JPH03101667A - アミド化合物誘導体の製造方法 - Google Patents
アミド化合物誘導体の製造方法Info
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- JPH03101667A JPH03101667A JP1239697A JP23969789A JPH03101667A JP H03101667 A JPH03101667 A JP H03101667A JP 1239697 A JP1239697 A JP 1239697A JP 23969789 A JP23969789 A JP 23969789A JP H03101667 A JPH03101667 A JP H03101667A
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- formula
- compound
- amide compound
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、トリアゾール環を有する基をアミド化合物に
導入することによるアミド化合物誘導体の製造方法に関
する. 当該製造方法は、例えばドラッグデザインに於いて、医
薬品として有用なアミド化合物にトリアゾール環を有す
る基を導入することによって、より有用な医薬品を製造
する目的等に利用される.〔従来の技術・発明が解決し
ようとする課題〕アミド結合を有する医薬品は一般に結
晶格子エネルギーが大きく、溶解性は低いものが多かっ
た.このような医薬品の溶解性を向上すべく、化学修飾
を施す所謂ドラッグデザインの研究が行われているが、
その中でも特にトリアゾール環を有する基をアミド化合
物に導入するための研究開発が盛んに行われている. 従来、トリアゾール環を有する基をアミド化合物に導入
する方法としては、例えば、弐Cl (式中、R,およびR,は有機残基を示す)に示すアミ
ド化合物を先ず調製した後に、トリアゾールを反応させ
て、式(X)の塩素原子をトリアゾリル基と置換する方
法が一般的である。
導入することによるアミド化合物誘導体の製造方法に関
する. 当該製造方法は、例えばドラッグデザインに於いて、医
薬品として有用なアミド化合物にトリアゾール環を有す
る基を導入することによって、より有用な医薬品を製造
する目的等に利用される.〔従来の技術・発明が解決し
ようとする課題〕アミド結合を有する医薬品は一般に結
晶格子エネルギーが大きく、溶解性は低いものが多かっ
た.このような医薬品の溶解性を向上すべく、化学修飾
を施す所謂ドラッグデザインの研究が行われているが、
その中でも特にトリアゾール環を有する基をアミド化合
物に導入するための研究開発が盛んに行われている. 従来、トリアゾール環を有する基をアミド化合物に導入
する方法としては、例えば、弐Cl (式中、R,およびR,は有機残基を示す)に示すアミ
ド化合物を先ず調製した後に、トリアゾールを反応させ
て、式(X)の塩素原子をトリアゾリル基と置換する方
法が一般的である。
しかしながら、式(X)の化合物は極めて不安定であり
、製造も困難な場合が多い. 従って、式(X)のトリアゾール置換体の収率も工程全
体としては極めて低く、工業的生産方法としては不適当
であった。
、製造も困難な場合が多い. 従って、式(X)のトリアゾール置換体の収率も工程全
体としては極めて低く、工業的生産方法としては不適当
であった。
従って、本発明の目的は、上述の如き従来技術の有する
課題を解決したアミド化合物誘導体の製造方法を提供す
ることにある。
課題を解決したアミド化合物誘導体の製造方法を提供す
ることにある。
本発明は主として、式
A
C式中、Aはトリアゾリル基、Bは有機残基を示す)
で表わされる基を導入するための試薬と、式R,CON
HRt (III)(式中、R1は有機
残基、R2は水素原子又は有機残基を示し、R1とR!
とが結合して環を形威してもよい) で表わされるアミド化合物とを反応させて、式A (式中、A,B,R+及びR2は前記と同意義)で表わ
される基を含有するアミド化合物誘導体を製造するにあ
たって、式(1)で表わされる基を導入するための試薬
が、式 A (式中、A及びBは前記と同意義、Rは低級アルキル基
を示す) で表わされる化合物であり、当該導入反応が酸性条件下
で行われることを特徴とするアミド化合物誘導体の製造
方法を提供することにより、上記課題を悉く解決せんと
するものである. 本発明に於いて、式(■)、式(I[[)および式(I
V)のAはトリアゾリル基を示し、トリアゾリル基とし
ては1,2.3− }リアゾル−1−イル基、1.25
−トリアゾル−1−イル基、1,2.4− }リアゾル
ー1イル基、1.3.4− トリアゾル−1−イル基の
いずれであってもよいが、特に1,2.4− }リアゾ
ルー1−イル基が望ましい。
HRt (III)(式中、R1は有機
残基、R2は水素原子又は有機残基を示し、R1とR!
とが結合して環を形威してもよい) で表わされるアミド化合物とを反応させて、式A (式中、A,B,R+及びR2は前記と同意義)で表わ
される基を含有するアミド化合物誘導体を製造するにあ
たって、式(1)で表わされる基を導入するための試薬
が、式 A (式中、A及びBは前記と同意義、Rは低級アルキル基
を示す) で表わされる化合物であり、当該導入反応が酸性条件下
で行われることを特徴とするアミド化合物誘導体の製造
方法を提供することにより、上記課題を悉く解決せんと
するものである. 本発明に於いて、式(■)、式(I[[)および式(I
V)のAはトリアゾリル基を示し、トリアゾリル基とし
ては1,2.3− }リアゾル−1−イル基、1.25
−トリアゾル−1−イル基、1,2.4− }リアゾル
ー1イル基、1.3.4− トリアゾル−1−イル基の
いずれであってもよいが、特に1,2.4− }リアゾ
ルー1−イル基が望ましい。
また、式(■)、式(III)および式(rV)に於い
てBは有機残基を示し、有機残基としては特に限定され
ず、例えば置換さていてもよいアルキル基(例えば、メ
チル基、エチル基、プロビル基、イソプロビル基、イソ
ブチル基、sec−ブチル基、teγt−ブチル基、プ
チル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基等の炭素原子数
が1〜6の直鎖状、分枝鎖状または環状のアルキル基)
、アルケニル基(例えば、アリル基、ビニル基、スチリ
ル基等の炭素原子数が1〜8の直鎖状、分枝鎖状または
環状のアルケニル基)、アリール基(例えば、フェニル
、ナフチル等)、アラルキル基(例えば、ベンジル基等
)、複素環式化合物から誘導される一価基(例えば、ピ
リジル基、チェニル基、フリル基)等が挙げられる。
てBは有機残基を示し、有機残基としては特に限定され
ず、例えば置換さていてもよいアルキル基(例えば、メ
チル基、エチル基、プロビル基、イソプロビル基、イソ
ブチル基、sec−ブチル基、teγt−ブチル基、プ
チル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基等の炭素原子数
が1〜6の直鎖状、分枝鎖状または環状のアルキル基)
、アルケニル基(例えば、アリル基、ビニル基、スチリ
ル基等の炭素原子数が1〜8の直鎖状、分枝鎖状または
環状のアルケニル基)、アリール基(例えば、フェニル
、ナフチル等)、アラルキル基(例えば、ベンジル基等
)、複素環式化合物から誘導される一価基(例えば、ピ
リジル基、チェニル基、フリル基)等が挙げられる。
式(II)においてR.およびR2は有機残基を示し、
有機残基としては特に限定されず、アルキル基、シクロ
アルキル基等の飽和炭化水素一価基、アルケニル基、ア
ルカジエニル基、アルカトリエニル基、アルキニル基、
アルケニニル基、シクロアルケニル基等の不飽和炭化水
素一価基、フェニル基、トリル基、キシリル基、クメニ
ル基、メシチル基、ビニルフェニル基、ベンジル基、フ
ェネチル基、スチリル基、シンナミル基、ペンズヒドリ
ル基、トリチル基等の単環式芳香族炭化水素一価基、イ
ンデニル基、テフチル基、アントリル基、フェナントリ
ル基等の縮合多環式炭化水素一価基、ゲラニル基、ネニ
ル基、リナニル基等の鎖式テルベン基、シクロヘキサニ
ル基、ビシクロへキサニル基、ビシクロへブタニル基、
ピナニル基等の環式テルペン基、ピローリル基、インド
リル基、トリアジニル基、フリル基、ピリジル基、キノ
リル基、ピペリジル基、イソキノリル基、モルフオリ/
M、モルフォリニル基、ピペリジノ基等の複素環一価基
、またはこれら複素環が縮合した縮合複素環一価基、あ
るいはこれらの基に水酸基、アルコキシ基(好適には炭
素原子数l〜4個のアルコキシ基)、アリールオキシル
基(例えば、ファノキシ基)、アシル基(例えば、アセ
チル基)、カルボニル基、カルボキシル基、シアノ基、
ニトロ基、ニトロソ基、アξノ基、メルカプト基、スル
ホン基、スルホニル基、アゾ基、ジアゾ基、ハロゲン等
が置換された基等が挙げられる。
有機残基としては特に限定されず、アルキル基、シクロ
アルキル基等の飽和炭化水素一価基、アルケニル基、ア
ルカジエニル基、アルカトリエニル基、アルキニル基、
アルケニニル基、シクロアルケニル基等の不飽和炭化水
素一価基、フェニル基、トリル基、キシリル基、クメニ
ル基、メシチル基、ビニルフェニル基、ベンジル基、フ
ェネチル基、スチリル基、シンナミル基、ペンズヒドリ
ル基、トリチル基等の単環式芳香族炭化水素一価基、イ
ンデニル基、テフチル基、アントリル基、フェナントリ
ル基等の縮合多環式炭化水素一価基、ゲラニル基、ネニ
ル基、リナニル基等の鎖式テルベン基、シクロヘキサニ
ル基、ビシクロへキサニル基、ビシクロへブタニル基、
ピナニル基等の環式テルペン基、ピローリル基、インド
リル基、トリアジニル基、フリル基、ピリジル基、キノ
リル基、ピペリジル基、イソキノリル基、モルフオリ/
M、モルフォリニル基、ピペリジノ基等の複素環一価基
、またはこれら複素環が縮合した縮合複素環一価基、あ
るいはこれらの基に水酸基、アルコキシ基(好適には炭
素原子数l〜4個のアルコキシ基)、アリールオキシル
基(例えば、ファノキシ基)、アシル基(例えば、アセ
チル基)、カルボニル基、カルボキシル基、シアノ基、
ニトロ基、ニトロソ基、アξノ基、メルカプト基、スル
ホン基、スルホニル基、アゾ基、ジアゾ基、ハロゲン等
が置換された基等が挙げられる。
また、R,とR2とが結合して式(II)の化合物が、
2−ビロリドン、ニトラゼバム等の複素環または縮合複
素環化合物を形或していてもよい。
2−ビロリドン、ニトラゼバム等の複素環または縮合複
素環化合物を形或していてもよい。
式(VI)に於いてRは低級アルキル基、つまりメチル
基、エチル基、プロビル基、イソブロビル基、イソブチ
ル基、sec−プチル基、Lert−ブチル基、ブチル
基等の直鎖又は分技鎖状の炭素原子数が1〜4のものが
望ましい。
基、エチル基、プロビル基、イソブロビル基、イソブチ
ル基、sec−プチル基、Lert−ブチル基、ブチル
基等の直鎖又は分技鎖状の炭素原子数が1〜4のものが
望ましい。
以下に本発明方法を詳説する.
(余白)
本発明方法に於いて、式
A
(式中、Aはトリアゾリル基、Bは有機残基を示す)
で表わされる基を導入するための試薬としては、式
A
(式中、AおよびBは前記と同意義、Rは低級アルキル
基を示す) で表わされる化合物を使用し、この式(IV)で表わさ
れる化合物と、式 R CONHR! (It)(式中、
R+ は有機残基、R2は水素原子または有機残基を示
す) で表わされるアミド化合物とを反応させることによって
弐(1)で表される基を導入するものである。
基を示す) で表わされる化合物を使用し、この式(IV)で表わさ
れる化合物と、式 R CONHR! (It)(式中、
R+ は有機残基、R2は水素原子または有機残基を示
す) で表わされるアミド化合物とを反応させることによって
弐(1)で表される基を導入するものである。
当該導入反応を行うに際しては、反応系を酸性として行
なう必要があり、反応系を酸性とする手段としては例え
ば酸触媒を反応系に添加する等の手段を講ずればよい. 本発明に於いて使用される酸触媒としては特に限定され
ず、塩化水素、硫酸、リン酸、有機スルホン酸(p一ト
ルエンスルホン酸等)、フフ化水素、ルイス酸(二塩化
亜鉛、二塩化水銀、四塩化スズ、三フッ化ホウ素、三塩
化鉄、三塩化アンチモン、三塩化アルくニウム等)、ま
たはこれらの酸と有機塩基(アニリン、ピリジン、キノ
リン、ピペリジン等)との塩(例えば、p−トルエンス
ルホン酸ビリジニウム塩)、あるいは活性白土、シリカ
アルごナ、シリカマグネシア、アルミナポリア等の固体
酸触媒等が例示され、通常の触媒量を使用すればよいが
、特にp一トルエンスルホン酸ピリジニウム塩を触媒量
を使用することが望ましい。
なう必要があり、反応系を酸性とする手段としては例え
ば酸触媒を反応系に添加する等の手段を講ずればよい. 本発明に於いて使用される酸触媒としては特に限定され
ず、塩化水素、硫酸、リン酸、有機スルホン酸(p一ト
ルエンスルホン酸等)、フフ化水素、ルイス酸(二塩化
亜鉛、二塩化水銀、四塩化スズ、三フッ化ホウ素、三塩
化鉄、三塩化アンチモン、三塩化アルくニウム等)、ま
たはこれらの酸と有機塩基(アニリン、ピリジン、キノ
リン、ピペリジン等)との塩(例えば、p−トルエンス
ルホン酸ビリジニウム塩)、あるいは活性白土、シリカ
アルごナ、シリカマグネシア、アルミナポリア等の固体
酸触媒等が例示され、通常の触媒量を使用すればよいが
、特にp一トルエンスルホン酸ピリジニウム塩を触媒量
を使用することが望ましい。
本発明においては、溶剤中で反応を進行させることが望
ましく、使用する溶剤としては反応を妨げない溶剤であ
れば全て好適に使用されるが、特にジエチルエーテル、
テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類が望ま
しい。
ましく、使用する溶剤としては反応を妨げない溶剤であ
れば全て好適に使用されるが、特にジエチルエーテル、
テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類が望ま
しい。
反応に際しての温度条件としては、室温〜150゛C、
好ましくは80〜120゜Cが望ましいが、特に限定さ
れない。
好ましくは80〜120゜Cが望ましいが、特に限定さ
れない。
また、本発明に於いて、反応は窒素ガス又は不活性ガス
の雰囲気中に於いて行うことが特に望ましく、その理由
は式(TV)の化合物の加水分解を防止するためである
が、必ずしも窒素ガス又は不活性ガスの雰囲気中で行な
う必要はない。
の雰囲気中に於いて行うことが特に望ましく、その理由
は式(TV)の化合物の加水分解を防止するためである
が、必ずしも窒素ガス又は不活性ガスの雰囲気中で行な
う必要はない。
式(IV)の化合物の使用量はJ式(1)の化合物1当
量に対してl〜2当量とすればよい。
量に対してl〜2当量とすればよい。
反応終了後、常法の手段により精製することにより、式
A
(式中、A,B及びR2は前記と同意義)で表わされる
基を含有するアミド化合物誘導体が製造される。
基を含有するアミド化合物誘導体が製造される。
本発明に於いて、式(II)のR2を特に有機残基とし
たアミド化合物を用いて、式(I[[)で表される化合
物として第三アミド化合物を製造する場合には、出発物
質である式(IV)のBが、置換されていてもよい芳香
族化合物から誘導される一価基である化合物を使用する
ことが、収率、反応進行の速さ等の面で望ましい。
たアミド化合物を用いて、式(I[[)で表される化合
物として第三アミド化合物を製造する場合には、出発物
質である式(IV)のBが、置換されていてもよい芳香
族化合物から誘導される一価基である化合物を使用する
ことが、収率、反応進行の速さ等の面で望ましい。
芳香族化合物から誘導される一価基とは、芳香族炭化水
素から誘導されるアリール基(フェニル基、トシル基、
キシリル基、ビフェニリル基、ナフチル基、アントリル
基、フエナントリル基等)、芳香族複素環式化合物(ピ
リジン、ピロール、フラン、チオフエン等)から誘導さ
れる一価基を表わし、これらの基は水酸基、アルコキシ
基(好適には炭素原子数1〜4個のアルコキシ碁)、了
りールオキシル基(例えば、ファノキシ基)、アシル基
(例えば、アセチル基)、カルボニル基、カルボキシル
基、シアノ基、二トロ基、ニトロソ基、アミノ基、メル
カプト基、スルホン基、スルホニル基、アブ基、ジアゾ
基、ハロゲン等が置換されていてもよい。
素から誘導されるアリール基(フェニル基、トシル基、
キシリル基、ビフェニリル基、ナフチル基、アントリル
基、フエナントリル基等)、芳香族複素環式化合物(ピ
リジン、ピロール、フラン、チオフエン等)から誘導さ
れる一価基を表わし、これらの基は水酸基、アルコキシ
基(好適には炭素原子数1〜4個のアルコキシ碁)、了
りールオキシル基(例えば、ファノキシ基)、アシル基
(例えば、アセチル基)、カルボニル基、カルボキシル
基、シアノ基、二トロ基、ニトロソ基、アミノ基、メル
カプト基、スルホン基、スルホニル基、アブ基、ジアゾ
基、ハロゲン等が置換されていてもよい。
以上、本発明方法の構威について説明したが、以下に本
発明方法で使用する式(II)で表わされる医薬品とし
て有用なアミド化合物及び式(IV)で表わされるトリ
アゾール環を有するトリアゾール誘導体の調製方法を例
示する。
発明方法で使用する式(II)で表わされる医薬品とし
て有用なアミド化合物及び式(IV)で表わされるトリ
アゾール環を有するトリアゾール誘導体の調製方法を例
示する。
式(II)に於いて、R2が水素原子である第一アミド
化合物は、 ■ 酸塩化物、酸無水物、エステル、酸イミダゾリド等
の活性アシル化合物にアンモニアを作用させる ■ ニトリルを加水分解する ■ カルポン酸のアンモニウム塩を加熱分解する ■ 芳香族ケトンを多硫化アンモニウム水溶液とともに
封管中で加熱する(ウィルゲロット反応)等の方法によ
り調製される。
化合物は、 ■ 酸塩化物、酸無水物、エステル、酸イミダゾリド等
の活性アシル化合物にアンモニアを作用させる ■ ニトリルを加水分解する ■ カルポン酸のアンモニウム塩を加熱分解する ■ 芳香族ケトンを多硫化アンモニウム水溶液とともに
封管中で加熱する(ウィルゲロット反応)等の方法によ
り調製される。
具体的に例示すると、例えば式(II)をインドメクシ
ンのアミド化合物とするには、インドメタシンに#,
N’一カルポニルジイミダゾールを反応させて酸イミダ
ゾリドとした後に、更にアンモニアを作用させればよい
。
ンのアミド化合物とするには、インドメタシンに#,
N’一カルポニルジイミダゾールを反応させて酸イミダ
ゾリドとした後に、更にアンモニアを作用させればよい
。
また、式(I+)に於いて、R2が有機残基である第ニ
アミド化合物は、 ■ 酸塩化物、酸無水物、エステル、酸イミダゾリド等
の活性アシル化合物に第一アミンを作用させる ■ ケトオキシムに五塩化リン等を作用させる(ベノク
マン転位) 等の公知の方法により調製される。
アミド化合物は、 ■ 酸塩化物、酸無水物、エステル、酸イミダゾリド等
の活性アシル化合物に第一アミンを作用させる ■ ケトオキシムに五塩化リン等を作用させる(ベノク
マン転位) 等の公知の方法により調製される。
式(IV)で表わされるトリアゾール環を有するトリア
ゾール誘導体は、例えばアセタール又はケクールに、ト
リアゾール化合物を酸性条件下で反応させることにより
調製される。当該反応を式示すれば次の通りである。
ゾール誘導体は、例えばアセタール又はケクールに、ト
リアゾール化合物を酸性条件下で反応させることにより
調製される。当該反応を式示すれば次の通りである。
(反応式中、Rは前記と同意義)
下記にトリアゾールとしてIN−1.2.4− }リア
ゾールを用いてトリアゾール誘導体を調製する工程を示
す。
ゾールを用いてトリアゾール誘導体を調製する工程を示
す。
H
(反応式中、BおよびRは前記と同意義)〔実施例]
以下、本発明方法の実施例、比較例及び参考例を示す.
〔式(IV)の化合物においてAが1.2.4−トリア
ゾル−1−イル基、Bがn−ヘキシル基、Rがメチル基
である1−(1’−メトキシーW−ヘキシル)−1 #
−1.2.4−トリアゾール(fVa)を用いた、N−
(1’−(1 N )−1.2.4− }リアゾル−
1−イルl−n−へブチルアくドの製造例〕 (実施例1) 〔式(II)の化合物においてR2が水素原子、R1が
2−エトキシフェニル基であるエテンザミドの場合〕 窒素雰囲気中にて1−(1“−メトキシー1)− ,一
ヘキシル)−1 #−1.2.4− }リアゾール(I
V a ) (2 m mol,394■)とエテンザ
ミド( 1 m mol, 165■)をpトルエンス
ルホン酸ピリジニウム塩(PPTS)10■を触媒とし
て無水ジオキサン中、蒸留装置を付けて100゜Cで反
応させた. 途中、反応液に無水ベンゼンを加えて副威するメタノー
ルを共沸留去した. 反応は薄層クロマトグラフィー(TLC)(展開溶媒と
してクロロホルムを使用)により、反応の進行を追跡し
た。
ゾル−1−イル基、Bがn−ヘキシル基、Rがメチル基
である1−(1’−メトキシーW−ヘキシル)−1 #
−1.2.4−トリアゾール(fVa)を用いた、N−
(1’−(1 N )−1.2.4− }リアゾル−
1−イルl−n−へブチルアくドの製造例〕 (実施例1) 〔式(II)の化合物においてR2が水素原子、R1が
2−エトキシフェニル基であるエテンザミドの場合〕 窒素雰囲気中にて1−(1“−メトキシー1)− ,一
ヘキシル)−1 #−1.2.4− }リアゾール(I
V a ) (2 m mol,394■)とエテンザ
ミド( 1 m mol, 165■)をpトルエンス
ルホン酸ピリジニウム塩(PPTS)10■を触媒とし
て無水ジオキサン中、蒸留装置を付けて100゜Cで反
応させた. 途中、反応液に無水ベンゼンを加えて副威するメタノー
ルを共沸留去した. 反応は薄層クロマトグラフィー(TLC)(展開溶媒と
してクロロホルムを使用)により、反応の進行を追跡し
た。
反応終了後、反応液に10%炭酸カリウム水溶液と酢酸
エチルとを加えて分液した。
エチルとを加えて分液した。
有機層を飽和食塩水で洗浄した後に、無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥させた。
ムで乾燥させた。
有機溶媒を留去し、シリカゲル力ラムクロマトグラフィ
ー(展開溶媒としてクロロホルムを使用)によって精製
して得られた結晶を、更にn−ヘキサンにより再結晶を
行なって、標題化合物を258■(収率78.2%)得
た。
ー(展開溶媒としてクロロホルムを使用)によって精製
して得られた結晶を、更にn−ヘキサンにより再結晶を
行なって、標題化合物を258■(収率78.2%)得
た。
融点63゜C
It?(クロロホルム溶液法、cm−’) : 16
65 (C.O)H−NI’lR (80M Hz、内
部標準としてテトラメチルシランを使用し、試料はクロ
ロホルムーdにて溶解)δ(+II (ρρm); 0.74 〜0.95 (br−t. 3H, −((
;L)s−C}lx)1.07 〜1.49 (m,
8H. −(C旦z) 4−CHi)1.55
(t, 31{, −OCHtC旦3+ J=7Hz
}2.06 〜2.23 (m, 2++, CLC}
Ig−(CI{zL)4.06 〜4.23 (m,
2H, −OCHzCHs)6.34〜6.44 (m
. 18, Cji−OEt)6.87 〜8.33
(m, 6H, Ar一旦及びトリアゾールー旦) 8.79 〜8.91 (m, 18, NH).元素
分析値(C+ aHzJnot )理論イJ C:
65.43 ; H:7.93 : N:I6.
96実測値 C:65.26 ; H:7.91 ;
N:16.95(実施例2) c式(U)の化合物においてR2が水素原子、Rがフェ
ニル基であるベンズア多ドの場合〕実施例1と同様に調
製した後に、調製用薄層クロマトグラフィー(PTLC
iシリカゲル)(展開溶媒としてクロロホルム:メタノ
ール−20=1の混合溶媒を使用)によって精製して得
られた結晶を、更に四塩化炭素により再結晶を行なって
、!l!題化合物を134 mg (収率46.8%)
得た。
65 (C.O)H−NI’lR (80M Hz、内
部標準としてテトラメチルシランを使用し、試料はクロ
ロホルムーdにて溶解)δ(+II (ρρm); 0.74 〜0.95 (br−t. 3H, −((
;L)s−C}lx)1.07 〜1.49 (m,
8H. −(C旦z) 4−CHi)1.55
(t, 31{, −OCHtC旦3+ J=7Hz
}2.06 〜2.23 (m, 2++, CLC}
Ig−(CI{zL)4.06 〜4.23 (m,
2H, −OCHzCHs)6.34〜6.44 (m
. 18, Cji−OEt)6.87 〜8.33
(m, 6H, Ar一旦及びトリアゾールー旦) 8.79 〜8.91 (m, 18, NH).元素
分析値(C+ aHzJnot )理論イJ C:
65.43 ; H:7.93 : N:I6.
96実測値 C:65.26 ; H:7.91 ;
N:16.95(実施例2) c式(U)の化合物においてR2が水素原子、Rがフェ
ニル基であるベンズア多ドの場合〕実施例1と同様に調
製した後に、調製用薄層クロマトグラフィー(PTLC
iシリカゲル)(展開溶媒としてクロロホルム:メタノ
ール−20=1の混合溶媒を使用)によって精製して得
られた結晶を、更に四塩化炭素により再結晶を行なって
、!l!題化合物を134 mg (収率46.8%)
得た。
融点93.5〜94.5℃
IR(クロロホルム溶液法、Cll−’) : 16
75 <c・0)’H−NMR (80M Hz、内部
標準としてテトラメチルシランを使用し、試料はクロロ
ホルムーdにて溶解)δ値(ppm) ; 0.73 〜0.99 (br−t, 31), −(
CH2)4−C旦,)1.12 〜1.44 (m,
8}1, −(CHI)4−CH3)2.05〜2.3
2 (m, 2H, −CHz−(CI{z)s−)6
.23〜6.53 (II+, IH, −C旦−Nl
+−)7.15 (s, 1B, N旦)7.
20 〜7.82 (m, 5L Ar−8)7.95
(s, LH, }リアゾール一〇)8.3
6 (s, 18, トリアゾールー旦〉元素
分析値(C+6HzzN40 )理論値 C:67.1
0 ; H:7.14 ; N:19.57実測値 C
:66.98 : H:7.55 ; N:19.58
(実施例3) (式(II)の化合物においてR2が水素原子、R+が
スチリル基である場合) 実施例1と同様に調製した後に、PTLC (シリカゲ
ル;展開溶媒として酢酸エチルを使用)によって精製し
て得られた結晶を、更ムこ四塩化炭素により再結晶を行
なって、標題化合物を122mg(収率39.1%)得
た。
75 <c・0)’H−NMR (80M Hz、内部
標準としてテトラメチルシランを使用し、試料はクロロ
ホルムーdにて溶解)δ値(ppm) ; 0.73 〜0.99 (br−t, 31), −(
CH2)4−C旦,)1.12 〜1.44 (m,
8}1, −(CHI)4−CH3)2.05〜2.3
2 (m, 2H, −CHz−(CI{z)s−)6
.23〜6.53 (II+, IH, −C旦−Nl
+−)7.15 (s, 1B, N旦)7.
20 〜7.82 (m, 5L Ar−8)7.95
(s, LH, }リアゾール一〇)8.3
6 (s, 18, トリアゾールー旦〉元素
分析値(C+6HzzN40 )理論値 C:67.1
0 ; H:7.14 ; N:19.57実測値 C
:66.98 : H:7.55 ; N:19.58
(実施例3) (式(II)の化合物においてR2が水素原子、R+が
スチリル基である場合) 実施例1と同様に調製した後に、PTLC (シリカゲ
ル;展開溶媒として酢酸エチルを使用)によって精製し
て得られた結晶を、更ムこ四塩化炭素により再結晶を行
なって、標題化合物を122mg(収率39.1%)得
た。
融点121゜C
IR(クロロホルム溶液法、CI−’) il680
(C=O)’II−NMR (80M Hz、内部標
準としてテトラメチルシランを使用し、試料はクロロホ
ルムーdにて溶解)δ値(pp曙); 0.68 〜0.97 (br−t, 3H, −(C
I{t)4−C旦,)0.98〜1.38 (m, 8
8, −(C旦z) 4−CHs)2.01 〜2.2
4 (L 21), −Cjjt−(CHz)a
−)6.16 〜6.47 (m, ltl.
−CI−NH−)6.36 (d, LH
, Ar−CH=CIl−,J=16Hz)7.01
〜7.].6 (br,IH. Ni+)7.
26 〜7.49 (m, 5H, Ar−}1)
7.63 (d, IH. Ar−C}
I=CH−,J=16 Hz)7.99 (s
, ltl, トリアゾール劃)8.36 (
s, IH, }リアゾール一旦)元素分析{a (C
+eHzaNaO )理論値 C:69.20 ; H
:7.75 ; N:17.94実測値 C:69.4
0 ; H:8.03 i N:17.83(実施例4
〉 〔式(II)の化合物としてカルバマゼピンを用いた場
合〕 実施例1と同様に調製した後に、シリカゲル力ラムクロ
マトグラフィー(展開溶媒としてジエチルエーテルを使
用)によって精製して得られた結晶を、更にシクロヘキ
サンにより再結晶を行なって、標題化合物を231■(
収率57,6%)得た。
(C=O)’II−NMR (80M Hz、内部標
準としてテトラメチルシランを使用し、試料はクロロホ
ルムーdにて溶解)δ値(pp曙); 0.68 〜0.97 (br−t, 3H, −(C
I{t)4−C旦,)0.98〜1.38 (m, 8
8, −(C旦z) 4−CHs)2.01 〜2.2
4 (L 21), −Cjjt−(CHz)a
−)6.16 〜6.47 (m, ltl.
−CI−NH−)6.36 (d, LH
, Ar−CH=CIl−,J=16Hz)7.01
〜7.].6 (br,IH. Ni+)7.
26 〜7.49 (m, 5H, Ar−}1)
7.63 (d, IH. Ar−C}
I=CH−,J=16 Hz)7.99 (s
, ltl, トリアゾール劃)8.36 (
s, IH, }リアゾール一旦)元素分析{a (C
+eHzaNaO )理論値 C:69.20 ; H
:7.75 ; N:17.94実測値 C:69.4
0 ; H:8.03 i N:17.83(実施例4
〉 〔式(II)の化合物としてカルバマゼピンを用いた場
合〕 実施例1と同様に調製した後に、シリカゲル力ラムクロ
マトグラフィー(展開溶媒としてジエチルエーテルを使
用)によって精製して得られた結晶を、更にシクロヘキ
サンにより再結晶を行なって、標題化合物を231■(
収率57,6%)得た。
融点1)9〜120 ’C
IR (クロロホルム溶液法、cm−’) ; 16
80 (C=O)’H−NMII (80M Hz、内
部標準としてテトラメチルシランを使用し、試料はクロ
ロホルムーdにて溶解)δ値(ppm) ; 0.71 〜0.95 (br−t,3H, −(CH
2)4−C旦ゴ)1.02 〜1.38 (m, 8H
, CH*−(CI{z)a−)1.64〜2.08
(m, 28, −(Cllz)a−CHz−)5.0
0 (d, IH, N旦−)5.82 〜6
.13 (m, IH, −CD−NH−)6.85
(s, 2H, Ar−CIl=C旦−^r)
7.15 〜7.57 (m, 8L Ar−H)7.
89 (s, 18. }リアゾール−fl)
8.18 (s, IH, トリアゾールー旦
)元素分析値(CzJzJsO ) 理論値 C:71.79 ; H:6.18 ; N:
17.44実測値 C.:72.03 ; H:6.7
9 ; N:17.49(実施例5) 〔式(II)の化合物としてl−<p−クロロベンゾイ
ル)−5−メトキシー2−メチルインドール−3−アセ
トア旦ドを用いた場合〕 実施例1と同様に調製した後に、シリカゲル力ラムクロ
マトグラフィ−(展開溶媒としてクロロホルム:メタノ
ール−20:1の混合溶媒を使用)によって精製して得
られた結晶を、更に四塩化炭素により再結晶を行なって
、標題化合物を184 mg(収率35.2%)得た。
80 (C=O)’H−NMII (80M Hz、内
部標準としてテトラメチルシランを使用し、試料はクロ
ロホルムーdにて溶解)δ値(ppm) ; 0.71 〜0.95 (br−t,3H, −(CH
2)4−C旦ゴ)1.02 〜1.38 (m, 8H
, CH*−(CI{z)a−)1.64〜2.08
(m, 28, −(Cllz)a−CHz−)5.0
0 (d, IH, N旦−)5.82 〜6
.13 (m, IH, −CD−NH−)6.85
(s, 2H, Ar−CIl=C旦−^r)
7.15 〜7.57 (m, 8L Ar−H)7.
89 (s, 18. }リアゾール−fl)
8.18 (s, IH, トリアゾールー旦
)元素分析値(CzJzJsO ) 理論値 C:71.79 ; H:6.18 ; N:
17.44実測値 C.:72.03 ; H:6.7
9 ; N:17.49(実施例5) 〔式(II)の化合物としてl−<p−クロロベンゾイ
ル)−5−メトキシー2−メチルインドール−3−アセ
トア旦ドを用いた場合〕 実施例1と同様に調製した後に、シリカゲル力ラムクロ
マトグラフィ−(展開溶媒としてクロロホルム:メタノ
ール−20:1の混合溶媒を使用)によって精製して得
られた結晶を、更に四塩化炭素により再結晶を行なって
、標題化合物を184 mg(収率35.2%)得た。
融点184.5〜187゜C
1)i(クロロホルム溶液法、cm−’) ;168
0 (c=o)In−NMR(80M HZ、内部標準
としてテトラメチルシランを使用し、試料はクロロホル
ムーdにて溶解)δ値(ppn+) ; 0.72 〜0.93 (br−t, 3H, −(C
l+2)5−CI+3)0.96〜1.33 (m,
8H, −(C旦z) 4−CH:+)■.83〜2.
05 (+e. 2H, −CHz−(CHz)4−)
2.29 (s, 38, C−C旦,)3.
60 (s, 2H, −CHg−C=O)3
.77 (s, 3H, −QC旦,)5.9
0 〜6.25 (II+. 18, −NH−CI−
1−)6.28 〜6.50 (m. III, NH
)6.72 〜6.85 (+m, 3H, Ar−H
)7.39 〜7.71 (m, 4H, Ar
一旦)7.86 (s, 1B. }リアゾー
ル一旦)8.23 (s, LH, }リアゾ
ールー且)元素分析値(CzetlzJsOtCl・3
/4uto理論イ直 C:62.80 ; H:
6.30 ; N:13.08実測値 C:62.
88 . lh5.98 ; N:13.09〔式(I
V)の化合物においてAがL2.4〜トリアゾル−1−
イル基、Bがフェニル基、Rがメチル基である1〜(1
”−メトキシベンジル)−1 #−1.2.4− }リ
アヅールを用いた、N−{1゜−(1 # )−L2,
4− 1−リアゾル−1−イル}ベンジルアもドの製造
方法)(実施例6) 〔式(Il)の化合物においてR2が水素原子、R1が
フェニル基であるペンズアミドの場合〕実施例1におい
て式(TVa)の化合物を1−(1’−メトキシー1゜
−フエニル)−1 #−1.2.4− }リアゾール(
rVb)に変更した以外は、実施例1と同様に調製し、
酢酸エチルにより再結晶を行なって、標題化合物を20
3■(収率73.0%)得た。
0 (c=o)In−NMR(80M HZ、内部標準
としてテトラメチルシランを使用し、試料はクロロホル
ムーdにて溶解)δ値(ppn+) ; 0.72 〜0.93 (br−t, 3H, −(C
l+2)5−CI+3)0.96〜1.33 (m,
8H, −(C旦z) 4−CH:+)■.83〜2.
05 (+e. 2H, −CHz−(CHz)4−)
2.29 (s, 38, C−C旦,)3.
60 (s, 2H, −CHg−C=O)3
.77 (s, 3H, −QC旦,)5.9
0 〜6.25 (II+. 18, −NH−CI−
1−)6.28 〜6.50 (m. III, NH
)6.72 〜6.85 (+m, 3H, Ar−H
)7.39 〜7.71 (m, 4H, Ar
一旦)7.86 (s, 1B. }リアゾー
ル一旦)8.23 (s, LH, }リアゾ
ールー且)元素分析値(CzetlzJsOtCl・3
/4uto理論イ直 C:62.80 ; H:
6.30 ; N:13.08実測値 C:62.
88 . lh5.98 ; N:13.09〔式(I
V)の化合物においてAがL2.4〜トリアゾル−1−
イル基、Bがフェニル基、Rがメチル基である1〜(1
”−メトキシベンジル)−1 #−1.2.4− }リ
アヅールを用いた、N−{1゜−(1 # )−L2,
4− 1−リアゾル−1−イル}ベンジルアもドの製造
方法)(実施例6) 〔式(Il)の化合物においてR2が水素原子、R1が
フェニル基であるペンズアミドの場合〕実施例1におい
て式(TVa)の化合物を1−(1’−メトキシー1゜
−フエニル)−1 #−1.2.4− }リアゾール(
rVb)に変更した以外は、実施例1と同様に調製し、
酢酸エチルにより再結晶を行なって、標題化合物を20
3■(収率73.0%)得た。
融点176〜177゜C
IR(クロロホルム冫容液法、cm−’) ; 16
50 (C=O)H−NMR (80M Hz、内部標
準としてテトラメチルシランを使用し、試料はクロロホ
ルムーdにて溶解)δ{+!(ppm) ; 7.17 〜7.93 (m, 12H, Ar−旦,
NH, Ar−Cll)7.97 (s,
1){, }リアゾール−1)).8.38
(s. Itl, }リアゾールーH).元素分析値(
C+ 61)1 sN40 )理論値 C:69.05
. H:5.07 ; N:20.13実測値 C:
69.18 . II:5.03 . N:20.29
(実施例7) (式(II)の化合物においてR2が水素原子、Rがス
チリル基である場合) 実施例6と同様に調製した後に、ベンゼンにより再結晶
を行なって、標題化合物を1.2.9g (収率84.
9%)得た。
50 (C=O)H−NMR (80M Hz、内部標
準としてテトラメチルシランを使用し、試料はクロロホ
ルムーdにて溶解)δ{+!(ppm) ; 7.17 〜7.93 (m, 12H, Ar−旦,
NH, Ar−Cll)7.97 (s,
1){, }リアゾール−1)).8.38
(s. Itl, }リアゾールーH).元素分析値(
C+ 61)1 sN40 )理論値 C:69.05
. H:5.07 ; N:20.13実測値 C:
69.18 . II:5.03 . N:20.29
(実施例7) (式(II)の化合物においてR2が水素原子、Rがス
チリル基である場合) 実施例6と同様に調製した後に、ベンゼンにより再結晶
を行なって、標題化合物を1.2.9g (収率84.
9%)得た。
融点165’C
IR(クロロホルム溶液法、cm−’) ; 169
5 (C=0)H−NMR (80M Hz、内部標準
としてテトラメチルシランを使用し、試料はクロロホル
ムーdにて溶解)δ値(ppm) ; 6.46 (d, 18. Ar−CH=
C旦−.J=15.5Hz)7.21 〜7.58(
m,12H, Ar−1{, Nu, ^r−C
H)7.70 (d, IH, Ar−C
!i=CH−.J=15.5Hz)7.96 (
s, IH, }リアゾール−fl).8.35
(s, ill, }リアゾール−1)).元素
分析値(Cl6HI6N40 ) 理論値 C:71.04 . H:5.30 ; N:
18.41実測値 C:70.94 , 1)5.27
. N:1B.27.(実施例8) 〔弐(II)の化合物においてR2が水素原子、R,が
2−エトキシフェニル基であるエテンザξドの場合〕 実施例6と同様に調製した後に、酢酸エチルとn−へキ
サンとの混合溶媒により再結晶を行なって、標題化合物
を6.30g (収率97.8%)得た。
5 (C=0)H−NMR (80M Hz、内部標準
としてテトラメチルシランを使用し、試料はクロロホル
ムーdにて溶解)δ値(ppm) ; 6.46 (d, 18. Ar−CH=
C旦−.J=15.5Hz)7.21 〜7.58(
m,12H, Ar−1{, Nu, ^r−C
H)7.70 (d, IH, Ar−C
!i=CH−.J=15.5Hz)7.96 (
s, IH, }リアゾール−fl).8.35
(s, ill, }リアゾール−1)).元素
分析値(Cl6HI6N40 ) 理論値 C:71.04 . H:5.30 ; N:
18.41実測値 C:70.94 , 1)5.27
. N:1B.27.(実施例8) 〔弐(II)の化合物においてR2が水素原子、R,が
2−エトキシフェニル基であるエテンザξドの場合〕 実施例6と同様に調製した後に、酢酸エチルとn−へキ
サンとの混合溶媒により再結晶を行なって、標題化合物
を6.30g (収率97.8%)得た。
融点127〜128゜C
IR(クDoホルム溶液法、CI−’) ; 166
5 (C=O)’H−NMR (80M Hz,内部標
準としてテトラメチルシランを使用し、試料はクロロホ
ルムーdにて溶解)?値(ppm) ; 1.41 (t,3H,−OCH2CH3,J
・7 Hz )4.17 (q, 2H,
−QC旦zclh, J=7}[z)6.87 〜7
.64(m, 9H, Ar一旦, Ar−CM
)7.98 (s. 18. }リアゾール−
]])8.42 (s, ltl, }リアゾ
ール−I+)8.1) 〜8.25(m, ltl
, Ar−tl)9.10 〜9.40(br.I
H NH)元素分析値(C+ sH+ 8N40■
)理論値 C:67.07 ; H:5.63 . N
:17.38実測値 C二67.14 ; II:5.
40− . N:17.27(実施例9) 〔弐(Tl)の化合物においてR2が水素原子、Rが3
−ピリジル基である場合] 実施例6と同様に調製した後に、シリカゲル力ラムクロ
マトグラフィ−(展開溶媒としてクロロホルム:メタノ
ール=10:1の混合溶媒を使用)によって精製して得
られた結晶を、更に四塩化炭素とクロロホルムの混合}
宕剤により再結晶を行なって、標題化合物を183 +
ng (収率21.9%) (21.4%)得た. 融点139〜141゜C IR (クロロホルム溶液法、c+n−’) ; 1
680 (C=O)II−NMR (80M llz、
内部標準としてテトラメチルシランを使用し、試料はク
ロロホルムーdにて溶解)δ値(ppm) ; 7.26 〜7.66 (m, 71), Ar−旦.
Ar−CH)7.90 (br,ill,
N H)7.98 (s, IH, }リアゾ
ールー旦)8.39 (s, If{, トリ
アゾール−+l)8.08 〜8.23 (m, II
I, Ar−H)8.69 〜8.77 (m, IL
Ar−It)9.03〜9.07 (m, IH,^
r−旦)元素分析値(C,sll+Jso ) 理論値 C:64.51 . H:4.69 ; N:
25.0B実測値 C:64.62 ; ll:4.6
9 ; N:25.10(実施例10) 〔式(II)がα−ピロリドンの場合]実施例1と同様
に調製した後に、シリカゲル力ラムクロマトグラフィー
(展開}容媒として酢酸エチルを使用)によって精製し
て得られた結晶を、更にイソプロビルエーテルにより再
結晶を行なって、標題化合物を224■(収率46.2
%)得た。
5 (C=O)’H−NMR (80M Hz,内部標
準としてテトラメチルシランを使用し、試料はクロロホ
ルムーdにて溶解)?値(ppm) ; 1.41 (t,3H,−OCH2CH3,J
・7 Hz )4.17 (q, 2H,
−QC旦zclh, J=7}[z)6.87 〜7
.64(m, 9H, Ar一旦, Ar−CM
)7.98 (s. 18. }リアゾール−
]])8.42 (s, ltl, }リアゾ
ール−I+)8.1) 〜8.25(m, ltl
, Ar−tl)9.10 〜9.40(br.I
H NH)元素分析値(C+ sH+ 8N40■
)理論値 C:67.07 ; H:5.63 . N
:17.38実測値 C二67.14 ; II:5.
40− . N:17.27(実施例9) 〔弐(Tl)の化合物においてR2が水素原子、Rが3
−ピリジル基である場合] 実施例6と同様に調製した後に、シリカゲル力ラムクロ
マトグラフィ−(展開溶媒としてクロロホルム:メタノ
ール=10:1の混合溶媒を使用)によって精製して得
られた結晶を、更に四塩化炭素とクロロホルムの混合}
宕剤により再結晶を行なって、標題化合物を183 +
ng (収率21.9%) (21.4%)得た. 融点139〜141゜C IR (クロロホルム溶液法、c+n−’) ; 1
680 (C=O)II−NMR (80M llz、
内部標準としてテトラメチルシランを使用し、試料はク
ロロホルムーdにて溶解)δ値(ppm) ; 7.26 〜7.66 (m, 71), Ar−旦.
Ar−CH)7.90 (br,ill,
N H)7.98 (s, IH, }リアゾ
ールー旦)8.39 (s, If{, トリ
アゾール−+l)8.08 〜8.23 (m, II
I, Ar−H)8.69 〜8.77 (m, IL
Ar−It)9.03〜9.07 (m, IH,^
r−旦)元素分析値(C,sll+Jso ) 理論値 C:64.51 . H:4.69 ; N:
25.0B実測値 C:64.62 ; ll:4.6
9 ; N:25.10(実施例10) 〔式(II)がα−ピロリドンの場合]実施例1と同様
に調製した後に、シリカゲル力ラムクロマトグラフィー
(展開}容媒として酢酸エチルを使用)によって精製し
て得られた結晶を、更にイソプロビルエーテルにより再
結晶を行なって、標題化合物を224■(収率46.2
%)得た。
融点107〜108゜C
IR(クooホルム溶液法、cm−’) ; 169
5 (C=O)’It−NMR (80M Hz、内部
標準としてテトラメチルシランを使用し、試料はクロロ
ホルムーdにて溶解)δ値(ppm) ; 1.80 〜2.21 (m, 28, CIIZ−C
旦z−Clh)2.38〜2.59 (m, 2H,
0=C−C旦2−)3.19 〜3.81 (m, 2
H, N−CHt−)7.08 〜7.56 (m,
58,^r−1))7.59 (s, 18,
Ar−C旦)8.04 (s, LH, ト
リアゾールーfl)8.29 (s, IH,
}リアゾール一旦)元素分析値(C+ffll+Jn
O )理論値 C:64.45 ; R:5.82 ;
N:23.13実測値 C:64.66 ; H:5
.89 ; N:23.02〔比較例〕 (比較例l) 実施例1に於いて、触媒であるPPTSを使用せずに、
反応を中性条件下で行なったが、反応は進行せず反応生
成物は得られなかった。
5 (C=O)’It−NMR (80M Hz、内部
標準としてテトラメチルシランを使用し、試料はクロロ
ホルムーdにて溶解)δ値(ppm) ; 1.80 〜2.21 (m, 28, CIIZ−C
旦z−Clh)2.38〜2.59 (m, 2H,
0=C−C旦2−)3.19 〜3.81 (m, 2
H, N−CHt−)7.08 〜7.56 (m,
58,^r−1))7.59 (s, 18,
Ar−C旦)8.04 (s, LH, ト
リアゾールーfl)8.29 (s, IH,
}リアゾール一旦)元素分析値(C+ffll+Jn
O )理論値 C:64.45 ; R:5.82 ;
N:23.13実測値 C:64.66 ; H:5
.89 ; N:23.02〔比較例〕 (比較例l) 実施例1に於いて、触媒であるPPTSを使用せずに、
反応を中性条件下で行なったが、反応は進行せず反応生
成物は得られなかった。
(比較例2)
弐(IV)に於いてAがI−イごダゾリル基、Bがn−
ヘキシル基、Rがメチル基である1−(1’−メトキシ
ーn−ヘキシル)−1−イミダゾールを用いた以外は実
施例1と全く同様にして、反応を試みたが反応は進行せ
ず反応生戒物は得られなかった.(比較例3) 式(IV)に於いてAが1−ベンゾイξダゾリル基、B
がn−ヘキシル基、Rがメチル基である1− (1″−
メトキシーn−へキシル)−1−ペンゾイミダゾールを
用いた以外は実施例1と全く同様にして、反応を試みた
が反応は進行せず反応生底物は得られなかった。
ヘキシル基、Rがメチル基である1−(1’−メトキシ
ーn−ヘキシル)−1−イミダゾールを用いた以外は実
施例1と全く同様にして、反応を試みたが反応は進行せ
ず反応生戒物は得られなかった.(比較例3) 式(IV)に於いてAが1−ベンゾイξダゾリル基、B
がn−ヘキシル基、Rがメチル基である1− (1″−
メトキシーn−へキシル)−1−ペンゾイミダゾールを
用いた以外は実施例1と全く同様にして、反応を試みた
が反応は進行せず反応生底物は得られなかった。
(比較例4)
式(U)のアミド化合物をエチオアミドと変更した以外
は実施例1と全く同様にして、反応を試みたが反応は進
行せず反応生戒物は得られなかっ(参考例) 〔式(IV)に於いてAが1.2.4−トリアゾルーl
−イル基、Bがn−ヘキシル基、Rがメチル基であるl
(1゛−メト+シーn−へキシル)−1 N−1.2.
4− }リアゾール(IVa)の製造例) 窒素雰囲気中にてヘブトアルデヒドジメチルアセクール
(5(Is mo+,9.4 m)とI Ll,2.4
−トリアゾール(60m mol,4.14 g )を
p一トルエンスルホン酸ビリジニウム塩(PPTS)1
0mgを触媒として無水ジオキサン中、100゜Cで3
時間反応させた。
は実施例1と全く同様にして、反応を試みたが反応は進
行せず反応生戒物は得られなかっ(参考例) 〔式(IV)に於いてAが1.2.4−トリアゾルーl
−イル基、Bがn−ヘキシル基、Rがメチル基であるl
(1゛−メト+シーn−へキシル)−1 N−1.2.
4− }リアゾール(IVa)の製造例) 窒素雰囲気中にてヘブトアルデヒドジメチルアセクール
(5(Is mo+,9.4 m)とI Ll,2.4
−トリアゾール(60m mol,4.14 g )を
p一トルエンスルホン酸ビリジニウム塩(PPTS)1
0mgを触媒として無水ジオキサン中、100゜Cで3
時間反応させた。
薄層クロマトグラフィ−(TLC:)(展開溶媒として
クロロホルムを使用)により、反応が終了したことを確
認した後に、反応液に10%炭酸カリウム水溶液と酢酸
エチルとを加えて分液した。
クロロホルムを使用)により、反応が終了したことを確
認した後に、反応液に10%炭酸カリウム水溶液と酢酸
エチルとを加えて分液した。
有機層を飽和食塩水で洗浄した後に、無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥させた。
ムで乾燥させた。
有機溶媒を留去して得られた残査を滅圧革留(3mm
Hg ) Lで、100℃迄の初留を除去することによ
り精製した。
Hg ) Lで、100℃迄の初留を除去することによ
り精製した。
標題化合物である1−(P−メトキシーn−ヘキシル)
I H− L2,4− }リアゾール(TVa)を3.
27g(収率82,9%)得た。
I H− L2,4− }リアゾール(TVa)を3.
27g(収率82,9%)得た。
3lIIllIHgにおける沸点はI10’Cであった
。
。
IR (クロロホルム溶液法、cm−’) : 15
00 (C=C)In−NMR(60M HZ、内部標
準としてテトラメチルシランを使用し、試料はクロロホ
ルムーdにて溶解)δ値(ppm) ; 0.74 〜1.50 (m,1)}1, −(CHz
),−CH3)1.84〜2.26 (信, 2+1,
−C旦z−(cI{zL−)3.30 (s
, 31+, −OCI43)5.30 (t
, LH, CH−0門e , J = 1) Hz
)7.97 (s. IH, }リアゾール一
旦)8.23 (s, Ill, }リアゾー
ル一旦)LRMS (m/e) : 197,129
(M’ , 基準ピーク)1)17耶Cm/e )
; 理論値 197.1527 (c,。}I+JiO )
実測値 197.1483 (M’ )〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明のアミド化合物誘導体の製
造方法によれば、式 R ,C O N H R 2 ( I
[ )(式中、R1は有機残基、R2は水素原子又は有
機残基を示す) で表わされる医薬品として有用なア〔ド化合物に、式 A (式中、Aはトリアゾリル基、Bは有機残基を示す) で表わされる基を導入すべく、式 A (式中、A及びBは前記と同意義、Rは低級アルキル基
を示す) で表わされる化合物を反応させて、弐 (余白) (式中、A,B及びRzは前記と同意義)で表わされる
基を含有するアミド化合物誘導体を高収率で製造するこ
とができ、特に式(IV)で表わされる化合物のBが、
芳香族化合物から誘導される一価基である場合には、更
に高収率で第ニアミドの医薬品等(ニトラゼパム等)に
弐(Hで表わされる基を導入することができるという効
果を奏する。
00 (C=C)In−NMR(60M HZ、内部標
準としてテトラメチルシランを使用し、試料はクロロホ
ルムーdにて溶解)δ値(ppm) ; 0.74 〜1.50 (m,1)}1, −(CHz
),−CH3)1.84〜2.26 (信, 2+1,
−C旦z−(cI{zL−)3.30 (s
, 31+, −OCI43)5.30 (t
, LH, CH−0門e , J = 1) Hz
)7.97 (s. IH, }リアゾール一
旦)8.23 (s, Ill, }リアゾー
ル一旦)LRMS (m/e) : 197,129
(M’ , 基準ピーク)1)17耶Cm/e )
; 理論値 197.1527 (c,。}I+JiO )
実測値 197.1483 (M’ )〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明のアミド化合物誘導体の製
造方法によれば、式 R ,C O N H R 2 ( I
[ )(式中、R1は有機残基、R2は水素原子又は有
機残基を示す) で表わされる医薬品として有用なア〔ド化合物に、式 A (式中、Aはトリアゾリル基、Bは有機残基を示す) で表わされる基を導入すべく、式 A (式中、A及びBは前記と同意義、Rは低級アルキル基
を示す) で表わされる化合物を反応させて、弐 (余白) (式中、A,B及びRzは前記と同意義)で表わされる
基を含有するアミド化合物誘導体を高収率で製造するこ
とができ、特に式(IV)で表わされる化合物のBが、
芳香族化合物から誘導される一価基である場合には、更
に高収率で第ニアミドの医薬品等(ニトラゼパム等)に
弐(Hで表わされる基を導入することができるという効
果を奏する。
Claims (2)
- (1)式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、Aはトリアゾリル基、Bは有機残基を示す) で表わされる基を導入するための試薬と、式R_1CO
NHR_2(II) (式中、R_1は有機残基、R_2は水素原子または有
機残基を示す) で表わされるアミド化合物とを反応させて、式▲数式、
化学式、表等があります▼(III) (式中、A、B、R_1およびR_2は前記と同意義)
で表わされる基を含有するアミド化合物誘導体を製造す
るにあたって、式( I )で表わされる基を導入するた
めの試薬が、式 ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) (式中、AおよびBは前記と同意義、Rは低級アルキル
基を示す) で表わされる化合物であり、当該導入反応が酸性条件下
で行われることを特徴とするアミド化合物誘導体の製造
方法。 - (2)前記式(II)においてR_2が有機残基を示し、
前記式(IV)においてBが置換されていてもよい芳香族
化合物から誘導される一価基を示すことを特徴とする請
求項(1)記載のアミド化合物誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1239697A JPH03101667A (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | アミド化合物誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1239697A JPH03101667A (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | アミド化合物誘導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03101667A true JPH03101667A (ja) | 1991-04-26 |
Family
ID=17048576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1239697A Pending JPH03101667A (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | アミド化合物誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03101667A (ja) |
-
1989
- 1989-09-14 JP JP1239697A patent/JPH03101667A/ja active Pending
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