JPH0293073A - シートプラズマ式cvd装置 - Google Patents
シートプラズマ式cvd装置Info
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- JPH0293073A JPH0293073A JP24573088A JP24573088A JPH0293073A JP H0293073 A JPH0293073 A JP H0293073A JP 24573088 A JP24573088 A JP 24573088A JP 24573088 A JP24573088 A JP 24573088A JP H0293073 A JPH0293073 A JP H0293073A
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- Japan
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- plasma
- substrate
- pallets
- sheet plasma
- gas
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- Pending
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- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 11
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はシートプラズマ弐〇VD装置に関するものであ
る。
る。
(従来の技術)
従来、大面積の基板に均質な薄膜を付ける装置として、
第2図に示す縦型両面プラズマ装置が知られている。
第2図に示す縦型両面プラズマ装置が知られている。
ずなわら、図中、lは処理室、2はパレット、3は基板
、4は原料ガス供給管、5は高周波電極、6は排気管、
7はヒータである。
、4は原料ガス供給管、5は高周波電極、6は排気管、
7はヒータである。
処理室I内には、高周波電極5が対向して配置されてい
る。そして、高周波電極5.5の対向面には多数の小穴
が設けられており、原料ガス供給管4より供給された原
料ガスは放電空間中に放出されるようになっている。ま
た、前記基板3に均質な膜を付けるために、パレット2
および基板3がヒータ6により加熱されるように構成さ
れている。
る。そして、高周波電極5.5の対向面には多数の小穴
が設けられており、原料ガス供給管4より供給された原
料ガスは放電空間中に放出されるようになっている。ま
た、前記基板3に均質な膜を付けるために、パレット2
および基板3がヒータ6により加熱されるように構成さ
れている。
その他の従来例としては、例えば、特開昭61−284
579号公報、特開昭61−119676号公報、特開
昭59−88820号公報等が知られている。
579号公報、特開昭61−119676号公報、特開
昭59−88820号公報等が知られている。
特開昭61−284579号公報に開示のものは、基板
にプラズマを集中させ、基板部に原料ガスを供給するし
のであり、特開昭61−119676号公報、特開昭5
9−88820号公報に開示のものはシートプラズマと
レーザ光または分子ビームを併用したものである。
にプラズマを集中させ、基板部に原料ガスを供給するし
のであり、特開昭61−119676号公報、特開昭5
9−88820号公報に開示のものはシートプラズマと
レーザ光または分子ビームを併用したものである。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、前述の縦型プラズマ装置においては、プ
ラズマが高周波プラズマであるため、プラズマ密度が低
く、原料ガスの電離が充分に行われないために、緻密性
のよい膜が得られないばかりか成膜速度が遅い。また、
各基板列に応じてそれぞれ高周波電極が必要であり高価
となる。
ラズマが高周波プラズマであるため、プラズマ密度が低
く、原料ガスの電離が充分に行われないために、緻密性
のよい膜が得られないばかりか成膜速度が遅い。また、
各基板列に応じてそれぞれ高周波電極が必要であり高価
となる。
特開昭61−284579号公報のものは、基板にプラ
ズマを集中させ、基板部に原料ガスを供給するものであ
って、供給されるガスのイオン化率が低く、成膜速度が
遅いために生産性が悪い。
ズマを集中させ、基板部に原料ガスを供給するものであ
って、供給されるガスのイオン化率が低く、成膜速度が
遅いために生産性が悪い。
さらに、特開昭61−119676号公報、特開昭59
−88820号公報のものは、シートプラズマとレーザ
光あるいは分子ビームを発生させる機器が必要であり高
価である等の問題点を有している。
−88820号公報のものは、シートプラズマとレーザ
光あるいは分子ビームを発生させる機器が必要であり高
価である等の問題点を有している。
(課題を解決するための手段)
本発明は以」二の問題点を解決するために、シトプラズ
マ弐〇VD装置を、処理室内に基板を装着したパレット
を垂直状態で対向配置し、前記パレットの対向面に基板
を装着するとともに、処理室天井部の前記パレットのほ
ぼ中間位置に上方からホロー放電陰極、中間電極および
永久磁石を前記順序で配設し、かつ、陰極側と前記パレ
ット下方に設けた陽極側とにそれぞれ電磁コイルを配設
し、前記パレット間の空間にシートプラズマを形成ずろ
一方、原料ガスの導入管を陰極近傍に設けた構成とした
ものである。
マ弐〇VD装置を、処理室内に基板を装着したパレット
を垂直状態で対向配置し、前記パレットの対向面に基板
を装着するとともに、処理室天井部の前記パレットのほ
ぼ中間位置に上方からホロー放電陰極、中間電極および
永久磁石を前記順序で配設し、かつ、陰極側と前記パレ
ット下方に設けた陽極側とにそれぞれ電磁コイルを配設
し、前記パレット間の空間にシートプラズマを形成ずろ
一方、原料ガスの導入管を陰極近傍に設けた構成とした
ものである。
(実施例)
本発明に係る実施例を第1図を参照して説明する。
図において、処理室lの天井部には、上方からポロー放
電陰極II、永久磁石12aとコイル12bからなる中
間電極12.永久磁石13.プラズマ制御コイル14a
、ガス導入管15が順次設けられている。
電陰極II、永久磁石12aとコイル12bからなる中
間電極12.永久磁石13.プラズマ制御コイル14a
、ガス導入管15が順次設けられている。
一方、下方側には排気口6ならびにプラズマ制御コイル
14b、また、前記ホロー放電陰極IIと対向する位置
に陽極+6.永久磁石17が配置されている。
14b、また、前記ホロー放電陰極IIと対向する位置
に陽極+6.永久磁石17が配置されている。
さらに、前記処理室l内には、基板3を内面に取り付け
たパレット2が下記するように発生するシートプラズマ
を中心として、垂直状態で対向配設されている。
たパレット2が下記するように発生するシートプラズマ
を中心として、垂直状態で対向配設されている。
前記構成からなるため、いま、排気口6より排気して、
処理室l内を真空状態にする。そして、ホロー放電陰極
11に電圧を印加するととしに披イオンガス(r(、ガ
ス等)を供給すると、円柱状のプラズマが発生する。こ
の円柱状のプラズマは永久磁石13によって伸縮させら
れ、所望の幅、厚さ、密度をもつシートプラズマを形成
する。
処理室l内を真空状態にする。そして、ホロー放電陰極
11に電圧を印加するととしに披イオンガス(r(、ガ
ス等)を供給すると、円柱状のプラズマが発生する。こ
の円柱状のプラズマは永久磁石13によって伸縮させら
れ、所望の幅、厚さ、密度をもつシートプラズマを形成
する。
そして、このシートプラズマは、プラズマ制御コイル1
4a、14bで外方に広がるのを規制され、陽極に収束
することになる。
4a、14bで外方に広がるのを規制され、陽極に収束
することになる。
なお、中間電極12は、永久磁石12aとコイル12b
とからなり、陰極領域と陽極領域に圧力差を付け、陽極
領域からのイオンの逆流を防止して、陰極の損傷を防止
するしのである。
とからなり、陰極領域と陽極領域に圧力差を付け、陽極
領域からのイオンの逆流を防止して、陰極の損傷を防止
するしのである。
また、ガス導入管15から5io4等の原料ガスが前記
ソートプラズマ中に供給されろと、この原料ガスはソー
トプラズマによりイオン化し、しかしそのイオン化はパ
レット2の全長にイつたって行なわれるため1、大面積
を有する基板3に均一で密着性の良いa−9i膜等の薄
膜を形成することができる。
ソートプラズマ中に供給されろと、この原料ガスはソー
トプラズマによりイオン化し、しかしそのイオン化はパ
レット2の全長にイつたって行なわれるため1、大面積
を有する基板3に均一で密着性の良いa−9i膜等の薄
膜を形成することができる。
以上のように、プラズマはホロー放電陰極11から陽極
1Gに向かって縦方向に形成されるので、パレット2を
垂直方向に大きくすることにより、原料ガスの通過距離
を長くすることが可能である。
1Gに向かって縦方向に形成されるので、パレット2を
垂直方向に大きくすることにより、原料ガスの通過距離
を長くすることが可能である。
なお、前記彼イオンガスにH2ガスを使用すれば、基板
3の洗浄度が向上するとともに、添加ガスとしての02
量か軽減する。
3の洗浄度が向上するとともに、添加ガスとしての02
量か軽減する。
(発明の効果)
以上の説明で明らかなように、本発明に係るノートプラ
ズマ式CVD装置によれば、シートプラズマを縦長に発
生さUoることかできるので、大面積で原料ガスをイオ
ン化する事ができる。
ズマ式CVD装置によれば、シートプラズマを縦長に発
生さUoることかできるので、大面積で原料ガスをイオ
ン化する事ができる。
したがって、大面積あるいは複数個の基板を一度に成膜
でき、生産性が向上する。
でき、生産性が向上する。
また、原料ガスの通過距離を長くできるため、ノートプ
ラズマによりイオン化率が高くなり、緻密性のよい薄膜
が得られる上、原料ガスを軽減することができる。
ラズマによりイオン化率が高くなり、緻密性のよい薄膜
が得られる上、原料ガスを軽減することができる。
第1図は本発明に係る実施例の構成図、第2図は従来の
縦型両面プラズマ装置の構成図である処理室、2・・・
パレット、3・・基板、4・・・ガス供給管、5・高周
波電極、6・・排気口、11・・ホロー放電陰極、12
・・中間電極、13・・・永久磁石、14a 14h
・・プラズマ制御コイル、15・・ガス導入管。 特 許 出 願 人 中外炉工業株式会社代 理 人
弁理士 前出 葆 はか1名第1図
縦型両面プラズマ装置の構成図である処理室、2・・・
パレット、3・・基板、4・・・ガス供給管、5・高周
波電極、6・・排気口、11・・ホロー放電陰極、12
・・中間電極、13・・・永久磁石、14a 14h
・・プラズマ制御コイル、15・・ガス導入管。 特 許 出 願 人 中外炉工業株式会社代 理 人
弁理士 前出 葆 はか1名第1図
Claims (1)
- (1)処理室内にパレットを垂直状態で対向配置し、前
記パレットの対向面に基板を装着するとともに、処理室
天井部の前記パレットのほぼ中間位置に上方からホロー
放電陰極、中間電極および永久磁石を前記順序で配設し
、かつ、陰極側と前記パレット下方に設けた陽極側とに
それぞれ電磁コイルを配設し、前記パレット間の空間に
シートプラズマを形成する一方、原料ガスの導入管を陰
極近傍に設けたことを特徴とするシートプラズマ式CV
D装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24573088A JPH0293073A (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | シートプラズマ式cvd装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24573088A JPH0293073A (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | シートプラズマ式cvd装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0293073A true JPH0293073A (ja) | 1990-04-03 |
Family
ID=17137950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24573088A Pending JPH0293073A (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | シートプラズマ式cvd装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0293073A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5753045A (en) * | 1995-01-25 | 1998-05-19 | Balzers Aktiengesellschaft | Vacuum treatment system for homogeneous workpiece processing |
| US5902649A (en) * | 1995-01-25 | 1999-05-11 | Balzers Aktiengesellschaft | Vacuum treatment system for homogeneous workpiece processing |
| US20190032197A1 (en) * | 2016-02-17 | 2019-01-31 | Innohance Co., Ltd. | Cathode for plasma treatment apparatus |
-
1988
- 1988-09-29 JP JP24573088A patent/JPH0293073A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5753045A (en) * | 1995-01-25 | 1998-05-19 | Balzers Aktiengesellschaft | Vacuum treatment system for homogeneous workpiece processing |
| US5902649A (en) * | 1995-01-25 | 1999-05-11 | Balzers Aktiengesellschaft | Vacuum treatment system for homogeneous workpiece processing |
| US20190032197A1 (en) * | 2016-02-17 | 2019-01-31 | Innohance Co., Ltd. | Cathode for plasma treatment apparatus |
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