JPH03104892A - 有機イソシアネート類の製造法 - Google Patents
有機イソシアネート類の製造法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は有機インシアネート類の製造法に関する。
[従来の技術コ
従来、有機インシアネート類の製造法の例としてはカル
ボン酸アミドを出発物質とするホフマン反応による方法
がある。例えば(1)臭素、水酸化ナトリウムにより、
2相溶媒系でインシアネートを製造する方法( Tet
rahedron Letters 21. 2
223(1980)) 、(2)K B rを用いてメ
タノール中で電解酸化する方法がある(Chem+1s
try Letters 5G5 (1982))。
ボン酸アミドを出発物質とするホフマン反応による方法
がある。例えば(1)臭素、水酸化ナトリウムにより、
2相溶媒系でインシアネートを製造する方法( Tet
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223(1980)) 、(2)K B rを用いてメ
タノール中で電解酸化する方法がある(Chem+1s
try Letters 5G5 (1982))。
[発明が解決しようとする課題コ
しかし、これらの製造法には以下の問題点があった。即
ち、(l)の製造法では有毒な臭素自身を取り扱う必要
があり、(2)の製造法では比較的薄い基質濃度での均
一溶媒系であるため、工業的生産を考慮すると生成物の
みを分離する工程が煩雑になって連続生産には適さず、
経済的に不利である。
ち、(l)の製造法では有毒な臭素自身を取り扱う必要
があり、(2)の製造法では比較的薄い基質濃度での均
一溶媒系であるため、工業的生産を考慮すると生成物の
みを分離する工程が煩雑になって連続生産には適さず、
経済的に不利である。
[課題を解決するための手段]
本発明者らは有毒な臭素などのハロゲン自身を取り扱わ
ず、しかも生成物の分離・取り出しが容易で連続生産に
適した有機インシアネート類を製造する方法を得るべく
鋭意検討した結果、本発明に到達した。
ず、しかも生成物の分離・取り出しが容易で連続生産に
適した有機インシアネート類を製造する方法を得るべく
鋭意検討した結果、本発明に到達した。
すなわち、本発明は水および水と不均一系を構成する有
機溶媒からなる2相の溶媒系にハロゲン基含有支持電解
質および相間移動触媒を溶解させ、ネート類の製造法で
ある。
機溶媒からなる2相の溶媒系にハロゲン基含有支持電解
質および相間移動触媒を溶解させ、ネート類の製造法で
ある。
本発明において水と不均一系を構成する有機溶媒として
は下記のものが挙げられる。
は下記のものが挙げられる。
(1)ハロゲン系有機溶媒
塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、トリクレン
、バークレン、エチレンジクロリドなトオよびこれらの
混合物。
、バークレン、エチレンジクロリドなトオよびこれらの
混合物。
(2)炭化水素系有機溶媒
n−へキサン、シクロヘキサン、n−オクタン、n−ヘ
ブタン、ベンゼン、トルエン、キシレンなどおよびこれ
らの混合物。
ブタン、ベンゼン、トルエン、キシレンなどおよびこれ
らの混合物。
(3)エーテル系有機溶媒
ジメチルエーテル、ジエチルエーテルなどおよびこれら
の混合物。
の混合物。
(4)ケトン系有機溶媒
メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトンなどおよ
びこれらの混合物。
びこれらの混合物。
(5)アルコール系有機溶媒
t−ブチルアルコールなど。
これらのうちで好ましくはハロゲン系有機溶媒であり、
さらに好ましくは塩化メチレンである。
さらに好ましくは塩化メチレンである。
カルボン酸アミドとしては下記の化合物が挙げられる。
A.脂肪族アミド類
(A−1)脂肪族鎖状モノカルボン酸アミド類炭素数が
通常2〜22の脂肪族鎖状モノカルボン酸アミド例えば
アセトアミド、プロピオン酸アミド、プチルアミド、カ
プロン酸アミド、ラウリン酸アミド、ステアリン酸アミ
ドなと。
通常2〜22の脂肪族鎖状モノカルボン酸アミド例えば
アセトアミド、プロピオン酸アミド、プチルアミド、カ
プロン酸アミド、ラウリン酸アミド、ステアリン酸アミ
ドなと。
(A−2)脂肪族鎖状ポリカルボン酸アミド類炭素数が
通常3〜22の脂肪族鎖状ポリカルボン酸のボリアミド
例えばマロン酸ジアミド、コハク酸ジアミド、アジビン
酸ジアミド、スベリン酸ジアミド、セバチン酸ジアミド
、テトラデカンジカルボン酸ジアミド、オクタデカンジ
カルボン酸ジアミド、6−エチルヘキサデカンジカルボ
ン酸ジアミ ドなど。
通常3〜22の脂肪族鎖状ポリカルボン酸のボリアミド
例えばマロン酸ジアミド、コハク酸ジアミド、アジビン
酸ジアミド、スベリン酸ジアミド、セバチン酸ジアミド
、テトラデカンジカルボン酸ジアミド、オクタデカンジ
カルボン酸ジアミド、6−エチルヘキサデカンジカルボ
ン酸ジアミ ドなど。
(A−3)脂環式モノカルボン酸アミド類シクロペンタ
ンモノカノレボン酸アミド、シクロヘキサンモノカルボ
ン酸アミドなと。
ンモノカノレボン酸アミド、シクロヘキサンモノカルボ
ン酸アミドなと。
(A−4)脂環式ポリカルボン酸アミドシクロヘキサン
−1.4−ジカノレボン酸アミド、4.4’−ジシクロ
ヘキシノレメタンジアミドなど。
−1.4−ジカノレボン酸アミド、4.4’−ジシクロ
ヘキシノレメタンジアミドなど。
B.芳香族アミド類
(B−1)芳香族モノカルボン酸アミド安息香酸アミド
、トルイル酸アミド、フェニル酢酸アミド、ナフトエ酸
アミドなと。
、トルイル酸アミド、フェニル酢酸アミド、ナフトエ酸
アミドなと。
(B−2)芳香族ポリカルボン酸アミドテレフタル酸ジ
アミド、イソフタル酸ジアミド、フタル酸ジアミド、ト
ルエンジカルボン酸ジアミド、4.4’−ジフェニルメ
タンジアミド、ベンゼントリカルボン酸トリアミド、ナ
フタリンジカルボン酸ジアミドなど。
アミド、イソフタル酸ジアミド、フタル酸ジアミド、ト
ルエンジカルボン酸ジアミド、4.4’−ジフェニルメ
タンジアミド、ベンゼントリカルボン酸トリアミド、ナ
フタリンジカルボン酸ジアミドなど。
これらのうちで好ましくは脂環式モノカルボン酸アミが
脂肪族鎖状ポリカルボン酸アミド類、芳香族モノカルボ
ン酸アミドおよび芳香族ポリカルボン酸アミドである。
脂肪族鎖状ポリカルボン酸アミド類、芳香族モノカルボ
ン酸アミドおよび芳香族ポリカルボン酸アミドである。
ハロゲン基含有支持電解質としてはカチオン部分が水素
H4、アルカリ金属(例えばN a4、Ll”、K4な
ど)、アルカリ土類金属(例えばCa2゛ Mg2◆な
ど)またはアルキル置換もしくは非置換アンモニウムで
あり、アニオン部分がハロゲン基(例えばBr−,
C I −+ I一等)である塩が用いられる。
H4、アルカリ金属(例えばN a4、Ll”、K4な
ど)、アルカリ土類金属(例えばCa2゛ Mg2◆な
ど)またはアルキル置換もしくは非置換アンモニウムで
あり、アニオン部分がハロゲン基(例えばBr−,
C I −+ I一等)である塩が用いられる。
これらのうち好ましくはアルカリ金属のハロゲン塩であ
る。
る。
相間移動触媒としては下記の化合物が挙げられる。
(A−1)四級アンモニウム塩類
ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド、テトラプチ
ルアンモニウム硫酸水素塩、テトラメチルアンモニウム
ブロマイド、テトラエチルアンモニウムアイオダイドな
ど。
ルアンモニウム硫酸水素塩、テトラメチルアンモニウム
ブロマイド、テトラエチルアンモニウムアイオダイドな
ど。
(A−2)クラウンエーテル類
シヘンソ−18−クラウン−61 ジシクロヘキシノ
レ−18−クラウン−6、18−クラウン−6など。
レ−18−クラウン−6、18−クラウン−6など。
(A−3)クリプタンド類など
rとしてとしてとして]一クリプテートなど。
これらのうち好ましくは四級アンモニウム塩類であり、
さらに好ましくはテトラブチルアンモニウム硫酸水素塩
である。
さらに好ましくはテトラブチルアンモニウム硫酸水素塩
である。
本発明において、水と水と不均一系を構成する有機溶媒
の割合は体積比で10:90〜90:10であり、好ま
しくは30:7G〜70:3Gである。
の割合は体積比で10:90〜90:10であり、好ま
しくは30:7G〜70:3Gである。
カルボン酸アミドの水および水と不均一系を構成する有
機溶媒の総体積に対する濃度は通常0.1〜201wt
/volであり、好ましくは0 .5〜10 .0Xv
t/vo Iである。ハロゲン基含有支持電解質の水に
対する濃度は通常0.3〜1 5vt%であり、好まし
くは1.0〜8.Owtlである。
機溶媒の総体積に対する濃度は通常0.1〜201wt
/volであり、好ましくは0 .5〜10 .0Xv
t/vo Iである。ハロゲン基含有支持電解質の水に
対する濃度は通常0.3〜1 5vt%であり、好まし
くは1.0〜8.Owtlである。
相間移動触媒の水に対する濃度は通常0.05〜として
0%であり、好ましくは0.1−1.0%である。
0%であり、好ましくは0.1−1.0%である。
本発明における反応は通常は無隔膜のビーカー型の電解
槽で行われ、電解槽の中の水にハロゲン基含有支持電解
質と相間移動触媒を溶解させ、さらに基質としてのカル
ボン酸アミドを溶解または分散させた後、有機溶媒を加
える。マグネチックスクーラー用の回転子を入れた後、
電極および温度計さらに必要に応じてガス抜き管または
冷却管を取り付ける。本発明における電解酸化の電極材
料としては陽極として例えば炭素系材料(グラファイト
およびグラッシーカーボンなど)、白金または白金合金
(例えば白金/チタン)などの板状、棒状、網状のもの
が用いられる。これらのうち好ましくは白金である。
槽で行われ、電解槽の中の水にハロゲン基含有支持電解
質と相間移動触媒を溶解させ、さらに基質としてのカル
ボン酸アミドを溶解または分散させた後、有機溶媒を加
える。マグネチックスクーラー用の回転子を入れた後、
電極および温度計さらに必要に応じてガス抜き管または
冷却管を取り付ける。本発明における電解酸化の電極材
料としては陽極として例えば炭素系材料(グラファイト
およびグラッシーカーボンなど)、白金または白金合金
(例えば白金/チタン)などの板状、棒状、網状のもの
が用いられる。これらのうち好ましくは白金である。
陰極としてはたとえば炭素系材料(グラファイトおよび
グラッシーカーボンなど)、銅、鉄、ステンレス鋼、ニ
ッケル、亜鉛などの板状、棒状、網状のものが用いられ
る。これらのうちで好ましくはニッケルとステンレス鋼
である。
グラッシーカーボンなど)、銅、鉄、ステンレス鋼、ニ
ッケル、亜鉛などの板状、棒状、網状のものが用いられ
る。これらのうちで好ましくはニッケルとステンレス鋼
である。
反応温度は一般にO〜80℃の範囲で行われ、好ましく
は20−GO℃である また、本発明の溶媒系は2相系であるので2相の接触が
充分になるように攪拌を充分に行う必要があり、小規模
の場合は強力なマグネチックスクーラーなどで攪拌が必
要であり、大規模の場合は高速での液の循環などによる
攪拌が必要である。
は20−GO℃である また、本発明の溶媒系は2相系であるので2相の接触が
充分になるように攪拌を充分に行う必要があり、小規模
の場合は強力なマグネチックスクーラーなどで攪拌が必
要であり、大規模の場合は高速での液の循環などによる
攪拌が必要である。
陽極の電流密度は3〜100mA/cm2の範囲にわた
って選びうるが、好ましくは5〜30mA/am2であ
る。
って選びうるが、好ましくは5〜30mA/am2であ
る。
上記の条件で電極酸化を行うと、有機インシアネートは
有機溶媒相に生成するので生成物の分離をするため、水
相と有機相を分離し、溶媒除去、抽出などの操作によっ
て目的とする有機インシアネートを得ることが出来る。
有機溶媒相に生成するので生成物の分離をするため、水
相と有機相を分離し、溶媒除去、抽出などの操作によっ
て目的とする有機インシアネートを得ることが出来る。
さらに、生成物を含んだ有機溶媒相のみを連続的に分離
して溶媒を回収し再使用するとともに、水相はそのまま
再使用できるので、原料のカルボン酸アミドを連続的に
補給することにより連続生産プロセスとすることも可能
である。
して溶媒を回収し再使用するとともに、水相はそのまま
再使用できるので、原料のカルボン酸アミドを連続的に
補給することにより連続生産プロセスとすることも可能
である。
[実施例]
以下に実施例により本発明を具体的に説明するが本発明
はこれに限定されるものではない。
はこれに限定されるものではない。
実施例1
容量100mlのビーカー型無隔膜電解槽内に陽極とし
て白金板(4c謬x 8cm)と陰極としてニッケル板
(3c+zX 3c■)および温度計と冷却管を取り付
けて電解酸化装置とした。電解槽に水40n+l、K
B r 1.8g(0.013モ0、テトラブチルアン
モニウム硫酸水素塩0.2g (0.0006−t−ル
)、サらにシクロヘキサンモノカルボン酸アミド1 .
8g (0.013モル)、有機溶媒として塩化メチレ
ン40mlを加えた。液温を30”Cに保つため電解槽
を外部から温水で加温し、電解槽内をマグネチックスタ
ーラーで攪拌しながら極間電圧2 − 4V, 定電
流値320mA (電流密度]hA/cm’) (D条
件下にとして7F/n+olの電流量(理論電流量の1
35%)を3時間を要して通電し、電解酸化を行った。
て白金板(4c謬x 8cm)と陰極としてニッケル板
(3c+zX 3c■)および温度計と冷却管を取り付
けて電解酸化装置とした。電解槽に水40n+l、K
B r 1.8g(0.013モ0、テトラブチルアン
モニウム硫酸水素塩0.2g (0.0006−t−ル
)、サらにシクロヘキサンモノカルボン酸アミド1 .
8g (0.013モル)、有機溶媒として塩化メチレ
ン40mlを加えた。液温を30”Cに保つため電解槽
を外部から温水で加温し、電解槽内をマグネチックスタ
ーラーで攪拌しながら極間電圧2 − 4V, 定電
流値320mA (電流密度]hA/cm’) (D条
件下にとして7F/n+olの電流量(理論電流量の1
35%)を3時間を要して通電し、電解酸化を行った。
反応終了後、水相と有機溶媒相を分液し、有機溶媒相中
に残留している臭素イオンを除去するためチオ硫酸ナト
リウム粉末として0gを投入して1時間撹拌し、固形物
を濾別した。 濾液から減圧下で溶媒ヲ除去し、さら
に粗インシアネートを減圧下で蒸留して純度38%のシ
クロヘキサンモノイソシアネー} 1 .07g (収
率67%)を得た。 (純度はガスクロマトグラフィー
で測定) 実施例2〜9 実施例1と同様の電解酸化装置で表−1のカルボン酸ア
ミド1 . Ilig, ハロゲン基含有支持電解質
1 .8gおよび表−1の電流密度の条件で電解酸化を
行った。その他の原料仕込量、電解条件および後処理方
法は実施例−1と同様である。
に残留している臭素イオンを除去するためチオ硫酸ナト
リウム粉末として0gを投入して1時間撹拌し、固形物
を濾別した。 濾液から減圧下で溶媒ヲ除去し、さら
に粗インシアネートを減圧下で蒸留して純度38%のシ
クロヘキサンモノイソシアネー} 1 .07g (収
率67%)を得た。 (純度はガスクロマトグラフィー
で測定) 実施例2〜9 実施例1と同様の電解酸化装置で表−1のカルボン酸ア
ミド1 . Ilig, ハロゲン基含有支持電解質
1 .8gおよび表−1の電流密度の条件で電解酸化を
行った。その他の原料仕込量、電解条件および後処理方
法は実施例−1と同様である。
カルボン酸アミド:
A:n一カプロン酸アミド
B:シクロヘキサンモノカルボン酸アミドC: シクロ
ペンタンモノカルボン酸アミドD= シクロヘキサン−
1.4−ジカルボン酸アミドE:テレフタル酸ジアミド 電流密度の単位: mA/c” 収率:原料のアえドの仕込量から計算される理論的な得
量に対する実際の得量の割合(%)表−1 実施例10〜14 実施例1に記載の電解装置で表−2のカルボン酸アミド
1.[igおよび表−2の温度の条件で電解酸化を行っ
た。その他の原料の仕込量、電解条件および後処理方法
は実施例1と同様である。
ペンタンモノカルボン酸アミドD= シクロヘキサン−
1.4−ジカルボン酸アミドE:テレフタル酸ジアミド 電流密度の単位: mA/c” 収率:原料のアえドの仕込量から計算される理論的な得
量に対する実際の得量の割合(%)表−1 実施例10〜14 実施例1に記載の電解装置で表−2のカルボン酸アミド
1.[igおよび表−2の温度の条件で電解酸化を行っ
た。その他の原料の仕込量、電解条件および後処理方法
は実施例1と同様である。
表−2
表−3
実施例15〜19
実施例1と同様の電解装置でカルボン酸アミドとしてシ
クロヘキサンモノカノレボン酸アミドIJgと表−3の
有機溶媒401lと相間移動触媒(PTC)を0.3g
を用いて電解酸化を行った。その他の原料仕込量、電解
条件および後処理方法は実施例1と同様である。
クロヘキサンモノカノレボン酸アミドIJgと表−3の
有機溶媒401lと相間移動触媒(PTC)を0.3g
を用いて電解酸化を行った。その他の原料仕込量、電解
条件および後処理方法は実施例1と同様である。
PTC:相間移動触媒(Phase Transfer
Catalyst) イ: テトラブチルアンモニウム硫酸水素塩ロ: テト
ラエチルアンモニウムトシレート実施例20 容量200m lのビーカー型無隔膜電解槽内に電極と
して白金板( 5cmX 12co+)と陰極としてニ
ッケル板(4cmX 5cm)および温度計と冷却管を
取り付けて電解酸化装置とした。電解槽に水80ml、
KBr4.Og(0.034モル)、テトラブチルアン
モニウム硫酸水素塩0.4g (0.0Ol2モル)、
さらにシクロヘキサン−1,4−ジカルボン酸アミド2
,Ilig (0.015モル)、有機溶媒として塩化
メチレン80mlを加えた。液温を35℃に保つため電
解槽を外郎から温水で加温し、電解槽内をマグネチック
スクーラーで撹拌しながら極間電圧2 − GV1
定電流値720mA (電流密度12+gA/cm2)
の条件下に4F/n+olの電流量(理論電流量のlO
O%)をとして2時間を要して通電し、電解酸化を行っ
た。
Catalyst) イ: テトラブチルアンモニウム硫酸水素塩ロ: テト
ラエチルアンモニウムトシレート実施例20 容量200m lのビーカー型無隔膜電解槽内に電極と
して白金板( 5cmX 12co+)と陰極としてニ
ッケル板(4cmX 5cm)および温度計と冷却管を
取り付けて電解酸化装置とした。電解槽に水80ml、
KBr4.Og(0.034モル)、テトラブチルアン
モニウム硫酸水素塩0.4g (0.0Ol2モル)、
さらにシクロヘキサン−1,4−ジカルボン酸アミド2
,Ilig (0.015モル)、有機溶媒として塩化
メチレン80mlを加えた。液温を35℃に保つため電
解槽を外郎から温水で加温し、電解槽内をマグネチック
スクーラーで撹拌しながら極間電圧2 − GV1
定電流値720mA (電流密度12+gA/cm2)
の条件下に4F/n+olの電流量(理論電流量のlO
O%)をとして2時間を要して通電し、電解酸化を行っ
た。
反応終了後、水相と有機溶媒相を分離し、有機溶媒相中
に残留している臭素イオンを除去するためチオ硫酸ナト
リウム粉末3.0gを投入して1時間撹し、固形物を濾
別した。 濾液から減圧下で溶媒を除去し、粗インシ
アネートを得た。また、回収した溶媒75mlに原料の
1,4−シクロヘキサンジアミドとして0gと新たな溶
媒(塩化メチレン)5mlを加えて電解槽に残っている
水相に加えた。この電解液を上記と同様の電解条件にて
電解酸化した。この操作をさらに3回繰り返し、得られ
た粗インシアネー} 10.4gを減圧蒸留して純度9
7%の1,4−シクロヘキサンジイソシアネート8.0
gを得た。 (収率75%)[発明の効果コ 本発明の製造法は次のような効果を奏する。
に残留している臭素イオンを除去するためチオ硫酸ナト
リウム粉末3.0gを投入して1時間撹し、固形物を濾
別した。 濾液から減圧下で溶媒を除去し、粗インシ
アネートを得た。また、回収した溶媒75mlに原料の
1,4−シクロヘキサンジアミドとして0gと新たな溶
媒(塩化メチレン)5mlを加えて電解槽に残っている
水相に加えた。この電解液を上記と同様の電解条件にて
電解酸化した。この操作をさらに3回繰り返し、得られ
た粗インシアネー} 10.4gを減圧蒸留して純度9
7%の1,4−シクロヘキサンジイソシアネート8.0
gを得た。 (収率75%)[発明の効果コ 本発明の製造法は次のような効果を奏する。
即ち、有毒なハロゲン自身を取り扱わず、しかも生成物
の分離・取り出しが容易で連続生産に適した製造法で有
機インシアネート類を製造することができる。
の分離・取り出しが容易で連続生産に適した製造法で有
機インシアネート類を製造することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、水および水と不均一系を構成する有機溶媒からなる
2相の溶媒系にハロゲン基含有支持電解質および相間移
動触媒を溶解させ、基質としてカルボン酸アミドを溶解
または分散させてなる溶液又は分散液を電解酸化するこ
とを特徴とする有機イソシアネート類の製造法。 2、カルボン酸アミドが脂肪族鎖状モノカルボン酸アミ
ド類、脂肪族鎖状ポリカルボン酸アミド類、脂環式モノ
カルボン酸アミド類、脂環式ポリカルボン酸アミド類、
芳香族モノカルボン酸アミド類または芳香族ポリカルボ
ン酸アミド類である請求項1記載の有機イソシアネート
類の製造法。 3、ハロゲン基含有支持電解質がアルカリ金属またはア
ルカリ土類金属のハロゲン塩である請求項1または2記
載の有機イソシアネート類の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1210417A JPH03104892A (ja) | 1989-08-15 | 1989-08-15 | 有機イソシアネート類の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1210417A JPH03104892A (ja) | 1989-08-15 | 1989-08-15 | 有機イソシアネート類の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03104892A true JPH03104892A (ja) | 1991-05-01 |
Family
ID=16588970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1210417A Pending JPH03104892A (ja) | 1989-08-15 | 1989-08-15 | 有機イソシアネート類の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03104892A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2265910B (en) * | 1992-04-07 | 1995-02-22 | Atomic Energy Authority Uk | Hydrolysis |
| WO2009010420A1 (de) * | 2007-07-13 | 2009-01-22 | Basf Se | Verfahren zur herstellung von isocyanaten durch anodische oxidation vom formamiden |
| CN113774412A (zh) * | 2020-05-20 | 2021-12-10 | 深圳有为技术控股集团有限公司 | 异氰酸酯的电化学脱氢氧化制备方法 |
-
1989
- 1989-08-15 JP JP1210417A patent/JPH03104892A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2265910B (en) * | 1992-04-07 | 1995-02-22 | Atomic Energy Authority Uk | Hydrolysis |
| WO2009010420A1 (de) * | 2007-07-13 | 2009-01-22 | Basf Se | Verfahren zur herstellung von isocyanaten durch anodische oxidation vom formamiden |
| CN113774412A (zh) * | 2020-05-20 | 2021-12-10 | 深圳有为技术控股集团有限公司 | 异氰酸酯的电化学脱氢氧化制备方法 |
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