JPH03105344A - 光学マスクの製造方法及び光学マスクの修正方法 - Google Patents
光学マスクの製造方法及び光学マスクの修正方法Info
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- JPH03105344A JPH03105344A JP1244577A JP24457789A JPH03105344A JP H03105344 A JPH03105344 A JP H03105344A JP 1244577 A JP1244577 A JP 1244577A JP 24457789 A JP24457789 A JP 24457789A JP H03105344 A JPH03105344 A JP H03105344A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
半専体装置の製造に用いられる投影露光装置用の光学マ
スクを製造する光学マスクの製造方法及び製造された光
学マスクを修正する光学マスクの修正方法に関し、 位相シフタの膜厚制御性がよく、位相シフタの有無によ
り光透過率が異なることのない光学マスクの製造方法及
び位相シフタの欠陥修正を容易に行うことができる光学
マスクの修正方法を提供することを目的とし、 光学ラスク基板の位相シフタ形成領域に露光光の位相を
反転させる位相シフタを形成する光学マスクの製造方法
において、前記光学マスク基板上に、前記位相シフタ形
戒領域が開口したレジスト層を形戒する工程と、前記レ
ジスト層をマスクとして、位相シフタ材刺をイオンビー
ムアシスＩ・蒸着法により蒸着する工程と、前記レジス
ト層を除去する工程とを有するように梢或する６［産業
上の利用分野］ 本発明は半８！体装置の製造に用いられる投影露光装置
用の光学マスクを製造する光学マスクの製造方法及び製
造された光学マスクを修正する光学マスクの修正方法に
関する． 近年の超ＬＳＩの開発において、超高１Ｎ積化を実現す
るために、サブミクロンからハーフミクロンのパターン
形成が必要になってきた。例えば、４Ｍ−ＤＲＡＭでは
０．８ｕｍ、１６Ｍ−ＤＲＡＭでは０．５〜０．６μｍ
の設計ルールであり、更に６４Ｍ−ＤＲＡＭでは０．３
μｍもの設計ルールとなる．このような微細化を実現す
るため、パターンを形戒するためのリングラフイ工程に
おいて量産性と解＠性に優れた縮小投影露光装置（ステ
ッパー〉が採用されている．この縮小投影露光装置の性
能を限界まで引出すために、レジスト材料やレジストプ
ロセスの改良が進められているが、縮小投影露光装置の
性能限界を更に向上させるものとして光学マスク（レチ
クル）に位相シフタを形成する位相シフトリングラフィ
と呼ばれる技術がある． 位相シフトリソグラフイは、光学マスクを透過する光の
位相を操作することにより投影像の光強度及びコントラ
ストを向上させる技術である．位相シフトリングラフィ
においては、光学マスクの隣接する光透過部の一方に光
の位相を反転させる位相シフタを設ける．透過した光は
隣接する光透過部間で互いに逆位相のため、光透過部の
境界部で光強度がほぼゼロとなりコントラストが向上す
るためパターンを分離できる． ［従来の技術コ 位相シフトリングラフィに用いる従来の光学マ？クを第
５図及び第６図に示す。
スクを製造する光学マスクの製造方法及び製造された光
学マスクを修正する光学マスクの修正方法に関し、 位相シフタの膜厚制御性がよく、位相シフタの有無によ
り光透過率が異なることのない光学マスクの製造方法及
び位相シフタの欠陥修正を容易に行うことができる光学
マスクの修正方法を提供することを目的とし、 光学ラスク基板の位相シフタ形成領域に露光光の位相を
反転させる位相シフタを形成する光学マスクの製造方法
において、前記光学マスク基板上に、前記位相シフタ形
戒領域が開口したレジスト層を形戒する工程と、前記レ
ジスト層をマスクとして、位相シフタ材刺をイオンビー
ムアシスＩ・蒸着法により蒸着する工程と、前記レジス
ト層を除去する工程とを有するように梢或する６［産業
上の利用分野］ 本発明は半８！体装置の製造に用いられる投影露光装置
用の光学マスクを製造する光学マスクの製造方法及び製
造された光学マスクを修正する光学マスクの修正方法に
関する． 近年の超ＬＳＩの開発において、超高１Ｎ積化を実現す
るために、サブミクロンからハーフミクロンのパターン
形成が必要になってきた。例えば、４Ｍ−ＤＲＡＭでは
０．８ｕｍ、１６Ｍ−ＤＲＡＭでは０．５〜０．６μｍ
の設計ルールであり、更に６４Ｍ−ＤＲＡＭでは０．３
μｍもの設計ルールとなる．このような微細化を実現す
るため、パターンを形戒するためのリングラフイ工程に
おいて量産性と解＠性に優れた縮小投影露光装置（ステ
ッパー〉が採用されている．この縮小投影露光装置の性
能を限界まで引出すために、レジスト材料やレジストプ
ロセスの改良が進められているが、縮小投影露光装置の
性能限界を更に向上させるものとして光学マスク（レチ
クル）に位相シフタを形成する位相シフトリングラフィ
と呼ばれる技術がある． 位相シフトリソグラフイは、光学マスクを透過する光の
位相を操作することにより投影像の光強度及びコントラ
ストを向上させる技術である．位相シフトリングラフィ
においては、光学マスクの隣接する光透過部の一方に光
の位相を反転させる位相シフタを設ける．透過した光は
隣接する光透過部間で互いに逆位相のため、光透過部の
境界部で光強度がほぼゼロとなりコントラストが向上す
るためパターンを分離できる． ［従来の技術コ 位相シフトリングラフィに用いる従来の光学マ？クを第
５図及び第６図に示す。
第５図に示す光学マスクは、石英で作られた光学マスク
基板４０上に窒化膜（ＳｉＮ）４２を介して位相シフタ
としての酸化（５ （ Ｓ ｔ Ｏ■）４４が形成され
、酸化膜４４上に遮光マスクであるクロム膜４６が形成
されている。クロム膜４６の隣接する光透過部４６ａ、
４６ｂの一方の光透過部４６ｂのみに位相を１８０度反
転させる厚さの酸化［４４が形戒されている． 第５図の光学マスクでは位相シフタとなる酸化Ｍ４４を
スバッタ又はＣＶＤ法により全面に形成し、その後Ｒ細
加工により不要部分である光透過部４６ａをエッチング
除去するようにして形成する．窒化ＷＡ４２は酸化膜４
４をエッチング除去する際のエッチングストッパとして
設けている．第６図に示す光学マスクは、石英で作られ
た光学マスク基板４０全面に窒化膜４２が形成され、こ
の窒化膜４２上に遮光マスクであるクロム膜４６が形成
されている。クロムＷＡ４６の隣接する光透過部４６ａ
、４６ｂの一方の光透過部４６ａのみに位相を１８０度
反転させる厚さのＳＯＧ膜４８が形成されている． 第６図の光学マスクではＳＯＧＪ摸４８をスビンコート
により塗布した後にＩｆｉ４［ＩＩ加工により光透過部
４６ａ上のＳＯＧＩＩＡ４８を残して池の部分をエッチ
ング除去している．窒化膜４２はＳＯＧＭ４８をエッチ
ング除去する際のエッチングストッパとして設けている
。
基板４０上に窒化膜（ＳｉＮ）４２を介して位相シフタ
としての酸化（５ （ Ｓ ｔ Ｏ■）４４が形成され
、酸化膜４４上に遮光マスクであるクロム膜４６が形成
されている。クロム膜４６の隣接する光透過部４６ａ、
４６ｂの一方の光透過部４６ｂのみに位相を１８０度反
転させる厚さの酸化［４４が形戒されている． 第５図の光学マスクでは位相シフタとなる酸化Ｍ４４を
スバッタ又はＣＶＤ法により全面に形成し、その後Ｒ細
加工により不要部分である光透過部４６ａをエッチング
除去するようにして形成する．窒化ＷＡ４２は酸化膜４
４をエッチング除去する際のエッチングストッパとして
設けている．第６図に示す光学マスクは、石英で作られ
た光学マスク基板４０全面に窒化膜４２が形成され、こ
の窒化膜４２上に遮光マスクであるクロム膜４６が形成
されている。クロムＷＡ４６の隣接する光透過部４６ａ
、４６ｂの一方の光透過部４６ａのみに位相を１８０度
反転させる厚さのＳＯＧ膜４８が形成されている． 第６図の光学マスクではＳＯＧＪ摸４８をスビンコート
により塗布した後にＩｆｉ４［ＩＩ加工により光透過部
４６ａ上のＳＯＧＩＩＡ４８を残して池の部分をエッチ
ング除去している．窒化膜４２はＳＯＧＭ４８をエッチ
ング除去する際のエッチングストッパとして設けている
。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、第５図及び第６図の従来の光学マスクで
は、光学マスク基板４０と位相シフタとしての酸化８４
４又はＳＯＧ膜の屈折率はほぼ同じであるが、間に挟ま
れた窒化膜４２の屈折率が大きく異なるため、透過光が
多重反射する等して、位相シフタの有無により光透過率
が異なり、パターンの寸法精度が悪くなるという問題が
あった．また、光学マスクはマスクパターンや位相シフ
タの欠けなどの欠陥が全く無い完全な良品が要求される
が、一度で無欠陥の光学マスクを作るのは困難であり、
位相シフタの欠陥を修正できることが望ましい，しかし
ながら、第５図の従来の光学マスクでは、位相シフタで
ある酸化Ｍ４４上にクロム［４６が形成されているため
、酸化膜４４のみを修正することは困難である。第６図
の光学マスクにおいても位相シフタであるＳＯＧＪｌ４
８をスビンコートにより塗布するようにしているため、
一部分だけにＳＯＧ膜４８を形成して欠陥修正すること
が困難である． さらに、第５図の従来の光学マスクでは位相シフタであ
る酸化膜４４をスパッタやＣＶＤ法で形成しているため
、良質な膜を得るためには２５０〜３５０℃で酸化Ｍ４
４を形成する必要があり、膜厚の制御が困難であるとい
う問題があった．また、第６図の従来の光学マスクでも
位相シフタであるＳＯＧ膜４８をスピンコート法により
形威した後のキュア時の膜減りにより、膜厚の制御が困
難であるという問題があった． 本発明は上記事情を考慮してなされたもので、位相シフ
タの膜厚制御性がよく、位相シフタの有無により光透過
率が異なることのない光学マスクの製造方法及び位相シ
フタの欠陥修正を容易に行うことができる光学マスクの
修正方法を提供することを目的とする． ［課題を解決するための手段］ 上記目的は、光学マスク基板の位相シフタ形成領域に露
光光の位相を反転させる位相シフタを形成する光学マス
クの製造方法において、前記光学マスク基板上に，．前
記位相シフタ形成領域が開口したレジスト層を形成する
工程と、前記レジスト層をマスクとして、位相シフタ材
料をイオンビームアシスト蒸着法により蒸着する工程と
、前記レジスト層を除去する工程とを有することを特徴
とする光学マスクの製造方法によって達成される．また
、上記目的は、光学マスク基板に形成された位相シフタ
を修復する光字マスクの修正方法において、前記光学マ
スク基板上に、修復すべき欠陥位相シフタを含む位相シ
フタ形成領域が開口したレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をマスクとして、前記欠陥位相シフタを
エッチング除去する工程と、前記レジスト層をマスクと
して、位相シフタ材料をイオンビームアシスト蒸着法に
より蒸着する工程と、前記レジスト層を除去する工程と
を有することを特徴とする光学マスクの修正方法によっ
て達成される． ［作用］ 本発明の光学マスクの製造方法によれば、位相シフタの
膜厚制御性がよく、位相シフタの有無により光透過率が
異なることのない． また、本発明の光学マスクの修正方法によれば、他の位
相シックに影響を与えることなく、欠陥位相シフタのみ
を選択的に除去して修復できる。
は、光学マスク基板４０と位相シフタとしての酸化８４
４又はＳＯＧ膜の屈折率はほぼ同じであるが、間に挟ま
れた窒化膜４２の屈折率が大きく異なるため、透過光が
多重反射する等して、位相シフタの有無により光透過率
が異なり、パターンの寸法精度が悪くなるという問題が
あった．また、光学マスクはマスクパターンや位相シフ
タの欠けなどの欠陥が全く無い完全な良品が要求される
が、一度で無欠陥の光学マスクを作るのは困難であり、
位相シフタの欠陥を修正できることが望ましい，しかし
ながら、第５図の従来の光学マスクでは、位相シフタで
ある酸化Ｍ４４上にクロム［４６が形成されているため
、酸化膜４４のみを修正することは困難である。第６図
の光学マスクにおいても位相シフタであるＳＯＧＪｌ４
８をスビンコートにより塗布するようにしているため、
一部分だけにＳＯＧ膜４８を形成して欠陥修正すること
が困難である． さらに、第５図の従来の光学マスクでは位相シフタであ
る酸化膜４４をスパッタやＣＶＤ法で形成しているため
、良質な膜を得るためには２５０〜３５０℃で酸化Ｍ４
４を形成する必要があり、膜厚の制御が困難であるとい
う問題があった．また、第６図の従来の光学マスクでも
位相シフタであるＳＯＧ膜４８をスピンコート法により
形威した後のキュア時の膜減りにより、膜厚の制御が困
難であるという問題があった． 本発明は上記事情を考慮してなされたもので、位相シフ
タの膜厚制御性がよく、位相シフタの有無により光透過
率が異なることのない光学マスクの製造方法及び位相シ
フタの欠陥修正を容易に行うことができる光学マスクの
修正方法を提供することを目的とする． ［課題を解決するための手段］ 上記目的は、光学マスク基板の位相シフタ形成領域に露
光光の位相を反転させる位相シフタを形成する光学マス
クの製造方法において、前記光学マスク基板上に，．前
記位相シフタ形成領域が開口したレジスト層を形成する
工程と、前記レジスト層をマスクとして、位相シフタ材
料をイオンビームアシスト蒸着法により蒸着する工程と
、前記レジスト層を除去する工程とを有することを特徴
とする光学マスクの製造方法によって達成される．また
、上記目的は、光学マスク基板に形成された位相シフタ
を修復する光字マスクの修正方法において、前記光学マ
スク基板上に、修復すべき欠陥位相シフタを含む位相シ
フタ形成領域が開口したレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をマスクとして、前記欠陥位相シフタを
エッチング除去する工程と、前記レジスト層をマスクと
して、位相シフタ材料をイオンビームアシスト蒸着法に
より蒸着する工程と、前記レジスト層を除去する工程と
を有することを特徴とする光学マスクの修正方法によっ
て達成される． ［作用］ 本発明の光学マスクの製造方法によれば、位相シフタの
膜厚制御性がよく、位相シフタの有無により光透過率が
異なることのない． また、本発明の光学マスクの修正方法によれば、他の位
相シックに影響を与えることなく、欠陥位相シフタのみ
を選択的に除去して修復できる。
［実施例］
本発明の一実施例による光学マスクの製造方法を第１図
を用いて説明する． 光学マスク基板１０は１２７ｍｍ角、厚さ２．３ｍｍの
例えば合成石英からなる基板である。この光学マスク基
板１０上に遮光マスクである厚さ８０ｎｍのクロム膜１
２が形成されている。クロム膜１２には隣接した光透過
部１２ａ，１２ｂが開口している．本実施例では光透過
部１２ａに位相シフタを形成するや まず、クロム膜１２上の全面にＥＢレジストのレジスト
層１４を形成する（第１図（ａ）），ＥＢレジストをス
ピンコート法により約１μｍ厚となるよう塗布し、その
後１８０℃で３０分間プリベークを行う． 次に、電子ビーム露光により位相シフタを形成する光透
過部１２ａ上のレジスト層１４を１６０μＣ ／ ｃ
ｍ ”で露光し、現１象してレジスト層１４に開口１４
ａを形成する（第１図（ｂ））。
を用いて説明する． 光学マスク基板１０は１２７ｍｍ角、厚さ２．３ｍｍの
例えば合成石英からなる基板である。この光学マスク基
板１０上に遮光マスクである厚さ８０ｎｍのクロム膜１
２が形成されている。クロム膜１２には隣接した光透過
部１２ａ，１２ｂが開口している．本実施例では光透過
部１２ａに位相シフタを形成するや まず、クロム膜１２上の全面にＥＢレジストのレジスト
層１４を形成する（第１図（ａ）），ＥＢレジストをス
ピンコート法により約１μｍ厚となるよう塗布し、その
後１８０℃で３０分間プリベークを行う． 次に、電子ビーム露光により位相シフタを形成する光透
過部１２ａ上のレジスト層１４を１６０μＣ ／ ｃ
ｍ ”で露光し、現１象してレジスト層１４に開口１４
ａを形成する（第１図（ｂ））。
次に、全面に酸化ＷＡ（ＳｉＯ２）１６をイオンビーム
アシスト蒸着法により蒸着する（第１図（Ｃ））． イオンビームアシスト蒸着法は、被蒸着面にイオンビー
ムを照射しながら蒸着するもので、蒸着時に被蒸着面を
イオンでたたくことにより緻密な蒸着膜を形戚すること
ができる． イオンビームアシスト蒸着装置を第２図を用いて説明す
る。
アシスト蒸着法により蒸着する（第１図（Ｃ））． イオンビームアシスト蒸着法は、被蒸着面にイオンビー
ムを照射しながら蒸着するもので、蒸着時に被蒸着面を
イオンでたたくことにより緻密な蒸着膜を形戚すること
ができる． イオンビームアシスト蒸着装置を第２図を用いて説明す
る。
真空４！２０を真空排気口２２に接続された真空ポンプ
を用いて排気する。気体の流入や蒸着が行われても真空
槽２０内の圧力が常に一定圧力に維持されるよう真空ポ
ンプでの排気は引き続き行う．真空槽２０上部には光学
マスク基板１０を固定する基板支持板２４が設けられて
いる。基板支持板２４中夫には膜厚測定のためのモニタ
ガラス２６が設けられている． 光源２８から発せられた光はミラー２つにより方向が゛
曲げられモニタガラス２６に入射される．モニタガラス
２６による反射光はミラー３１により方向が曲げられ受
光器３０に入射される．膜厚コントローラ３２は、受光
器３０の受光信号に基づいてモニタガラス２６上の蒸＠
膜の厚さを測定し、蒸着膜が所定の厚さになったことを
検出すると蒸着を停止させる。
を用いて排気する。気体の流入や蒸着が行われても真空
槽２０内の圧力が常に一定圧力に維持されるよう真空ポ
ンプでの排気は引き続き行う．真空槽２０上部には光学
マスク基板１０を固定する基板支持板２４が設けられて
いる。基板支持板２４中夫には膜厚測定のためのモニタ
ガラス２６が設けられている． 光源２８から発せられた光はミラー２つにより方向が゛
曲げられモニタガラス２６に入射される．モニタガラス
２６による反射光はミラー３１により方向が曲げられ受
光器３０に入射される．膜厚コントローラ３２は、受光
器３０の受光信号に基づいてモニタガラス２６上の蒸＠
膜の厚さを測定し、蒸着膜が所定の厚さになったことを
検出すると蒸着を停止させる。
真空槽２０下部には蒸着する材料が収納された蒸発源３
４が載置されている．また、真空槽２０下部にはイオン
ビームを照射するためのイオンガン３６が設けられてい
る．照射するガスはイオンガン３６下方のガス流入口３
６ａから流入される．イオンガン３６上方には発せられ
るイオンを電気的に中性化するニュートライザ３６ｂが
設けられている。
４が載置されている．また、真空槽２０下部にはイオン
ビームを照射するためのイオンガン３６が設けられてい
る．照射するガスはイオンガン３６下方のガス流入口３
６ａから流入される．イオンガン３６上方には発せられ
るイオンを電気的に中性化するニュートライザ３６ｂが
設けられている。
このイオンビームアシスト蒸着装置を用いて酸化膜１６
を形成する方法を詳細に説明する。
を形成する方法を詳細に説明する。
まず、真空！Ｍ２０を真空排気口２２に接続された真空
ポンプを用いて排気し、５Ｘ１０−’Ｔｏｒｒの真空度
を維持する．次に、気体流入口３６ａから酸素ガスを流
入する．この時、真空ポンプでの排気は引き続き行い、
真空槽２０の圧力を一定に保つようにする． この状態で、電子ビームにより蒸発源３４を加熱し、蒸
発源３４中の溶融石英又は合成石英を蒸発させる．同時
に、イオンガン３６から例えば１ｋＶの加速電圧で２０
μＡ／ｃｍ２の酸素のイオンビームを光学マスク基板１
０に向けて照射する．なお、蒸着時に光学マスク基板１
０は室温のままでもよいし、８０〜１１０゜Ｃ程度に加
熱してもよい。
ポンプを用いて排気し、５Ｘ１０−’Ｔｏｒｒの真空度
を維持する．次に、気体流入口３６ａから酸素ガスを流
入する．この時、真空ポンプでの排気は引き続き行い、
真空槽２０の圧力を一定に保つようにする． この状態で、電子ビームにより蒸発源３４を加熱し、蒸
発源３４中の溶融石英又は合成石英を蒸発させる．同時
に、イオンガン３６から例えば１ｋＶの加速電圧で２０
μＡ／ｃｍ２の酸素のイオンビームを光学マスク基板１
０に向けて照射する．なお、蒸着時に光学マスク基板１
０は室温のままでもよいし、８０〜１１０゜Ｃ程度に加
熱してもよい。
位相シフタとしての酸化ｙ４１６の膜厚は膜厚コントロ
ーラ３２により厳密に制御される。露光波長をλ、露光
波長における屈折率をｎとすると、酸化ｖ４１６の厚さ
ｄ＝λ／２（ｎ−１）となる。
ーラ３２により厳密に制御される。露光波長をλ、露光
波長における屈折率をｎとすると、酸化ｖ４１６の厚さ
ｄ＝λ／２（ｎ−１）となる。
例えば一般的なｇ線ステッパーではλ＝０．４３５８μ
ｍであり酸化膜１６の厚さｄは約０．４７μｍとなる．
ＪＩＩ厚コントローラ３２により酸化膜１６の膜厚が０
、４７μｍになったことがモニターされると、シャッタ
ーを閉じる等によりイオンビームアシスト蒸着を終了す
る。
ｍであり酸化膜１６の厚さｄは約０．４７μｍとなる．
ＪＩＩ厚コントローラ３２により酸化膜１６の膜厚が０
、４７μｍになったことがモニターされると、シャッタ
ーを閉じる等によりイオンビームアシスト蒸着を終了す
る。
次に、レジスト層１４を除去すると、レジスト層１４上
の酸化膜１６がリフトオフされ、光透過部１２ａ上に位
相シフタとしての酸化［１６が形成される（第ｌ図（ｄ
））． このように本実施例によれば位相シフタとしての酸化膜
をイオンビームアシスト蒸着法で゜形成しているので、
緻密な酸化膜が形成され、しかも正確に膜厚制御された
位相シフタを形成することができる．また、本実施例で
は位相シフタである酸化膜が光学マスク基板に直接接し
ているため、屈折率の相違による多重反射などが発生せ
ず位相シフタの有無による光透過率の相違も生じない。
の酸化膜１６がリフトオフされ、光透過部１２ａ上に位
相シフタとしての酸化［１６が形成される（第ｌ図（ｄ
））． このように本実施例によれば位相シフタとしての酸化膜
をイオンビームアシスト蒸着法で゜形成しているので、
緻密な酸化膜が形成され、しかも正確に膜厚制御された
位相シフタを形成することができる．また、本実施例で
は位相シフタである酸化膜が光学マスク基板に直接接し
ているため、屈折率の相違による多重反射などが発生せ
ず位相シフタの有無による光透過率の相違も生じない。
次に本発明の他の実施例である光学マスクの修正方法を
第３図を用いて説明する．第１図と同一の梢成要素には
同一の符号を付して説明を省略する。
第３図を用いて説明する．第１図と同一の梢成要素には
同一の符号を付して説明を省略する。
本実施例では光学マスク基板１０とクロム膜１２の間に
エッチングストッパとして窒化膜１８が形戒されている
．クロム膜１２の一方の光透過部１２ａに位相シフタと
しての酸化膜１６を形成したが、第１図ｆａ）に示すよ
うに、形成した酸化膜１６の一部が欠けた欠陥酸化膜１
６′の修正方法を例として説明する． まず、全面にレジスト層１４を形成し、修復すべき欠陥
酸化膜１６′を含む位相シフタ形成領域のみを開口する
（第３図（ｂ））． 次に、レジスト層１４をマスクとして、欠陥敢１ヒＭ】
６′をエッチング除去する（第３図（Ｃ））。
エッチングストッパとして窒化膜１８が形戒されている
．クロム膜１２の一方の光透過部１２ａに位相シフタと
しての酸化膜１６を形成したが、第１図ｆａ）に示すよ
うに、形成した酸化膜１６の一部が欠けた欠陥酸化膜１
６′の修正方法を例として説明する． まず、全面にレジスト層１４を形成し、修復すべき欠陥
酸化膜１６′を含む位相シフタ形成領域のみを開口する
（第３図（ｂ））． 次に、レジスト層１４をマスクとして、欠陥敢１ヒＭ】
６′をエッチング除去する（第３図（Ｃ））。
光学マスク基板１０上には窒化膜１８が形成されている
ので、光学マスク基板１０までエンチングされることは
ない。
ので、光学マスク基板１０までエンチングされることは
ない。
次に、全面に欣化膜（Ｓｉ．ｏ２）１６を前述のイオン
ビームアシスト蒸着法により蒸着するく第３図（ｄ））
． 次に、レジスト層１４を除去すると、レジスト層１４上
の酸化膜ｌ６がリフトオフされ、光透過部１２ａ上に位
相シフタとしての修復された酸化１１ｌ１６が形成され
る（第３図（ｄ））．このように本実施例によれば光学
マスクの位相シフタの一部に欠陥があっても、他の位相
シフタに影響を与えることなく、欠陥位相シフタのみを
選択的に除去して修復することができる。
ビームアシスト蒸着法により蒸着するく第３図（ｄ））
． 次に、レジスト層１４を除去すると、レジスト層１４上
の酸化膜ｌ６がリフトオフされ、光透過部１２ａ上に位
相シフタとしての修復された酸化１１ｌ１６が形成され
る（第３図（ｄ））．このように本実施例によれば光学
マスクの位相シフタの一部に欠陥があっても、他の位相
シフタに影響を与えることなく、欠陥位相シフタのみを
選択的に除去して修復することができる。
なお、上記実施例ではエッチングストツパとしての窒化
膜１８が光学マスク基板１０とクロム膜１２の間に挿入
されていたが、第４図に示すようにクロム膜１２と酸化
［１４の間に窒化１１１１８を挿入してもよい． 本発明は上記実施例に限らず種々の変形が可能である． 例えば、光学マスク基板、位相シフタ、遮光マスク、レ
ジスト層、エッチングストッパ等の材料は上述の実施例
のものに限定されないことは言うまでもない． 図、 第３図は本発明の他の実施例による光学マスクの修正方
法の工程断面図、 第４図は光学マスクの池の具体例を示す断面図、第５図
、第６図は従来の光学マスクの断面図である． ［発明の効果］ 以上の通り、本発明の光学マスクの製造方法によれば、
位相シフタの膜厚制御性がよく、位相シフタの有無によ
り光透過率が異なることのない光学マスクを製造するこ
とができる．また、本発明の光学マスクの修正方法によ
れば、他の位相シフタに影響を与えることなく、欠陥位
相シフタのみを選択的に除去して修復することができる
．
膜１８が光学マスク基板１０とクロム膜１２の間に挿入
されていたが、第４図に示すようにクロム膜１２と酸化
［１４の間に窒化１１１１８を挿入してもよい． 本発明は上記実施例に限らず種々の変形が可能である． 例えば、光学マスク基板、位相シフタ、遮光マスク、レ
ジスト層、エッチングストッパ等の材料は上述の実施例
のものに限定されないことは言うまでもない． 図、 第３図は本発明の他の実施例による光学マスクの修正方
法の工程断面図、 第４図は光学マスクの池の具体例を示す断面図、第５図
、第６図は従来の光学マスクの断面図である． ［発明の効果］ 以上の通り、本発明の光学マスクの製造方法によれば、
位相シフタの膜厚制御性がよく、位相シフタの有無によ
り光透過率が異なることのない光学マスクを製造するこ
とができる．また、本発明の光学マスクの修正方法によ
れば、他の位相シフタに影響を与えることなく、欠陥位
相シフタのみを選択的に除去して修復することができる
．
第ｌ図は本発明の一実施例による光学マスクの製造方法
の工程断面図、 第２図はイオンビームアシスト蒸着装置の断面図におい
て、 １０・・・光学マスク基板 １２・・・クロム膜 １２ａ、１２ｂ・・・光透過部 １４・・・レジスト層 １６・・・酸化膜 １６′・・・欠陥酸化膜 １８・・・窒化膜 ２０・・・真空槽 ２２・・・真空排気口 ２４・・・基板支持板 ２６・・・モニタガラス ２８・・・光源 ２つ、３１・・・ミラー ３０・・・受光器 ３２・・・膜厚コントローラ ３４・・・蒸発源 ３６・・・イオンガン ３６ａ・・・ガス流入口 ３６ｂ・・・ニュートライザ ４０・・・光学マスク基板 ４２・・・窒化膜 ４４・・・酸化膜 ４６・・・ク口ム膜 ４６ａ、４６ｂ・・・光透過部 ４８・・・ＳＯＧＷＡ 出 願 人 富 士 通 株
の工程断面図、 第２図はイオンビームアシスト蒸着装置の断面図におい
て、 １０・・・光学マスク基板 １２・・・クロム膜 １２ａ、１２ｂ・・・光透過部 １４・・・レジスト層 １６・・・酸化膜 １６′・・・欠陥酸化膜 １８・・・窒化膜 ２０・・・真空槽 ２２・・・真空排気口 ２４・・・基板支持板 ２６・・・モニタガラス ２８・・・光源 ２つ、３１・・・ミラー ３０・・・受光器 ３２・・・膜厚コントローラ ３４・・・蒸発源 ３６・・・イオンガン ３６ａ・・・ガス流入口 ３６ｂ・・・ニュートライザ ４０・・・光学マスク基板 ４２・・・窒化膜 ４４・・・酸化膜 ４６・・・ク口ム膜 ４６ａ、４６ｂ・・・光透過部 ４８・・・ＳＯＧＷＡ 出 願 人 富 士 通 株
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光学マスク基板の位相シフタ形成領域に露光光の位
相を反転させる位相シフタを形成する光学マスクの製造
方法において、 前記光学マスク基板上に、前記位相シフタ形成領域が開
口したレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層を
マスクとして、位相シフタ材料をイオンビームアシスト
蒸着法により蒸着する工程と、 前記レジスト層を除去する工程と を有することを特徴とする光学マスクの製造方法。 ２、請求項１記載の方法において、 前記位相シフタ用材料が、前記光学マスク基板とほぼ同
じ屈折率の材料であり、 前記光学マスク基板上に前記位相シフタが直接接してい
ることを特徴とする光学マスクの製造方法。 ３、請求項１又は２記載の方法において、 前記光学マスク基板が石英であり、前記位相シフタ用材
料がＳｉＯ＿２であることを特徴とする光学マスクの製
造方法。 ４、光学マスク基板に形成された位相シフタを修復する
光学マスクの修正方法において、前記光学マスク基板上
に、修復すべき欠陥位相シフタを含む位相シフタ形成領
域が開口したレジスト層を形成する工程と、 前記レジスト層をマスクとして、前記欠陥位相シフタを
エッチング除去する工程と、 前記レジスト層をマスクとして、位相シフタ材料をイオ
ンビームアシスト蒸着法により蒸着する工程と、 前記レジスト層を除去する工程と を有することを特徴とする光学マスクの修正方法。 ５、請求項４記載の方法において、 前記光学マスク基板が石英であり、前記位相シフタ用材
料がＳｉＯ＿２であることを特徴とする光学マスクの修
正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24457789A JP2776912B2 (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 光学マスクの製造方法及び光学マスクの修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24457789A JP2776912B2 (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 光学マスクの製造方法及び光学マスクの修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03105344A true JPH03105344A (ja) | 1991-05-02 |
| JP2776912B2 JP2776912B2 (ja) | 1998-07-16 |
Family
ID=17120793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24457789A Expired - Lifetime JP2776912B2 (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 光学マスクの製造方法及び光学マスクの修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2776912B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4215210A1 (de) * | 1991-05-09 | 1992-11-12 | Gold Star Electronics | Herstellungsverfahren fuer eine phasenverschiebungsmaske |
| JPH05165189A (ja) * | 1991-12-12 | 1993-06-29 | Hitachi Ltd | 光学マスク及びその修正方法 |
| JPH05333533A (ja) * | 1992-06-02 | 1993-12-17 | Mitsubishi Electric Corp | 位相シフトパターンの欠陥修正方法 |
| JP2002169265A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-14 | Hoya Corp | フォトマスクブランクス及びフォトマスクブランクスの製造方法 |
| CN114182226A (zh) * | 2021-10-22 | 2022-03-15 | 南京理工大学 | 基于预补偿的离子源辅助镀膜的介质反射镜面型控制方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01197757A (ja) * | 1988-02-02 | 1989-08-09 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜パターンの修正方法およびその方法によって修正された露光用マスク |
| JPH02140743A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-30 | Hitachi Ltd | 集積回路装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-09-19 JP JP24457789A patent/JP2776912B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01197757A (ja) * | 1988-02-02 | 1989-08-09 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜パターンの修正方法およびその方法によって修正された露光用マスク |
| JPH02140743A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-30 | Hitachi Ltd | 集積回路装置の製造方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4215210A1 (de) * | 1991-05-09 | 1992-11-12 | Gold Star Electronics | Herstellungsverfahren fuer eine phasenverschiebungsmaske |
| DE4215210C2 (de) * | 1991-05-09 | 1998-02-12 | Gold Star Electronics | Herstellungsverfahren für eine Phasenverschiebungsmaske |
| JPH05165189A (ja) * | 1991-12-12 | 1993-06-29 | Hitachi Ltd | 光学マスク及びその修正方法 |
| JPH05333533A (ja) * | 1992-06-02 | 1993-12-17 | Mitsubishi Electric Corp | 位相シフトパターンの欠陥修正方法 |
| JP2002169265A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-14 | Hoya Corp | フォトマスクブランクス及びフォトマスクブランクスの製造方法 |
| CN114182226A (zh) * | 2021-10-22 | 2022-03-15 | 南京理工大学 | 基于预补偿的离子源辅助镀膜的介质反射镜面型控制方法 |
| CN114182226B (zh) * | 2021-10-22 | 2023-11-21 | 南京理工大学 | 基于预补偿的离子源辅助镀膜的介质反射镜面型控制方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2776912B2 (ja) | 1998-07-16 |
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