の方法。（５７）前記薄膜層を一つの部分層とする複
   数の部分層を形成し、前記複数の部分層の磁化の配向方
   向が一つの方向に向いていることを特徴とする請求項（
   ５５）記載の方法。 （５８）（ｉ）垂直配向したバイアス磁場内にウエファ
   基板を設置し、 （ｉｉ）前記バイアス磁場内の被覆マスクを通して前記
   基板上に磁気層を被覆して特定の磁区配向を達成する工
   程から成る回転信号磁束導通を行うことのできる磁気薄
   膜装置を形成するための湿式堆積法。 （５９）（ｉｉｉ）前記磁性層上に非磁性緩衝層を設け
   、 （ｉｖ）種層及びマスクを設けることにより次の層を設
   け、前記緩衡層上に或る層を被覆する工程を更に含む請
   求項（５８）記載の方法。 （６０）前記第（ｉｖ）工程が前記バイアス磁場内で達
   成される請求項第（５９）項記載の方法。 （６１）前記非磁性層が前記マスクを通して被覆される
   請求項（５９）記載の方法。 （６２）前記マスクが取り除かれた後、前記非磁性層が
   前記磁性層上にスパッタされる請求項（５９）記載の方
   法。 （６３）前記第（ｉｉ）工程が、前記磁性層を一つの部
   分層として複数の部分層を形成し、前記複数の部分層の
   磁化の配向方向が一つの方向に向いている請求項（５８
   ）記載の方法。 （６４）第１の軸に沿って信号磁束を伝達することので
   きる任意の狭い磁気作用幅を有する薄膜磁気装置が、少
   なくとも一組の磁区を有し、 前記磁区の第１の磁区が、前記第１の軸に対してある角
   度を有する第１の方向で磁束を伝達することができ、 前記磁区の第２の磁区が、前記第１の磁区とは異なる第
   ２の方向で磁束を伝達することができ、 前記２つの磁区が互いに結合して、信号磁束が前記第１
   の軸に沿って流れて、前記任意の極めて狭い磁気作用幅
   が形成されている薄膜磁気装置。 （６５）信号磁束を第１の軸に沿って伝達することので
   きる任意の狭い磁気作用幅を有する薄膜磁気装置が、少
   なくとも一組の磁区を有し、 前記組の各磁区は信号磁束を第１及び第２の低リラクタ
   ンス方向へ伝達することができ、前記磁区は互いに結合
   して、信号磁束が前記第１の軸に沿って流れ、前記任意
   の狭い磁気作用幅が形成されている薄膜磁気装置。 （６６）前記幅が任意の狭いトラック幅を決める請求項
   （６４）または（６５）記載の装置。 （６７）薄膜磁気装置内に複数の磁区を有する回転信号
   磁束路を開放状態に保持する方法が、 信号磁束に対して二つの比較的低いリラクタンス方向を
   与え、一組の前記磁区を前記薄膜面に垂直に配向するこ
   とにより、信号磁束を前記信号磁束路へ伝播する工程を
   有する方法。 （６８）前記装置が、少なくとも約３ミクロンの厚さを
   有する請求項（１３）記載の方法。 （６９）前記装置が、少なくとも約３ミクロンの厚さを
   有する請求項（４５）記載の方法。 （７０）磁気装置に於いて、磁束が縦信号磁束導通軸に
   沿って伝達する時の横磁束放射を許容する方法が、二つ
   の低リラクタンス信号磁束伝達路を形成する工程を含む
   ことを特徴とする方法。