JPH03104285U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH03104285U JPH03104285U JP1307190U JP1307190U JPH03104285U JP H03104285 U JPH03104285 U JP H03104285U JP 1307190 U JP1307190 U JP 1307190U JP 1307190 U JP1307190 U JP 1307190U JP H03104285 U JPH03104285 U JP H03104285U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compartments
- cooling
- lighting
- compressor
- vending machine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000010792 warming Methods 0.000 claims description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 210000005240 left ventricle Anatomy 0.000 description 1
- 210000005241 right ventricle Anatomy 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Vending Devices And Auxiliary Devices For Vending Devices (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例における自動販売機
の冷却加温制御装置の概要構成図、第２図は本考
案の一実施例の冷却加温制御装置の回路図、第３
図は第２図のブロツク図、第４図は第２図の動作
フローチヤート、第５図は従来の自動販売機の冷
却加温制御装置の概要構成図、第６図は従来例の
冷却加温制御装置の回路図である。 １……左室、２……中室、３……右室、４，５
……仕切板、６……圧縮機、７，８……冷却器、
９……バルブ、１０，１１……加温用ヒータ、１
２，１３，１４……フアン、１５，１６……コー
ルドサーモ、１７，１８……ホツトサーモ、１９
……シヤツター、２０……照明、２１，２２……
主ヒータ、２１Ａ，２２Ａ……補助ヒータ、２３
……リレー（Ｒ）、２３Ａ……リレー（Ｒ）の接
点、２４……スイツチ、２５……冷却加温切替制
御手段、２６……切替手段。
の冷却加温制御装置の概要構成図、第２図は本考
案の一実施例の冷却加温制御装置の回路図、第３
図は第２図のブロツク図、第４図は第２図の動作
フローチヤート、第５図は従来の自動販売機の冷
却加温制御装置の概要構成図、第６図は従来例の
冷却加温制御装置の回路図である。 １……左室、２……中室、３……右室、４，５
……仕切板、６……圧縮機、７，８……冷却器、
９……バルブ、１０，１１……加温用ヒータ、１
２，１３，１４……フアン、１５，１６……コー
ルドサーモ、１７，１８……ホツトサーモ、１９
……シヤツター、２０……照明、２１，２２……
主ヒータ、２１Ａ，２２Ａ……補助ヒータ、２３
……リレー（Ｒ）、２３Ａ……リレー（Ｒ）の接
点、２４……スイツチ、２５……冷却加温切替制
御手段、２６……切替手段。
Claims (1)
- 自動販売機に設けた照明と、前記自動販売機内
に設けられ複数の断熱した仕切板にて仕切られた
少くとも３室の区画室と、前記区画室を冷却する
圧縮機と、前記区画室を加温する直列に接続され
た主ヒータと補助ヒータとを有し、前記照明が点
灯していることを検知する照明点灯検知手段と、
前記区画室のうち複数の区画室に設けられた冷却
加温切替制御手段と、前記照明点灯検知手段から
前記照明が点灯していることを検知した信号を入
力し、しかも前記冷却加温切替制御手段により前
記区画室のうち少なくとも１室を冷却、複数室を
加温しているとき、前記圧縮機による冷却運転を
優先させ、少なくとも１つの前記区画室の主ヒー
タ、補助ヒータを前記圧縮機の運転が終了するま
で直列運転する切替手段とを備えた自動販売機の
冷却加温制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1307190U JPH03104285U (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1307190U JPH03104285U (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03104285U true JPH03104285U (ja) | 1991-10-29 |
Family
ID=31516511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1307190U Pending JPH03104285U (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03104285U (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8902639B2 (en) | 2010-02-15 | 2014-12-02 | Micron Technology, Inc. | Cross-point memory cells, non-volatile memory arrays, methods of reading a memory cell, methods of programming a memory cell, methods of writing to and reading from a memory cell, and computer systems |
| US9236473B2 (en) | 2010-02-15 | 2016-01-12 | Micron Technology, Inc. | Field effect transistor devices |
| US9275728B2 (en) | 2010-08-12 | 2016-03-01 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, non-volatile memory arrays, methods of operating memory cells, methods of writing to and writing from a memory cell, and methods of programming a memory cell |
-
1990
- 1990-02-15 JP JP1307190U patent/JPH03104285U/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8902639B2 (en) | 2010-02-15 | 2014-12-02 | Micron Technology, Inc. | Cross-point memory cells, non-volatile memory arrays, methods of reading a memory cell, methods of programming a memory cell, methods of writing to and reading from a memory cell, and computer systems |
| US9236473B2 (en) | 2010-02-15 | 2016-01-12 | Micron Technology, Inc. | Field effect transistor devices |
| US9419215B2 (en) | 2010-02-15 | 2016-08-16 | Micron Technology, Inc. | Cross-point memory cells, non-volatile memory arrays, methods of reading a memory cell, methods of programming a memory cell, methods of writing to and reading from a memory cell, and computer systems |
| US9275728B2 (en) | 2010-08-12 | 2016-03-01 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, non-volatile memory arrays, methods of operating memory cells, methods of writing to and writing from a memory cell, and methods of programming a memory cell |
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