JPH0289376A - 太陽電池セル - Google Patents
太陽電池セルInfo
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- JPH0289376A JPH0289376A JP63242010A JP24201088A JPH0289376A JP H0289376 A JPH0289376 A JP H0289376A JP 63242010 A JP63242010 A JP 63242010A JP 24201088 A JP24201088 A JP 24201088A JP H0289376 A JPH0289376 A JP H0289376A
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- solar cell
- type gaas
- gaas layer
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、複数個を直列接続して光発電に使用される
太陽電池セルに関するもので、特に太陽電池セルに逆方
向電圧が印加された場合の太陽電池セルの破壊の防止に
関するものである。
太陽電池セルに関するもので、特に太陽電池セルに逆方
向電圧が印加された場合の太陽電池セルの破壊の防止に
関するものである。
従来の太陽電池セルは基本的に１つのｐ−ｎ接合を有す
るダイオードである。この太ｌ！ｌ電池セルを発電用と
して使用する際には複数個の太陽電池セルを直列に接続
し、直列に接続された全体の発電量が所定の電圧になる
ようにして使用される。
るダイオードである。この太ｌ！ｌ電池セルを発電用と
して使用する際には複数個の太陽電池セルを直列に接続
し、直列に接続された全体の発電量が所定の電圧になる
ようにして使用される。
このような状態で、太陽電池の一部が影になった場合、
この影となった太陽電池セルには他の太陽電池セルが発
生する電圧が逆方向電圧として印加される。この時、当
該太陽電池セルの逆方向耐圧が小さい場合、破壊現象が
生じ太陽電池セルとしての機能を低下させるか、太陽電
池セルの機能が消滅することになる。これを防止する為
には太陽電池セルの逆方向耐圧を高くするか、直列接続
した太陽電池の逆防止能力を越えない範囲毎に太陽電池
と逆並列に外付ダイオードを接続する必要があった。
この影となった太陽電池セルには他の太陽電池セルが発
生する電圧が逆方向電圧として印加される。この時、当
該太陽電池セルの逆方向耐圧が小さい場合、破壊現象が
生じ太陽電池セルとしての機能を低下させるか、太陽電
池セルの機能が消滅することになる。これを防止する為
には太陽電池セルの逆方向耐圧を高くするか、直列接続
した太陽電池の逆防止能力を越えない範囲毎に太陽電池
と逆並列に外付ダイオードを接続する必要があった。
まず、太陽電池セルの逆方向耐圧を高くすることはベー
ス層の不純物濃度を下げることにより実現さ礼る。太陽
電池セルに必要な層を拡散により形成する場合、−船釣
に、拡散層を浅い接合にする必要がある。特に宇宙用太
陽電池は短波長感度を高くするために０．３〜０，５μ
７７Ｌ以下にする必要がある。数百■の逆方向耐圧を得
るために必要な不純物濃度のベース層に対し上記浅い接
合を拡散で得る事は実験的に可能であっても量産時には
困難である。ざらにＧａＡｓ太陽電池セルでは、結晶成
長で低不純物濃度を得ることは非常に困難であるので、
得られる逆方向耐圧も高々数十Ｖであるため太陽電池セ
ルの逆方向耐圧を高くする事は限度がある。
ス層の不純物濃度を下げることにより実現さ礼る。太陽
電池セルに必要な層を拡散により形成する場合、−船釣
に、拡散層を浅い接合にする必要がある。特に宇宙用太
陽電池は短波長感度を高くするために０．３〜０，５μ
７７Ｌ以下にする必要がある。数百■の逆方向耐圧を得
るために必要な不純物濃度のベース層に対し上記浅い接
合を拡散で得る事は実験的に可能であっても量産時には
困難である。ざらにＧａＡｓ太陽電池セルでは、結晶成
長で低不純物濃度を得ることは非常に困難であるので、
得られる逆方向耐圧も高々数十Ｖであるため太陽電池セ
ルの逆方向耐圧を高くする事は限度がある。
また、太陽電池と逆並列に外付ダイオードを挿入する方
法はシステムとしては有効な方法であるが、ダイオード
の接続によるコストアップや部品数の増加を伴う。そし
て、部品数の増加はシステムの信頼性を下げることにな
る。特に高い信頼性が要求される宇宙用のシステムにお
いては大きな問題となる。
法はシステムとしては有効な方法であるが、ダイオード
の接続によるコストアップや部品数の増加を伴う。そし
て、部品数の増加はシステムの信頼性を下げることにな
る。特に高い信頼性が要求される宇宙用のシステムにお
いては大きな問題となる。
本発明は、上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、部品数を増加させることなく容易に製造でき
、かつ高い逆方向耐圧を持つ太陽電池セルを得ることを
目的とする。
たもので、部品数を増加させることなく容易に製造でき
、かつ高い逆方向耐圧を持つ太陽電池セルを得ることを
目的とする。
（課題を解決するための手段）
この発明に係る太陽電池セルは、半導体層と、前記半導
体層に形成された太陽電池セル部と、前記半導体層と電
気的に分離されたＰＮ接合構造部と、前記ＰＮ接合構造
部が前記太ｌｌ！電池セル部と逆並列になるように配線
し、かつ前記ＰＮ接合部全面を覆う電極とを備えている
。
体層に形成された太陽電池セル部と、前記半導体層と電
気的に分離されたＰＮ接合構造部と、前記ＰＮ接合構造
部が前記太ｌｌ！電池セル部と逆並列になるように配線
し、かつ前記ＰＮ接合部全面を覆う電極とを備えている
。
この発明におけるＰＮ接合構造部は、電極により太陽電
池セル部に逆並列に接続されているので、太陽電池セル
部に逆起電力が印加されるとＰＮ接合構造部に電流が流
れ、太陽電池セル部に印加された逆起電力を吸収し、太
陽電池セル部の破壊を防止する。
池セル部に逆並列に接続されているので、太陽電池セル
部に逆起電力が印加されるとＰＮ接合構造部に電流が流
れ、太陽電池セル部に印加された逆起電力を吸収し、太
陽電池セル部の破壊を防止する。
第１図は、この発明に係る太陽電池セル（ＧａＡｓ太陽
電池セル）の−構成例を示す図であり、このうち第１図
（ａ）は平面図、第１図（ｂ）はこの平面図のＡ−Ａ線
に沿っての新面図である。ｎ形ＧａＡｓ層１（基板）の
上面の一部に拡散によりｐ形ＧａＡＳ層２が形成される
。ｎ形ＧａＡＳ層１上の太陽電池セル部領域に格子整合
層３ａが形成される。ｐ形ＧａＡＳ層２上のＰＮＮ接合
構造領領域格子整合層３ｂが形成される。格子整合層３
ａ上には下から順にｎ形ＧａＡｓ層４ａ、ｐ形ＧａＡｓ
層５ａが形成され、光が照射されるとこのｎ形ＧａＡｓ
１４ａとｐ形ＧａＡＳ層５ａとの境界面に光起電力が生
じる。ｐ形ＧａＡｓ層５ａ上には一部に窓を有したｐ形
ＡＩＧａＡＳ層６ａが形成されている。ｐ形Ａｊ！Ｇａ
Ａｓ層６ａの上面に光反射防止膜７が形成される。
電池セル）の−構成例を示す図であり、このうち第１図
（ａ）は平面図、第１図（ｂ）はこの平面図のＡ−Ａ線
に沿っての新面図である。ｎ形ＧａＡｓ層１（基板）の
上面の一部に拡散によりｐ形ＧａＡＳ層２が形成される
。ｎ形ＧａＡＳ層１上の太陽電池セル部領域に格子整合
層３ａが形成される。ｐ形ＧａＡＳ層２上のＰＮＮ接合
構造領領域格子整合層３ｂが形成される。格子整合層３
ａ上には下から順にｎ形ＧａＡｓ層４ａ、ｐ形ＧａＡｓ
層５ａが形成され、光が照射されるとこのｎ形ＧａＡｓ
１４ａとｐ形ＧａＡＳ層５ａとの境界面に光起電力が生
じる。ｐ形ＧａＡｓ層５ａ上には一部に窓を有したｐ形
ＡＩＧａＡＳ層６ａが形成されている。ｐ形Ａｊ！Ｇａ
Ａｓ層６ａの上面に光反射防止膜７が形成される。
格子整合層３ｂ上にはｎ形ＧａＡｓ層４ｂが形成され、
ｎ形ＧａＡｓ層４ｂ上面の一部にはｐ形ＧａＡＳ層５ｂ
が形成される。このｎ形ＧａＡｓ層４ｂとｐ形ＧａＡＳ
層５ｂで構成されるダイオードにより太陽電池セル部の
逆起電力を吸収する。
ｎ形ＧａＡｓ層４ｂ上面の一部にはｐ形ＧａＡＳ層５ｂ
が形成される。このｎ形ＧａＡｓ層４ｂとｐ形ＧａＡＳ
層５ｂで構成されるダイオードにより太陽電池セル部の
逆起電力を吸収する。
ｐ形ＧａＡｓ層５ｂ上には、一部に窓を有したｐ形Ａｊ
！ＧａＡｓ層６ｂが形成されている。絶縁膜８は格子整
合層３ａ、ｎ形ＧａＡｓ層４ａ、ｐ形ＧａＡＳ層５ａ及
びｐ形Ａｊ！ＧａＡｓ層６ａの左側面及びｐ形ＡＪ！Ｇ
ａＡｓ層６ａの一部表面を覆うよう形成されている。ま
た、絶縁膜８は格子整合層３ｂ、ｎ形ＧａＡｓ層４ｂ、
ｐ形ＧａＡＳ層５ｂ及びｐ形Ａｊ！ＧａＡｓ層６ｂの左
側面及びｐ形Ａｊ！ＧａＡｓ層６ｂの表面を覆い、かつ
ｐ形ＧａＡｓｆｆ１５ｂ及びｐ形Ａ１ＧａＡｓ１１６ｂ
の右側面も覆っている。
！ＧａＡｓ層６ｂが形成されている。絶縁膜８は格子整
合層３ａ、ｎ形ＧａＡｓ層４ａ、ｐ形ＧａＡＳ層５ａ及
びｐ形Ａｊ！ＧａＡｓ層６ａの左側面及びｐ形ＡＪ！Ｇ
ａＡｓ層６ａの一部表面を覆うよう形成されている。ま
た、絶縁膜８は格子整合層３ｂ、ｎ形ＧａＡｓ層４ｂ、
ｐ形ＧａＡＳ層５ｂ及びｐ形Ａｊ！ＧａＡｓ層６ｂの左
側面及びｐ形Ａｊ！ＧａＡｓ層６ｂの表面を覆い、かつ
ｐ形ＧａＡｓｆｆ１５ｂ及びｐ形Ａ１ＧａＡｓ１１６ｂ
の右側面も覆っている。
ｐ電極９は、ｐ形ＧａＡＳ層５ａとｎ形ＧａＡＳ層４ｂ
とｐ形ＧａＡｓ層２とを電気的に接続する。ｎ電極１０
ａはｎ形ＧａＡｓ層１の裏面に設けられている。ｎ電極
１０ｂはｎ形ＧａＡｓ層１とｐ形ＧａＡｓ層５ｂとを電
気的に接続する。ｐ電極９とｎ電極１０ｂによりＰＮ接
合構造部が覆われている。
とｐ形ＧａＡｓ層２とを電気的に接続する。ｎ電極１０
ａはｎ形ＧａＡｓ層１の裏面に設けられている。ｎ電極
１０ｂはｎ形ＧａＡｓ層１とｐ形ＧａＡｓ層５ｂとを電
気的に接続する。ｐ電極９とｎ電極１０ｂによりＰＮ接
合構造部が覆われている。
次に動作について説明する。受光面に光を受けると、ｐ
形ＧａＡｓ層５ａ及びｎ形ＧａＡＳＩｉＪ４ａの間に光
起電力が発生し、ｎ電極１０ａを負に、ｐ電極９を正と
する電池として動作する。この場合、ｎ形ＧａＡｓ層４
ｂとｐ形ＧａＡｓ層２によって形成されるｐ−ｎ接合は
太陽電池セル本来の発電方向とは逆方向の発電機能があ
るが、接合全面がｐＷ１極９．ｎｆｔｆ極１０ｂで覆わ
れることで照射光が阻止されるため逆方向に発電せず、
太ＩＩ！電池セルの性能を阻害することはない。また、
ｎ形ＧａＡＳ層１とｐ形ＧａＡＳ層２により形成される
ｐ−ｎ接合及びｎ形ＧａＡＳ層４ｂとｐ形（３ａＡｓ層
５ｂにより形成されるｐ−ｎ接合もｐ電極９、ｎ電極１
０ｂで覆われているので発電には寄与しない。
形ＧａＡｓ層５ａ及びｎ形ＧａＡＳＩｉＪ４ａの間に光
起電力が発生し、ｎ電極１０ａを負に、ｐ電極９を正と
する電池として動作する。この場合、ｎ形ＧａＡｓ層４
ｂとｐ形ＧａＡｓ層２によって形成されるｐ−ｎ接合は
太陽電池セル本来の発電方向とは逆方向の発電機能があ
るが、接合全面がｐＷ１極９．ｎｆｔｆ極１０ｂで覆わ
れることで照射光が阻止されるため逆方向に発電せず、
太ＩＩ！電池セルの性能を阻害することはない。また、
ｎ形ＧａＡＳ層１とｐ形ＧａＡＳ層２により形成される
ｐ−ｎ接合及びｎ形ＧａＡＳ層４ｂとｐ形（３ａＡｓ層
５ｂにより形成されるｐ−ｎ接合もｐ電極９、ｎ電極１
０ｂで覆われているので発電には寄与しない。
今、第１図（ｂ）に図示した太１１１電池セルがｎ電極
１０ａ、ｐ電極９を介して複数個直列接続された太陽電
池において、一部の太陽電池セルが影になったとする、
すると、影になった太陽電池セル逆電圧が印加され、ｐ
電極９が負、ｎ電極１０ａが正にバイアスされる。この
場合、ｐ形ＧａＡＳ層５ｂとｎ形ＧａＡＳ層４ｂにより
形成されるｐｎ接合が順バイアスされることになり、ｎ
電極１０ｂからｐ電極９への電流が流れる。従って、太
陽電池セルとしての本来の発電機能を有するｎ形ＧａＡ
Ｓ層４ａとｐ形ＧａＡＳ層５ａにより形成されるｐ−ｎ
接合には逆電圧が印加されることはない。
１０ａ、ｐ電極９を介して複数個直列接続された太陽電
池において、一部の太陽電池セルが影になったとする、
すると、影になった太陽電池セル逆電圧が印加され、ｐ
電極９が負、ｎ電極１０ａが正にバイアスされる。この
場合、ｐ形ＧａＡＳ層５ｂとｎ形ＧａＡＳ層４ｂにより
形成されるｐｎ接合が順バイアスされることになり、ｎ
電極１０ｂからｐ電極９への電流が流れる。従って、太
陽電池セルとしての本来の発電機能を有するｎ形ＧａＡ
Ｓ層４ａとｐ形ＧａＡＳ層５ａにより形成されるｐ−ｎ
接合には逆電圧が印加されることはない。
第２図は、第１図に示した太陽電池セルの製造工程を示
す断面図である。第２図（ａ）に示すようにｎ形ＧａＡ
Ｓ層１上に窒化珪素膜ＢをＣＶＤにより形成し、写真製
版技術によりマスクパターンを形成し、第２図（ｂ）の
ように窓をあける。次に上記のようにして形成されたマ
スクの窓を通してｐ形不純物を拡散し、第２図（Ｃ）の
ようにｒｌ形ＧａＡＳ層１にｐ形ＧａＡＳ層２を形成し
た後、マスクとしての窒化珪素膜Ｂを除去する。
す断面図である。第２図（ａ）に示すようにｎ形ＧａＡ
Ｓ層１上に窒化珪素膜ＢをＣＶＤにより形成し、写真製
版技術によりマスクパターンを形成し、第２図（ｂ）の
ように窓をあける。次に上記のようにして形成されたマ
スクの窓を通してｐ形不純物を拡散し、第２図（Ｃ）の
ようにｒｌ形ＧａＡＳ層１にｐ形ＧａＡＳ層２を形成し
た後、マスクとしての窒化珪素膜Ｂを除去する。
その後、エピタキシャル成長で第２図（ｄ）のように太
陽電池セルに必要な構造、つまり、格子整合層３．ｎ形
ＧａＡＳ層４．ｐ形ＧａＡｓ層５゜ｐ形△ＩＧａＡＳ層
６を順次形成する。次に、ｐ形ＧａＡｓ層６上にレジス
ト膜を形成し、写真製版技術を用いてマスクパターンを
形成し、窓をあけエツチングすることにより格子整合層
３．ｎ形ＧａＡｓ層４．ｐ形ＧａＡＳ層５．ｐ形△ｌＧ
ａＡｓ層６の不必要な部分を除去した後、マスクパター
ンを除去し、第２図（ｅ）に示すような構造を得る。
陽電池セルに必要な構造、つまり、格子整合層３．ｎ形
ＧａＡＳ層４．ｐ形ＧａＡｓ層５゜ｐ形△ＩＧａＡＳ層
６を順次形成する。次に、ｐ形ＧａＡｓ層６上にレジス
ト膜を形成し、写真製版技術を用いてマスクパターンを
形成し、窓をあけエツチングすることにより格子整合層
３．ｎ形ＧａＡｓ層４．ｐ形ＧａＡＳ層５．ｐ形△ｌＧ
ａＡｓ層６の不必要な部分を除去した後、マスクパター
ンを除去し、第２図（ｅ）に示すような構造を得る。
次に、レジスト膜を第２図（ｅ）に示した構造の表面全
面に形成し、写真製版技術によりマスクパターンを形成
し、窓を設け、エツチングすることにより、ｐ形１ｊ）
ＧａＡｓｆｆ１６ｂとｐ形ＧａＡＳ層５ｂにより形成さ
れている積層構造の一部を除去した後、マスクパターン
を除去する。その後、再び表面全面にレジスト膜を形成
し、写真製版技術によりマスクパターンを形成し、窓を
設け、エツチングすることによりｐ形ＡＩＧａＡＳ層６
ａ。
面に形成し、写真製版技術によりマスクパターンを形成
し、窓を設け、エツチングすることにより、ｐ形１ｊ）
ＧａＡｓｆｆ１６ｂとｐ形ＧａＡＳ層５ｂにより形成さ
れている積層構造の一部を除去した後、マスクパターン
を除去する。その後、再び表面全面にレジスト膜を形成
し、写真製版技術によりマスクパターンを形成し、窓を
設け、エツチングすることによりｐ形ＡＩＧａＡＳ層６
ａ。
６ｂの一部を除去した後、マスクパターンを除去する。
このようにして第２図ｍに示す構造を得る。
次に、反射防止膜７及び絶縁膜８の役割をする窒化珪素
膜をＣＶＤにより蒸着させる。その上にレジスト膜を形
成し、写真製版技術によりマスクパターンを形成し、窓
を設け、エツチングすることにより不必要な窒化珪素膜
を除去した侵、マスクパターンを除去する。その後、電
極材料をＣｖＤにより蒸着させる。その上に、レジスト
膜を形成し、写真製版技術によりマスクパターンを形成
し、窓を設け、エツチングすることにより不必要な電極
材料を除去し、ｎ電極１０ｂを形成し、マスクパターン
を除去し、第２図（（１）に示すような構造を得る。
膜をＣＶＤにより蒸着させる。その上にレジスト膜を形
成し、写真製版技術によりマスクパターンを形成し、窓
を設け、エツチングすることにより不必要な窒化珪素膜
を除去した侵、マスクパターンを除去する。その後、電
極材料をＣｖＤにより蒸着させる。その上に、レジスト
膜を形成し、写真製版技術によりマスクパターンを形成
し、窓を設け、エツチングすることにより不必要な電極
材料を除去し、ｎ電極１０ｂを形成し、マスクパターン
を除去し、第２図（（１）に示すような構造を得る。
その後、レジスト膜を第２図（Ｖ）に示した構造の表面
全面に形成し、写真製版技術によりマスクパターンを形
成し、窓を設Ｃプ、エツチングすることにより反射防止
膜７の不必要な部分を除去し、窓を有する反射防止膜７
．絶縁膜８を形成し、マスクパターンを除去する。次に
、電極材料をＣＶＤにより蒸着させ、その上に、レジス
ト膜を形成し、写真製版技術によりマスクパターンを形
成し、窓を設け、エツチングすることにより不必要な電
極材料を除去し、ｐ電極９を形成し、マスクパターンを
除去し、第２図（ｈ）に示すような構造を１りる。そし
て、最後に電極材料をＣＶＤによりｎ形ＧａＡｓ層１の
裏面に蒸着させることにより第１図（ｂｌに示す太陽電
池セルが完成する。上記製造工程によると、ｐ形ＧａＡ
Ｓ層２とｎ形ＧａＡｓ層１によりＰＮ接合分離を行った
ので、太陽電池セル部を形成する工程を利用して、つま
り、エビタキャシャル成長を利用してｎ形ＧａＡｓ層４
ｂとｐ形ＧａＡｓ１Ｍ５ｂより成るＰＮ接合構造部を形
成することができ、容易に、逆起電力阻止能力をもった
太陽電池セルを製造することができる。
全面に形成し、写真製版技術によりマスクパターンを形
成し、窓を設Ｃプ、エツチングすることにより反射防止
膜７の不必要な部分を除去し、窓を有する反射防止膜７
．絶縁膜８を形成し、マスクパターンを除去する。次に
、電極材料をＣＶＤにより蒸着させ、その上に、レジス
ト膜を形成し、写真製版技術によりマスクパターンを形
成し、窓を設け、エツチングすることにより不必要な電
極材料を除去し、ｐ電極９を形成し、マスクパターンを
除去し、第２図（ｈ）に示すような構造を１りる。そし
て、最後に電極材料をＣＶＤによりｎ形ＧａＡｓ層１の
裏面に蒸着させることにより第１図（ｂｌに示す太陽電
池セルが完成する。上記製造工程によると、ｐ形ＧａＡ
Ｓ層２とｎ形ＧａＡｓ層１によりＰＮ接合分離を行った
ので、太陽電池セル部を形成する工程を利用して、つま
り、エビタキャシャル成長を利用してｎ形ＧａＡｓ層４
ｂとｐ形ＧａＡｓ１Ｍ５ｂより成るＰＮ接合構造部を形
成することができ、容易に、逆起電力阻止能力をもった
太陽電池セルを製造することができる。
なお、上記実施例では、ＰＮ接合分離により、ｎ形Ｇａ
Ａｓ層１とｐ形ＧａΔＳ層５ａとの分離を行ったが、ｐ
形ＧａＡＳ層２を設けることなく、絶縁層によりｎ形Ｇ
ａＡＳ層１とｐ形ＧａＡＳ層５ａとの分離を行ってもよ
い。
Ａｓ層１とｐ形ＧａΔＳ層５ａとの分離を行ったが、ｐ
形ＧａＡＳ層２を設けることなく、絶縁層によりｎ形Ｇ
ａＡＳ層１とｐ形ＧａＡＳ層５ａとの分離を行ってもよ
い。
また、上記実施例ではｎ形ＧａＡＳ層５ａとｐ形ＧａＡ
Ｓ層４ａとのｐ−ｎ接合により太陽電池セル部を構成し
たが、ｎ形ＧａＡＳ層１とｐ−ｎ接合を形成するようｎ
形ＧａＡｓｅｌ上にｐ形ＧａＡＳ層を形成するなどの変
形も可能である。
Ｓ層４ａとのｐ−ｎ接合により太陽電池セル部を構成し
たが、ｎ形ＧａＡＳ層１とｐ−ｎ接合を形成するようｎ
形ＧａＡｓｅｌ上にｐ形ＧａＡＳ層を形成するなどの変
形も可能である。
さらに、上記実施例ではＧａＡＳ太陽電池を例にあげた
が、本発明はＳｉ太陽電池及びその他の太陽電池にも適
用できる。また、上記実施例では基板にＧａＡＳを使用
したが、ＧａＡＳの代りに３ｉやＧｅ基板を用いても同
様の効果が得られる。
が、本発明はＳｉ太陽電池及びその他の太陽電池にも適
用できる。また、上記実施例では基板にＧａＡＳを使用
したが、ＧａＡＳの代りに３ｉやＧｅ基板を用いても同
様の効果が得られる。
以上のようにこの発明によれば、太陽電池セル内に、太
陽電池セル部とＰＮ接合構成部とを有するように構成し
、かつ、太ＩＬｆｆｆ池セル部とＰＮ接合構成部が電極
により逆並列に配線されているので、太陽電池セル部に
逆方向電圧が印加されてもＰＮ接合構造部により吸収さ
れ、その結果、太陽電池セルが破壊されないという効果
がある。また、電極により、ＰＮ接合構造部が覆われて
いるので、光照射時にＰＮ接合構造部が発電に寄与する
ことはない。さらに、外付ダイオードを設けることなく
、逆方向電圧を吸収することができるので、システムの
信頼性が高いものが得られるという効果がある。
陽電池セル部とＰＮ接合構成部とを有するように構成し
、かつ、太ＩＬｆｆｆ池セル部とＰＮ接合構成部が電極
により逆並列に配線されているので、太陽電池セル部に
逆方向電圧が印加されてもＰＮ接合構造部により吸収さ
れ、その結果、太陽電池セルが破壊されないという効果
がある。また、電極により、ＰＮ接合構造部が覆われて
いるので、光照射時にＰＮ接合構造部が発電に寄与する
ことはない。さらに、外付ダイオードを設けることなく
、逆方向電圧を吸収することができるので、システムの
信頼性が高いものが得られるという効果がある。
第１図はこの発明に係る太陽電池セルの一構成例を示す
図、第２図は第１図に示した太陽電池セルの製造工程を
示す図である。 図において、１．４ａ及び４ｂはｎ形ＧａＡＳ層、２，
５ａ及び５ｂはｐ形ＧａＡＳ層、９はｎ電極、１０ｂは
ｎ電極である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 第１図 代理人 大 岩 増 雄 １．４ａ、４ｂ−−−−ｎ形ＧａＡｓＡ２、５ａ、５ｂ
−−−−ｐ形Ｇａ ＡＳ／１９−−−ｐ電場 １０ｂ−ｎ電場 第 図 第 図 事件の表示 特願昭 ２４２０１、 発明の名称 太陽電池セル 訊補正をする者 代表者 ４、代 ５、訂正の対象 明細書の「発明の詳細な説明の欄」 ６、補正の内容 （１） 明細書第５頁第９行及び第１７行の「窓を有
した」を、「窓効果を有した」に訂正する。 （２） 明細書第９頁第２０行ないし第１０頁第１行
、第１０頁第１２行ないし第１３行ｄ３よび第１８行の
ｒＣＶＤにより」を削除する。 以上
図、第２図は第１図に示した太陽電池セルの製造工程を
示す図である。 図において、１．４ａ及び４ｂはｎ形ＧａＡＳ層、２，
５ａ及び５ｂはｐ形ＧａＡＳ層、９はｎ電極、１０ｂは
ｎ電極である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 第１図 代理人 大 岩 増 雄 １．４ａ、４ｂ−−−−ｎ形ＧａＡｓＡ２、５ａ、５ｂ
−−−−ｐ形Ｇａ ＡＳ／１９−−−ｐ電場 １０ｂ−ｎ電場 第 図 第 図 事件の表示 特願昭 ２４２０１、 発明の名称 太陽電池セル 訊補正をする者 代表者 ４、代 ５、訂正の対象 明細書の「発明の詳細な説明の欄」 ６、補正の内容 （１） 明細書第５頁第９行及び第１７行の「窓を有
した」を、「窓効果を有した」に訂正する。 （２） 明細書第９頁第２０行ないし第１０頁第１行
、第１０頁第１２行ないし第１３行ｄ３よび第１８行の
ｒＣＶＤにより」を削除する。 以上
Claims (1)
- （１）半導体層と、 前記半導体層に形成された太陽電池セル部と、前記半導
体層と電気的に分離されたＰＮ接合構造部と、 前記ＰＮ接合構造部が前記太陽電池セル部と逆並列にな
るように配線し、かつ前記ＰＮ接合部全面を覆う電極と
を備えた太陽電池セル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63242010A JPH0289376A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 太陽電池セル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63242010A JPH0289376A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 太陽電池セル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0289376A true JPH0289376A (ja) | 1990-03-29 |
Family
ID=17082918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63242010A Pending JPH0289376A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 太陽電池セル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0289376A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0324768A (ja) * | 1989-06-22 | 1991-02-01 | Sharp Corp | バイパスダイオード付太陽電池 |
| EP1110247A4 (en) * | 1998-08-20 | 2007-12-05 | Emcore Corp | SOLAR BATTERY WITH DRIVE DIODE MOUNTED TO THE FRONT |
-
1988
- 1988-09-26 JP JP63242010A patent/JPH0289376A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0324768A (ja) * | 1989-06-22 | 1991-02-01 | Sharp Corp | バイパスダイオード付太陽電池 |
| EP1110247A4 (en) * | 1998-08-20 | 2007-12-05 | Emcore Corp | SOLAR BATTERY WITH DRIVE DIODE MOUNTED TO THE FRONT |
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