JPH029957B2 - - Google Patents
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- JPH029957B2 JPH029957B2 JP59161781A JP16178184A JPH029957B2 JP H029957 B2 JPH029957 B2 JP H029957B2 JP 59161781 A JP59161781 A JP 59161781A JP 16178184 A JP16178184 A JP 16178184A JP H029957 B2 JPH029957 B2 JP H029957B2
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- Japan
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- recording
- polymer
- laser
- recording material
- pma
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- Expired - Lifetime
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 12
- QIWKUEJZZCOPFV-UHFFFAOYSA-N phenyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC1=CC=CC=C1 QIWKUEJZZCOPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 6
- HVYCQBKSRWZZGX-UHFFFAOYSA-N naphthalen-1-yl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound C1=CC=C2C(OC(=O)C(=C)C)=CC=CC2=C1 HVYCQBKSRWZZGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 4
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000006462 rearrangement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/245—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing a polymeric component
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は、光デイスク用記録材料に関し、記録
材料として感光性ポリマー薄膜を用いるため記録
膜形成工程が容易であることから、安価な光記録
材料を提供するものである。 光デイスクは、オーデイオ用にはレコード盤に
代るコンパクトデイスクとして使用され、ビデオ
用にもビデオ・デイスクとして応用されている。
また、静止画デイスクフアイルや文書フアイルと
しても実用化されつつある。 メモリーとしての光デイスクは３種類に分類で
きる。一つは再生専用で追加記録が不可能なも
の。コンパクトデイスクやビデオデイスクがこれ
に当たる。他の二つはユーザが記録できる光デイ
スクで、記録・再生に加えて消去できるものとで
きないものに分けられる。 本発明は、記録・再生用光デイスクに関するも
のである。したがつて、前述のあらゆる分野に応
用することができる。 従来例の構成とその問題点 記録用材料のうち再生専用の材料としては、フ
オトレジストとアルゴンレーザを用いて1μｍ程
度の大きさの凹部で情報をデイスクに形成し、金
属メツキをしてマスターデイスクとし、ポリマー
に型押し成形して多数の凹部を有するプラスチツ
ク板が用いられている。記録再生が可能な材料に
は、金属薄膜、アモルフアス薄膜、色素薄膜があ
り、アルゴンレーザあるいは半導体レーザを用い
てピツト形成を行なつている。また、書き換え可
能な材料には、光磁気材料、アモルフアス半導
体、色素混入ポリマーなどが検討されている。 発明の目的 本発明は記録・再生用光デイスク記録材料とし
て、従来法に比べて製造法が容易でコスト的に安
価であると同時に記録容量の大きい材料の提供を
目的としている。 発明の構成 本発明は、基板上に記録用薄膜として塗布さ
れ、光を照射することにより構造変化を生じる光
感応性有機ポリマーとして、フエニルメタクリレ
ート（PMA）、またはα−ナフチルメチクリレー
ト（αNMA）を含む感光性ポリマーを用いる。
この種材料は、紫外光など高エネルギー光の照射
によつてミクロン単位の領域で選択的にその化学
構造が変化し得るものである。紫外光の照射時間
あるいはその出力を変えることによりその変化量
を調整できる。重合体あるいは共重合体として用
いるので、薄膜形成が容易である。 感光性ポリマーの一例として、フエニルメタク
リレート（PMA）の共重合体は350nｍより短波
長の紫外線を照射すると式(1)に示すような転位反
応を示し、その構造変化にもとづく新らしい吸収
帯が第１図に示すように330nｍ付近に現われる。 また、α−ナフチルメタクリレート（αNMA）
も同様に式２に示すよう転位を起し、第２図に示
すように370nｍ近傍に新らしい吸収帯が現われ
る。なお、第１，２図においてＡは照射前、Ｂは
照射後を示す。 紫外線のレーザには、記録・再生用のいずれに
も次表にある希ガスとハロゲンガスから成るレー
ザが使用できる。この表は希ガス−ハロゲン系レ
ーザの発光波長、最強吸収バンドのピーク波長を
示す。
材料として感光性ポリマー薄膜を用いるため記録
膜形成工程が容易であることから、安価な光記録
材料を提供するものである。 光デイスクは、オーデイオ用にはレコード盤に
代るコンパクトデイスクとして使用され、ビデオ
用にもビデオ・デイスクとして応用されている。
また、静止画デイスクフアイルや文書フアイルと
しても実用化されつつある。 メモリーとしての光デイスクは３種類に分類で
きる。一つは再生専用で追加記録が不可能なも
の。コンパクトデイスクやビデオデイスクがこれ
に当たる。他の二つはユーザが記録できる光デイ
スクで、記録・再生に加えて消去できるものとで
きないものに分けられる。 本発明は、記録・再生用光デイスクに関するも
のである。したがつて、前述のあらゆる分野に応
用することができる。 従来例の構成とその問題点 記録用材料のうち再生専用の材料としては、フ
オトレジストとアルゴンレーザを用いて1μｍ程
度の大きさの凹部で情報をデイスクに形成し、金
属メツキをしてマスターデイスクとし、ポリマー
に型押し成形して多数の凹部を有するプラスチツ
ク板が用いられている。記録再生が可能な材料に
は、金属薄膜、アモルフアス薄膜、色素薄膜があ
り、アルゴンレーザあるいは半導体レーザを用い
てピツト形成を行なつている。また、書き換え可
能な材料には、光磁気材料、アモルフアス半導
体、色素混入ポリマーなどが検討されている。 発明の目的 本発明は記録・再生用光デイスク記録材料とし
て、従来法に比べて製造法が容易でコスト的に安
価であると同時に記録容量の大きい材料の提供を
目的としている。 発明の構成 本発明は、基板上に記録用薄膜として塗布さ
れ、光を照射することにより構造変化を生じる光
感応性有機ポリマーとして、フエニルメタクリレ
ート（PMA）、またはα−ナフチルメチクリレー
ト（αNMA）を含む感光性ポリマーを用いる。
この種材料は、紫外光など高エネルギー光の照射
によつてミクロン単位の領域で選択的にその化学
構造が変化し得るものである。紫外光の照射時間
あるいはその出力を変えることによりその変化量
を調整できる。重合体あるいは共重合体として用
いるので、薄膜形成が容易である。 感光性ポリマーの一例として、フエニルメタク
リレート（PMA）の共重合体は350nｍより短波
長の紫外線を照射すると式(1)に示すような転位反
応を示し、その構造変化にもとづく新らしい吸収
帯が第１図に示すように330nｍ付近に現われる。 また、α−ナフチルメタクリレート（αNMA）
も同様に式２に示すよう転位を起し、第２図に示
すように370nｍ近傍に新らしい吸収帯が現われ
る。なお、第１，２図においてＡは照射前、Ｂは
照射後を示す。 紫外線のレーザには、記録・再生用のいずれに
も次表にある希ガスとハロゲンガスから成るレー
ザが使用できる。この表は希ガス−ハロゲン系レ
ーザの発光波長、最強吸収バンドのピーク波長を
示す。
【表】
実施例の説明
PMAを含む共重合体の一例として、メチルメ
タクリレート（MMA）が90％とPMA10％から
成る重合体を合成した。この重合体をポリメチル
メタクリレートの板の上に1μｍの厚さに塗布し
て記録用薄膜とした。記録用レーザとして前記表
に示したKr−Ｆレーザ（波長：248nｍ）を用い
た。再生用レーザとしてはXe−Ｆ（波長：351、
353nｍ）を用いた。 信号の記録にはKr−Ｆレーザを石英レンズで
絞り約1μｍ径の面積に高出力で照射し、MMA−
PMA（10％）共重合体のPMA部分に式(1)に示し
た転位を発生させる。その結果、第１図に示すよ
うに340nｍ近傍の吸収帯が生じる。この記録レ
ーザ照射部分に生じた新しい吸収帯による再生レ
ーザ（波長：351、353nｍ）光の吸光度と記録レ
ーザ照射時間の関係を第３図に曲線ａで示す。 第３図のデータから高速で記録した信号を再生
用レーザ光の透過率あるいは反射率の変化から再
生することができる。 記録用レーザのパワーを変えると第３図の照射
時間と吸光度の関係と同様に変化した。 PMAの代りにaNMAを使用して同様の結果が
得られた。この場合の再生レーザ光の吸光度と記
録レーザ照射時間の関係は第３図に曲線ｂで示し
ている。 発明の効果 従来の光デイスク材料に比べて製膜が容易であ
るためコスト的に有利である。記録レーザ光のパ
ワーを変えて記録することにより容易にアナログ
情報を記録できるので、従来の材料に比べて記録
容量の大きい光デイスクとなる。
タクリレート（MMA）が90％とPMA10％から
成る重合体を合成した。この重合体をポリメチル
メタクリレートの板の上に1μｍの厚さに塗布し
て記録用薄膜とした。記録用レーザとして前記表
に示したKr−Ｆレーザ（波長：248nｍ）を用い
た。再生用レーザとしてはXe−Ｆ（波長：351、
353nｍ）を用いた。 信号の記録にはKr−Ｆレーザを石英レンズで
絞り約1μｍ径の面積に高出力で照射し、MMA−
PMA（10％）共重合体のPMA部分に式(1)に示し
た転位を発生させる。その結果、第１図に示すよ
うに340nｍ近傍の吸収帯が生じる。この記録レ
ーザ照射部分に生じた新しい吸収帯による再生レ
ーザ（波長：351、353nｍ）光の吸光度と記録レ
ーザ照射時間の関係を第３図に曲線ａで示す。 第３図のデータから高速で記録した信号を再生
用レーザ光の透過率あるいは反射率の変化から再
生することができる。 記録用レーザのパワーを変えると第３図の照射
時間と吸光度の関係と同様に変化した。 PMAの代りにaNMAを使用して同様の結果が
得られた。この場合の再生レーザ光の吸光度と記
録レーザ照射時間の関係は第３図に曲線ｂで示し
ている。 発明の効果 従来の光デイスク材料に比べて製膜が容易であ
るためコスト的に有利である。記録レーザ光のパ
ワーを変えて記録することにより容易にアナログ
情報を記録できるので、従来の材料に比べて記録
容量の大きい光デイスクとなる。
第１図はMMA−PMA共重合体の紫外光照射
による紫外吸収スペクトルの変化を示す図、第２
図はMMA−αNMA共重合体の紫外光照射によ
る紫外吸収スペクトルの変化を示す図、第３図は
248nｍレーザ光照射時間と350nｍレーザ光によ
る記録材料の転位反応にもとづく吸光度変化を示
す図である。
による紫外吸収スペクトルの変化を示す図、第２
図はMMA−αNMA共重合体の紫外光照射によ
る紫外吸収スペクトルの変化を示す図、第３図は
248nｍレーザ光照射時間と350nｍレーザ光によ
る記録材料の転位反応にもとづく吸光度変化を示
す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に記録用薄膜として塗布され、光を照
射することにより構造変化を生じる光感応性有機
ポリマーからなる光デイスク用記録材料であつ
て、前記光感応性有機ポリマーがフエニルメタク
リレート（PMA）、またはα−ナフチルメタクリ
レート（αNMA）を含む光デイスク用記録材料。 ２ ポリマーが重合体または共重合体よりなる特
許請求の範囲第１項記載の光デイスク用記録材
料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59161781A JPS6140194A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 光デイスク用記録材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59161781A JPS6140194A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 光デイスク用記録材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6140194A JPS6140194A (ja) | 1986-02-26 |
| JPH029957B2 true JPH029957B2 (ja) | 1990-03-06 |
Family
ID=15741782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59161781A Granted JPS6140194A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 光デイスク用記録材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6140194A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AUPR496501A0 (en) * | 2001-05-14 | 2001-06-07 | Swinburne University Of Technology | Method and device |
-
1984
- 1984-07-31 JP JP59161781A patent/JPS6140194A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6140194A (ja) | 1986-02-26 |
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