JPH03100457A - ガス又は蒸気の分圧測定装置 - Google Patents
ガス又は蒸気の分圧測定装置Info
- Publication number
- JPH03100457A JPH03100457A JP2235473A JP23547390A JPH03100457A JP H03100457 A JPH03100457 A JP H03100457A JP 2235473 A JP2235473 A JP 2235473A JP 23547390 A JP23547390 A JP 23547390A JP H03100457 A JPH03100457 A JP H03100457A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating
- gas
- dye
- reflector
- partial pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 38
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 16
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 20
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 11
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 6
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims description 6
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 5
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- LIZLYZVAYZQVPG-UHFFFAOYSA-N (3-bromo-2-fluorophenyl)methanol Chemical compound OCC1=CC=CC(Br)=C1F LIZLYZVAYZQVPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 4
- 150000003983 crown ethers Chemical class 0.000 claims description 4
- RZXMPPFPUUCRFN-UHFFFAOYSA-N p-toluidine Chemical compound CC1=CC=C(N)C=C1 RZXMPPFPUUCRFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 229940106691 bisphenol a Drugs 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- -1 perchlorate anion Chemical class 0.000 claims description 3
- VFTFKUDGYRBSAL-UHFFFAOYSA-N 15-crown-5 Chemical compound C1COCCOCCOCCOCCO1 VFTFKUDGYRBSAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QSNSCYSYFYORTR-UHFFFAOYSA-N 4-chloroaniline Chemical compound NC1=CC=C(Cl)C=C1 QSNSCYSYFYORTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N Magnesium ion Chemical compound [Mg+2] JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AFBPFSWMIHJQDM-UHFFFAOYSA-N N-methyl-N-phenylamine Natural products CNC1=CC=CC=C1 AFBPFSWMIHJQDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001429 cobalt ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N cobalt(2+) Chemical compound [Co+2] XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001425 magnesium ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012038 nucleophile Substances 0.000 claims description 2
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Inorganic materials [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 2
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 claims description 2
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 claims description 2
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims 1
- NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N Potassium ion Chemical compound [K+] NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N Sodium cation Chemical compound [Na+] FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 claims 1
- 150000004961 triphenylmethanes Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 13
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 8
- 230000006698 induction Effects 0.000 abstract 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AUFVJZSDSXXFOI-UHFFFAOYSA-N 2.2.2-cryptand Chemical compound C1COCCOCCN2CCOCCOCCN1CCOCCOCC2 AUFVJZSDSXXFOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUBNJKMFYXGQDB-UHFFFAOYSA-N 3,3-diphenyl-2-benzofuran-1-one Chemical class C12=CC=CC=C2C(=O)OC1(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WUBNJKMFYXGQDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical group CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N Nickel(2+) Chemical compound [Ni+2] VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 150000007965 phenolic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000007614 solvation Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001428 transition metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/75—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated
- G01N21/77—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator
- G01N21/78—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator producing a change of colour
- G01N21/783—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator producing a change of colour for analysing gases
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/125—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer
- G01N27/126—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer comprising organic polymers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
- G01N29/02—Analysing fluids
- G01N29/022—Fluid sensors based on microsensors, e.g. quartz crystal-microbalance [QCM], surface acoustic wave [SAW] devices, tuning forks, cantilevers, flexural plate wave [FPW] devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
- G01N2291/01—Indexing codes associated with the measuring variable
- G01N2291/014—Resonance or resonant frequency
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
- G01N2291/02—Indexing codes associated with the analysed material
- G01N2291/028—Material parameters
- G01N2291/02863—Electric or magnetic parameters
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
- G01N2291/04—Wave modes and trajectories
- G01N2291/042—Wave modes
- G01N2291/0423—Surface waves, e.g. Rayleigh waves, Love waves
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
- G01N2291/04—Wave modes and trajectories
- G01N2291/042—Wave modes
- G01N2291/0426—Bulk waves, e.g. quartz crystal microbalance, torsional waves
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Immunology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Investigating Or Analyzing Non-Biological Materials By The Use Of Chemical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、すだれ状変換器として作動する電極を備えま
たレフレクタを含んでおりかつその電気特性がガスの作
用によって変化する被覆を有するSAW共振器(Sur
face acoustic wave =表面音波)
を有するガス又は蒸気、特に溶剤蒸気の分圧を測定する
装置に関する。
たレフレクタを含んでおりかつその電気特性がガスの作
用によって変化する被覆を有するSAW共振器(Sur
face acoustic wave =表面音波)
を有するガス又は蒸気、特に溶剤蒸気の分圧を測定する
装置に関する。
表面に化学感応性物質からなる被覆を備えている表面音
波デバイス、いわゆるSAWセンサ(1urface
acoustic wave)はガス及び蒸気の分
圧又は濃度を測定するセンサとして使用することができ
る。
波デバイス、いわゆるSAWセンサ(1urface
acoustic wave)はガス及び蒸気の分
圧又は濃度を測定するセンサとして使用することができ
る。
液体及び固体用のこの種センサの公知の一実施B様は、
表面音波を励起する金属電極を備えている圧電材料から
なる基板を含む、!極間の表面域に配設された少なくと
も250 nmの厚さを有するポリマーからなる被覆は
、ガスの作用下にその電気特性を変え、これにより表面
波の振幅、位相位置又は周波数に影響を及ぼす、ii極
の一方はセンサとして発振器にまたもう一方は受信器と
して検出器に接続されている。第1の電極で発振器の周
波数を有する表面波を励起する。もう一方の電極はこの
表面波を受信し、これを検出器に送られる電気信号に変
える。ガスの作用下における表面波の変化、特に周波数
の変化は検出器によって記録され、液体中の測定すべき
成分の測定量として使用される(米国特許第43122
28号明細書参照)。
表面音波を励起する金属電極を備えている圧電材料から
なる基板を含む、!極間の表面域に配設された少なくと
も250 nmの厚さを有するポリマーからなる被覆は
、ガスの作用下にその電気特性を変え、これにより表面
波の振幅、位相位置又は周波数に影響を及ぼす、ii極
の一方はセンサとして発振器にまたもう一方は受信器と
して検出器に接続されている。第1の電極で発振器の周
波数を有する表面波を励起する。もう一方の電極はこの
表面波を受信し、これを検出器に送られる電気信号に変
える。ガスの作用下における表面波の変化、特に周波数
の変化は検出器によって記録され、液体中の測定すべき
成分の測定量として使用される(米国特許第43122
28号明細書参照)。
SAW共振器としての実施態様においてはこのSAWセ
ンサは2個のレフレクタを備えており、その間隔は表面
音波の半分の波長λ/2を整数倍したものである。レフ
レクタ間にはこの実施態様の場合互いに噛み合う櫛状構
造体、いわゆるすだれ状変換器として設計された2つの
電極が配設されている。この実施B様では発振器により
第1の電極内に励起された表面波は両レフレクタによっ
て反射され、第2の電極によって吸収される。共振周波
数でこの装置内にはレフレクタ間に音波が生じる。測定
すべき化学成分は表面波の速度、従ってその周波数を変
える(米国特許第4598224号明細書参照)。
ンサは2個のレフレクタを備えており、その間隔は表面
音波の半分の波長λ/2を整数倍したものである。レフ
レクタ間にはこの実施態様の場合互いに噛み合う櫛状構
造体、いわゆるすだれ状変換器として設計された2つの
電極が配設されている。この実施B様では発振器により
第1の電極内に励起された表面波は両レフレクタによっ
て反射され、第2の電極によって吸収される。共振周波
数でこの装置内にはレフレクタ間に音波が生じる。測定
すべき化学成分は表面波の速度、従ってその周波数を変
える(米国特許第4598224号明細書参照)。
ガス又は電気、特に溶剤蒸気の分圧を、その電気又は光
学特性がガスの作用下に変化する被覆で測定するには、
少なくとも一部が少なくとも一種の疏水性金属錯体(そ
のイオン移動度又はイオン濃度はガスの作用下に変化す
る)からなるセンサ物質が適していることは周知である
。センサ材料は有利には大環状金属錯体、特にクラウン
エーテル及びクリプタントを含んでいてもよい、この被
覆の疏水性は、特にハロゲン化された芳香族炭化水素の
測定を、その導電性を測定することによって可能とする
。センサ作用は2段階により、すなわちまず固体の大環
状層による溶剤蒸気の吸収により、次に化学反応により
生じる(「アンゲワンテ・ヒエミー(Angewand
te (:hemie) J第101巻(1989年)
、第6版、第833〜834頁参照)。
学特性がガスの作用下に変化する被覆で測定するには、
少なくとも一部が少なくとも一種の疏水性金属錯体(そ
のイオン移動度又はイオン濃度はガスの作用下に変化す
る)からなるセンサ物質が適していることは周知である
。センサ材料は有利には大環状金属錯体、特にクラウン
エーテル及びクリプタントを含んでいてもよい、この被
覆の疏水性は、特にハロゲン化された芳香族炭化水素の
測定を、その導電性を測定することによって可能とする
。センサ作用は2段階により、すなわちまず固体の大環
状層による溶剤蒸気の吸収により、次に化学反応により
生じる(「アンゲワンテ・ヒエミー(Angewand
te (:hemie) J第101巻(1989年)
、第6版、第833〜834頁参照)。
更にガス又は蒸気の分圧を測定するには、可逆的に変色
する光学フィルタが適しており、これらのフィルタは少
なくとも一種の塩基性又は酸性色素形成剤又は色素、有
利にはトリフェニルメタン系の色素並びにフタレイン又
はスルホンフタレインと、少なくとも一種の相補性の酸
性又は塩基性化合物との混合物からなる(欧州特許出願
公開第0193036号明細書参照)。
する光学フィルタが適しており、これらのフィルタは少
なくとも一種の塩基性又は酸性色素形成剤又は色素、有
利にはトリフェニルメタン系の色素並びにフタレイン又
はスルホンフタレインと、少なくとも一種の相補性の酸
性又は塩基性化合物との混合物からなる(欧州特許出願
公開第0193036号明細書参照)。
更に置換3.3−ジフェニルフタリドが極性溶削蒸気に
対する光化学センサ用センサ材料として適していること
は公知である。センサ層として光伝送装置内に使用され
ているクリスタルバイオレットラクトンにより、例えば
気流の相対湿度が30%から70%に上昇した場合に吸
光度Aの変化値約0.018を得ることができる。同じ
変化は気流における相対湿度30%及びエタノール含有
量約0.35%で得られる。特性曲線の水平距離で認め
られる測定結果に対する湿度の影響、いわゆる横感度(
非選択性又はクロスセンシビリテイ)は従って約0.3
5%である( rAnal、 Chew、 」第60巻
(1988年)、第1377〜1380頁参照)。
対する光化学センサ用センサ材料として適していること
は公知である。センサ層として光伝送装置内に使用され
ているクリスタルバイオレットラクトンにより、例えば
気流の相対湿度が30%から70%に上昇した場合に吸
光度Aの変化値約0.018を得ることができる。同じ
変化は気流における相対湿度30%及びエタノール含有
量約0.35%で得られる。特性曲線の水平距離で認め
られる測定結果に対する湿度の影響、いわゆる横感度(
非選択性又はクロスセンシビリテイ)は従って約0.3
5%である( rAnal、 Chew、 」第60巻
(1988年)、第1377〜1380頁参照)。
本発明は、SAW共振器を有する公知のセンサを改良す
ること、特にその感度を高めかつその感応時間を短縮す
ることを課題とする。
ること、特にその感度を高めかつその感応時間を短縮す
ることを課題とする。
このtIlgは本発明によれば、特許請求の範囲の請求
項1及び16項に記載された装置により解決される。
項1及び16項に記載された装置により解決される。
本発明は、上記の疏水性金WAtf体を使用した場合並
びに相補性化合物を有する上記の色素形成剤をSAW共
振器と組み合わせて使用した場合、横感度、すなわち測
定結果に対する湿気の影響は減少することまた更にこの
センサの感度を著しく高める付加的な厚さ効果が生じる
という認識に基づく0本発明の装置により簡単に製造す
ることのできる感応性ガスセンサが微小構造で得られる
。選択性被覆は少なくともlnm、有利には少なくとも
IOnmの厚さを有する。この厚さはセンサの応答時間
に対して好ましくない影響を及ぼすことによって限定さ
れ、従って一般に250 nmを実際に越えることはな
く、特に約20〜200nmである。
びに相補性化合物を有する上記の色素形成剤をSAW共
振器と組み合わせて使用した場合、横感度、すなわち測
定結果に対する湿気の影響は減少することまた更にこの
センサの感度を著しく高める付加的な厚さ効果が生じる
という認識に基づく0本発明の装置により簡単に製造す
ることのできる感応性ガスセンサが微小構造で得られる
。選択性被覆は少なくともlnm、有利には少なくとも
IOnmの厚さを有する。この厚さはセンサの応答時間
に対して好ましくない影響を及ぼすことによって限定さ
れ、従って一般に250 nmを実際に越えることはな
く、特に約20〜200nmである。
本発明を図面との関連において更に詳述するが、その際
第1図には本発明によるSAW共振器の構造及びこの共
振器を操作するための回路が略示されている。第2図及
び第3図では測定装置の特性をその都度グラフで表した
ものである。
第1図には本発明によるSAW共振器の構造及びこの共
振器を操作するための回路が略示されている。第2図及
び第3図では測定装置の特性をその都度グラフで表した
ものである。
ガスの分圧を測定する装置の一実施例では、増幅器2の
帰還分岐路中に簡単な短い回線片からなっていてもよい
移相器4と直列にSAW共振atOを配設する。装置の
出力側8には図示されていない検出器、例えば周波数カ
ウンタが接続されている0表面波共振器10は2個の電
極12及び13を備えており、その中の一方の電極12
は表面波の発振器としてまた電極13は受信器として作
用する。これらの電極12及び13はそれぞれいわゆる
すだれ状変換器として互いに噛み合う櫛状構造体に構成
されており、例えば約9mlの長さし及び例えば約2閣
の幅Bを有する圧電材料、有利には石英からなっていて
もよい基板14の表面上に配設されている。この装置に
よって300MH2の共振周波数f、が得られる0両電
極12&び13は2個のレフレクタ16と17との間に
配役されており、これらはそれぞれ幅す一λ/2のフィ
ンガを約数百個含みかつそれぞれ互いに間隔すをおいて
配設されている。レフレクタ16及び17は、λ/2の
整数倍の間隔Aで互いに配設されている。この実施例で
は例えば300MHzの中心周波数f0で、共振器伝達
係数の共振点をもたらす音波が生じる。
帰還分岐路中に簡単な短い回線片からなっていてもよい
移相器4と直列にSAW共振atOを配設する。装置の
出力側8には図示されていない検出器、例えば周波数カ
ウンタが接続されている0表面波共振器10は2個の電
極12及び13を備えており、その中の一方の電極12
は表面波の発振器としてまた電極13は受信器として作
用する。これらの電極12及び13はそれぞれいわゆる
すだれ状変換器として互いに噛み合う櫛状構造体に構成
されており、例えば約9mlの長さし及び例えば約2閣
の幅Bを有する圧電材料、有利には石英からなっていて
もよい基板14の表面上に配設されている。この装置に
よって300MH2の共振周波数f、が得られる0両電
極12&び13は2個のレフレクタ16と17との間に
配役されており、これらはそれぞれ幅す一λ/2のフィ
ンガを約数百個含みかつそれぞれ互いに間隔すをおいて
配設されている。レフレクタ16及び17は、λ/2の
整数倍の間隔Aで互いに配設されている。この実施例で
は例えば300MHzの中心周波数f0で、共振器伝達
係数の共振点をもたらす音波が生じる。
レフレクタ16及び17を伴う電極12及び13は、−
層見易くするために輪郭のみで示した選択的に作用する
被覆18を有する。有利には約20〜200nmの厚さ
を有するこの被覆18は、画電極並びに少なくとも部分
的に更にレフレクタ16及び17を覆っており、ガス及
び蒸気の作用下にその電気特性、例えば導電率又は容量
及びその機械特性、例えば弾性を変化させまたこれによ
り表面波の周波数、振幅又は位相位置に影響を及ぼす材
料からなる。この周波数の変化は検出器によって記録さ
れ、被覆18に作用するガスの濃度並びに分圧の測度と
して利用する。
層見易くするために輪郭のみで示した選択的に作用する
被覆18を有する。有利には約20〜200nmの厚さ
を有するこの被覆18は、画電極並びに少なくとも部分
的に更にレフレクタ16及び17を覆っており、ガス及
び蒸気の作用下にその電気特性、例えば導電率又は容量
及びその機械特性、例えば弾性を変化させまたこれによ
り表面波の周波数、振幅又は位相位置に影響を及ぼす材
料からなる。この周波数の変化は検出器によって記録さ
れ、被覆18に作用するガスの濃度並びに分圧の測度と
して利用する。
更に基板としてはタンタル酸リチウム(LiTaOS)
又はニオブ酸すfラム(L i N b O3)も適し
ている。これらの圧電材料は石英よりも大きな結合定数
を有するが、また直線状の温度経過を示す、従ってこれ
らの材料は広帯域フィルタ用として有利に使用される。
又はニオブ酸すfラム(L i N b O3)も適し
ている。これらの圧電材料は石英よりも大きな結合定数
を有するが、また直線状の温度経過を示す、従ってこれ
らの材料は広帯域フィルタ用として有利に使用される。
本発明によれば被覆18は少なくとも部分的に、そのイ
オン移動度又はイオン濃度がガスの作用下に変化する疏
水性金属錯体の少なくとも一種からなる。特殊な一実施
態様ではこの被覆18は、特にクラウンエーテル又はク
リプタント型の配位子を有する大環状金属錯体を含む、
配位子として有利にはa−ベンゾ〔15〕クラウン−5
又はローペンシークリプタ、ント例えばl5−5.6−
ベンゾ−4,7,13,16,21,24−ヘキサオキ
サ−1,10−ジアザ−ビシクロ(8,8,8)へキサ
コサン(これは@−クリプタント〔23・2・2〕とし
て公知である)を選択することができる。金属錯体は有
利には、可変電荷を有する金属イオン例えばナトリウム
イオン(Na” )又はカリウムイオン(K1)又はマ
グネシウムイオン(Mg”″)又は遷移金属イオン例え
ばコバルトイオン(coo+)、ニッケルイオン(Ni
□4)又は銅イオン(Cu ++)に配位されたポリマ
ークラウンエーテル又はクリプタントを含んでいてもよ
い。
オン移動度又はイオン濃度がガスの作用下に変化する疏
水性金属錯体の少なくとも一種からなる。特殊な一実施
態様ではこの被覆18は、特にクラウンエーテル又はク
リプタント型の配位子を有する大環状金属錯体を含む、
配位子として有利にはa−ベンゾ〔15〕クラウン−5
又はローペンシークリプタ、ント例えばl5−5.6−
ベンゾ−4,7,13,16,21,24−ヘキサオキ
サ−1,10−ジアザ−ビシクロ(8,8,8)へキサ
コサン(これは@−クリプタント〔23・2・2〕とし
て公知である)を選択することができる。金属錯体は有
利には、可変電荷を有する金属イオン例えばナトリウム
イオン(Na” )又はカリウムイオン(K1)又はマ
グネシウムイオン(Mg”″)又は遷移金属イオン例え
ばコバルトイオン(coo+)、ニッケルイオン(Ni
□4)又は銅イオン(Cu ++)に配位されたポリマ
ークラウンエーテル又はクリプタントを含んでいてもよ
い。
特に有利なのは安定なセンサ層を生じるポリマー構遺体
である。
である。
更に可変求核試薬の対イオン例えば塩素陰イオン(Cヒ
)又は過塩素酸塩陰イオン(ClO,++)を有する大
環状金属錯体も適している。イオン形成を促進しまたセ
ンサに対する選択性を達成するために、センサ材料は有
利にはプロトン又は非プロトン共物質を含んでいても良
い、この物質は、陰イオン又は陽イオン溶媒和に適して
おり、従って正又は負に帯電した粒子を安定化すること
のできる化合物である。これは例えば固体又は多官能性
アルコールであり、特にピロガロール及ヒエ−チル化ポ
リエチレングリコールが適している。
)又は過塩素酸塩陰イオン(ClO,++)を有する大
環状金属錯体も適している。イオン形成を促進しまたセ
ンサに対する選択性を達成するために、センサ材料は有
利にはプロトン又は非プロトン共物質を含んでいても良
い、この物質は、陰イオン又は陽イオン溶媒和に適して
おり、従って正又は負に帯電した粒子を安定化すること
のできる化合物である。これは例えば固体又は多官能性
アルコールであり、特にピロガロール及ヒエ−チル化ポ
リエチレングリコールが適している。
被覆18としてイオン伝導性を有する疏水性金属錯体の
他に被覆としては、少なくとも一種の塩基性又は酸性色
素形成剤又は色素(有利にはトリフェニルメタン系の)
及び少なくとも一種の相補性の酸性又は塩基性化合物の
混合物を含む可逆的に変色する光学フィルタも適してい
る。これは色素形成側として有利にはトリフェニルメタ
ン系、特にクリスタルバイオレットラクトンを含んでい
てよい、同様に色素として有利にはトリフェニルメタン
系のもの、例えばフタレイン又はスルホンフタレインが
適している。酸性化合物としてはビスフェノール−A又
はサリチル酸又はこれら双方の酸性化合物を含んでいて
もよい、塩基性化合物としては有利にはp−トルイジン
又はp−クロルアニリンが適している。少なくとも部分
的にこれらの材料からな条被覆18は同様に厚さ効果を
示すとともに横感度の減少を示す。
他に被覆としては、少なくとも一種の塩基性又は酸性色
素形成剤又は色素(有利にはトリフェニルメタン系の)
及び少なくとも一種の相補性の酸性又は塩基性化合物の
混合物を含む可逆的に変色する光学フィルタも適してい
る。これは色素形成側として有利にはトリフェニルメタ
ン系、特にクリスタルバイオレットラクトンを含んでい
てよい、同様に色素として有利にはトリフェニルメタン
系のもの、例えばフタレイン又はスルホンフタレインが
適している。酸性化合物としてはビスフェノール−A又
はサリチル酸又はこれら双方の酸性化合物を含んでいて
もよい、塩基性化合物としては有利にはp−トルイジン
又はp−クロルアニリンが適している。少なくとも部分
的にこれらの材料からな条被覆18は同様に厚さ効果を
示すとともに横感度の減少を示す。
厚さ効果は、周波数の変化値Δf (kHz)をSAW
共振器10の被覆18上の気流のエタノール含有量G
(J、)との関連において示している第2図のグラフか
ら読み取ることができる。被覆18は少なくとも部分的
に色素としてのクリスタルバイオレットラクトンからな
り、これは共物質としてフェノール性酸すなわちビスフ
ェノール−Aを1ニア、5のモル比でまたポリマーすな
わちポリビニルフェノールt:t、Sのモル比で含む、
被覆18の層厚が例えば50nmの場合曲線E、。によ
れば、エタノール含有量Gが約0.15 %、から0.
5〜に変化した際の共振周波数Δfの変化値Δf。
共振器10の被覆18上の気流のエタノール含有量G
(J、)との関連において示している第2図のグラフか
ら読み取ることができる。被覆18は少なくとも部分的
に色素としてのクリスタルバイオレットラクトンからな
り、これは共物質としてフェノール性酸すなわちビスフ
ェノール−Aを1ニア、5のモル比でまたポリマーすな
わちポリビニルフェノールt:t、Sのモル比で含む、
被覆18の層厚が例えば50nmの場合曲線E、。によ
れば、エタノール含有量Gが約0.15 %、から0.
5〜に変化した際の共振周波数Δfの変化値Δf。
は約4〜17、すなわち約13k)(zである。これに
対し層厚150nmでは曲線E+seから、気流のエタ
ノール含有量Gが約0.15から0.5浪に変化した場
合の周波数変化値Δf、は約11〜34、すなわち約2
3kHzである。
対し層厚150nmでは曲線E+seから、気流のエタ
ノール含有量Gが約0.15から0.5浪に変化した場
合の周波数変化値Δf、は約11〜34、すなわち約2
3kHzである。
第3図のグラフには周波数の変化値Δf (kHz)が
、層18の厚さ150nmの場合における気流中のエタ
ノール含有量G(%o)との関連において記載されてい
る。相対湿度30%の場合含有itGの増加と共に曲線
E、。に基づく周波数変化値Δfが生じる。相対湿度5
0%では、曲線Esaに相応する高められた周波数変化
値Δfが得られ、70%相対湿度では曲線E、。による
別の周波数変化値が生じる。このグラフから更に読み取
れるように、含有量0でかつ相対湿度が30%から70
%に高まると、周波数変化値ΔfはOから約−3゜5k
Hzになる。同じ周波数の変化値は、グラフに破線で示
したように曲線E、。に相応する相対湿度30%の場合
的0.235f、のエタノール含有量を示す、横感度す
なわち湿気の変化が測定結果に及ぼす影響(これは特性
曲線の水平距離で認めることができる)は最も好ましく
ない場合にも約0.23篩にすぎない(rAnal、
Che+w、 J第60巻(1988年)、第1377
〜1380頁、特に第4図参照)、従ってこの測定結果
は空気中の湿度含有量によっては実際に影響されること
はない。
、層18の厚さ150nmの場合における気流中のエタ
ノール含有量G(%o)との関連において記載されてい
る。相対湿度30%の場合含有itGの増加と共に曲線
E、。に基づく周波数変化値Δfが生じる。相対湿度5
0%では、曲線Esaに相応する高められた周波数変化
値Δfが得られ、70%相対湿度では曲線E、。による
別の周波数変化値が生じる。このグラフから更に読み取
れるように、含有量0でかつ相対湿度が30%から70
%に高まると、周波数変化値ΔfはOから約−3゜5k
Hzになる。同じ周波数の変化値は、グラフに破線で示
したように曲線E、。に相応する相対湿度30%の場合
的0.235f、のエタノール含有量を示す、横感度す
なわち湿気の変化が測定結果に及ぼす影響(これは特性
曲線の水平距離で認めることができる)は最も好ましく
ない場合にも約0.23篩にすぎない(rAnal、
Che+w、 J第60巻(1988年)、第1377
〜1380頁、特に第4図参照)、従ってこの測定結果
は空気中の湿度含有量によっては実際に影響されること
はない。
第1図は本発明によるSAW共振器の構造及びこの共振
器を作動する回路を略示する平面図、第2図は周波数変
化値Δf (kHz)をSAW共振器の被覆18上にお
ける気流のエタノール含有量G(%11)との関連にお
いて示すグラフ図、第3図は周波数変化値Δf (kH
z)を層18の厚さ150nmの場合における気流中の
エタノール含有量G l)との関連において示すグラフ
図である。 2・・・増幅器 4・・・移相器 8・・・出力端 10・・・SAW共撮器 12.13・・・′vlfj 14・・・基板 16.17・・・レフレクタ 18・・・被覆 21.22.23・・・表面域 FIG 1 FIG 3 1−1
器を作動する回路を略示する平面図、第2図は周波数変
化値Δf (kHz)をSAW共振器の被覆18上にお
ける気流のエタノール含有量G(%11)との関連にお
いて示すグラフ図、第3図は周波数変化値Δf (kH
z)を層18の厚さ150nmの場合における気流中の
エタノール含有量G l)との関連において示すグラフ
図である。 2・・・増幅器 4・・・移相器 8・・・出力端 10・・・SAW共撮器 12.13・・・′vlfj 14・・・基板 16.17・・・レフレクタ 18・・・被覆 21.22.23・・・表面域 FIG 1 FIG 3 1−1
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)すだれ状変換器として作動する電極を備えまたレフ
レクタを含んでおりかつその電気特性がガスの作用によ
って変化する被覆を有するSAW共振器を有するガス又
は蒸気の分圧を測定する装置において、被覆(18)が
少なくとも部分的に、少なくとも一種の疏水性金属錯体
からなり、そのイオン移動度又はイオン濃度がガスの作
用によって変化することを特徴とするガス又は蒸気の分
圧測定装置。 2)被覆(18)が大環状金属錯体を含んでいることを
特徴とする請求項1記載の装置。 3)クラウンエーテルによって特徴づけられる請求項2
記載の装置。 4)§−ベンゾ〔15〕クラウン−5によって特徴づけ
られる請求項3記載の装置。 5)クリプタントによって特徴づけられる請求項2記載
の装置。 6)§−ベンゾクリプタントによって特徴づけられる請
求項3記載の装置。 7)§−クリプタント〔2■・2・2〕によって特徴づ
けられる請求項3記載の装置。 8)被覆(18)が可変電荷を有する金属イオンを含ん
でいることを特徴とする請求項1又は2記載の装置。 9)ナトリウムイオン(Na^+)又はカリウムイオン
(K^+)又はマグネシウムイオン(Mg^+^+)又
はコバルトイオン(Co^+^+)又はニッケルイオン
(Ni^+^+)又は銅イオン(Cu^+^+)によっ
て特徴づけられる請求項8記載の装置。 10)被覆(18)が可変求核試薬の対イオンを有する
金属錯体を含んでいることを特徴とする請求項1又は2
記載の装置。 11)塩素陰イオン(Cl^−)又は過塩素酸塩陰イオ
ン(ClO_4^−)によって特徴づけられる請求項1
0記載の装置。 12)被覆(18)が少なくとも一種のプロトン共物質
を含んでいることを特徴とする請求項1ないし11の1
つに記載の装置。 13)ピロガロールによって特徴づけられる請求項12
記載の装置。 14)被覆(18)が少なくとも一種の非プロトン共物
質を含んでいることを特徴とする請求項1ないし11の
1つに記載の装置。 15)エーテル化されたポリエチレングリコールによっ
て特徴づけられる請求項14記載の装置。 16)すだれ状変換器として作動する電極を備えまたレ
フレクタを含んでおりかつその電気特性がガスの作用に
よって変化する被覆を有するSAW共振器を有するガス
又は蒸気の分圧を測定する装置において、被覆(18)
が少なくとも部分的に、少なくとも一種の塩基性又は酸
性色素形成剤又は色素と少なくとも一種の相補性酸性又
は塩基性化合物との混合物からなることを特徴とするガ
ス又は蒸気の分圧測定装置。 17)被覆(18)が色素形成剤としてトリフェニルメ
タン系を含んでいることを特徴とする請求項16記載の
装置。 18)被覆(18)がクリスタルバイオレットラクトン
を含んでいることを特徴とする請求項17記載の装置。 19)被覆(18)が色素としてトリフェニルメタン系
の色素を含んでいることを特徴とする請求項16記載の
装置。 20)被覆(18)がフタレイン(染料)又はスルホン
フタレインを含んでいることを特徴とする請求項19記
載の装置。 21)被覆(18)が酸性化合物としてビスフェノール
−A及び/又はサリチル酸を含んでいることを特徴とす
る請求項16ないし20の1つに記載の装置。 22)被覆(18)が塩基性化合物としてp−トルイジ
ン又はp−クロルアニリンを含んでいることを特徴とす
る請求項16ないし20の1つに記載の装置。 23)被覆(18)が2つの電極(12及び13)間の
表面域(21)及び電極(12)とレフレクタ(16)
との間の表面域(22)並びに電極(13)とレフレク
タ(17)との間の表面域(23)並びに電極(12及
び13)及び少なくとも部分的にレフレクタ(16及び
17)を覆っていることを特徴とする請求項1ないし1
6の1つに記載の装置。 24)被覆(18)の厚さが最低10nm及び最高25
0nmであることを特徴とする請求項1、16及び23
の1つに記載の装置。 25)被覆(18)の厚さが最低20nm及び最高20
0nmであることを特徴とする請求項24記載の装置。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3808468 | 1988-03-14 | ||
| DE3808467 | 1988-03-14 | ||
| EP89116575.5 | 1989-09-07 | ||
| EP89116575A EP0416160A1 (de) | 1988-03-14 | 1989-09-07 | Anordnung zur Messung des Partialdruckes von Gasen oder Dämpfen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03100457A true JPH03100457A (ja) | 1991-04-25 |
Family
ID=39967317
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1057678A Pending JPH01274053A (ja) | 1988-03-14 | 1989-03-09 | ガス又は蒸気分圧測定用センサ物質及びガスセンサ |
| JP2235473A Pending JPH03100457A (ja) | 1988-03-14 | 1990-09-04 | ガス又は蒸気の分圧測定装置 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1057678A Pending JPH01274053A (ja) | 1988-03-14 | 1989-03-09 | ガス又は蒸気分圧測定用センサ物質及びガスセンサ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5200633A (ja) |
| EP (2) | EP0332935A1 (ja) |
| JP (2) | JPH01274053A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005331326A (ja) * | 2004-05-19 | 2005-12-02 | Japan Radio Co Ltd | 弾性波センサ |
| US7139414B1 (en) | 1999-06-24 | 2006-11-21 | Nec Corporation | Method for removing static electricity in fingerprint-reading apparatus, fingerprint reading apparatus and data terminal provided with fingerprint-reading apparatus |
| JP2022547268A (ja) * | 2019-09-04 | 2022-11-11 | フレクエンシス | 差動音波センサ |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5733506A (en) * | 1989-11-08 | 1998-03-31 | British Technology Group, Ltd. | Gas sensors and compounds suitable therefor |
| DE19509518C2 (de) * | 1995-03-20 | 1997-08-28 | Inst Chemo Biosensorik | Vorrichtung zur Detektion organischer Komponenten und Lösungsmitteldämpfen in der Luft |
| US5719033A (en) * | 1995-06-28 | 1998-02-17 | Motorola, Inc. | Thin film transistor bio/chemical sensor |
| DE19547419A1 (de) * | 1995-12-19 | 1997-06-26 | Leybold Ag | Verfahren zur Bestimmung der Konzentration von Gasen |
| GB9608774D0 (en) | 1996-04-27 | 1996-07-03 | Bloodhound Sensors Limited | Apparatus and method for detecting fluids |
| DE19638634C2 (de) * | 1996-09-20 | 2001-03-01 | Siemens Ag | Mit akustischen Oberflächenwellen arbeitende Sensoranordnung |
| GB9712299D0 (en) * | 1997-06-12 | 1997-08-13 | Univ Cambridge Tech | Condensation point detection |
| US6027760A (en) * | 1997-12-08 | 2000-02-22 | Gurer; Emir | Photoresist coating process control with solvent vapor sensor |
| DE10218810B4 (de) * | 2002-04-26 | 2007-04-05 | Micronas Gmbh | Ozonsensor nach dem Prinzip der Austrittsarbeitsmessung |
| US6938482B2 (en) * | 2003-06-03 | 2005-09-06 | General Electric Co. | Humidity sensor element containing polyphenylsulfone |
| US20070251321A1 (en) * | 2003-11-13 | 2007-11-01 | Holger Fritze | Sensor, Sensor Arrangement and Measuring Method |
| US7382004B2 (en) * | 2003-11-25 | 2008-06-03 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Semiconductor sensing device |
| WO2005095938A1 (en) * | 2004-04-01 | 2005-10-13 | Nanyang Technological University | Addressable transistor chip for conducting assays |
| RU2393444C1 (ru) * | 2009-06-01 | 2010-06-27 | Владимир Сергеевич Богословский | Чувствительный элемент датчика физических величин с отражающими структурами |
| CN110146596B (zh) * | 2018-11-28 | 2021-06-15 | 南京航空航天大学 | 一种用于洗涤剂残留量检测的乐甫波器件结构及检测方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DD97487A1 (ja) * | 1972-06-09 | 1973-05-14 | ||
| JPS5539042A (en) * | 1978-09-14 | 1980-03-18 | Tokyo Daigaku | Ion selecting field-effect sensor |
| US4312228A (en) * | 1979-07-30 | 1982-01-26 | Henry Wohltjen | Methods of detection with surface acoustic wave and apparati therefor |
| DE2947050C2 (de) * | 1979-11-22 | 1992-11-26 | Karoly Dr. 4600 Dortmund Dobos | Anordnung zum Nachweis von Ionen, Atomen und Molekülen in Gasen oder Lösungen |
| US4361026A (en) * | 1980-06-24 | 1982-11-30 | Muller Richard S | Method and apparatus for sensing fluids using surface acoustic waves |
| FR2517473B1 (fr) * | 1981-12-01 | 1987-08-28 | Nat Res Dev | Element a pellicule semi-conductrice pour la detection de gaz, et compose macrocyclique azote pour cette pellicule |
| DE3217883A1 (de) * | 1982-05-12 | 1983-11-17 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Gassensor |
| CH666965A5 (de) * | 1983-08-30 | 1988-08-31 | Cerberus Ag | Verfahren zur herstellung von materialien fuer gassensoren. |
| DE3506684A1 (de) * | 1985-02-26 | 1986-08-28 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur kontinuierlichen messung des partialdruckes von gasen und daempfen |
| US4863694A (en) * | 1985-02-26 | 1989-09-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Chemically sensitive component |
| DE3506686A1 (de) * | 1985-02-26 | 1986-08-28 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Chemisch sensitives bauelement |
| DE3526348A1 (de) * | 1985-07-23 | 1987-02-05 | Fraunhofer Ges Forschung | Sensoren fuer die selektive bestimmung von komponenten in fluessiger oder gasfoermiger phase |
| US4598224A (en) * | 1985-08-07 | 1986-07-01 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Surface acoustic wave device for sensing the presence of chemical agents |
| FR2601136B1 (fr) * | 1986-07-03 | 1989-05-12 | Commissariat Energie Atomique | Procede et dispositif de detection d'especes moleculaires ou ioniques |
| EP0332934A3 (de) * | 1988-03-14 | 1992-05-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Anordnung zur Messung des Partialdruckes von Gasen oder Dämpfen |
-
1989
- 1989-03-01 EP EP89103580A patent/EP0332935A1/de not_active Withdrawn
- 1989-03-09 JP JP1057678A patent/JPH01274053A/ja active Pending
- 1989-03-14 US US07/323,345 patent/US5200633A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-09-07 EP EP89116575A patent/EP0416160A1/de not_active Ceased
-
1990
- 1990-09-04 JP JP2235473A patent/JPH03100457A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7139414B1 (en) | 1999-06-24 | 2006-11-21 | Nec Corporation | Method for removing static electricity in fingerprint-reading apparatus, fingerprint reading apparatus and data terminal provided with fingerprint-reading apparatus |
| JP2005331326A (ja) * | 2004-05-19 | 2005-12-02 | Japan Radio Co Ltd | 弾性波センサ |
| JP2022547268A (ja) * | 2019-09-04 | 2022-11-11 | フレクエンシス | 差動音波センサ |
| US12392754B2 (en) | 2019-09-04 | 2025-08-19 | Soitec | Differential acoustic wave sensors |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0416160A1 (de) | 1991-03-13 |
| EP0332935A1 (de) | 1989-09-20 |
| JPH01274053A (ja) | 1989-11-01 |
| US5200633A (en) | 1993-04-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03100457A (ja) | ガス又は蒸気の分圧測定装置 | |
| US20180202961A1 (en) | Gas Sensor with Humidity Correction | |
| US5130257A (en) | Chemical sensor utilizing a surface transverse wave device | |
| Ricco et al. | Surface acoustic wave gas sensor based on film conductivity changes | |
| US7287431B2 (en) | Wireless oil filter sensor | |
| US20060283252A1 (en) | Passive acoustic wave sensor system | |
| US7322243B2 (en) | Acoustic wave etch rate sensor system | |
| WO2013108608A1 (ja) | 弾性波センサ | |
| Dorozhkin et al. | Acoustic wave chemical sensors for gases | |
| US7075216B1 (en) | Lateral field excited acoustic wave sensor | |
| JPH03209157A (ja) | 弾性表面波利用溶液測定装置及び溶液中特定物質の測定法 | |
| JP3250849B2 (ja) | 液体の特性を測定するための弾性表面波装置 | |
| WO1983001511A1 (en) | Surface acoustic wave oscillator gas detector | |
| JP3699737B2 (ja) | マトリックス電極振動子およびそのセンサ | |
| US20240142405A1 (en) | Systems and methods for mass sensing based on integrated, functionalized piezoelectric resonators | |
| JP2000214140A (ja) | センサ | |
| JP2008089600A (ja) | スリット弾性波を用いたsawセンサ素子およびその方法 | |
| US9140671B2 (en) | Quantitative sensor and manufacturing method thereof | |
| JP2010048696A (ja) | 表面弾性波型ガスセンサ | |
| JP2008180668A (ja) | ラム波型高周波センサデバイス | |
| JP7351508B2 (ja) | 認識信号生成素子及び素子認識システム | |
| US20110133599A1 (en) | Surface acoustic wave sensor | |
| JPH09178713A (ja) | 超音波濃度センサ | |
| SU911290A1 (ru) | Чувствительный элемент дл измерени концентрации паров этанола | |
| Lu | Dual-load Hybrid Detection of Water Content Using Electromagnetic and Surface Acoustic Wave Sensors |