JPH0294131A - 光学ピックアップ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光学ピックアップのレーザビームのトラッキ
ング制御とフォーカシング制御に関するものである。

（従来の技術） 従来、光学ピックアップのレーザビームのトラッキング
制御とフォーカシング制御は、第３図に示すように、光
学ディスク面２２にレーザビームを集中する対物レンズ
２０を支軸４８に対してラジアル方向に回動自在に、ア
キシャル方向に摺動自在となして、対物レンズ支持部５
０にそれぞれ巻回したトラッキング駆動用コイル４４、
及びフォーカシング駆動用コイル４２への駆動電流を、
トラッキング信号、フォーカシング信号に応じ変化させ
て、対物レンズ２０の位置を変位せしめることによって
行っていた。

（発明が解決しようとする課題） 前記従来の光学ピックアップでは、対物レンズ等の機械
的変位を利用してトラッキング及びフォーカシング制御
を実施している為、対物レンズ機構の摺動部の摩擦に起
因する関連部材の経時的変化、又は外部からの振動によ
る光学ピックアップの不安定性等の問題点があった。

本発明においては前述の問題点を解決するために対物レ
ンズ等の機械的変位を利用しないでトラッキング又はフ
ォーカシング制御を可能とする光学ピックアップを提供
することを目的とする。

（課題を解決するための手段） 本発明においては、入射光を複数部分に均等に分割し、
分割した複数の光導波路にそれぞれ独立の光導波路を設
け、各々の光導波路の伝搬定数を電気的に個々に変化さ
せ、分割された光の位相を独立電気的制御を行うことに
より分割された光の位相を独立制御することにより光を
偏向するように構成した光偏向素子（以下位相可変導波
路型偏向素子という）を光学ピックアップの光路上に設
置すると共に前記位相可変導波路型偏向素子の入射側と
出射側とにそれぞれシリンドリカルレンズを配設したフ
ォーカシング機能とトラッキング機能を有する光学ピッ
クアップを提供する。

（作　用） 本発明によれば、レーザビームは位相可変導波路型光偏
向素子により、レーザビームを分割し、該分割されたレ
ーザビームの位相を任意に可変する事により、その偏向
方向、焦点距離を可変する事ができるから光のトラッキ
ング制御とフォーカシング制御が可能となる。

（実施例） 以下添伺図面を参照して本発明の一実施例を説明する。

第１図は、本発明の一実施例を示す図面で図中符号２は
半導体レーザ、４（以下符合を省略する）はコリメート
レンズ、６はハーフミラ−１８は集光レンズ、１０は検
出器である。位相可変導波路型光偏向素子１４の入射側
と出射側にそれぞれシリンドリカルレンズ１２．１６を
配設する。次に１８は反射プリズム、２０は対物レンズ
２０．２２は光ディスクを示す。

本発明に採用された位相可変導波路型光偏向素子１４は
本発明と同一の発明者により特願昭８２−３２０９７２
号において開示された。

以下添付図面第２図を参照して前記位相可変導波路型光
偏向素子の概要について説明する。

第２図は前記光偏向素子１４の斜視図である。

光偏向素子１４の最下面を形成する下部電極２４の」二
にＧａＡｓ基板２６を配設し、更にその上に設けたＧａ
ｏ６ｓ　ＡＪＪｏ３５Ａｓよりなる下部クラッド層２８
と、後述するＧａＡｓ層３４下に配設したＧａｏ６５Ａ
ＪＬｏ３５Ａｓよりなる上部クラッド層３２とはＧａｏ
７Ａ！；Ｌｏ３Ａｓよりなる光導波層３０をはさんで配
置される。上部クラッド層３２の上には前述のＧａＡｓ
層３４を設け、更にその上に上部電極３６を設ける。

次に複数本の平行角状溝１３を穿設し上部電極３６を帯
状上部電極３８ａ、３Ｂｂ、３Ｅｔｅ、３８ｄに形成す
ることにより前記光偏向素子１４は帯状上部電極３８ａ
、３６ｂ、３８ｃ、３６ｄにより均等に分割され、これ
らの電極３８ａ　〜３８ｄはそれぞれ電源ＡＩ、Ａ２．
Ａ３Ａ４．を介して下部電極２４に接続される。然して
通電時には」二部クラッド層３２、光導波層３ｏ、下部
クラッド層２８よりなる光導波路は複数の光導波路に分
割される。

この様にして位相可変導波路型光偏向素子１４は、通電
時に均等に分割された半導体よりなる複数の光導波路に
形成される。

通常は、それぞれ側面に入射側レンズと出射側レンズよ
りなるレンズ系を配設する。

入射光は先ず入射側レンズをへて先導波路の導波層３０
へ入射し、通電時に上部電極毎に分割された先導波路を
それぞれ伝搬して後、出射側レンズにより平行光として
出射する。

前記光偏向素子１４は既に説明したように、通電時には
半導体で構成された複数の光導波路に分割され、これら
の光導波路すなわち分割された部分の注入電流比を変化
させ電気的にキャリア数を変化せしめるか又はバイアス
電圧をかけることにより惹起される電気光学的効果によ
り、光導波路の屈折率を変化させて伝搬定数を変化せし
める。

これにより分割された光導波路の出射端部に到達した各
導波路内の伝搬光は、位相変化をうけ出射端部より自由
空間に出射される。この際の位相変化量を前述のように
電気的に制御することにより等価的に等位相面の向きを
変化させることができるから従って光は所望の角度で偏
向する。

今半導体レーザ２を出射したレーザビームＬはコリメー
トレンズ４によって平行光となり、ハーフミラ−６を介
して、シリンドリカルレンズ１２により位相可変導波路
型光偏向素子１４に入射する。位相可変導波路型光偏向
素子１４に入射したレーザビームＬは、先導波層３０の
各電極部ごとに、検出器１０からのトラッキング信号、
フォーカシング信号に応じて、位相変化を受ける。位相
変化は定電流源ＡＩ、Ａ２．Ａ３．Ａ４の電流を変化さ
せて行うことができる。これにより、出射ビームの偏向
、焦点を可変させる事ができる。このレーザビームの偏
向、焦点の変化により、反射プリズム１８を介して、対
物レンズ２０による光デイスク２２面へのレーザビーム
Ｌの集光点が変位し、トラ−７キング制御、フォーカシ
ング制御を実施することができる。

（発明の効果） 以」―、詳細に説明したように、本発明によれば、光学
ピックアップのレーザ光のトラッキング制御及びフォー
カシング制御のために位相可変導波路型光偏向素子を採
用し、機械的可動部をなくした。その結果、機械的可動
部に必然的に伴う関係部材の経時的変化や外部からの振
動による光学ピックアップ不安定性を克服し、耐久耐振
性、長期信頼性の向上に資する等の効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る光学ピックアップの一実施例の路
線配置図であり、第２図は位相可変導波路型光偏向素子
の斜視図、第３図は従来例の光学ピックアップの路線配
置図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、フォーカシング制御機能とトラッキング制御機能と
   を有する光学ピックアップにおいて、前記光学ピックア
   ップの光路上に位相可変導波路型光偏向素子を設けたこ
   とを特徴とする光学ピックアップ。 ２、光導波路内に入射した入射光を複数部分に均等に分
   割し、分割された複数本の光導波路にそれぞれ独立の電
   極を設け、各々の光導波路の伝搬定数を電気的に個々に
   変化させ、分割された光の位相を独立制御することによ
   り光を偏向する位相可変導波路型光偏向素子を具えた請
   求項１記載の光学ピックアップ。