JPH03102604A

JPH03102604A - 薄膜磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH03102604A
Application number: JP23932689A
Authority: JP
Inventors: Taira Kosuda; 小須田　平; Tsutomu Koyanagi; 勤小柳
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1989-09-14
Filing date: 1989-09-14
Publication date: 1991-04-30

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】く産業上の利用分野〉本発明は、薄膜磁気ヘッドに関し、基板の上に磁性膜を
設け、このｌｉｎ性膜の上に導体コイル膜を積層する構
造において、磁性膜の表面は、導体コイル膜のコイルパ
ターンの占める面積よりも大きな平坦面を設け、この平
坦面上に導体コイル膜を形成することにより、導体コイ
ル膜の微細パターン形成を容易化し、導体コイル膜の断
線、短絡等を未然に防止できるようにしたものである。

く従来の技術〉コンピュータの外部記憶装置における記憶密度の増大化
や、書込み読出し速度の高速化に対応し、記録．再生の
信頼性向上のため、剃膜磁気ヘッドが用いられるように
なってきた。薄膜磁気ヘッドとしては面内記録再生用及
び垂直記録再生用の２種類の薄膜磁気ヘッドが知られて
いる。第７図は特開昭５５−　８４０１９号、特開昭５
５−　８４０２０号等で知られた面内記録再生用の薄膜
磁気ヘッドの要部における平面部分破断面図、第８図は
第７図Ｂ，−Ｂ，線上における拡大断面図、第９図は第
８図８２−Ｂ２線上における断面図である。図において
、１は基板、２は第１の磁性膜、３はアルミナ等でなる
ギャップ膜、４は第２の磁性膜、５１、５２は導体コイ
ル膜、６１〜６３はノボラック樹脂等でなる絶縁膜、７
は保護膜、８、９は取出電極である。

基板１は、Ａｌ２０．−ＴｉＣ等のセラミック構造体１
０１の上に、ＡＩ２０３等でなる絶縁Ｈ１０２を被着さ
せた構造となっている。

第１の磁性膜２は、例えばバーマロイ等の磁性材料を用
いて基板１の上に形成してある。２１はボール部、２２
はヨーク部である。導体コイル膜５１、５２及び絶縁膜
６１〜６３は、この第ｌの磁性膜２の上にギャップ膜３
を介して積層形成する。第１の磁性膜２は、第７図にも
示すように、導体コイル膜ｓｔ，５２のコイルパターン
よりも平面積が小さいので、第９図に示す如く、第１の
磁性膜２のヨーク部２２の外周端縁２２１の付近で、導
体コイル膜５１、５２を支持する絶縁膜６１、６２に段
差△ｈを生じている。

第２の磁性Ｕ！　４は、バーマロイ等を用いて、導体コ
イル膜５２を覆うように形成された絶縁膜６３の上に形
成する。第２の磁性膜４のヨーク部４２は、第１の磁性
膜２のヨーク部２２と大きさがほぼ同じで、互いに重な
るように対向して配置される。この第２の磁性膜４の上
に保護膜７を設ける。

第１の磁性膜２及び第２の磁性ＩＩ＠４は、媒体対向面
となるボール部２１−４１を、ギャップ膜３による磁気
ギャップＧ１を介して対向させると共に、ヨーク部２２
、４２の後端部を互いに結合させ、この結合部のまわり
に導体コイル膜５１、５２を渦巻状に形成してある。

導体コイル膜５１、５２は、巻方向が同一となるように
して、電気的に直列に接続する。第９図に示した如く、
第１の磁性膜２のヨーク部２２の外周端縁２２１の付近
で、導体コイル膜５１、５２を支持する絶縁膜６１、６
２に段差△ｈを生じているから、導体コイルｌ］５ｊ５
１、５２は、第１の磁性膜２の内外で段差△ｈに従った
高低差を生じながら渦巻状に形成される。

く発明が解決しようとする課題〉上述の薄膜磁気ヘッドは、ＩＣ製造プロセスと同様のフ
ォトリソグラフイと称される高精度パターン形成技術に
よって製造される。ところが、第７図に示したように、
第１の磁性膜２は、ヨーク部２２の平面積か、導体コイ
ル膜５１、５２のコイルパターンよりも小さいので、第
９図に示す如く、第１の磁性ｔｒｉ　２のヨーク部２２
の外周端縁２２１の付近で、導体コイル膜５１、５２を
支持する絶縁膜６１、６２に段差△ｈを生じる。このた
め、導体コイル［５１，５２のパターン形成のフォトリ
ソグラフィ．ブロセスロにおいて、ボジレジスト膜を使
用した場合には、段差上面側である第１の磁性膜２のヨ
ーク部２２上にある導体コイル膜５１、５２の幅よりも
、段差下面側にある導体コイルｌＩｉ５１、５２の幅の
方が広くなり、隣り合う導体コイル＠５１−５１、５２
−５２間に短絡を生しることがあった。

ネガレジストを使用した場合には、段差下面側に位置す
る導体コイル膜５１、５２の幅か狭くなり、断線等を惹
起する危険性があった。

このような問題点を解決することを目的とした従来技術
としては、特開昭６１−　１２０３１５号公報に記載さ
れた技術かある。この先行技術では、基板上に形成され
た第１の磁性膜を含む上端面と、含まない上端面とが、
同程度の高さとなるように、絶縁パターンを形成するこ
とにより、導体コイル膜形成面を平坦化したものであっ
た。

しかしなから、絶縁パターンを形或するための有機絶縁
樹脂は、スピンコーティング等によって塗布されるもの
であり、有機絶縁樹脂の厚みを、第１の磁性膜２の段差
による影響がなくなるように、平均化することは困難で
ある。

そこで、本発明の課題は、上述する従来の問題点を解決
し、導体コイル膜形成面を確実に平坦化し、導体コイル
膜の微細パターン形成を容易化し、導体コイル膜の断線
、短絡等を確実に防止できるようにした蒲膜磁気ヘッド
を提供することである。

く課題を解決するための手段〉上述する課題を解決するため、本発明は、基板の上に６
ｎ性膜及び平坦化膜を設け、前記磁性膜及び平坦化膜の
上に、導体コイル膜を積層して設けた薄膜磁気ヘッドで
あって、前記平坦化膜は、前記磁性１ｌ桑と実質的に同一の組成
でなり、前記導体コイル膜のコイルパターンの占める面
積よりも大きな平坦面を有し、前記磁性膜の周縁との間
に微小間隔を有してその周囲に形威されていることを特徴とする。

く作用〉平坦化膜は、導体コイル膜のコイルパターンの占める面
積よりも大きな平坦面を有し、磁性膜の周縁との間に微
小間隔を有してその周囲に形成されているので、導体コ
イル膜の形成面が、磁性膜及び平坦化膜によって実質的
に平坦化される。このため、導体コイル膜の微細パター
ン形成が容可能になり、導体コイル膜の断線、短絡等を
未然に防止できる。

しかも、平坦化膜は、磁性膜の周縁との間に微小間隔を
有しているので、磁性膜及び導体コイル膜で構成される
磁気回路から実質的に分離される。このため、電磁変換
特性に対する平坦化膜の影響を事実上無視することがで
きるようになる。

更に、平坦化膜は、磁性膜と実質的に同一の組成となっ
ているから、例えば基板上にメッキ下地膜を付与した後
、フレームメッキ法等を用いて磁性膜と同時に形成でき
る。このため、平坦化膜形成工程が磁性膜形成工程に吸
収され、平坦化膜を形成するための独立した工程が不要
であり、工程数増加を回避することができる。

本発明は面内記録再生用のＲ膜磁気ヘッドのみならず、
垂直記録再生用の薄膜磁気ヘッドにも同様に適用が可能
である。

く実施例〉第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの要部における断
面図、第２図は第１図Ａ　＋　　Ａ　＋線上における断
面図である。図において、第７図及び第８図と同一の参
照符号は同一性ある構成部分を示している。１０は平坦
化膜である。平坦化膜１０は、磁性＠２と同一の組成、
例えばバーマロイ膜でなり、表面が磁性膜２の表面と実
質的に同一の平面を構成するように形成されている。第
３図は磁性膜２と平坦化膜１０との配置状態を示す図で
、平坦化膜１０は磁性膜２の周縁との間に微小間隔１１
を有してその周囲に形成されている。

微小間隔１１の幅は数μｍ程度に選定する。

次に、第４図は平坦化膜１０に対する導体コイル膜５１
、５２の関係を示す図で、平坦化膜１０は、導イ本コイ
ノレ月莫５１、５２のコイノレパターンの占める面積よ
りも大きな平坦面を有している。

上記構成により、導体コイル膜５１、５２の形成面が、
磁性膜２及び平坦化膜１０によって実質的に平坦化され
る。このため、導体コイル膜５１、５２の微細パターン
形成が容可能になり、導体コイル膜５１、５２の断線、
短絡等を未然に防止できる。

しかも、平坦化膜１０は、磁性膜２の周縁との間に微小
間隔１１を有しているので、磁性膜２及び導体コイル膜
５１、５２で構成される磁気回路から実質的に分離され
る。このため、電磁変換特性に対する平坦化膜１０の影
響を事実上無視することができるようになる。

更に、平坦化膜１０は、磁性ｌｌ＊　２と実質的に同一
の組戒となっているから、例えばフレームメッキ法等を
用いて磁性膜２と同時に形成できる。このため、平坦化
膜形成工程が磁性膜形成工程に吸収され、平坦化膜１０
を形成するための独立した工程が不要であり、工程数増
加を回避することができる。次に第５図及び第６図を参
照して本発明に係る薄膜磁気ヘットの製造方法について
説明する。

まず、第５図（ａ）及び第６図（ａ）に示すように、基
板１の上に磁性膜のパターンＰ１及び平坦化膜のパター
ンＰ２を画定するレジストフレーム１２を形成する。レ
ジストフレーム１２はフォトリソグラフィによるパター
ンニングによって形成する。レジストフレーム１２を形
成する前に基板１の表面にメッキ下地膜２０を形成して
おく。

次に、第５図（ｂ）及び第６図（ｂ）　　に示すように
、レジストフレーム１２をマスクとして、パターンＰＩ
，Ｐ２の内部及びその外側にパターンメッキ１３〜１５
を施す。パターンメッキ１３〜１５は、一般には、パー
マロイ膜である。

次に、第５図（Ｃ）、第６図（ｃ）に示すように、パタ
ーンＰ，のボール部となる部分を、レジストマスク１６
によって覆った後、第５図（ｄ）、第６図（ｄ）　に示
すように、レシストフレーム１２及びレジストマスク１
６をマスクとして、パターンＰ１、Ｐ２の内部及びその
外側にパターンメッキ１７〜１９を施す。パターンメッ
キ１７〜１９は、一般には、バーマロイ膜である。メッ
キ後にレジストマスク１６を除去する。

この後、第５図（ｅ）　　に示すように、レジストフレ
ーム１２を除去すると共に、レジストフレーム１２の部
分のメッキ下地膜及びレジストフレーム１２の外側に位
置するパターンメッキ１５、１９を、ケミカルエッチン
グ及びイオンミーリング等の手段によって除去すること
により、第５図（ａ）に示すように、所定のパターンを
有する磁性膜２及び平坦化膜１０が得られる。

別の製造工程として、第５図（ｂ）、第６図（ｂ）の工
程と、第５図（Ｃ）、第６図（ｃ）の工程の順序を逆に
し、パターンＰ，のボール部となる部分をレジストマス
ク１６によって覆ってパターンメッキを施した後に、レ
ジストフレーム１２をマスクとして、バタ・−ンＰ１、
Ｐ２の内部及びその外側にパターンメッキ１３〜ｉ５を
施す工程をとることもできる。

く発明の効果〉以上述べたように、本発明によれば、次のような効果が
得られる。

（ａ）平坦化膜は、導体コイル膜のコイルパターンの占
める面積よりも大きな平坦面を有し、磁性膜の周縁との
間に微小間隔を有してその周囲に形成されているので、
導体コイル膜の形成面が実質的に平坦化され、導体コイ
ル膜の微細パターン形成が可能で、導体コイル膜の断線
、短絡等を未然に防止し得る薄膜磁気ヘッドを提供でき
る。

（ｂ）平坦化膜は、磁性膜の周縁との間に微小間隔を有
しているので、磁性膜及び導体コイル膜で構威される磁
気回路から実質的に分離し、電磁変換特性に対する平坦
化膜の影響を事実上無視し得るようにした薄膜磁気ヘッ
ドを提供できる。

（ｃ）平坦化膜は、磁性膜と実質的に同一の組成となっ
ているから、フレームメッキ法を用いて磁性膜と同時に
形或できる。このため、平坦化膜形成工程が磁性膜形成
工程に吸収され、平坦化膜を形戒ずるための独立した工
程が不要であり、工程数増加を回避することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの要部における断
面図、第２図は第１図Ａ，−Ａ．線上における断面図、
第３図は磁性膜と平坦化膜との配置状態を示す平面図、
第４図は平坦化膜に対する導体コイル膜の関係を示す平
面図、第５図（ａ）〜（ｅ）及び第６図（ａ）〜（ｄ）
は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す図、第
７図は従来の薄膜磁気ヘッドの要部における平面部分破
断面図、第８図は第７図Ｂ，−Ｂ．線上における拡大断
面図、第９図は第８図８２　　Ｂ２線上における拡大断
面図である。１・・・基板　　　　　２・・・第１の磁性膜３・・・
ギャップ膜　　４・・・第２の磁性膜５１、５２・・・
導体コイル膜

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基板の上に磁性膜及び平坦化膜を設け、前記磁性
膜及び平坦化膜の上に、導体コイル膜を積層して設けた
薄膜磁気ヘッドであって、前記平坦化膜は、前記磁性膜と実質的に同一の組成でな
り、前記導体コイル膜のコイルパターンの占める面積よ
りも大きな平坦面を有し、前記磁性膜の周縁との間に微
小間隔を有してその周囲に形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。