JPH03101042A - 高エネルギイオン注入装置 - Google Patents
高エネルギイオン注入装置Info
- Publication number
- JPH03101042A JPH03101042A JP1238776A JP23877689A JPH03101042A JP H03101042 A JPH03101042 A JP H03101042A JP 1238776 A JP1238776 A JP 1238776A JP 23877689 A JP23877689 A JP 23877689A JP H03101042 A JPH03101042 A JP H03101042A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- power supply
- ions
- end station
- section
- Prior art date
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- Pending
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、イオン加速電圧がＭｅＶ単位の高エネルギイ
オン注入装置に関する。
オン注入装置に関する。
〈従来の技術〉
一般に、Ｃ−ＭＯＳＦＥＴやＲＯＭ等の半導体デバイス
の製作に際しては、高エネルギのイオンを注入すること
が必要な場合があり、そのため、高エネルギイオン注入
装置の利用が図られている。
の製作に際しては、高エネルギのイオンを注入すること
が必要な場合があり、そのため、高エネルギイオン注入
装置の利用が図られている。
〈発明が解決しようとする課題〉
ところで、従来のこの種の高エネルギイオン注入装置に
おいては、イオン加速器として線形加速器（Ｉｉｎａｃ
）などが使用されるが、このような線形加速器は、通常
、イオンエネルギを任意に変化させることが難しく、シ
たがって、イオン注入深さの制御を十分に行えない等の
問題がある。特に、大電圧、大電流を必要とするＲＦＱ
において、これが大きな問題となる。
おいては、イオン加速器として線形加速器（Ｉｉｎａｃ
）などが使用されるが、このような線形加速器は、通常
、イオンエネルギを任意に変化させることが難しく、シ
たがって、イオン注入深さの制御を十分に行えない等の
問題がある。特に、大電圧、大電流を必要とするＲＦＱ
において、これが大きな問題となる。
く課題を解決するための手段〉
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであっ
て、試料に注入されるイオンのエネルギを適宜調整でき
るようにするものである。
て、試料に注入されるイオンのエネルギを適宜調整でき
るようにするものである。
そのため、本発明は、イオン加速器で加速されたイオン
を試料が配置されるエンドステーション部に導くビーム
ダクトの途中に、該ビームダクトの軸方向に沿ってイオ
ン加減速用の電極を配置し、各電極にはその配列順序に
従って所定の直流電圧を印加する電源回路を接続し、こ
の電源回路は、高圧の直流電圧を発生する高圧電源と、
この高圧電源の出力電圧を変化させる電圧可変部と、こ
の電圧可変部の出力電圧を分圧して各電極に印加する分
圧回路とを備えて構成する一方、この分圧回路を前記エ
ンドステーション部に接続したことを特徴としている。
を試料が配置されるエンドステーション部に導くビーム
ダクトの途中に、該ビームダクトの軸方向に沿ってイオ
ン加減速用の電極を配置し、各電極にはその配列順序に
従って所定の直流電圧を印加する電源回路を接続し、こ
の電源回路は、高圧の直流電圧を発生する高圧電源と、
この高圧電源の出力電圧を変化させる電圧可変部と、こ
の電圧可変部の出力電圧を分圧して各電極に印加する分
圧回路とを備えて構成する一方、この分圧回路を前記エ
ンドステーション部に接続したことを特徴としている。
く作用〉
上記構成において、イオン加速器からビームダクトに向
けて出射されたイオンは、ビームダクトの途中に設けら
れた電極に印加された直流電圧の電位勾配によってその
軸方向に沿って加速あるいは減速される。この場合、電
圧可変部により高圧電源の出力電圧を変えると、これに
応じてイオンの加減速の程度が異なってくるので、これ
によって、イオン打ち込み時のエネルギが調整され、試
料に対するイオン注入深さ等が所望の値になるように制
御される。
けて出射されたイオンは、ビームダクトの途中に設けら
れた電極に印加された直流電圧の電位勾配によってその
軸方向に沿って加速あるいは減速される。この場合、電
圧可変部により高圧電源の出力電圧を変えると、これに
応じてイオンの加減速の程度が異なってくるので、これ
によって、イオン打ち込み時のエネルギが調整され、試
料に対するイオン注入深さ等が所望の値になるように制
御される。
〈実施例〉
第１図は本発明の実施例に係る高エネルギイオン注入装
置の要部構成図である。同図において、符号ｌは高エネ
ルギイオン注入装置の全体を示し、２はＲＦＱ等のイオ
ン加速器、４はイオンが注入される試料、６は試料４が
配置されるエンドステーション部、８はイオン加速器か
ら出射されるイオンをエンドステーション部に導くビー
ムダクトである。そして、このビームダクト８の途中に
は、該ビームダクト８の軸方向に沿ってイオン加減速用
の電極１０が複数配置され、各電極１０にはその配列順
序に従って所定の直流電圧を印加する電源回路１２が接
続されている。この電源回路１２は、高圧の直流電圧を
発生する正負両用の高圧電源１４と、この高圧電源１４
の出力電圧を変化させる電圧可変部１６と、この電圧可
変部１６の出力電圧を分圧して各電極ＩＯに印加する分
圧回路１８とを備えて構成されている。さらに、この分
圧回路１８がエンドステーション部６に接続されている
。したがって、エンドステーション部６と試料４には、
いずれも分圧回路１８の最終段の電圧と同じ電圧が印加
される。２０はエンドステーション部６を接地から絶縁
するための碍石である。
置の要部構成図である。同図において、符号ｌは高エネ
ルギイオン注入装置の全体を示し、２はＲＦＱ等のイオ
ン加速器、４はイオンが注入される試料、６は試料４が
配置されるエンドステーション部、８はイオン加速器か
ら出射されるイオンをエンドステーション部に導くビー
ムダクトである。そして、このビームダクト８の途中に
は、該ビームダクト８の軸方向に沿ってイオン加減速用
の電極１０が複数配置され、各電極１０にはその配列順
序に従って所定の直流電圧を印加する電源回路１２が接
続されている。この電源回路１２は、高圧の直流電圧を
発生する正負両用の高圧電源１４と、この高圧電源１４
の出力電圧を変化させる電圧可変部１６と、この電圧可
変部１６の出力電圧を分圧して各電極ＩＯに印加する分
圧回路１８とを備えて構成されている。さらに、この分
圧回路１８がエンドステーション部６に接続されている
。したがって、エンドステーション部６と試料４には、
いずれも分圧回路１８の最終段の電圧と同じ電圧が印加
される。２０はエンドステーション部６を接地から絶縁
するための碍石である。
上記構成において、イオン加速器２からビームダクト８
に向けて出射されたイオンは、電源回路１２により電極
１０に印加された直流電圧の電位差のためにビームダク
ト８の軸方向に沿って徐々に加速あるいは減速される。
に向けて出射されたイオンは、電源回路１２により電極
１０に印加された直流電圧の電位差のためにビームダク
ト８の軸方向に沿って徐々に加速あるいは減速される。
そして、ビームダクト８を通過したイオンは、エンドス
テーション部６に配置された試料４に打ち込まれる。
テーション部６に配置された試料４に打ち込まれる。
この場合、電源回路１２の電圧可変部１６を調整して高
圧電源１４の出力電圧を変えると、これに応じて電極Ｉ
Ｏに印加される各直流電圧の電位勾配が変化する。その
結果、イオン加速器２からイオンが出射されてから試料
４に打ち込まれるまでの間に、そのエネルギが第２図に
示すように変化する。すなわち、イオン加速器２から出
射されるイオンのエネルギがたとえば２ＭｅＶの場合、
電圧可変部１６を調整することで、試料４に打ち込まれ
るイオンのエネルギが１．５ＭｅＶ、１．ＯｅＶ、０．
５ｅＶというように任意に設定される。こにより、試料
４に対するイオン注入深さ等の制御が可能となる。
圧電源１４の出力電圧を変えると、これに応じて電極Ｉ
Ｏに印加される各直流電圧の電位勾配が変化する。その
結果、イオン加速器２からイオンが出射されてから試料
４に打ち込まれるまでの間に、そのエネルギが第２図に
示すように変化する。すなわち、イオン加速器２から出
射されるイオンのエネルギがたとえば２ＭｅＶの場合、
電圧可変部１６を調整することで、試料４に打ち込まれ
るイオンのエネルギが１．５ＭｅＶ、１．ＯｅＶ、０．
５ｅＶというように任意に設定される。こにより、試料
４に対するイオン注入深さ等の制御が可能となる。
なお、上記の電圧可変部１６は可変抵抗で構成している
が、電源回路１２としては、通常、コツタクロット方式
が採用されるので、その場合には、倍電圧整流回路の段
数を切り換える等により直流電圧が調整される。また、
この実施例では電源回路１２をエンドステーション部６
の外部に設けているが、エンドステーション部６の内部
に収納して装置のコンパクト化を図ることも可能である
。
が、電源回路１２としては、通常、コツタクロット方式
が採用されるので、その場合には、倍電圧整流回路の段
数を切り換える等により直流電圧が調整される。また、
この実施例では電源回路１２をエンドステーション部６
の外部に設けているが、エンドステーション部６の内部
に収納して装置のコンパクト化を図ることも可能である
。
また、本例ではイオン収束用のレンズ部やイオン走査用
のスキャナ部は省略されているが、これらはイオン加速
器２と初段の電極１０との間に設けることができる。
のスキャナ部は省略されているが、これらはイオン加速
器２と初段の電極１０との間に設けることができる。
〈発明の効果〉
本発明によれば、電圧可変部で電極に印加される電圧を
変化させることで、試料に注入されるイオンのエネルギ
を適宜調整できる。このため、従来、困難であったイオ
ン注入深さの制御等を任意に行えるようになる等の優れ
た効果が発揮される。
変化させることで、試料に注入されるイオンのエネルギ
を適宜調整できる。このため、従来、困難であったイオ
ン注入深さの制御等を任意に行えるようになる等の優れ
た効果が発揮される。
第１図は本発明の実施例に係る高エネルギイオン注入装
置の要部構成図、第２図は電極に印加される直流電圧の
電位勾配を示す特性図である。 １・・・高エネルギイオン注入装置、２・・・イオンＪ
」１速器、６・・・エンドステーション部、８・・・ビ
ームダクト、１２・・・電源回路、１４・・・高圧電源
、１６電圧可変部、１８・・・分圧回路。
置の要部構成図、第２図は電極に印加される直流電圧の
電位勾配を示す特性図である。 １・・・高エネルギイオン注入装置、２・・・イオンＪ
」１速器、６・・・エンドステーション部、８・・・ビ
ームダクト、１２・・・電源回路、１４・・・高圧電源
、１６電圧可変部、１８・・・分圧回路。
Claims (1)
- （１）イオン加速器で加速されたイオンを試料が配置さ
れるエンドステーション部に導くビームダクトの途中に
、該ビームダクトの軸方向に沿ってイオン加減速用の電
極を配置し、各電極にはその配列順序に従って所定の直
流電圧を印加する電源回路を接続し、この電源回路は、
高圧の直流電圧を発生する高圧電源と、この高圧電源の
出力電圧を変化させる電圧可変部と、この電圧可変部の
出力電圧を分圧して各電極に印加する分圧回路とを備え
て構成する一方、この分圧回路を前記エンドステーショ
ン部に接続したことを特徴とする高エネルギイオン注入
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1238776A JPH03101042A (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | 高エネルギイオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1238776A JPH03101042A (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | 高エネルギイオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03101042A true JPH03101042A (ja) | 1991-04-25 |
Family
ID=17035108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1238776A Pending JPH03101042A (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | 高エネルギイオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03101042A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007299721A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Hynix Semiconductor Inc | 不均一なイオン注入エネルギーを得られるイオン注入装置及びその方法 |
-
1989
- 1989-09-14 JP JP1238776A patent/JPH03101042A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007299721A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Hynix Semiconductor Inc | 不均一なイオン注入エネルギーを得られるイオン注入装置及びその方法 |
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