JPH03102820A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
- Publication number
- JPH03102820A JPH03102820A JP1241036A JP24103689A JPH03102820A JP H03102820 A JPH03102820 A JP H03102820A JP 1241036 A JP1241036 A JP 1241036A JP 24103689 A JP24103689 A JP 24103689A JP H03102820 A JPH03102820 A JP H03102820A
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- JP
- Japan
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- electrode
- gas
- vacuum
- vacuum processing
- substrate
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- Pending
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、高真空内で半導体ウェーハ褪板などの被処理
物を温度制御しながらエッチング処理などを行う真空処
理装置に係わり、特に静電吸着法とガスの熱伝導を利用
したガス冷却怯を兼ねた温度制御機構を有する真空処理
装置に関する。
物を温度制御しながらエッチング処理などを行う真空処
理装置に係わり、特に静電吸着法とガスの熱伝導を利用
したガス冷却怯を兼ねた温度制御機構を有する真空処理
装置に関する。
（従来の技術）
例えばドライエッチングに用いられる真空処理装置では
、シリコンウエーハなどの基板上に反応性ガスを供給し
、化学反応あるいは物理的反応を利用してエッチングを
行う。
、シリコンウエーハなどの基板上に反応性ガスを供給し
、化学反応あるいは物理的反応を利用してエッチングを
行う。
このドライエッチング法では、基板温度がエッチング形
状や選択比等に大きく影響するので、高精度な温度制御
が必要であるが、従来方法では、基板の温度制御は基板
を設置する電極ステージの加熱、冷却によって行ってい
たにすぎない。
状や選択比等に大きく影響するので、高精度な温度制御
が必要であるが、従来方法では、基板の温度制御は基板
を設置する電極ステージの加熱、冷却によって行ってい
たにすぎない。
（発明が解決しようとする課題）
上記した電極ステージの加熱、冷却による基板温度制御
方法では、基板温度が電極ステージと基板との接触部の
熱伝導に依存しているため、温度制御特性が悪く、エッ
チング形状や選択比などに問題が発生していた。
方法では、基板温度が電極ステージと基板との接触部の
熱伝導に依存しているため、温度制御特性が悪く、エッ
チング形状や選択比などに問題が発生していた。
（課題を解決するための手段）
本発明の真空処理装置は、上記目的を達成するため、真
空容器内に対向配置された第１７ｌ５極および第２電極
と、前記真空容器内に反応性ガスを洪給する反応性ガス
供給装置と、前記真空容器内を真空排気する真空排気装
置とを備えた真空処理装置において、前記第１電極に被
処理物（基板）を静電吸着する静電吸着装置と、前記第
１電極と前記基板との間に圧力制御された冷却ガスを導
入する冷却ガス配管とを具備することを特徴とするもの
である。
空容器内に対向配置された第１７ｌ５極および第２電極
と、前記真空容器内に反応性ガスを洪給する反応性ガス
供給装置と、前記真空容器内を真空排気する真空排気装
置とを備えた真空処理装置において、前記第１電極に被
処理物（基板）を静電吸着する静電吸着装置と、前記第
１電極と前記基板との間に圧力制御された冷却ガスを導
入する冷却ガス配管とを具備することを特徴とするもの
である。
（作 用）
上記のように構成した本発明の真空処理装置においては
、温度：Ｊ３節された電極ステージ（第１電極）に設置
された基板は電極ステージと静電吸着によって接触部を
増やし、かつ非接触部にガスを供給することによって従
来の方法に比べ１０倍以上の熱伝導が得られる。また、
電極ステージと基板の間に供給される冷却ガスをリング
状突起でガスシールする場合には、冷却ガスが処理雰囲
気中に漏れることを肋止できる。
、温度：Ｊ３節された電極ステージ（第１電極）に設置
された基板は電極ステージと静電吸着によって接触部を
増やし、かつ非接触部にガスを供給することによって従
来の方法に比べ１０倍以上の熱伝導が得られる。また、
電極ステージと基板の間に供給される冷却ガスをリング
状突起でガスシールする場合には、冷却ガスが処理雰囲
気中に漏れることを肋止できる。
（実施例）
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
第１図は本発明の真空処理装置の主要部の概略を示すも
ので、第１電極１と第２電極２が、上下方向に所定間隔
をおいて、真空容器３内に対向して配置されている。
ので、第１電極１と第２電極２が、上下方向に所定間隔
をおいて、真空容器３内に対向して配置されている。
第１電極１は交流電源４を介して接地され、また第２’
ｍ極２は直接接地されている。
ｍ極２は直接接地されている。
真空容器３の側壁には、反応性ガスを導入するガス導入
管５と、反応性ガスを真空排気するガス排出管６とが取
付けられている。ガス導入管５には反応性ガス供給装置
（図示せず）か連桔され、またガス排出管６には真空容
器３内を真空排気する真空排気装置（図示せず）が連結
されている。
管５と、反応性ガスを真空排気するガス排出管６とが取
付けられている。ガス導入管５には反応性ガス供給装置
（図示せず）か連桔され、またガス排出管６には真空容
器３内を真空排気する真空排気装置（図示せず）が連結
されている。
第１電極１内には、図示を省略した配管系を介して、一
定温度に保たれた冷却水が流れており、第１電極１は所
定の温度に保たれている。
定温度に保たれた冷却水が流れており、第１電極１は所
定の温度に保たれている。
第１電極１の上面には、静電吸着装置７を介しア、ウェ
ー７、基板などの被処理物８が静電吸着されている。
ー７、基板などの被処理物８が静電吸着されている。
静電吸着装置７は、その詳細を第２図に示すように、高
分子利料からなる絶縁物９と、これに覆われた静電吸着
用電極１０とからなり、この静電吸着用電極には高電圧
を印加する直ｆ？ｔ電源〕１か接続されている。
分子利料からなる絶縁物９と、これに覆われた静電吸着
用電極１０とからなり、この静電吸着用電極には高電圧
を印加する直ｆ？ｔ電源〕１か接続されている。
静電吸着用電極１０と被処理物８との接触面間には、第
１電極１と静電吸着装置７の中心部を貫通する冷却ガス
配管１２の上端が開口している。
１電極１と静電吸着装置７の中心部を貫通する冷却ガス
配管１２の上端が開口している。
この冷却ガス配管には、ガス導入管１３を介して圧力制
御された冷却ガスが供給される。
御された冷却ガスが供給される。
上述のように構成した本発明の真空処裡装置において、
直流電源１１により静電吸着装置７を作動させて彼処理
物８を静電吸着させ、ガス導入ｎ゛５を介して真空容器
３内に反応性ガスを導入した後、冷却ガス配管１２を介
して、温度制御された冷却ガスを静電吸着装置７−と披
処理物８との接触面間に導入する。
直流電源１１により静電吸着装置７を作動させて彼処理
物８を静電吸着させ、ガス導入ｎ゛５を介して真空容器
３内に反応性ガスを導入した後、冷却ガス配管１２を介
して、温度制御された冷却ガスを静電吸着装置７−と披
処理物８との接触面間に導入する。
この状態で、交流電源４を投入すると、第１電極１と第
２電極２との間に介在する反応性ガスは励起され、プラ
ズマとなって被処理物８の表面をエッチングする。
２電極２との間に介在する反応性ガスは励起され、プラ
ズマとなって被処理物８の表面をエッチングする。
第３図は上記構成の本発明装置によるプラズマ処理中の
披処理物（ウエーハ基板）８の温度を示すもので、曲線
Ａは被処理物８を静電吸着装置７上に置いただけの場合
を示し、曲線Ｂは被処理物８を静電吸着装置７により吸
着させただけの場合を示す。また、曲線Ｃは被処理物８
を静電吸着装置７により吸着させると共にガス冷却を併
用した場合を示す。この図から明らかなように、本発明
によれば、被処理物８の温度は著しく低下し、その温度
制御も１０倍程度改善されている。
披処理物（ウエーハ基板）８の温度を示すもので、曲線
Ａは被処理物８を静電吸着装置７上に置いただけの場合
を示し、曲線Ｂは被処理物８を静電吸着装置７により吸
着させただけの場合を示す。また、曲線Ｃは被処理物８
を静電吸着装置７により吸着させると共にガス冷却を併
用した場合を示す。この図から明らかなように、本発明
によれば、被処理物８の温度は著しく低下し、その温度
制御も１０倍程度改善されている。
第４図は本発明の他の実施例を示すもので、静電吸着装
置７の絶縁物９の上面に肢処理物の直径よりやや小径の
リング状突起９ａを形或したものである。
置７の絶縁物９の上面に肢処理物の直径よりやや小径の
リング状突起９ａを形或したものである。
このようにすれば、静電吸着装置７と彼処理物８との間
のシール機能が向上するので、冷却ガスの漏れ量を大幅
に減少させることかできる。
のシール機能が向上するので、冷却ガスの漏れ量を大幅
に減少させることかできる。
即ち、第２図の場合、冷却ガスの漏れ量は５．ＯＸ１０
＊＊ｐａｍ＊／ｓｅｅ 程度であるが、第３図の場合には、 ３．２Ｘ１０＊＊ｐａｍ＊／ｓｅｃ 程度となり、約１／１００以下に減少させることが可能
となる。
＊＊ｐａｍ＊／ｓｅｅ 程度であるが、第３図の場合には、 ３．２Ｘ１０＊＊ｐａｍ＊／ｓｅｃ 程度となり、約１／１００以下に減少させることが可能
となる。
上記のように本発明の真空処理装置によれば、温度調節
された第１電極に設置された披処理物は静電吸着によっ
て第１電極との接触部を増大せしめられ、しかも非接触
部に圧力制御された冷却ガスを供給することによって従
来の方法に比べ１０倍以上の熱伝導が得られる。また、
電極ステージと基板の間に供給された冷却ガスをリング
状突起でガスシールした場合には、冷却ガスが処理雰囲
気中に漏れることを防止できる。
された第１電極に設置された披処理物は静電吸着によっ
て第１電極との接触部を増大せしめられ、しかも非接触
部に圧力制御された冷却ガスを供給することによって従
来の方法に比べ１０倍以上の熱伝導が得られる。また、
電極ステージと基板の間に供給された冷却ガスをリング
状突起でガスシールした場合には、冷却ガスが処理雰囲
気中に漏れることを防止できる。
２図は本発明装置における静電吸着装置の近傍の構成図
、第３図は冷却方式による処理時間と基板温度との関係
を示すグラフ、第４図は本発明装置における静電吸着装
置の他の実施例を示す構成図である。
、第３図は冷却方式による処理時間と基板温度との関係
を示すグラフ、第４図は本発明装置における静電吸着装
置の他の実施例を示す構成図である。
１・・・第１電極、２・・・第２電極、３・・・真空容
器、４・・・交流電源、５・・・ガス導入管、６・・・
ガスυト出管、７・・・静電吸着装置、８・・・被処理
物、９・・・絶縁物、９ａ・・・リング状突起、１０・
・・静電吸着用電極、１１・・・直流電源、１２・・・
冷却ガス配管、１３・・・ガス導入管。
器、４・・・交流電源、５・・・ガス導入管、６・・・
ガスυト出管、７・・・静電吸着装置、８・・・被処理
物、９・・・絶縁物、９ａ・・・リング状突起、１０・
・・静電吸着用電極、１１・・・直流電源、１２・・・
冷却ガス配管、１３・・・ガス導入管。
Claims (1)
- 真空容器内に対向配置された第１電極および第２電極と
、前記真空容器内に反応性ガスを供給する反応性ガス供
給装置と、前記真空容器内を真空排気する真空排気装置
とを備えた真空処理装置において、前記第１電極に被処
理物を静電吸着する静電吸着装置と、前記第１電極と前
記被処理物との間に圧力制御された冷却ガスを導入する
冷却ガス配管とを具備することを特徴とする真空処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1241036A JPH03102820A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1241036A JPH03102820A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03102820A true JPH03102820A (ja) | 1991-04-30 |
Family
ID=17068365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1241036A Pending JPH03102820A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03102820A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07169825A (ja) * | 1993-12-15 | 1995-07-04 | Nec Corp | 静電吸着装置 |
| JPH09120987A (ja) * | 1995-07-10 | 1997-05-06 | Watkins Johnson Co | 静電チャックアセンブリ |
| US6255223B1 (en) | 1998-03-12 | 2001-07-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Substrate handling method and apparatus, and attractive force inspection method and apparatus used therewith |
| US6524428B2 (en) | 1993-09-16 | 2003-02-25 | Hitachi, Ltd. | Method of holding substrate and substrate holding system |
| US6648976B1 (en) | 1999-02-24 | 2003-11-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus and method for plasma processing |
| KR100984177B1 (ko) * | 2008-06-13 | 2010-09-28 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 정전척 및 이를 이용한 플라즈마 이온주입장치 |
| KR101011858B1 (ko) * | 2007-06-05 | 2011-01-31 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치, 전극 온도 조정 장치, 전극 온도 조정방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6424427A (en) * | 1987-07-20 | 1989-01-26 | Tokuda Seisakusho | Vacuum treatment equipment |
-
1989
- 1989-09-18 JP JP1241036A patent/JPH03102820A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6424427A (en) * | 1987-07-20 | 1989-01-26 | Tokuda Seisakusho | Vacuum treatment equipment |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6676805B2 (en) | 1993-09-16 | 2004-01-13 | Hitachi, Ltd. | Method of holding substrate and substrate holding system |
| US6524428B2 (en) | 1993-09-16 | 2003-02-25 | Hitachi, Ltd. | Method of holding substrate and substrate holding system |
| US6544379B2 (en) | 1993-09-16 | 2003-04-08 | Hitachi, Ltd. | Method of holding substrate and substrate holding system |
| US6610171B2 (en) | 1993-09-16 | 2003-08-26 | Hitachi, Ltd. | Method of holding substrate and substrate holding system |
| US6610170B2 (en) | 1993-09-16 | 2003-08-26 | Hitachi, Ltd. | Method of holding substrate and substrate holding system |
| US6645871B2 (en) | 1993-09-16 | 2003-11-11 | Hitachi, Ltd. | Method of holding substrate and substrate holding system |
| US6899789B2 (en) | 1993-09-16 | 2005-05-31 | Hitachi, Ltd. | Method of holding substrate and substrate holding system |
| JPH07169825A (ja) * | 1993-12-15 | 1995-07-04 | Nec Corp | 静電吸着装置 |
| JPH09120987A (ja) * | 1995-07-10 | 1997-05-06 | Watkins Johnson Co | 静電チャックアセンブリ |
| US5838528A (en) * | 1995-07-10 | 1998-11-17 | Watkins-Johnson Company | Electrostatic chuck assembly |
| US6255223B1 (en) | 1998-03-12 | 2001-07-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Substrate handling method and apparatus, and attractive force inspection method and apparatus used therewith |
| US6648976B1 (en) | 1999-02-24 | 2003-11-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus and method for plasma processing |
| KR101011858B1 (ko) * | 2007-06-05 | 2011-01-31 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치, 전극 온도 조정 장치, 전극 온도 조정방법 |
| KR100984177B1 (ko) * | 2008-06-13 | 2010-09-28 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 정전척 및 이를 이용한 플라즈마 이온주입장치 |
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