JPH03101280A - 分極反転層を有するＬｉＴａＯ↓３基板及びこれを用いたデバイス - Google Patents
分極反転層を有するＬｉＴａＯ↓３基板及びこれを用いたデバイスInfo
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- JPH03101280A JPH03101280A JP1239067A JP23906789A JPH03101280A JP H03101280 A JPH03101280 A JP H03101280A JP 1239067 A JP1239067 A JP 1239067A JP 23906789 A JP23906789 A JP 23906789A JP H03101280 A JPH03101280 A JP H03101280A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は所定の厚さの分極反転層を一生表面に形成する
ことによって該主表面を伝搬するＳＨタイプ弾性表面波
についての温度特性、伝搬減衰特性を向上せしめたＬｉ
ＴａＯ５基板及びこれを利用したデバイスに関する。
ことによって該主表面を伝搬するＳＨタイプ弾性表面波
についての温度特性、伝搬減衰特性を向上せしめたＬｉ
ＴａＯ５基板及びこれを利用したデバイスに関する。
（従来技術）
従来から本願発明者等はＬｉ’ｌ’ａＯ畠、ＬｉＮｂＯ
５基板表面に対し熱処理を施すことによシ或はプロトン
交換を行った後熱処理を行うことにより基板表面に分極
反転層を形成する方法及び斯る分極反転層を有する圧電
基板の特性、工業上の利用法について研究した結果を開
示して来た（％願昭６１−１９７９０５ 、同６１−２
０５５０６、同６１−２０５５０８及び同６２−１６０
７９２参照）。
５基板表面に対し熱処理を施すことによシ或はプロトン
交換を行った後熱処理を行うことにより基板表面に分極
反転層を形成する方法及び斯る分極反転層を有する圧電
基板の特性、工業上の利用法について研究した結果を開
示して来た（％願昭６１−１９７９０５ 、同６１−２
０５５０６、同６１−２０５５０８及び同６２−１６０
７９２参照）。
−万９通常のＬｉ１ａｃｓ ３５度回転Ｙ板に於いては
、結晶のＸ軸方向に伝搬するＳＨタイプ弾性表面波の遅
延時間温度係数ＴＣＤは基板表面が自由表面の場合には
４５ｐｐｍ／”Ｃで良好とはいえないが短絡表面〔例え
ばインタディジタル・トランスジユーサ（ＩＤＴ）電極
の如き導電物質を密に付着した表面〕の場合にはＴＣＤ
は３２ｐｐｍ／’Ｃと若干良好となる為、上記の基板は
ＳＡＷ共振子等に利用されている。
、結晶のＸ軸方向に伝搬するＳＨタイプ弾性表面波の遅
延時間温度係数ＴＣＤは基板表面が自由表面の場合には
４５ｐｐｍ／”Ｃで良好とはいえないが短絡表面〔例え
ばインタディジタル・トランスジユーサ（ＩＤＴ）電極
の如き導電物質を密に付着した表面〕の場合にはＴＣＤ
は３２ｐｐｍ／’Ｃと若干良好となる為、上記の基板は
ＳＡＷ共振子等に利用されている。
上述した如き短、＆表面を有するＬｉＴａＯ５回転Ｙ板
のＳＨタイプ弾性表面波に対する温度特性が自由表面の
場合のそれに比して向上する理由を検討するに、ＳＨタ
イプ弾性表面波に対する圧電基板の実効弾性定数Ｃは、
基板表面を短絡した場合には電束密度りが一定の場合の
Ｘ軸方向伝搬の速い横波に対応する弾性定数Ｃよシも電
界強度Ｅが一定の場合のそれＣに近い値と々る為である
と考えられるが、Ｃの温度係数の方がＣのそれよシも小
さいという性質があるので１表面を短絡した圧電基板の
ＳＨタイプ表面波に対する温度特性は自由表面のそれよ
シ良好になる解釈されている。
のＳＨタイプ弾性表面波に対する温度特性が自由表面の
場合のそれに比して向上する理由を検討するに、ＳＨタ
イプ弾性表面波に対する圧電基板の実効弾性定数Ｃは、
基板表面を短絡した場合には電束密度りが一定の場合の
Ｘ軸方向伝搬の速い横波に対応する弾性定数Ｃよシも電
界強度Ｅが一定の場合のそれＣに近い値と々る為である
と考えられるが、Ｃの温度係数の方がＣのそれよシも小
さいという性質があるので１表面を短絡した圧電基板の
ＳＨタイプ表面波に対する温度特性は自由表面のそれよ
シ良好になる解釈されている。
ところで前述した分極反転層を有するＬｉＴａＯ３基板
はその極性が反転する反転分域墳界で一種の電界短絡効
果を有すると考えられるから。
はその極性が反転する反転分域墳界で一種の電界短絡効
果を有すると考えられるから。
斯ろ分極反転層を有するＬｉＴａＯ５基板の温度特性は
通常のそれに比し良好な温度特性を有する可能性がある
。
通常のそれに比し良好な温度特性を有する可能性がある
。
（発明の目的）
本発明は上述した如き従来本願発明者等が研究を続けて
きた分極反転層を有するＬｉＴａＯ５基板に於ける温度
特性改善の可能性を追求しその条件を見出し、それを弾
性表面波デバイスに利用せんとするものである。
きた分極反転層を有するＬｉＴａＯ５基板に於ける温度
特性改善の可能性を追求しその条件を見出し、それを弾
性表面波デバイスに利用せんとするものである。
（発明の概要）
数値解析の結果１回転角３０度乃至４０度のＬｉＴａＯ
８回転Ｙ板についてｋｈ（ｋは励起する波長λなるＳＨ
タイプ弾性表面波の波数、即ち２π／λ、ｈは分極反転
層の厚さ）が１．０乃至６゜０の範囲が良好な温度特性
を有し更にこの範囲で波動エネルギの伝搬減衰を極めて
小さくなし得ることが判明すると共に、これは電気機械
結合係数もある穆度大きな値を示す領域であることが明
らかとなったので、斯る条件の基板を各種表面波デバイ
スに利用せんとするものである。
８回転Ｙ板についてｋｈ（ｋは励起する波長λなるＳＨ
タイプ弾性表面波の波数、即ち２π／λ、ｈは分極反転
層の厚さ）が１．０乃至６゜０の範囲が良好な温度特性
を有し更にこの範囲で波動エネルギの伝搬減衰を極めて
小さくなし得ることが判明すると共に、これは電気機械
結合係数もある穆度大きな値を示す領域であることが明
らかとなったので、斯る条件の基板を各種表面波デバイ
スに利用せんとするものである。
（実施例）
以下本発明をその理論解析による最適条件導出の過程説
明と上記最適条件の下での基板を用いたデバイスの実施
例とに基づいて詳細に説明する。
明と上記最適条件の下での基板を用いたデバイスの実施
例とに基づいて詳細に説明する。
■ 温度特性の解析
本発明の主ｗｐ、たる分極反転層を有するＬｉ１ａｃｓ
基板を伝搬するＳＨタイプ弾性表面波（Ｌｅａｋｙ板
）に対する温度特性及び伝搬減衰特性の解析について説
明する。
基板を伝搬するＳＨタイプ弾性表面波（Ｌｅａｋｙ板
）に対する温度特性及び伝搬減衰特性の解析について説
明する。
（ａｌ ＬｉＴａＯ５の基準温度２５℃に於ける材料
定数（弾性定数、圧電定数、誘電率、線膨張係数）及び
その温度係数の値としてけスミス（Ｓｍｉｔｈ）等の示
し念それを用いる。
定数（弾性定数、圧電定数、誘電率、線膨張係数）及び
その温度係数の値としてけスミス（Ｓｍｉｔｈ）等の示
し念それを用いる。
（ｂ） 温度による材料定数Ｘの変化は３次以上の項
は無視して。
は無視して。
ａｒｌはｎ次の温度係数、ΔＴは２５℃からの温度変化
・・・・・・・・・・・・（１）で与える。
・・・・・・・・・・・・（１）で与える。
（Ｃ） 弾性表面波についての遅延時間温度係数ＴＣ
ＤＶｉ。
ＤＶｉ。
ＴＣＤ ＝ａｒ／ｒａＴ＝ａｌｌｌＪａＴ−θｕｌｕ＆
７”＝η−７’ＣＶ τは遅延時間、ｌは伝搬方向の長き、υは波の位相速度
、ηは線膨張係数、ｒｅｖは位相速度の温度係数
・・・・・・・・・（２）（ｄ） 伝搬方向（Ｘ軸方
向）のηは一偉 １１＝ａｌｌｌａＴ＝（ｆｘ＝１．６１Ｘ１０
＝（３）（ＬｉＴａＯ３のＸ軸方向の線膨張係数）
（ｒ） ７’ＣＶ＝ΔＵ／υ□ΔＴ ・・・・・・
・・・（４）（２） ここで２５℃を中心とする２つの
温度Ｔ１℃と１２℃での位相速度をυ７□、υＴｉｌと
すると、ＴＣＤは上記（２） 、 （３）式及び（４）
式よシＴＣＤ＝１．６１Ｘ１０−＠−（１／υ！５）（
（”ｒ！−〇〇□）／（Ｔ、−Ｔ１） ） ・・・・
・・・・・（５）と表わすことができるから、これよｆ
ｉ ’ｌ’ｃＤを求めることができる。
７”＝η−７’ＣＶ τは遅延時間、ｌは伝搬方向の長き、υは波の位相速度
、ηは線膨張係数、ｒｅｖは位相速度の温度係数
・・・・・・・・・（２）（ｄ） 伝搬方向（Ｘ軸方
向）のηは一偉 １１＝ａｌｌｌａＴ＝（ｆｘ＝１．６１Ｘ１０
＝（３）（ＬｉＴａＯ３のＸ軸方向の線膨張係数）
（ｒ） ７’ＣＶ＝ΔＵ／υ□ΔＴ ・・・・・・
・・・（４）（２） ここで２５℃を中心とする２つの
温度Ｔ１℃と１２℃での位相速度をυ７□、υＴｉｌと
すると、ＴＣＤは上記（２） 、 （３）式及び（４）
式よシＴＣＤ＝１．６１Ｘ１０−＠−（１／υ！５）（
（”ｒ！−〇〇□）／（Ｔ、−Ｔ１） ） ・・・・
・・・・・（５）と表わすことができるから、これよｆ
ｉ ’ｌ’ｃＤを求めることができる。
次に前記（５）式に於けるυ７の値を数値解析によって
求める方法について説明する。
求める方法について説明する。
（ｈ） 第３図を勘案して運動万福式と電荷方程式は
以下の如く表わされる。
以下の如く表わされる。
Ｕは変位、φは電位、Ｃは弾性定数、ｅｆ’！圧電定数
、εは誘電率 ＣＩの如き表示は座標変換後の値である
ことを示す ・・・・・・・・・ （６） （ｉ） さて第３図に於いて回転Ｙ板上を＃１方向に
伝搬する弾性表面波を与える方程式（６）の−般解は領
域Ａに於いて以下の如く表わすことができる。
、εは誘電率 ＣＩの如き表示は座標変換後の値である
ことを示す ・・・・・・・・・ （６） （ｉ） さて第３図に於いて回転Ｙ板上を＃１方向に
伝搬する弾性表面波を与える方程式（６）の−般解は領
域Ａに於いて以下の如く表わすことができる。
（χ、２０つ・・・・・・・・・ （７）−万Ｂ領域（
分極反転層内）に於いては表面からχ８方向に減衰する
波と、境界から−７，方向に減衰する波があるので一般
解は以下の如く表わされる。
分極反転層内）に於いては表面からχ８方向に減衰する
波と、境界から−７，方向に減衰する波があるので一般
解は以下の如く表わされる。
［３，、＝Σ（βｔ ｎＡ ’ｎｅＸ ｐ （−αｎｋ
χ３）＋β＊ｓ、、Ａｔｔ。
χ３）＋β＊ｓ、、Ａｔｔ。
ｒｗｔ
ｅｘｐ（αｎ”ｔ））・ｅｘｐ（ｊｋ（υｔ−ａ−ｊδ
）χ、）〕φ８＝全（β” ４ｎＡ’ｎｅＸｐ（−αｎ
ｋχ２）＋β” ａｎＡ”ｎ ｅｘｐデ１ （αｎｋχ、））・ｅｘｐ（ｊｋ（υｔ−（１−ｊδ）
χ１）〕（０〉χ、＞−ｈ） ・・・・・・・・・
（８）但しく７） 、 （８）式に於いてυは伝搬する
波の位相速度、には波数２π／λ、δには伝搬方向の減
衰穴Ｖ、αには深さ方向（χ２方向）の減衰定数である
。又、βｊｎ、β”ｉｎ 、βｉｎはα。に対応して求
まる値であｈ，Ａｎ、Ａ’。＊ Ａｎ ｔＪ：未定々数
である。
）χ、）〕φ８＝全（β” ４ｎＡ’ｎｅＸｐ（−αｎ
ｋχ２）＋β” ａｎＡ”ｎ ｅｘｐデ１ （αｎｋχ、））・ｅｘｐ（ｊｋ（υｔ−（１−ｊδ）
χ１）〕（０〉χ、＞−ｈ） ・・・・・・・・・
（８）但しく７） 、 （８）式に於いてυは伝搬する
波の位相速度、には波数２π／λ、δには伝搬方向の減
衰穴Ｖ、αには深さ方向（χ２方向）の減衰定数である
。又、βｊｎ、β”ｉｎ 、βｉｎはα。に対応して求
まる値であｈ，Ａｎ、Ａ’。＊ Ａｎ ｔＪ：未定々数
である。
（ｊ） 基板表面（χ、＝−ｈ ）と分極反転の境界
χ８＝０に於ける機械的、電気的境界条件は。
χ８＝０に於ける機械的、電気的境界条件は。
変位 χ２−ｏｘ２＝ｈ
変位 ＵＡｉ刊□
応力 （Ｆ−）Ａ＝（Ｆ２−）Ｂ（Ｆ、ｊ）Ｂ−。
２Ｊ Ｊ
電位 φＩ→８ φＢ−０（短絡表面の
場合）を束密度 （Ｄ、）Ａ＝（Ｄ、）Ｂ（Ｄ２）Ｂ＝
（Ｄ２）。
場合）を束密度 （Ｄ、）Ａ＝（Ｄ、）Ｂ（Ｄ２）Ｂ＝
（Ｄ２）。
と与えらゎう。 （自由表面の場合
）但Ｌ 、応力Ｆ！ ｊ ＝” ！ｊｋＪθＵ、／θχ
ρ＋０°に！ｊａφ／ａｌｉ。
）但Ｌ 、応力Ｆ！ ｊ ＝” ！ｊｋＪθＵ、／θχ
ρ＋０°に！ｊａφ／ａｌｉ。
電束密度Ｄ！ ＝ ｅｇＭａＵｋ／ａｚ！’ ｔｈａφ
／ａχにである。 ・・・・・・・・・（９）（ｋ
ｌ そこで（９）式に（７）式及び（８）式を代入す
ると次の１２元同次連立方糧式が得られる。
／ａχにである。 ・・・・・・・・・（９）（ｋ
ｌ そこで（９）式に（７）式及び（８）式を代入す
ると次の１２元同次連立方糧式が得られる。
方程式（ト）が解を有する為には係数行列の行列式ＩＭ
ＩがＯでなければならないのでこれを満足するようなり
とａを解けはよいが、近似的にはＩＭ＋ が最小とな
るυ及びδを求めることによって解が得られる。
ＩがＯでなければならないのでこれを満足するようなり
とａを解けはよいが、近似的にはＩＭ＋ が最小とな
るυ及びδを求めることによって解が得られる。
斯くすることによって温度Ｔ１．Ｔ、及び２５ｔＫ於け
る位相速度υを求めれば前記（５）式によシ遅延時間温
度係数ＴＣＤが求められるが。
る位相速度υを求めれば前記（５）式によシ遅延時間温
度係数ＴＣＤが求められるが。
波動の位相速度υは又分極反転層の厚さｈと伝搬定数に
との積ｋｈの関数でもあるからＴＣＤもｋｈの関数、即
ちＴＣＤ＝ｆ（ｋｈ） として数値解析によシ求める
ことができる。同時に波動の伝搬減衰もｋｈの関数とし
て求め得ることは云５までもない。
との積ｋｈの関数でもあるからＴＣＤもｋｈの関数、即
ちＴＣＤ＝ｆ（ｋｈ） として数値解析によシ求める
ことができる。同時に波動の伝搬減衰もｋｈの関数とし
て求め得ることは云５までもない。
面 数値解析の結果
（ａ） 上述した如き手法を用いて数値解析を行い分
極反転層を有するＬｉＴａＯ８基板に於ける反転層の厚
さと遅延時間係数ＴＣＤとの関係を調べ九ところ第１図
に示す如き結果を得た。
極反転層を有するＬｉＴａＯ８基板に於ける反転層の厚
さと遅延時間係数ＴＣＤとの関係を調べ九ところ第１図
に示す如き結果を得た。
これは３５°回転Ｙ板についての結果であるが。
回転角σが３０度乃至４０度の間ではＴＣＤのｋｈ依存
性は殆んど変化がなく、第１図と実質的に同様であるこ
とも確認された。
性は殆んど変化がなく、第１図と実質的に同様であるこ
とも確認された。
即ち、 Ｌｉ’ｌ’ａＯ−の３０°乃至４０’回転Ｙ板
表面に厚さｈの分極反転層を形成しｋｈの値を１．０乃
至６．０の間の適当な値に選ぶことによシ、従来一般の
分極反転層を設けないＬｉＴａ０一基板のＴＤＣが表面
短絡の場合３２ ｐ ｐｍ／℃程度であったものが最小
１４ｐｐｍ／”Ｃ程度まで大幅に向上することが理解さ
れよう。
表面に厚さｈの分極反転層を形成しｋｈの値を１．０乃
至６．０の間の適当な値に選ぶことによシ、従来一般の
分極反転層を設けないＬｉＴａ０一基板のＴＤＣが表面
短絡の場合３２ ｐ ｐｍ／℃程度であったものが最小
１４ｐｐｍ／”Ｃ程度まで大幅に向上することが理解さ
れよう。
（ｂ） 又、第２図（ａ）及び（ｂ）は伝搬する表面
波のバルク波放射に基づく伝搬減衰のｋｈ依存性を調べ
た結果を示す図であって、圧電デバイスとしての利用価
値がある短絡表面についてｋｈが１．０乃至６．０の間
に伝搬減衰が実質上塔。
波のバルク波放射に基づく伝搬減衰のｋｈ依存性を調べ
た結果を示す図であって、圧電デバイスとしての利用価
値がある短絡表面についてｋｈが１．０乃至６．０の間
に伝搬減衰が実質上塔。
即ち完全な表面波となる領域の存在することが判る。
（Ｃ） −万１本願発明者等は既に分極反転層を有す
るＬｉＴａＯ５基板を伝搬するＳＨタイプ弾性表面波に
ついての電気機械結合係数に！のｋｈ依存性について解
析しており 、 Ｋｌはｋｈが０、７付近で零となｈ，
ｋｈが増大するとに２も再び増大することを見い出して
いる。
るＬｉＴａＯ５基板を伝搬するＳＨタイプ弾性表面波に
ついての電気機械結合係数に！のｋｈ依存性について解
析しており 、 Ｋｌはｋｈが０、７付近で零となｈ，
ｋｈが増大するとに２も再び増大することを見い出して
いる。
この結果を併せ勘案するにｋｈの値を１．０乃至６、Ｏ
の間の適当な値に選べばＫ”、’］’ＣＤ及び伝搬減衰
のいずれをも同時に満足することが可能であろう。
の間の適当な値に選べばＫ”、’］’ＣＤ及び伝搬減衰
のいずれをも同時に満足することが可能であろう。
釦 圧電デバイスへの応用
以上■、圓の結果を勘案するに回転カット角６３度乃至
３５度のＬｉＴａＯ５基板表面にｋｈが１．５乃至３．
５の適当な深さに分極反転層を形成すれば、従来ＶＴＲ
用共振子等に用いられてい九Ｘカット１１２度Ｙ方向伝
搬のＬｉＴａＯ５基板を用いたものよシ温度特性、電気
機械結合係数共に良好な小型の共振子を得ることができ
る。
３５度のＬｉＴａＯ５基板表面にｋｈが１．５乃至３．
５の適当な深さに分極反転層を形成すれば、従来ＶＴＲ
用共振子等に用いられてい九Ｘカット１１２度Ｙ方向伝
搬のＬｉＴａＯ５基板を用いたものよシ温度特性、電気
機械結合係数共に良好な小型の共振子を得ることができ
る。
因みにカット角３５度回転ＹのＬｉＴａＯ５基板の電気
機械結合係数に！が最高の値を示すｋｈ値は本願発明者
による従前の解析によれば概ね３であシその際のに！値
は４チ根度であってｋｈ値１．０乃至６．０の範囲では
に３が著しく劣化するわけでもないことに注目されたい
。
機械結合係数に！が最高の値を示すｋｈ値は本願発明者
による従前の解析によれば概ね３であシその際のに！値
は４チ根度であってｋｈ値１．０乃至６．０の範囲では
に３が著しく劣化するわけでもないことに注目されたい
。
又１本発明に係るＬｉＴａＯ５基板はその温度特性及び
に８ の値を勘案するに中帯域幅の共振子及びフィルタ
への応用が最適であろう。
に８ の値を勘案するに中帯域幅の共振子及びフィルタ
への応用が最適であろう。
更に、温度特性にや＼不満はある、゛ものの遅延線に用
いてもよい。この場合には波の送受用ＩＤＴの間の伝搬
路表面には全面メタライズ膜を施こすのがよい。
いてもよい。この場合には波の送受用ＩＤＴの間の伝搬
路表面には全面メタライズ膜を施こすのがよい。
（発明の効果）
本発明は以上説明し次如き条件をＬｉＴａ０ａ基板に付
与することによってその温度特性を従来のそれよシも大
幅に向上せしめたものであるからｅ ＬｉＴａ０ａを利
用した表面波共振器或はフィルタ等のデバイスの温度特
性を改善する上で著しい効果がある。
与することによってその温度特性を従来のそれよシも大
幅に向上せしめたものであるからｅ ＬｉＴａ０ａを利
用した表面波共振器或はフィルタ等のデバイスの温度特
性を改善する上で著しい効果がある。
第１図は本発明に係るＬｉＴａＯ５基板に於ける温度特
性と分極反転層の深さとの関係を示す図。 第２図（ａ）及び（ｂ）は夫々励起した波動の伝搬減衰
と分極反転層の深さとの関係を示す図であシ。 前者は自由表面について、後者は短絡表面についての図
、第３図は本発明をなすに至った理論解析の基礎となる
ＬｉＴａＯ５基板の諸パラメータを示す図である。
性と分極反転層の深さとの関係を示す図。 第２図（ａ）及び（ｂ）は夫々励起した波動の伝搬減衰
と分極反転層の深さとの関係を示す図であシ。 前者は自由表面について、後者は短絡表面についての図
、第３図は本発明をなすに至った理論解析の基礎となる
ＬｉＴａＯ５基板の諸パラメータを示す図である。
Claims (3)
- （１） 一主表面に分極反転層を形成したカット角３０
度乃至４０度ＬｉＴａＯ＿８回転Ｙ板に於いて，前記分
極反転層の深さをｈ，前記分極反転層表面を伝搬するＳ
Ｈタイプ弾性表面波の波数をｋ（＝２π／λ，λは波長
）とした場合，ｋｈの値が１．０乃至６．０となるよう
前記ｈの値を選ぶことによって電気機械結合係数を大な
る値に保ちつつ遅延時間温度係数及び励起した波動の伝
搬減衰を小ならしめたことを特徴とする分極反転層を有
するＬｉＴａＯ＿８基板。 - （２） 請求項（１）記載のＬｉＴａＯ＿８基板に於い
て，その分極反転層表面にインタディジタル・トランス
ジューサ（ＩＤＴ）電極を形成することによってＳＨタ
イプ弾性表面波の励起或は受信を行うようにしたことを
特徴とする分極反転層を有するＬｉＴａＯ＿８基板を用
いたデバイス。 - （３） ＳＨタイプ弾性表面波の伝搬路であって，ＩＤ
Ｔ電極前後の基板表面部分を全面メタライズすることに
よって該部に於ける遅延時間温度係数を一層小ならしめ
たことを特徴とする請求項（２）記載の分極反転層を有
するＬｉＴａＯ＿８基板を用いたデバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23906789A JP2516817B2 (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | 分極反転層を有するＬｉＴａＯ▲下３▼基板及びこれを用いたデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23906789A JP2516817B2 (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | 分極反転層を有するＬｉＴａＯ▲下３▼基板及びこれを用いたデバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03101280A true JPH03101280A (ja) | 1991-04-26 |
| JP2516817B2 JP2516817B2 (ja) | 1996-07-24 |
Family
ID=17039366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23906789A Expired - Lifetime JP2516817B2 (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | 分極反転層を有するＬｉＴａＯ▲下３▼基板及びこれを用いたデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2516817B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6437479B1 (en) | 2001-06-29 | 2002-08-20 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave device |
| US6903630B2 (en) | 2002-05-16 | 2005-06-07 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device having a polarization inverted region |
| US7067956B2 (en) | 2002-09-04 | 2006-06-27 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device, filter device and method of producing the surface acoustic wave device |
| US7202590B2 (en) | 2003-05-09 | 2007-04-10 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same |
| US7331092B2 (en) | 2003-05-14 | 2008-02-19 | Fujitsu Media Devices Limited | Method and manufacturing surface acoustic wave device |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004186868A (ja) | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波素子、それを有する送信フィルタ及び受信フィルタ、並びにそれらを有するデュプレクサ |
| WO2009081651A1 (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 複合圧電基板の製造方法 |
-
1989
- 1989-09-14 JP JP23906789A patent/JP2516817B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6437479B1 (en) | 2001-06-29 | 2002-08-20 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave device |
| US6903630B2 (en) | 2002-05-16 | 2005-06-07 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device having a polarization inverted region |
| US7067956B2 (en) | 2002-09-04 | 2006-06-27 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device, filter device and method of producing the surface acoustic wave device |
| US7202590B2 (en) | 2003-05-09 | 2007-04-10 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same |
| US7331092B2 (en) | 2003-05-14 | 2008-02-19 | Fujitsu Media Devices Limited | Method and manufacturing surface acoustic wave device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2516817B2 (ja) | 1996-07-24 |
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