JPH0310207A - モード形状変換器及びその製造方法 - Google Patents
モード形状変換器及びその製造方法Info
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- JPH0310207A JPH0310207A JP1144988A JP14498889A JPH0310207A JP H0310207 A JPH0310207 A JP H0310207A JP 1144988 A JP1144988 A JP 1144988A JP 14498889 A JP14498889 A JP 14498889A JP H0310207 A JPH0310207 A JP H0310207A
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- Japan
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- waveguide
- mode shape
- optical device
- substrate
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は光通信及び光情報処理等の分野において光スィ
ッチ及び光変調器等の基板型光デバイスと光ファイバと
の間に配置され、両者を光学的に接続するモード形状変
換器及びその製造方法に関し、機能デバイスの性能を損
なわず、光ファイバとの結合性を向上させたモード形状
変換器及びその製造方法に関する。
ッチ及び光変調器等の基板型光デバイスと光ファイバと
の間に配置され、両者を光学的に接続するモード形状変
換器及びその製造方法に関し、機能デバイスの性能を損
なわず、光ファイバとの結合性を向上させたモード形状
変換器及びその製造方法に関する。
［従来の技術］
一般に基板型光デバイスにより構成される光回路の導波
路（光導波路）はＳｉ又はＬｉＮ？〕０３等の低屈折率
物質からなる基板」−の所定領域に、スパッタリング法
又はＣＶＤ法等の方法を使用して、高屈折率物質を被着
して形成されている。
路（光導波路）はＳｉ又はＬｉＮ？〕０３等の低屈折率
物質からなる基板」−の所定領域に、スパッタリング法
又はＣＶＤ法等の方法を使用して、高屈折率物質を被着
して形成されている。
また、Ｔｉ又はＡ１等には前記低屈折率物質からなる基
板中に侵入すると物質の屈折率を高くする作用があり、
前記基板の所定領域にこのＴｉ又はＡ１等を不純物とし
て拡散導入することにより導波路を形成する方法も使用
されている。
板中に侵入すると物質の屈折率を高くする作用があり、
前記基板の所定領域にこのＴｉ又はＡ１等を不純物とし
て拡散導入することにより導波路を形成する方法も使用
されている。
しかし、いずれの方法においても、導波路はその幅方向
に比して厚さ方向の寸法を小さくする必要がある。例え
ば、スパッタリング法又はＣＶＤ法により基板上に高屈
折率物質を堆積して導波路を形成しようとすると、この
堆積層を微細加工する必要上、導波路の厚さを厚くする
ことができない。また、不純物を拡散させる拡散型先導
波路では、不純物拡散速度が基板の結晶方向に依存しな
いとすると、必然的に導波路は幅方向に比して厚さ方向
の長さが短くなる。このため、基板型光デ。
に比して厚さ方向の寸法を小さくする必要がある。例え
ば、スパッタリング法又はＣＶＤ法により基板上に高屈
折率物質を堆積して導波路を形成しようとすると、この
堆積層を微細加工する必要上、導波路の厚さを厚くする
ことができない。また、不純物を拡散させる拡散型先導
波路では、不純物拡散速度が基板の結晶方向に依存しな
いとすると、必然的に導波路は幅方向に比して厚さ方向
の長さが短くなる。このため、基板型光デ。
バイスの導波路からの出射スポット形状（モード形状）
は扁平な形状となっている。
は扁平な形状となっている。
一方、この基板型光デバイスの導波路と接続される光フ
ァイバの出射スポット形状は円形である。
ァイバの出射スポット形状は円形である。
このため、基板型光デバイスの導波路と光ファイバとを
、例えば、バットジヨイント法により直接接合すると、
両者のモード形状の違いに起因して光信号の結合損失が
発生する。そこで、このモード結合損失を回避するため
に、モード形状変換器が使用されている。
、例えば、バットジヨイント法により直接接合すると、
両者のモード形状の違いに起因して光信号の結合損失が
発生する。そこで、このモード結合損失を回避するため
に、モード形状変換器が使用されている。
第４図は従来のモード形状変換器を示す斜視図である。
従来のモード形状変換器はファイバ型であり、高屈折率
物質からなるコア１１とこのコア１１の周面を被覆する
低屈折率物質からなるクラッド層１２とにより構成され
ている。そして、コア１１の一方の端部の形状は円形で
あり、他方の端部の形状は光回路の導波路の断面と同一
の矩形形状となっている。
物質からなるコア１１とこのコア１１の周面を被覆する
低屈折率物質からなるクラッド層１２とにより構成され
ている。そして、コア１１の一方の端部の形状は円形で
あり、他方の端部の形状は光回路の導波路の断面と同一
の矩形形状となっている。
このモード形状変換器は、第５図に示すように、前記一
方の端部を光ファイバと連結し、他方の端部を光回路の
導波路と連結して使用する。これにより、光デバイスと
光ファイバとの間の結合損失を低減できる。
方の端部を光ファイバと連結し、他方の端部を光回路の
導波路と連結して使用する。これにより、光デバイスと
光ファイバとの間の結合損失を低減できる。
［発明が解決しようとする課題］
５
しかしながら、上述した従来のファイバ型モード形状変
換器は基板に形成される光デバイスとは別体をなし、別
の工程で製造する必要がある。また、光デバイスと同一
の基板に製作することができないため、光デバイスと光
ファイバとを結合するためには、光デバイスとモード形
状変換器との間及びモード形状変換器と光ファイバとの
間で光軸を合わせる必要があり、光軸を合わせるための
工程が２回必要であるので、作業が極めて煩雑である。
換器は基板に形成される光デバイスとは別体をなし、別
の工程で製造する必要がある。また、光デバイスと同一
の基板に製作することができないため、光デバイスと光
ファイバとを結合するためには、光デバイスとモード形
状変換器との間及びモード形状変換器と光ファイバとの
間で光軸を合わせる必要があり、光軸を合わせるための
工程が２回必要であるので、作業が極めて煩雑である。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
光デバイスと同一の基板に同一の工程で製作することが
可能であり、製造工程が簡素化されると共に、光デバイ
スと光ファイバとを結合する際の光軸合わせが１回だけ
でよいモード形状変換器及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
光デバイスと同一の基板に同一の工程で製作することが
可能であり、製造工程が簡素化されると共に、光デバイ
スと光ファイバとを結合する際の光軸合わせが１回だけ
でよいモード形状変換器及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本願の第１発明に係るモード形状変換器は、基板型光デ
バイスと光ファイバとを接続するモード＝６− 形状変換器において、前記光デバイスが形成されている
基板と同一の基板に形成され、前記光デバイスの形成領
域に向かってその厚さが連続的又は段階的に減少してい
る導波路を有し、この導波路の前記光デバイス側の端部
が前記光デバイスと結合されていることを特徴とする。
バイスと光ファイバとを接続するモード＝６− 形状変換器において、前記光デバイスが形成されている
基板と同一の基板に形成され、前記光デバイスの形成領
域に向かってその厚さが連続的又は段階的に減少してい
る導波路を有し、この導波路の前記光デバイス側の端部
が前記光デバイスと結合されていることを特徴とする。
本願の第２発明に係るモード形状変換器の製造方法は、
その拡散導入領域の屈折率を高くする不純物を含有する
拡散源層を基板上の所定領域に形成する工程と、この拡
散源層上にその一方の端部に向かってその層厚が連続的
に又は段階的に減少する上部クラッド層を形成する工程
と、前記拡散源層から前記不純物を前記基板及び上部ク
ラッド層に拡散させて導波路を形成する工程とををする
ことを特徴とする。
その拡散導入領域の屈折率を高くする不純物を含有する
拡散源層を基板上の所定領域に形成する工程と、この拡
散源層上にその一方の端部に向かってその層厚が連続的
に又は段階的に減少する上部クラッド層を形成する工程
と、前記拡散源層から前記不純物を前記基板及び上部ク
ラッド層に拡散させて導波路を形成する工程とををする
ことを特徴とする。
本願の第３発明に係るモード形状変換器の製造方法は、
基板上に下部クラッド層を形成する工程と、拡散導入領
域の屈折率を高くする不純物を含有する拡散源層を前記
下部クラッド層上の所定領域に形成する工程と、この拡
散源層上にその一方の端部に向かってその層厚が連続的
又は段階的に減少する上部クラッド層を形成する工程と
、前記拡散源層から前記不純物を前記下部クラッド層及
び上部クラッド層に拡散させて導波路を形成する工程と
ををすることを特徴とする。
基板上に下部クラッド層を形成する工程と、拡散導入領
域の屈折率を高くする不純物を含有する拡散源層を前記
下部クラッド層上の所定領域に形成する工程と、この拡
散源層上にその一方の端部に向かってその層厚が連続的
又は段階的に減少する上部クラッド層を形成する工程と
、前記拡散源層から前記不純物を前記下部クラッド層及
び上部クラッド層に拡散させて導波路を形成する工程と
ををすることを特徴とする。
［作用コ
本発明に係るモード形状変換器は光デバイスと同一の基
板に形成されており、導波路はその厚さが光デバイス形
成領域に向かって連続的又は段階的に減少している。こ
れにより、光デバイスとモード形状変換器との結合部に
おいて、モード形状変換器の導波路の断面は扁平形状と
なり、光回路の導波路の断面形状と実質的に同一にする
ことができる。このため、光デバイスとモード形状変換
器との結合性が高い。
板に形成されており、導波路はその厚さが光デバイス形
成領域に向かって連続的又は段階的に減少している。こ
れにより、光デバイスとモード形状変換器との結合部に
おいて、モード形状変換器の導波路の断面は扁平形状と
なり、光回路の導波路の断面形状と実質的に同一にする
ことができる。このため、光デバイスとモード形状変換
器との結合性が高い。
一方、モード形状変換器の導波路における前記光デバイ
スの反対側の端部の厚さが比較的厚いため、その断面形
状は円形又は円形に近い形状である。このため、この端
部に連結される光ファイバとモード形状変換器との間の
結合性も高い。従って、光デバイスと光ファイバとの間
の結合損失を低減できる。
スの反対側の端部の厚さが比較的厚いため、その断面形
状は円形又は円形に近い形状である。このため、この端
部に連結される光ファイバとモード形状変換器との間の
結合性も高い。従って、光デバイスと光ファイバとの間
の結合損失を低減できる。
また、本発明においては、モード形状変換器の先導波路
を光デバイスと同一の基板に形成しであるので、軸合わ
せは前記先導波路と光ファイバとの間のみで足り、軸合
わせ作業を簡素化できる。
を光デバイスと同一の基板に形成しであるので、軸合わ
せは前記先導波路と光ファイバとの間のみで足り、軸合
わせ作業を簡素化できる。
一方、本発明方法においては、基板又はクラ・ｙド層に
拡散導入された場合にその拡散導入領域の屈折率を高く
する作用を有する不純物を含有する拡散源層を基板（請
求項２の場合）又はクラ・ソト層（請求項３の場合）上
の所定領域に形成する。
拡散導入された場合にその拡散導入領域の屈折率を高く
する作用を有する不純物を含有する拡散源層を基板（請
求項２の場合）又はクラ・ソト層（請求項３の場合）上
の所定領域に形成する。
このような不純物としては、Ｔ ｉ＋ ＡＩ及びＧｅ等
の金属並びにこれらの金属酸化物がある。
の金属並びにこれらの金属酸化物がある。
この不純物の層（拡散源層）上にモード形状変換器形成
領域の一方の端部に向かってその層厚が連続的又は段階
的に減少する上部クラッド層を形成する。その後、前記
不純物を基板又は下部クラッド層及び上部クラッド層中
に拡散させて導波路を形成する。
領域の一方の端部に向かってその層厚が連続的又は段階
的に減少する上部クラッド層を形成する。その後、前記
不純物を基板又は下部クラッド層及び上部クラッド層中
に拡散させて導波路を形成する。
この場合、不純物は上下方向に拡散して所定の９
厚さの導波路が形成されるが、前記一方の端部の近傍に
おいては、上部クラッド層の層厚が薄いため、不純物は
上部クラッド層の表面まで到達する。
おいては、上部クラッド層の層厚が薄いため、不純物は
上部クラッド層の表面まで到達する。
従って、形成された導波路はその厚さが前記一方の端部
に向かって減少しており、この端部における断面は扁平
な形状になる。このため、基板型光デバイスの導波路と
の結合性が優れている。また、導波路の他方の端部にお
ける断面は、導波路の厚さが厚いため、円形又は円形に
近い形状となる。
に向かって減少しており、この端部における断面は扁平
な形状になる。このため、基板型光デバイスの導波路と
の結合性が優れている。また、導波路の他方の端部にお
ける断面は、導波路の厚さが厚いため、円形又は円形に
近い形状となる。
このため、光ファイバとの結合性も良好である。
なお、光デバイスの導波路を不純物拡散により形成する
場合、本発明方法は、光デバイスと同一の基板に光デバ
イスの製造工程と同一の工程で実施することが可能であ
る。
場合、本発明方法は、光デバイスと同一の基板に光デバ
イスの製造工程と同一の工程で実施することが可能であ
る。
［実施例コ
次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して説
明する。
明する。
第１図（ａ）乃至（Ｃ）は本発明の第１の実施例方法を
工程順に示す断面図である。
工程順に示す断面図である。
先ず、第１図（ａ）に示すように、Ｓｉ基板１０
を例えば温度が１１００°Ｃの酸水素火炎中に３５時間
保持することにより、ＳｉＯ２からなる仮クラッド層２
を形成する。この仮クラッド層２の層厚は例えば、約４
μｍである。この仮クラッド層２」二にＴｉをスパッタ
リングした後、ホトリングラフィを使用して所定領域以
外のＴｉを選択的に除去し、例えば幅が６μｍ１厚さが
２００人の帯状のＴｉ／ｉＷ３を形成する。
保持することにより、ＳｉＯ２からなる仮クラッド層２
を形成する。この仮クラッド層２の層厚は例えば、約４
μｍである。この仮クラッド層２」二にＴｉをスパッタ
リングした後、ホトリングラフィを使用して所定領域以
外のＴｉを選択的に除去し、例えば幅が６μｍ１厚さが
２００人の帯状のＴｉ／ｉＷ３を形成する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、仮クラッド層２及び
Ｔｉ層層上上、シャドーマスクスパッタリング法を使用
することにより、基板の一方の端部側が厚くなる。よう
に０乃至１μｍの範囲で連続的に層厚を変化させてＳｉ
Ｏ２からなる上部クラッド層４を形成する。
Ｔｉ層層上上、シャドーマスクスパッタリング法を使用
することにより、基板の一方の端部側が厚くなる。よう
に０乃至１μｍの範囲で連続的に層厚を変化させてＳｉ
Ｏ２からなる上部クラッド層４を形成する。
次いで、第１図（Ｃ）に示すように、酸水素火炎中で７
時間保持してＴｉ層３がら仮クラッド層２及び上部クラ
ッド層４にＴｉを拡散させて導波路５を形成する。
時間保持してＴｉ層３がら仮クラッド層２及び上部クラ
ッド層４にＴｉを拡散させて導波路５を形成する。
第２図は実際に上述の方法により形成したモード形状変
換器を示す斜視図である。このようにして形成したモー
ド形状変換器の導波路５の一方の端部におけるモード形
状は、幅が７μｍ１深さが４μｍであり、他方の端部に
おけるモード形状は幅が７μｍ１深さが２．５μｍであ
った。
換器を示す斜視図である。このようにして形成したモー
ド形状変換器の導波路５の一方の端部におけるモード形
状は、幅が７μｍ１深さが４μｍであり、他方の端部に
おけるモード形状は幅が７μｍ１深さが２．５μｍであ
った。
次に、本発明の第２の実施例方法について説明する。
先ず、ＬｉＮｂＯ３基板上にスパッタリング法を使用し
て金属Ｔｉを６００人の厚さに堆積する。
て金属Ｔｉを６００人の厚さに堆積する。
そして、リフトオフ法により帯状の領域にのみＴｉ層を
残存させる。
残存させる。
次に、基板上及びＴｉ層上にシャドーマスクスパッタリ
ング法を使用してＬ ｉ Ｎ ｂ Ｏ３を０乃至１μｍ
の範囲で連続的に層厚を変化させて堆積し、上部クラッ
ド層を形成する。
ング法を使用してＬ ｉ Ｎ ｂ Ｏ３を０乃至１μｍ
の範囲で連続的に層厚を変化させて堆積し、上部クラッ
ド層を形成する。
次いで、温度カ月０５０°Ｃの不活性ガス中で６時間保
持してＴｉをＬ ｉ Ｎ ｂ ０３基板及び上部クラッ
ド層中に′熱拡散させて導波路を形成する。この第２の
実施例方法も第１の実施例と同様の効果を奏する。
持してＴｉをＬ ｉ Ｎ ｂ ０３基板及び上部クラッ
ド層中に′熱拡散させて導波路を形成する。この第２の
実施例方法も第１の実施例と同様の効果を奏する。
実際に上述の方法で形成したモード形状変換器の導波路
のモード形状は、その一方の端部において幅が９μｍ１
深さが７μｍであり、他方の端部において幅が９μｍ１
深さが５．６μｍの楕円状であった。
のモード形状は、その一方の端部において幅が９μｍ１
深さが７μｍであり、他方の端部において幅が９μｍ１
深さが５．６μｍの楕円状であった。
また、同様の条件で第３図に示すようにモード形状変換
器の導波路の延長上に方向性結合器光スィッチ（光回路
）を同時に形成したところ、光スィッチのスイッチ性能
は従来と変わらず、光ファイバとの結合損失が２．０ｄ
Ｂ改善された光スィッチが得られた。
器の導波路の延長上に方向性結合器光スィッチ（光回路
）を同時に形成したところ、光スィッチのスイッチ性能
は従来と変わらず、光ファイバとの結合損失が２．０ｄ
Ｂ改善された光スィッチが得られた。
［発明の効果］
以上説明したように本発明に係るモード形状変換器は、
光デバイスと同一の基板に形成されており、光デバイス
側の端部に向かって導波路の厚さが減少しているから、
モード形状変換器と光回路との結合部における光回路の
導波路の断面形状とモード形状変換器の導波路の断面形
状とを実質的に同一にすることができる。このため、光
デバイスとの結合性が向上する。また、モード形状変換
器の他端部における導波路の厚さを厚くすること１３− ができるため、この他端部における導波路断面形状を円
形又は円形に近い形状とすることができる。
光デバイスと同一の基板に形成されており、光デバイス
側の端部に向かって導波路の厚さが減少しているから、
モード形状変換器と光回路との結合部における光回路の
導波路の断面形状とモード形状変換器の導波路の断面形
状とを実質的に同一にすることができる。このため、光
デバイスとの結合性が向上する。また、モード形状変換
器の他端部における導波路の厚さを厚くすること１３− ができるため、この他端部における導波路断面形状を円
形又は円形に近い形状とすることができる。
このため、光ファイバとの結合性も向上する。これによ
り、光デバイスと光ファイバとの間の結合損失が少ない
と共に、１回の軸合わせて光ファイバと光デバイスとを
結合できる。
り、光デバイスと光ファイバとの間の結合損失が少ない
と共に、１回の軸合わせて光ファイバと光デバイスとを
結合できる。
また、本発明方法によれば、拡散源層上にその一方の端
部に向かってその厚さが連続的又は段階的に減少する上
部クラッド層を形成し、この上部クラッド層に拡散源層
から不純物を拡散させて導波路を形成するから、上述の
モード形状変換器を光回路の機能デバイスと同一の工程
で容易に製造することができる。
部に向かってその厚さが連続的又は段階的に減少する上
部クラッド層を形成し、この上部クラッド層に拡散源層
から不純物を拡散させて導波路を形成するから、上述の
モード形状変換器を光回路の機能デバイスと同一の工程
で容易に製造することができる。
第１図（ａ）乃至（ｃ）は本発明の第１の実施例方法を
工程順に示す断面図、第２図は同じくその完成したモー
ド形状変換器を示す斜視図、第３図は本発明の第２の実
施例方法により完成したモード形状変換器により光ファ
イバと光回路とを結合した状態を示す模式的側面図、第
４図は従来の４− モード形状変換器を示す斜視図、第５図は従来のモード
形状変換器により光ファイバと光回路とを結合した状態
を示す模式的側面図である。 １；基板、２；仮クラッド層、３；Ｔｉ層、４；上部ク
ラッド層、５；導波路、１１：コア、１２；クラッド層
工程順に示す断面図、第２図は同じくその完成したモー
ド形状変換器を示す斜視図、第３図は本発明の第２の実
施例方法により完成したモード形状変換器により光ファ
イバと光回路とを結合した状態を示す模式的側面図、第
４図は従来の４− モード形状変換器を示す斜視図、第５図は従来のモード
形状変換器により光ファイバと光回路とを結合した状態
を示す模式的側面図である。 １；基板、２；仮クラッド層、３；Ｔｉ層、４；上部ク
ラッド層、５；導波路、１１：コア、１２；クラッド層
Claims (6)
- （１）基板型光デバイスと光ファイバとを接続するモー
ド形状変換器において、前記光デバイスが形成されてい
る基板と同一の基板に形成され、前記光デバイスの形成
領域に向かってその厚さが連続的又は段階的に減少して
いる導波路を有し、この導波路の前記光デバイス側の端
部が前記光デバイスと結合されていることを特徴とする
モード形状変換器。 - （２）その拡散導入領域の屈折率を高くする不純物を含
有する拡散源層を基板上の所定領域に形成する工程と、
この拡散源層上にその一方の端部に向かってその層厚が
連続的に又は段階的に減少する上部クラッド層を形成す
る工程と、前記拡散源層から前記不純物を前記基板及び
上部クラッド層に拡散させて導波路を形成する工程とを
有することを特徴とするモード形状変換器の製造方法。 - （３）基板上に下部クラッド層を形成する工程と、拡散
導入領域の屈折率を高くする不純物を含有する拡散源層
を前記下部クラッド層上の所定領域に形成する工程と、
この拡散源層上にその一方の端部に向かってその層厚が
連続的又は段階的に減少する上部クラッド層を形成する
工程と、前記拡散源層から前記不純物を前記下部クラッ
ド層及び上部クラッド層に拡散させて導波路を形成する
工程とを有することを特徴とするモード形状変換器の製
造方法。 - （４）前記拡散源層はＴｉ、Ａｌ及びＧｅからなる群か
ら選択された金属又はその酸化物であることを特徴とす
る請求項２又は３に記載のモード形状変換器の製造方法
。 - （５）前記上部クラッド層はＬｉＮｂＯ＿３、ＬｉＴａ
Ｏ＿３、Ａｌ＿２Ｏ＿３及びＳｉＯ＿２からなる群から
選択された透明誘電体であることを特徴とする請求項２
乃至４のいずれか１項に記載のモード形状変換器の製造
方法。 - （６）前記基板はＳｉからなり、前記下部クラッド層は
この基板を熱酸化させて形成することを特徴とする請求
項３乃至５のいずれか１項に記載のモード形状変換器の
製造方法。（７）前記導波路はＬｉＮｂＯ＿３中にＴｉ
を拡散させて形成されたことを特徴とする請求項１に記
載のモード形状変換器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1144988A JPH0310207A (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | モード形状変換器及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1144988A JPH0310207A (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | モード形状変換器及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0310207A true JPH0310207A (ja) | 1991-01-17 |
Family
ID=15374866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1144988A Pending JPH0310207A (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | モード形状変換器及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0310207A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06214137A (ja) * | 1993-01-20 | 1994-08-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光導波路アレイと光ファイバアレイの接続構造 |
| JP2002328244A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光部品 |
| FR2854469A1 (fr) * | 2003-04-01 | 2004-11-05 | Cit Alcatel | Procede de fabrication d'un dispositif optique semi-conducteur comportant une region munie d'une couche active a epaisseur variable |
| JP2006284961A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光変調器 |
-
1989
- 1989-06-07 JP JP1144988A patent/JPH0310207A/ja active Pending
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