JPH03101596U - - Google Patents

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JPH03101596U
JPH03101596U JP960990U JP960990U JPH03101596U JP H03101596 U JPH03101596 U JP H03101596U JP 960990 U JP960990 U JP 960990U JP 960990 U JP960990 U JP 960990U JP H03101596 U JPH03101596 U JP H03101596U
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cold material
superconducting
superconducting thin
substrate
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【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の1実施態様を示す断面図、
第2図は従来の超電導磁気シールド容器の1例を
示す断面図である。図面において、1……磁気シ
ールド容器、2……磁気シールド領域、3……ク
ライオスタツト、4……真空断熱層、5……基板
、6……超電導薄膜、7……寒材容器、8……寒
材、9……磁気シールド容器、10……容器。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 1 真空断熱層を形成するクライオスタツトと、
    前記真空断熱層内に基板と一体的に設けられた超
    電導薄膜と、前記超電導薄膜を冷却するための寒
    材とによつて構成され、前記超電導薄膜によつて
    磁気シールド領域を形成してなる超電導磁気シー
    ルド容器において、前記寒材を前記基板側に配置
    し、前記超電導薄膜を前記寒材と直接接触させず
    に冷却することを特徴とする超電導磁気シールド
    容器。 2 前記寒材を前記基板と接触するように配置し
    た請求項1記載の超電導磁気シールド容器。
JP960990U 1990-02-02 1990-02-02 Pending JPH03101596U (ja)

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JPH03101596U true JPH03101596U (ja) 1991-10-23

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63280469A (ja) * 1987-05-12 1988-11-17 Toshiba Corp 複合超電導シ−ルド板およびその製造方法
JPH01245598A (ja) * 1988-03-28 1989-09-29 Japan Atom Energy Res Inst 高温超伝導体零磁場標準装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63280469A (ja) * 1987-05-12 1988-11-17 Toshiba Corp 複合超電導シ−ルド板およびその製造方法
JPH01245598A (ja) * 1988-03-28 1989-09-29 Japan Atom Energy Res Inst 高温超伝導体零磁場標準装置

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