JPH0298807A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH0298807A JPH0298807A JP24975288A JP24975288A JPH0298807A JP H0298807 A JPH0298807 A JP H0298807A JP 24975288 A JP24975288 A JP 24975288A JP 24975288 A JP24975288 A JP 24975288A JP H0298807 A JPH0298807 A JP H0298807A
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- magnetic
- film
- magnetic head
- thin film
- superconductor
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/332—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using thin films
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は磁気記録媒体に記録された磁気記録情報の再生
を行なう再生用薄ＩＩ！ｉｊ ｔｉｎ気ヘッドに関し、
特に直流駆動型の超伝導量子干渉素子（以後５ＱＵＩＤ
素子と呼ぶ）を利用した再生用の薄膜磁気ヘッドに関す
るものである。
を行なう再生用薄ＩＩ！ｉｊ ｔｉｎ気ヘッドに関し、
特に直流駆動型の超伝導量子干渉素子（以後５ＱＵＩＤ
素子と呼ぶ）を利用した再生用の薄膜磁気ヘッドに関す
るものである。
［従来の技術］
近年、６ｎ気記録再生装置は記録の大容量化、高密度化
の一途をたどっており、そのために種々の開発が行なわ
れて来た。薄＠磁気ヘッドはそのような開発の代表例で
ある。従来の薄膜磁気ヘッドは一般的には誘導型であり
、基板上に磁気回路を構成する磁気ヨーク、コイル、及
び引き出し電極等を薄膜堆積法とフォトリソグラフィに
より薄膜として形成して構成されている。このような薄
膜磁気ヘッドによれば記録再生素子全体を極めて小さく
構成でき磁気ギャップのトラック幅をきわめて小さくす
ることができることなどにより、記録の高密度化が図れ
る。
の一途をたどっており、そのために種々の開発が行なわ
れて来た。薄＠磁気ヘッドはそのような開発の代表例で
ある。従来の薄膜磁気ヘッドは一般的には誘導型であり
、基板上に磁気回路を構成する磁気ヨーク、コイル、及
び引き出し電極等を薄膜堆積法とフォトリソグラフィに
より薄膜として形成して構成されている。このような薄
膜磁気ヘッドによれば記録再生素子全体を極めて小さく
構成でき磁気ギャップのトラック幅をきわめて小さくす
ることができることなどにより、記録の高密度化が図れ
る。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら近年の記録の大容量化、高密度化への要望
はとどまる所を知らず、更なる大容量化、高密度化が望
まれている。これに対して従来の誘導型の薄＠磁気ヘッ
ドでは再生感度が記録の高密度化に対する障害になって
いる。即ち記録の高密度化に伴なって、記録波長が短か
くなるにつれて、記録は行なえても充分なＳ／Ｎ比で信
号磁束を検出できず、再生を行なうことができない。
はとどまる所を知らず、更なる大容量化、高密度化が望
まれている。これに対して従来の誘導型の薄＠磁気ヘッ
ドでは再生感度が記録の高密度化に対する障害になって
いる。即ち記録の高密度化に伴なって、記録波長が短か
くなるにつれて、記録は行なえても充分なＳ／Ｎ比で信
号磁束を検出できず、再生を行なうことができない。
そこで本出願人は先に特願昭６３−２５４４２号により
直流駆動型のＳＱＵ Ｉ Ｄ素子を利用した再生用薄膜
磁気ヘッドを提案した。その構造は第３図に示すように
なっている。
直流駆動型のＳＱＵ Ｉ Ｄ素子を利用した再生用薄膜
磁気ヘッドを提案した。その構造は第３図に示すように
なっている。
第３図において符号１は高透磁率磁性材からなる磁性基
板である。磁性基板１において図中左手前側の端面が再
生時に不図示の磁気記録媒体に平行に対向させられる。
板である。磁性基板１において図中左手前側の端面が再
生時に不図示の磁気記録媒体に平行に対向させられる。
１ｉｉｌ性基板１において磁気記録媒体に対向する側縁
に沿って溝１ａが形成されており、この満１ａ内には下
部超伝導材２が埋設されている。その上には磁気記録媒
体から信号磁束゛を導く高透磁率の磁性膜から成る磁気
ヨーク４が不図示の絶縁層から成る磁気ギャップ３を介
して設けられている。磁気ヨーク４の後端部は磁性基板
１に直接接合される。
に沿って溝１ａが形成されており、この満１ａ内には下
部超伝導材２が埋設されている。その上には磁気記録媒
体から信号磁束゛を導く高透磁率の磁性膜から成る磁気
ヨーク４が不図示の絶縁層から成る磁気ギャップ３を介
して設けられている。磁気ヨーク４の後端部は磁性基板
１に直接接合される。
更に磁気ヨーク４上には上部超伝導体膜５が設けられる
。上部超伝導体膜５は不図示の絶縁層を介して磁気ヨー
ク４上にまたがるようにして形成され、その両端部は下
部超伝導材２に接合される。その接合部は掻く薄い酸化
絶縁膜を介したジョセフソン接合部ａとなっている。こ
のようにして下部超伝導材２と上部超伝導体膜５から２
つのジョセフソン接合部ａを有した超伝導体リング即ち
直流駆動型の５ＱＵＩＤ素子が構成される。
。上部超伝導体膜５は不図示の絶縁層を介して磁気ヨー
ク４上にまたがるようにして形成され、その両端部は下
部超伝導材２に接合される。その接合部は掻く薄い酸化
絶縁膜を介したジョセフソン接合部ａとなっている。こ
のようにして下部超伝導材２と上部超伝導体膜５から２
つのジョセフソン接合部ａを有した超伝導体リング即ち
直流駆動型の５ＱＵＩＤ素子が構成される。
更に磁性基板１上にはＳＱＵ Ｉ Ｄ素子にバイアス電
流を印加し、ＳＱＵ Ｉ Ｄ素子から信号６ｕ束の検出
信号を取り出すための電極６．６′が設けられる。電極
６．６′は良導体の薄膜から成り、方の電＄ｉ ６は上
部超伝導体ＩＩ！ ５に接続され、他方の電極６′は下
部超伝導材２に接続される。
流を印加し、ＳＱＵ Ｉ Ｄ素子から信号６ｕ束の検出
信号を取り出すための電極６．６′が設けられる。電極
６．６′は良導体の薄膜から成り、方の電＄ｉ ６は上
部超伝導体ＩＩ！ ５に接続され、他方の電極６′は下
部超伝導材２に接続される。
更に磁性基板１上の以上の構成の上に不図示の保護板を
接合して薄膜磁気ヘッドが構成される。
接合して薄膜磁気ヘッドが構成される。
次にこの薄［磁気ヘッドの動作について説明する。
再生時には上記５ＱＵＩＤ素子の下部超伝導材２と上部
超伝導体１１！５が超伝導状態となるように薄膜磁気ヘ
ッドが冷却されて不図示の回転駆動される磁気記録媒体
に対向させられる。そして媒体から磁気記録情報の信号
磁束が磁気ヨーク４を介してＳＱＵ Ｉ Ｄ素子内に導
かれる。
超伝導体１１！５が超伝導状態となるように薄膜磁気ヘ
ッドが冷却されて不図示の回転駆動される磁気記録媒体
に対向させられる。そして媒体から磁気記録情報の信号
磁束が磁気ヨーク４を介してＳＱＵ Ｉ Ｄ素子内に導
かれる。
ここで下部超伝導材２と上部超伝導体膜５から構成され
る５ＱｔＪＩＤ素子内の磁束φがφ＝ｎφ０およびφ＝
（ｎ＋１／２）φ０での５ＱＵＩＤ素子の電流−電圧
特性は第４図のようになる。尚ここでφ０は量子磁束で
あり、φ。＝２．０７ｘ １０−” Ｗｂである。
る５ＱｔＪＩＤ素子内の磁束φがφ＝ｎφ０およびφ＝
（ｎ＋１／２）φ０での５ＱＵＩＤ素子の電流−電圧
特性は第４図のようになる。尚ここでφ０は量子磁束で
あり、φ。＝２．０７ｘ １０−” Ｗｂである。
第４図に示すように５ＱＵＩＤ素子の電流−電圧特性は
磁束φの変化に従って特性Ａ、Ｂ間を連続的に変化する
。ここでジョセフソン接合部ａの臨界電流値１ｏの２倍
よりも大きな電流Ｉ、を電８ｉ６からＳＱＵ Ｉ Ｄ素
子に印加しておくと、磁気記録媒体から磁気ヨーク４に
流れ込んだ信号磁束の変化は５ＱＵＩＤ素子の上部超伝
導体膜５と下部超伝導材２の間の電圧の変化として取り
出すことができる。この場合の磁束と出力電圧の関係は
第５図のようになり、出力電圧■は量子磁束φ０を周期
にして所定の振幅ｖｏで周期的に変化する。
磁束φの変化に従って特性Ａ、Ｂ間を連続的に変化する
。ここでジョセフソン接合部ａの臨界電流値１ｏの２倍
よりも大きな電流Ｉ、を電８ｉ６からＳＱＵ Ｉ Ｄ素
子に印加しておくと、磁気記録媒体から磁気ヨーク４に
流れ込んだ信号磁束の変化は５ＱＵＩＤ素子の上部超伝
導体膜５と下部超伝導材２の間の電圧の変化として取り
出すことができる。この場合の磁束と出力電圧の関係は
第５図のようになり、出力電圧■は量子磁束φ０を周期
にして所定の振幅ｖｏで周期的に変化する。
実際のＳＱＵ Ｉ Ｄ素子の再生回路では雑音を小さく
するため、適当な娠ＩＳ Ｙ ｒをもった交流磁束φ、
にｍね合せて、φＸ＝φ、＋φｒｓＩｎωｊに対する出
力電圧を位相検波する方法が取られている。出力電圧の
周期的変化の回数を計数回路で計数することにより信号
磁束φ、を検出することができる。
するため、適当な娠ＩＳ Ｙ ｒをもった交流磁束φ、
にｍね合せて、φＸ＝φ、＋φｒｓＩｎωｊに対する出
力電圧を位相検波する方法が取られている。出力電圧の
周期的変化の回数を計数回路で計数することにより信号
磁束φ、を検出することができる。
このようにして信号６ｉ１束の検出を直流駆動型のＳＱ
Ｕ ｒ Ｄ素子により行なう薄膜磁気ヘッドでは従来の
リングヘッド、８導型の薄膜磁気ヘッドあるいはＭＲヘ
ッドと比較して信号磁束の検出能力において遥かに優れ
ている。
Ｕ ｒ Ｄ素子により行なう薄膜磁気ヘッドでは従来の
リングヘッド、８導型の薄膜磁気ヘッドあるいはＭＲヘ
ッドと比較して信号磁束の検出能力において遥かに優れ
ている。
しかしながらこのような直流駆動型の５ＱＵＩＤ素子を
用いた薄膜磁気ヘッドでは、信号ｂｎ束の検出感度は優
れているが、ＳＱＵ ｒ Ｄ素子から発生する電圧が極
めて小さく、出方電圧が極めて小さいという問題があっ
た。
用いた薄膜磁気ヘッドでは、信号ｂｎ束の検出感度は優
れているが、ＳＱＵ ｒ Ｄ素子から発生する電圧が極
めて小さく、出方電圧が極めて小さいという問題があっ
た。
そこで本発明の課題はこのような直流駆動型のＳＱＵ
Ｉ Ｄ素子を用いた再生用のｉ 膜磁気ヘッドにおいて
充分に大きな出力電圧が得られるようにすることにある
。
Ｉ Ｄ素子を用いた再生用のｉ 膜磁気ヘッドにおいて
充分に大きな出力電圧が得られるようにすることにある
。
［課題を解決するための手段］
本発明においては上述した課題を解決するために、基板
上に、磁気記録媒体から信号磁束を導く磁性膜からなる
磁気ヨークと、この磁気ヨークに流れる信号磁束を検出
する超伝導体膜から成る直流駆動型の超伝導量子干渉素
子とを設けて構成される再生用の薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記量子干渉素子を１つの６１気ヨークに対して複
数設け、この複数の量子干渉素子を直列に接続して各量
子干渉素子の出力を合成し１チャンネルの出力として取
り出すように構成した。
上に、磁気記録媒体から信号磁束を導く磁性膜からなる
磁気ヨークと、この磁気ヨークに流れる信号磁束を検出
する超伝導体膜から成る直流駆動型の超伝導量子干渉素
子とを設けて構成される再生用の薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記量子干渉素子を１つの６１気ヨークに対して複
数設け、この複数の量子干渉素子を直列に接続して各量
子干渉素子の出力を合成し１チャンネルの出力として取
り出すように構成した。
［作 用］
このような構成によれば、複数の量子干渉素子の出力を
合成、即ち加算して１チャンネルの出力として取り出す
ことにより、薄Ｉｎ気ヘッドの１チャンネルの出力を増
大できる。
合成、即ち加算して１チャンネルの出力として取り出す
ことにより、薄Ｉｎ気ヘッドの１チャンネルの出力を増
大できる。
［実施例］
以下、図を参照して本発明の実施例の詳細を説明する。
第１図及び第２図は本発明の実施例による直流駆動型の
ＳＱＵ Ｉ Ｄ素子を用いた再生用の薄膜磁気ヘッドの
要部の構造を示す断面図及び平面図である。両図におい
て先述した第３図中と共通もしくは対応する部分には共
通の参照数字もしくは共通の参照数字にアルファベット
を付した符号で示してあり、共通部分の説明は省略する
。
ＳＱＵ Ｉ Ｄ素子を用いた再生用の薄膜磁気ヘッドの
要部の構造を示す断面図及び平面図である。両図におい
て先述した第３図中と共通もしくは対応する部分には共
通の参照数字もしくは共通の参照数字にアルファベット
を付した符号で示してあり、共通部分の説明は省略する
。
第１図及び第２図に示すように本実施例の薄膜磁気ヘッ
ドでは第３図のヘッドと比較して以下の点が異なってい
る。
ドでは第３図のヘッドと比較して以下の点が異なってい
る。
即ちまず磁性基板１の上面において不図示の磁気記録媒
体に対向する図中左側面に沿って２木のｐｌａ、１ｂが
形成されており、このｔ’ｆ４１ａ、１ｂのそれぞれに
下部超伝導材２ａ、２ｂがそれぞれ帯状に埋設されてい
る。
体に対向する図中左側面に沿って２木のｐｌａ、１ｂが
形成されており、このｔ’ｆ４１ａ、１ｂのそれぞれに
下部超伝導材２ａ、２ｂがそれぞれ帯状に埋設されてい
る。
又上部超伝導体膜は符号５ａ〜５ｄで示ずようにそれぞ
れ磁気ボーク４上にまたがるようにして４つ平行に設け
られる。このうち上部超伝導体膜５ａ、５ｂのそれぞれ
の両端部は一方の下部超伝導材２ａ１．：接合される。
れ磁気ボーク４上にまたがるようにして４つ平行に設け
られる。このうち上部超伝導体膜５ａ、５ｂのそれぞれ
の両端部は一方の下部超伝導材２ａ１．：接合される。
又上部超伝導体膜５ｃ。
５ｄのそれぞれの両端部は他方の下部超伝導材２ｂに接
合される。上部超伝導体膜５８〜５ｄと下部超伝導材２
ａ、２ｂの接合部はそれぞれジョセフソン接合部ａとし
て構成される。尚上部超伝導体膜５８〜５ｄの間には絶
縁膜７ａ〜７ｃが形成されており、これにより絶縁がな
されている。
合される。上部超伝導体膜５８〜５ｄと下部超伝導材２
ａ、２ｂの接合部はそれぞれジョセフソン接合部ａとし
て構成される。尚上部超伝導体膜５８〜５ｄの間には絶
縁膜７ａ〜７ｃが形成されており、これにより絶縁がな
されている。
このような構造で上部超伝導体膜５８〜５ｄと下部超伝
導材２ａ、２ｂによりそれぞれ２つのジョセフソン接合
部ａを有した４つの超伝導体リング、即ち４つの直流駆
動型のＳＱＵ Ｉ Ｄ素子が構成されている。
導材２ａ、２ｂによりそれぞれ２つのジョセフソン接合
部ａを有した４つの超伝導体リング、即ち４つの直流駆
動型のＳＱＵ Ｉ Ｄ素子が構成されている。
尚この４つのＳＱＵ Ｉ Ｄ素子に対してバイアス電流
を印加し信号磁束の検出電圧を取り出すための電極は符
号６ａ〜６ｃで示すように３つ設けられる。電極６ａは
上部超伝導体ＭＳ ａ上に設けられる。電極６ｂは上部
超伝導体膜５ｂ上から５ｃ上にわたって設けられる。又
電極６ｃは上部超伝導体膜５ｄ上に設けられる。両端の
電極６ａ。
を印加し信号磁束の検出電圧を取り出すための電極は符
号６ａ〜６ｃで示すように３つ設けられる。電極６ａは
上部超伝導体ＭＳ ａ上に設けられる。電極６ｂは上部
超伝導体膜５ｂ上から５ｃ上にわたって設けられる。又
電極６ｃは上部超伝導体膜５ｄ上に設けられる。両端の
電極６ａ。
６ｃはバイアス電流の印加と出力信号の取り出しのだめ
の端子として外部の再生回路に接続される。このため電
極６ａ、６ｃには不図示のリード線がワイヤボンディン
グされるか、あるいは電極６ａ、６ｃは図示した形状よ
り延長されて、磁性基板１上を引き回される。
の端子として外部の再生回路に接続される。このため電
極６ａ、６ｃには不図示のリード線がワイヤボンディン
グされるか、あるいは電極６ａ、６ｃは図示した形状よ
り延長されて、磁性基板１上を引き回される。
このような電極６ａ〜６ｃを介して上記の４つの５ＱＵ
ＩＤ素子は直５１ｆに接続される。即ち４つのＳＱＵ
Ｉ Ｄ素子の各構成部材は符号だけでいうと、６ａ、５
ａ、２ａ、５ｂ、６ｂ、５ｃ。
ＩＤ素子は直５１ｆに接続される。即ち４つのＳＱＵ
Ｉ Ｄ素子の各構成部材は符号だけでいうと、６ａ、５
ａ、２ａ、５ｂ、６ｂ、５ｃ。
２ｂ、５ｄ、６ｃの各部材の順序で直列に接続される。
このような構造の下に再生時には電極６ａ。
６０間にバイアス電流が印加され、上記の各部材の順序
でバイアス電流が流れる。そして不図示の磁気記録媒体
から磁気ヨーク４に流れ込む６１束に応じて４つのＳＱ
Ｕ Ｉ Ｄ素子の上部超伝導体膜５ａ〜５ｄと下部超伝
導材２ａ、２ｂのそれぞれの間に電圧が発生する。即ち
符号だけで言えば５ａ、２ａ間、２ａ、５ｂ間、５ｃ、
２ｂ間、及び２ｂ、５ａ間に電圧が発生する。これらの
４つの電圧は上記の直列接続により合成、即ち加算され
電極６ａ、６ｃから薄膜磁気ヘッドの１チャンネルの出
力電圧として取り出される。
でバイアス電流が流れる。そして不図示の磁気記録媒体
から磁気ヨーク４に流れ込む６１束に応じて４つのＳＱ
Ｕ Ｉ Ｄ素子の上部超伝導体膜５ａ〜５ｄと下部超伝
導材２ａ、２ｂのそれぞれの間に電圧が発生する。即ち
符号だけで言えば５ａ、２ａ間、２ａ、５ｂ間、５ｃ、
２ｂ間、及び２ｂ、５ａ間に電圧が発生する。これらの
４つの電圧は上記の直列接続により合成、即ち加算され
電極６ａ、６ｃから薄膜磁気ヘッドの１チャンネルの出
力電圧として取り出される。
以上のような本実施例の薄膜磁気ヘッドによれば４つの
ＳＱＵ Ｉ Ｄ素子の検出出力電圧を合成、加算して１
チャンネルの出力電圧として取り出すので、第３図のよ
うにＳＱＵ Ｉ Ｄ素子が１チャンネルについて１つし
か設けられない場合に比べて４倍の出力電圧が得られ、
ミリボルトに近い出力電圧が得られる。これは現行の磁
気記録再生装置の増幅器で充分に良好に増幅できる出力
電圧値である。
ＳＱＵ Ｉ Ｄ素子の検出出力電圧を合成、加算して１
チャンネルの出力電圧として取り出すので、第３図のよ
うにＳＱＵ Ｉ Ｄ素子が１チャンネルについて１つし
か設けられない場合に比べて４倍の出力電圧が得られ、
ミリボルトに近い出力電圧が得られる。これは現行の磁
気記録再生装置の増幅器で充分に良好に増幅できる出力
電圧値である。
尚以上の構成で下部超伝導材２ａ、２ｂ及び上部超伝導
体膜５ａ〜５ｄを形成する超伝導材料としては、Ｌａ−
Ｂａ−Ｃｕ−０系、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０，＋のセラミッ
クス、あるいはこれらにＳｒを加えたもの、更にＢ１−
５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系、Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−０
系、Ｔｈ−Ｂａ−Ｐｂ−Ｃｕ−０系、Ｔｈ−Ｂａ−Ｚｒ
−Ｃｕ−０系のセラミックス、又上記セラミックス系に
希土類元素を加えたもの等が使用される。
体膜５ａ〜５ｄを形成する超伝導材料としては、Ｌａ−
Ｂａ−Ｃｕ−０系、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０，＋のセラミッ
クス、あるいはこれらにＳｒを加えたもの、更にＢ１−
５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系、Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−０
系、Ｔｈ−Ｂａ−Ｐｂ−Ｃｕ−０系、Ｔｈ−Ｂａ−Ｚｒ
−Ｃｕ−０系のセラミックス、又上記セラミックス系に
希土類元素を加えたもの等が使用される。
又以上の構成で再生動作は上部超伝導体膜５ａ〜５ｄ及
び下部超伝導材２ａ、２ｂが超伝導状態と成るようにヘ
ッドを冷却した状態で行なわれることは勿論である。
び下部超伝導材２ａ、２ｂが超伝導状態と成るようにヘ
ッドを冷却した状態で行なわれることは勿論である。
尚以上の実施例の第１図及び第２図では薄膜磁気ヘッド
の１チャンネルの構成しか示していないが、同じ構成を
磁性基板１上に複数並設することによりマルチチャンネ
ル化できることは勿論である。この場合図示のように１
チャンネルの構成は簡単なものであるので、マルチチャ
ンネル化は容易に行なうことができる。
の１チャンネルの構成しか示していないが、同じ構成を
磁性基板１上に複数並設することによりマルチチャンネ
ル化できることは勿論である。この場合図示のように１
チャンネルの構成は簡単なものであるので、マルチチャ
ンネル化は容易に行なうことができる。
［発明の効果］
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、基板
上に、磁気記録媒体から信号磁束を導く磁性膜からなる
磁気ヨークと、この磁気ヨークに流れる信号磁束を検出
する超伝導体膜から成る直流駆動型の超伝導量子干渉素
子とを設けて構成される再生用の薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記量子干渉素子を１つの磁気ヨークに対して複数
設け、この複数の量子干渉素子を直列に接続して各量子
干渉素子の出力を合成し１チャンネルの出力として取り
出すように構成したので、再生感度に格段に優れるとと
もに、充分に高い出力電圧が得られ、短波長記録に対し
て良好なＳ／Ｎ比で再生を行なえ、記録の高密度化に対
応できるという優れた効果が得られる。
上に、磁気記録媒体から信号磁束を導く磁性膜からなる
磁気ヨークと、この磁気ヨークに流れる信号磁束を検出
する超伝導体膜から成る直流駆動型の超伝導量子干渉素
子とを設けて構成される再生用の薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記量子干渉素子を１つの磁気ヨークに対して複数
設け、この複数の量子干渉素子を直列に接続して各量子
干渉素子の出力を合成し１チャンネルの出力として取り
出すように構成したので、再生感度に格段に優れるとと
もに、充分に高い出力電圧が得られ、短波長記録に対し
て良好なＳ／Ｎ比で再生を行なえ、記録の高密度化に対
応できるという優れた効果が得られる。
第１図は本発明の実施例による薄膜磁気ヘッドの要部の
構造を示す断面図、第２図は同ヘッドの要部の構造を示
す平面図、第３図は本出願人が先に提案した薄膜磁気ヘ
ッドの要部の構造を示す斜視図、第４図は直流駆動型の
ＳＱＵ Ｉ Ｄ素子の電流−電圧特性を示す線図、第５
図は同５ＱＬＩ Ｉ Ｄ素子の６ｆｉ束−電圧特性を示
す線図である。 １・・・６ｎ性基板 ２ａ、２ｂ・・・下部超伝導
材３・・・磁気ギャップ ４・・・磁気ヨーク５８〜５
ｄ・・・上部超伝導体膜 ６８〜６ｃ…電極 ７８〜７ｃ・・・絶縁膜 ａ・・・ジョセフソン接合部
構造を示す断面図、第２図は同ヘッドの要部の構造を示
す平面図、第３図は本出願人が先に提案した薄膜磁気ヘ
ッドの要部の構造を示す斜視図、第４図は直流駆動型の
ＳＱＵ Ｉ Ｄ素子の電流−電圧特性を示す線図、第５
図は同５ＱＬＩ Ｉ Ｄ素子の６ｆｉ束−電圧特性を示
す線図である。 １・・・６ｎ性基板 ２ａ、２ｂ・・・下部超伝導
材３・・・磁気ギャップ ４・・・磁気ヨーク５８〜５
ｄ・・・上部超伝導体膜 ６８〜６ｃ…電極 ７８〜７ｃ・・・絶縁膜 ａ・・・ジョセフソン接合部
Claims (1)
- １）基板上に、磁気記録媒体から信号磁束を導く磁性膜
からなる磁気ヨークと、この磁気ヨークに流れる信号磁
束を検出する超伝導体膜から成る直流駆動型の超伝導量
子干渉素子とを設けて構成される再生用の薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、前記量子干渉素子を１つの磁気ヨークに対
して複数設け、この複数の量子干渉素子を直列に接続し
て各量子干渉素子の出力を合成し１チャンネルの出力と
して取り出すように構成したことを特徴とする薄膜磁気
ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24975288A JPH0298807A (ja) | 1988-10-05 | 1988-10-05 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24975288A JPH0298807A (ja) | 1988-10-05 | 1988-10-05 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0298807A true JPH0298807A (ja) | 1990-04-11 |
Family
ID=17197696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24975288A Pending JPH0298807A (ja) | 1988-10-05 | 1988-10-05 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0298807A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5099152A (en) * | 1990-02-06 | 1992-03-24 | Fujitsu Limited | Superconducting circuit having an output conversion circuit |
-
1988
- 1988-10-05 JP JP24975288A patent/JPH0298807A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5099152A (en) * | 1990-02-06 | 1992-03-24 | Fujitsu Limited | Superconducting circuit having an output conversion circuit |
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