JPH03105368A - レーザ記録装置 - Google Patents
レーザ記録装置Info
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- JPH03105368A JPH03105368A JP1243771A JP24377189A JPH03105368A JP H03105368 A JPH03105368 A JP H03105368A JP 1243771 A JP1243771 A JP 1243771A JP 24377189 A JP24377189 A JP 24377189A JP H03105368 A JPH03105368 A JP H03105368A
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体レーザを変調駆動する装置、及び半導
体レーザを用いて記録媒体上へ光ビーム記録するレーザ
記録装置に関する。
体レーザを用いて記録媒体上へ光ビーム記録するレーザ
記録装置に関する。
［従来の技術］
デジタルで表現されたハーフトーン画像を感光性の記録
媒体上へ記録する装置として、従来から広く用いられて
いるものにレーザビームプリンタがある。これは画像濃
度に比例して強度変調されたレーザビームを光偏向器に
より偏向し主走査とし、フイルムやドラム等の記録媒体
を主走査方向と垂直に移動させて副走査として、該記録
媒体上に画像記録するものである。
媒体上へ記録する装置として、従来から広く用いられて
いるものにレーザビームプリンタがある。これは画像濃
度に比例して強度変調されたレーザビームを光偏向器に
より偏向し主走査とし、フイルムやドラム等の記録媒体
を主走査方向と垂直に移動させて副走査として、該記録
媒体上に画像記録するものである。
上記のレーザビームを発生する手段として、半導体レー
ザは現在最も安価で小型であり、駆動電流によって直接
強度変調が行える特長を持つ。
ザは現在最も安価で小型であり、駆動電流によって直接
強度変調が行える特長を持つ。
しかしながら半導体レーザの欠点として、駆動電流一光
出力特性が著しい温度負性特性を持っている事が上げら
れる。第１２図は半導体レーザの駆動電流一光出力特性
の一例であり、横軸に半導体レーザの駆動電流（ｍＡ）
，縦軸には光出力（ｍＷ）をとり、ケース温度をＯ℃，
２５℃，５０℃にして測定したものである。グラフから
読み取ると、約−０．１ｍＷ／’ｅの温度負性特性が見
いだせる。この事は外気温の変動により光出力が大きく
変動する事を意味している。また、半導体レーザチツブ
は自らの発光損失により温度上昇し、そのための光出力
の低下が起こる。
出力特性が著しい温度負性特性を持っている事が上げら
れる。第１２図は半導体レーザの駆動電流一光出力特性
の一例であり、横軸に半導体レーザの駆動電流（ｍＡ）
，縦軸には光出力（ｍＷ）をとり、ケース温度をＯ℃，
２５℃，５０℃にして測定したものである。グラフから
読み取ると、約−０．１ｍＷ／’ｅの温度負性特性が見
いだせる。この事は外気温の変動により光出力が大きく
変動する事を意味している。また、半導体レーザチツブ
は自らの発光損失により温度上昇し、そのための光出力
の低下が起こる。
レーザプリンタは主走査が１〜２ｍｓｅｃ，１ページ数
秒という速度で記録を行うため、少なくとも１主走査期
間では外気温は変化せず、その間の温度変化による光出
力変化は半導体レーザ自身の発光損失による熱上昇に起
因するもののみで与えられる。
秒という速度で記録を行うため、少なくとも１主走査期
間では外気温は変化せず、その間の温度変化による光出
力変化は半導体レーザ自身の発光損失による熱上昇に起
因するもののみで与えられる。
上記温度変化による光出力変動を補償する手段として、
従来より半導体レーザの発光レベルが所定レベル（照射
時間中で一定）に一致するか逐次フォオトダイオードで
モニタし駆動電流へフィードバックする回路（以下ＡＰ
Ｃ回路）が知られている。
従来より半導体レーザの発光レベルが所定レベル（照射
時間中で一定）に一致するか逐次フォオトダイオードで
モニタし駆動電流へフィードバックする回路（以下ＡＰ
Ｃ回路）が知られている。
第１３図は基本的なＡＰＣ回路の構成ブロック図であり
、１は発光量に比例させようとする設定電圧、２は電圧
加算回路、３は半導体レーザ駆動電圧Ｖｄ、４は３の駆
動電圧を実際の駆動電流■ｄに変換する電圧／電流変換
回路、５は駆動電流Ｉｄ，６は半導体レーザ、７はレー
ザ発光量をモニタするＰＩＮフオトダイオード、８はモ
ニタ電ｍ Ｉ ｍ ｓ ９はモニタ電流Ｉｍを１０のモ
ニタ電圧Ｖｍに変換する電流／？ｆ圧変換回路である。
、１は発光量に比例させようとする設定電圧、２は電圧
加算回路、３は半導体レーザ駆動電圧Ｖｄ、４は３の駆
動電圧を実際の駆動電流■ｄに変換する電圧／電流変換
回路、５は駆動電流Ｉｄ，６は半導体レーザ、７はレー
ザ発光量をモニタするＰＩＮフオトダイオード、８はモ
ニタ電ｍ Ｉ ｍ ｓ ９はモニタ電流Ｉｍを１０のモ
ニタ電圧Ｖｍに変換する電流／？ｆ圧変換回路である。
半導体レーザ６の光出力をＰＩＮフオトダイオード７で
モニタするため、図では省略してあるが、ＰＩＮフォト
ダイオード７はレーザチップの後端部で半導体レーザの
後面発光量をモニタするか、もしくはレーザチップの前
面にビームスプリツタを設け、分光された光をモニタす
るように構成されている。第１３図は典型的な単一ルー
プフイードバツク制御系を示しており、１の設定電圧Ｖ
ｓとモニタ電圧Ｖｍの誤差分が３の駆動電圧Ｖｄになる
ことにより、光出力が温度変化により変動しないよう、
常に設定電圧Ｖｓに比例するように制御する。
モニタするため、図では省略してあるが、ＰＩＮフォト
ダイオード７はレーザチップの後端部で半導体レーザの
後面発光量をモニタするか、もしくはレーザチップの前
面にビームスプリツタを設け、分光された光をモニタす
るように構成されている。第１３図は典型的な単一ルー
プフイードバツク制御系を示しており、１の設定電圧Ｖ
ｓとモニタ電圧Ｖｍの誤差分が３の駆動電圧Ｖｄになる
ことにより、光出力が温度変化により変動しないよう、
常に設定電圧Ｖｓに比例するように制御する。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上記従来例では矩形波形の入力電流で半
導体レーザを駆動し発振させるため、温度変化により光
出力レベルが上下に変化し、これを高速に補償するため
のＡＰＣ回路は後述するように設計が非常に困難である
。
導体レーザを駆動し発振させるため、温度変化により光
出力レベルが上下に変化し、これを高速に補償するため
のＡＰＣ回路は後述するように設計が非常に困難である
。
すなわち光出力の消光比（ダイナミックレンジ）を大き
くとるために、光出力を一定として１画素のパルス幅／
数を変化させて強度変調を行う方式（パルス幅／数変調
）、もしくはパルス幅／数変調と光出力変化（振幅変調
）を組み合わせた方式を採用することを考えると、レー
ザビームプリンタの１画素当たりの記録速度（画素クロ
ツク周波数）は数ＭＨｚと高速であり、例えば８ビット
の階調を持つパルス幅変調を行なえばパルス幅は最小の
もので数ｎｓｅｃと非常に短いものになる。このような
短いパルス幅を発する半導体レーザの強度調節を該ＡＰ
Ｃ回路で精度良く行なうためには、制御速度を数十ＧＨ
ｚと極めて高くしなければならない。そのような高速な
制御を行なうことは非常に困難であり非現実的と言える
。
くとるために、光出力を一定として１画素のパルス幅／
数を変化させて強度変調を行う方式（パルス幅／数変調
）、もしくはパルス幅／数変調と光出力変化（振幅変調
）を組み合わせた方式を採用することを考えると、レー
ザビームプリンタの１画素当たりの記録速度（画素クロ
ツク周波数）は数ＭＨｚと高速であり、例えば８ビット
の階調を持つパルス幅変調を行なえばパルス幅は最小の
もので数ｎｓｅｃと非常に短いものになる。このような
短いパルス幅を発する半導体レーザの強度調節を該ＡＰ
Ｃ回路で精度良く行なうためには、制御速度を数十ＧＨ
ｚと極めて高くしなければならない。そのような高速な
制御を行なうことは非常に困難であり非現実的と言える
。
又、通常の安定した制御速度のＡＰＣ回路を用いると、
半導体レーザ駆動回路全体の駆動速度を落すことになり
、高速なパルス幅ノ数変調が行えない。
半導体レーザ駆動回路全体の駆動速度を落すことになり
、高速なパルス幅ノ数変調が行えない。
本発明は上述した従来例の問題点を解決し、温度変化に
対し簡便に対応する装置を提供することを目的とする。
対し簡便に対応する装置を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段及び作用］かかる本発明で
は半導体レーザを時間的に漸次上昇する波形の電流で駆
動し、その光出力をモニタして温度変化に対応させる。
は半導体レーザを時間的に漸次上昇する波形の電流で駆
動し、その光出力をモニタして温度変化に対応させる。
第１２図に示す半導体レーザの電流一光出力特性を見る
と、温度が変動してもスロープ効率η（ ｍ Ｗ ／
ｍ Ａ ）はほとんど変化していない。（温度変動によ
ってグラフは平行移動する。）なお、半導体レーザの種
類によってはスロープ効率が若干変動するものもあるが
、温度変動が小さい範囲では不変であるとみなせるもの
であれば使用可能である。
と、温度が変動してもスロープ効率η（ ｍ Ｗ ／
ｍ Ａ ）はほとんど変化していない。（温度変動によ
ってグラフは平行移動する。）なお、半導体レーザの種
類によってはスロープ効率が若干変動するものもあるが
、温度変動が小さい範囲では不変であるとみなせるもの
であれば使用可能である。
今、半導体レーザのレーザ発振の最低光出力をＰ０とす
る。Ｐ０以下のＬＥＤ発振領域の光出力は無視できるも
のとする。もし無視できない場合は、コヒーレントの悪
いＬＥＤ領域の光は干渉フィルタもしくは偏光フィルタ
によって低減することができる。ある温度Ｔ１の時に、
最低レーザ発振光出力Ｐ０を出力するための駆動電流を
１０とする。半導体レーザの駆動電流をｔｏから直線状
に上昇させていき、光出力をモニタする。時間をｔ（ｓ
ｅｅ）として、電流ｉは次式のように時間に比例して増
えるとする。
る。Ｐ０以下のＬＥＤ発振領域の光出力は無視できるも
のとする。もし無視できない場合は、コヒーレントの悪
いＬＥＤ領域の光は干渉フィルタもしくは偏光フィルタ
によって低減することができる。ある温度Ｔ１の時に、
最低レーザ発振光出力Ｐ０を出力するための駆動電流を
１０とする。半導体レーザの駆動電流をｔｏから直線状
に上昇させていき、光出力をモニタする。時間をｔ（ｓ
ｅｅ）として、電流ｉは次式のように時間に比例して増
えるとする。
ｉ＝ｉｏ ＋ｋｔ ・−・（１）
ｋは定数。
光出力がＰ０よりＰｓだけ上昇した時点で駆動電流を遮
断する。この様子を第７図に示す。第６図において１１
が直線状に上昇する駆動電流、１２が温度Ｔ，の時の光
出力である。光出力１２の積分値が露光量Ｅであり、次
式で求まる。
断する。この様子を第７図に示す。第６図において１１
が直線状に上昇する駆動電流、１２が温度Ｔ，の時の光
出力である。光出力１２の積分値が露光量Ｅであり、次
式で求まる。
ここで半導体レーザチツプの温度がＴ１からＴ２まで上
昇した場合を考える。上述の通り半導体レーザ光出力の
温度特性においてスロープ効率は変動せず、電流一光出
力特性が平行移動するのみと考えられる。この場合、最
低レーザ発振光出力Ｐ。は変化せず、Ｐｏを出力するた
めの駆動電流１０が変化する。これは近似的に、平行移
動した温度Ｔ２における電流一光出力特性の光出力がＰ
Ｇとなる電流である６半導体レーザチップの温度がＴ２
（＞Ｔ＋ ）になった時のＰ。を出力するための駆
動電流をｉ。゜（〉１。）とする。前と同様に（１）式
のように直線状に電流を上昇させた時の光出力変化を第
７図の１３（破線）に示す。
昇した場合を考える。上述の通り半導体レーザ光出力の
温度特性においてスロープ効率は変動せず、電流一光出
力特性が平行移動するのみと考えられる。この場合、最
低レーザ発振光出力Ｐ。は変化せず、Ｐｏを出力するた
めの駆動電流１０が変化する。これは近似的に、平行移
動した温度Ｔ２における電流一光出力特性の光出力がＰ
Ｇとなる電流である６半導体レーザチップの温度がＴ２
（＞Ｔ＋ ）になった時のＰ。を出力するための駆
動電流をｉ。゜（〉１。）とする。前と同様に（１）式
のように直線状に電流を上昇させた時の光出力変化を第
７図の１３（破線）に示す。
レーザ発振は１０′から起こり、光出力がＰｓだけ上昇
した時に駆動電流を遮断する。第７図に示すように、ス
ロープ効率が変わらないことから１３の光出力の形状は
温度がＴ１の時と全く同じであり、従って露光量Ｅは（
２）式とほとんど同じものとなる。即ち（２）式の露光
量を１画素の露光量と考えると、半導体レーザの温度変
化によって露光量は変化せず、露光する位置のみが温度
変動によって変化することになる。この温度変動量によ
る位置移動は１画素の範囲内に入っており、微小である
ことから大眼の解像力を下回れば、温度変化による露光
量変化が実質的に補正されたことになる． 次にこのように鋸波で半導体レーザを露光した時の消光
比を求めてみる。（２）式において設定光出力Ｐｓは、
理論的には０になり得るが、実際は制御系の遅れ等の要
因でＯ（はなり得す最小値Ｐｓ≠０から設定できる．最
高値をＰｓ．とすると消光比は次式になる． Ｐ Ｓ（＋ （Ｐ０＋Ｐ５６ ／２）： ＰＳ＋
（Ｐｏ 十Ｐｓ，／２）・・・・（３）この値は設定値
の２乗に比例するものである。
した時に駆動電流を遮断する。第７図に示すように、ス
ロープ効率が変わらないことから１３の光出力の形状は
温度がＴ１の時と全く同じであり、従って露光量Ｅは（
２）式とほとんど同じものとなる。即ち（２）式の露光
量を１画素の露光量と考えると、半導体レーザの温度変
化によって露光量は変化せず、露光する位置のみが温度
変動によって変化することになる。この温度変動量によ
る位置移動は１画素の範囲内に入っており、微小である
ことから大眼の解像力を下回れば、温度変化による露光
量変化が実質的に補正されたことになる． 次にこのように鋸波で半導体レーザを露光した時の消光
比を求めてみる。（２）式において設定光出力Ｐｓは、
理論的には０になり得るが、実際は制御系の遅れ等の要
因でＯ（はなり得す最小値Ｐｓ≠０から設定できる．最
高値をＰｓ．とすると消光比は次式になる． Ｐ Ｓ（＋ （Ｐ０＋Ｐ５６ ／２）： ＰＳ＋
（Ｐｏ 十Ｐｓ，／２）・・・・（３）この値は設定値
の２乗に比例するものである。
例えば、ｐ０＝１ｍＷとして半導体レーザの最大光出力
を１５ｍＷとすると、単純に強度変調したのでは消光比
は１：１５になる。（３）式においてＰｓｏ ＝１ｍＷ
，Ｐｓｌ＝１ ５ｍＷとすると、本発明の鋸波で露光し
た時の消光比は１：８５と大幅に上昇する。
を１５ｍＷとすると、単純に強度変調したのでは消光比
は１：１５になる。（３）式においてＰｓｏ ＝１ｍＷ
，Ｐｓｌ＝１ ５ｍＷとすると、本発明の鋸波で露光し
た時の消光比は１：８５と大幅に上昇する。
本発明の制御系はパルス幅変調と露光量制御を同一の回
路で構成できるため比較的単純化される．また、１回の
オンと１回のオフのみで制御するので、安定した制御系
が構成しやすい。
路で構成できるため比較的単純化される．また、１回の
オンと１回のオフのみで制御するので、安定した制御系
が構成しやすい。
さらに露光量Ｅを変化させるには、（２）式において、
Ｐｓを変化させてＥを変化させれば良いが、この代わり
にＰｓを一定として傾きｋを変化させる、もしくはｋと
Ｐｓの両者を変化させてＥを変化させることも可能であ
る。
Ｐｓを変化させてＥを変化させれば良いが、この代わり
にＰｓを一定として傾きｋを変化させる、もしくはｋと
Ｐｓの両者を変化させてＥを変化させることも可能であ
る。
又、同一チップ上もしくは筐体内（２つのレーザ発振機
構を持つマルチビームタイブの半導体レーザでは、一方
の半導体レーザを鋸波状に駆動し、もう一方を定電流に
よるパルス幅変調にすることにより従来のパルス幅変調
の露光量の温度変動補正が定電流駆動で行える． 第８図はこの場合の光出力を示したもので、光出力Ａは
鋸波状に駆動される半導体レーザの光出力、光出力Ｂは
定電流で駆動される半導体レーザの光出力を示す。上記
両半導体レーザの温度は同一チップ上にあるためほぼ同
じである。光出力ＡがＰｓだけ上昇した時に光出力Ｂを
遮断する。温度がＴ，からＴ２へ上昇した時には光出力
Ｂは図のように温度上昇分だけ減少するが、その分温度
Ｔ２になった時には図のように遮断されるタイミングが
遅れ、結果的に光出力Ｂの露光量（時間積分値）はいか
なる温度でも等しくなる。
構を持つマルチビームタイブの半導体レーザでは、一方
の半導体レーザを鋸波状に駆動し、もう一方を定電流に
よるパルス幅変調にすることにより従来のパルス幅変調
の露光量の温度変動補正が定電流駆動で行える． 第８図はこの場合の光出力を示したもので、光出力Ａは
鋸波状に駆動される半導体レーザの光出力、光出力Ｂは
定電流で駆動される半導体レーザの光出力を示す。上記
両半導体レーザの温度は同一チップ上にあるためほぼ同
じである。光出力ＡがＰｓだけ上昇した時に光出力Ｂを
遮断する。温度がＴ，からＴ２へ上昇した時には光出力
Ｂは図のように温度上昇分だけ減少するが、その分温度
Ｔ２になった時には図のように遮断されるタイミングが
遅れ、結果的に光出力Ｂの露光量（時間積分値）はいか
なる温度でも等しくなる。
［実施例１］
以下、ハーフトーン画像を記録するレーザ記録装置に適
用した実施例を図面を用いて詳細に説明する。第１図は
本発明の半導体レーザ駆勅回路のブロック図を示したも
のであり、２２は半導体レーザである。２３は半導体レ
ーザ２２の光出力をモニタするためのＰＩＮフォトダイ
オードであり半導体レーザ２２内部のチップの後端部で
後面発光量をモニタするか、半導体レーザ２２の外部に
ビームスブリツタを設けて前面発光量の一部をモニタす
るように構成してある。
用した実施例を図面を用いて詳細に説明する。第１図は
本発明の半導体レーザ駆勅回路のブロック図を示したも
のであり、２２は半導体レーザである。２３は半導体レ
ーザ２２の光出力をモニタするためのＰＩＮフォトダイ
オードであり半導体レーザ２２内部のチップの後端部で
後面発光量をモニタするか、半導体レーザ２２の外部に
ビームスブリツタを設けて前面発光量の一部をモニタす
るように構成してある。
半導体レーザ２２から出射されたレーザビームは、ここ
では図示していないボリゴンくラー等の光偏向器を含む
光学系により主走査され、感光フイルムや感光ドラム等
の記録媒体上に光照射される。記録媒体は副走査方向に
僅かずつ移動し、これにより記録媒体上社は２次元的に
ハーフトーン画像が記録される。
では図示していないボリゴンくラー等の光偏向器を含む
光学系により主走査され、感光フイルムや感光ドラム等
の記録媒体上に光照射される。記録媒体は副走査方向に
僅かずつ移動し、これにより記録媒体上社は２次元的に
ハーフトーン画像が記録される。
３０は、半導体レーザ２２の発光量に比例させようとす
る発光量設定値であり、デジタルデータである。２７は
画素データを変換するルックアップテーブルであり、露
光量が設定値の２乗に比例したものになるのを補正する
手段である。２８は補正された画素データをアナログ値
に変換するデジタル／アナログ変換器である。２６は検
出された光出力と画素データを比較する比較器。２５は
セット／リセットを入力の立ち上がりエッジで行うフリ
ップフロツブであり、画素クロツクでセットされ比較器
２６の出力でリセットされる。２０は画素クロツクに同
期した鋸波を出力する鋸波発生回路である。２１は鋸波
を半導体レーザ２２の駆動電流に変換する電圧／電流変
換回路、３１はフリツブフロツブ２５の出力Ｑによりオ
ンオフされるスイッチ手段を表わす。２４はＰＩＮフォ
トダイオード２３の検出電流を電圧に変換する電流／電
圧変換器である。
る発光量設定値であり、デジタルデータである。２７は
画素データを変換するルックアップテーブルであり、露
光量が設定値の２乗に比例したものになるのを補正する
手段である。２８は補正された画素データをアナログ値
に変換するデジタル／アナログ変換器である。２６は検
出された光出力と画素データを比較する比較器。２５は
セット／リセットを入力の立ち上がりエッジで行うフリ
ップフロツブであり、画素クロツクでセットされ比較器
２６の出力でリセットされる。２０は画素クロツクに同
期した鋸波を出力する鋸波発生回路である。２１は鋸波
を半導体レーザ２２の駆動電流に変換する電圧／電流変
換回路、３１はフリツブフロツブ２５の出力Ｑによりオ
ンオフされるスイッチ手段を表わす。２４はＰＩＮフォ
トダイオード２３の検出電流を電圧に変換する電流／電
圧変換器である。
次に以上の構戊における動作を第２図に示すタイミング
チャートに従って説明する。第２図においてＣは画素ク
ロツクをあらわす。ｅは画素クロツクに同期されて入力
される画素データをデジタル／アナログ変換器２８で変
換したアナログ値を示す。Ｑはフリツブフロツブ２５の
出力でスイッチ３１のオンオフを制御する。Ｖｄは鋸波
発生器２０の出力であり、電圧／電流変換器２１の入力
で、Ｖ．は半導体レーザをレーザ発振させるための最小
電流に対応するオフセットである，Ｉｄは半導体レーザ
の駆動電流であり、Ｑがオンの時にはＶｄに従った電流
が流れ、オフの時は電流が流れない。Ｌは半導体レーザ
の光出力である。Ｒｓは比較器２６の出力であり、アナ
ログ／デジタル変換器２８の出力ｅが光出力の検出値で
ある電流／電圧変換器２４の出力よりも大きい時ハイレ
ベルになり小さい時ローレベルになる。Ｒｓの立ち上が
りエッジでフリップフロップ２５の出力Ｑがリセットさ
れる。
チャートに従って説明する。第２図においてＣは画素ク
ロツクをあらわす。ｅは画素クロツクに同期されて入力
される画素データをデジタル／アナログ変換器２８で変
換したアナログ値を示す。Ｑはフリツブフロツブ２５の
出力でスイッチ３１のオンオフを制御する。Ｖｄは鋸波
発生器２０の出力であり、電圧／電流変換器２１の入力
で、Ｖ．は半導体レーザをレーザ発振させるための最小
電流に対応するオフセットである，Ｉｄは半導体レーザ
の駆動電流であり、Ｑがオンの時にはＶｄに従った電流
が流れ、オフの時は電流が流れない。Ｌは半導体レーザ
の光出力である。Ｒｓは比較器２６の出力であり、アナ
ログ／デジタル変換器２８の出力ｅが光出力の検出値で
ある電流／電圧変換器２４の出力よりも大きい時ハイレ
ベルになり小さい時ローレベルになる。Ｒｓの立ち上が
りエッジでフリップフロップ２５の出力Ｑがリセットさ
れる。
第２図において２９の立ち上がりエッジによってフリツ
ブフロツブ２５の出力Ｑがハイレベルになりスイッチ３
１がオンになる。半導体レーザはスイッチ３１がオンと
なると同時にレーザ発振を始める。光出力Ｌがアナログ
／デジタル変換器の出力より大きくなるとＲｓがハイレ
ベルになり、その立ち上がりエッジ３０でフリップフロ
ップがリセットされ光出力を遮断する。この操作により
前述の通り、光出力の露光量は温度変化に依存せず、ア
ナログ／デジタル変換器の出力ｅのみに依存したものと
なる。
ブフロツブ２５の出力Ｑがハイレベルになりスイッチ３
１がオンになる。半導体レーザはスイッチ３１がオンと
なると同時にレーザ発振を始める。光出力Ｌがアナログ
／デジタル変換器の出力より大きくなるとＲｓがハイレ
ベルになり、その立ち上がりエッジ３０でフリップフロ
ップがリセットされ光出力を遮断する。この操作により
前述の通り、光出力の露光量は温度変化に依存せず、ア
ナログ／デジタル変換器の出力ｅのみに依存したものと
なる。
露光量は（２）式でＰｓをｅに置き換えたものになり、
ｅに関する２次式の形である。従って画素データ３０に
露光量を比例させようとするためのルックアップテーブ
ル２７は（２）式から得られる．第３図はルックアップ
テーブルの形状を示したもので、３２が露光量の形状（
２）式、３１がルックアップテーブルである。
ｅに関する２次式の形である。従って画素データ３０に
露光量を比例させようとするためのルックアップテーブ
ル２７は（２）式から得られる．第３図はルックアップ
テーブルの形状を示したもので、３２が露光量の形状（
２）式、３１がルックアップテーブルである。
［実施例２］
第４図は本発明の第２実施例のブロック図である。先の
第１実施例のブロック図である第１図とほぼ同様である
ため異なる所のみ説明する。３３は半導体レーザであり
、半導体レーザ２２と同一チップ上に構成されたもので
ある。半導体レーザ２２はＰＩＮフオトダイオード２３
と直接光学的に結合されている．半導体レーザ３３から
発生されたレーザビームは、ここでは図示していない光
学系、光偏光器等を用いて走査され、感光性の記録媒体
上に画像を記録する。そして第１図で用いたスイッチ３
１は半導体レーザ３３の駆動電流をオンオフするのに用
いられる．３４は半導体レーザ３３を定電流で駆動する
定電流源である。
第１実施例のブロック図である第１図とほぼ同様である
ため異なる所のみ説明する。３３は半導体レーザであり
、半導体レーザ２２と同一チップ上に構成されたもので
ある。半導体レーザ２２はＰＩＮフオトダイオード２３
と直接光学的に結合されている．半導体レーザ３３から
発生されたレーザビームは、ここでは図示していない光
学系、光偏光器等を用いて走査され、感光性の記録媒体
上に画像を記録する。そして第１図で用いたスイッチ３
１は半導体レーザ３３の駆動電流をオンオフするのに用
いられる．３４は半導体レーザ３３を定電流で駆動する
定電流源である。
定電流源３４の出力電流は、半導体レーザ３３が適当な
光出力を発するように事前に設定されている．そして半
導体レーザの光出力は第２図のタイくングチャート中の
Ｑと同様になり、１画素内のパルス幅変調が行われる。
光出力を発するように事前に設定されている．そして半
導体レーザの光出力は第２図のタイくングチャート中の
Ｑと同様になり、１画素内のパルス幅変調が行われる。
前述の通り半導体レーザチツブの温度が変化して光出力
が変化しても、パルス幅の調整により温度変動に影響を
受けない露光量制御が行える。この場合、画素データと
露光量とは比例し、第１図にあっｋようなルックアップ
テーブルは不要じなる。
が変化しても、パルス幅の調整により温度変動に影響を
受けない露光量制御が行える。この場合、画素データと
露光量とは比例し、第１図にあっｋようなルックアップ
テーブルは不要じなる。
［実施例３］
第５図は本発明の第３実施例のブロック図である。本実
施例ではレーザの駆動電流として上昇と下降の速度が同
じである三角波波形を用いている。
施例ではレーザの駆動電流として上昇と下降の速度が同
じである三角波波形を用いている。
２２は半導体レーザである。２３は半導体レーザ２２の
光出力をモニタするためのＰＩＮフォトダイオードであ
り、半導体レーザ２２内部のチップの後端部で後面発光
量をモニタするか、半導体レーザ２２の外郎にビームス
ブリツタを設けて前面発光量の一部をモニタするように
構成してある。半導体レーザ２２から発生されたレーザ
ビームは、ここでは図示していない光学系、光偏向器等
を用いて走査され、感光材料上で画像を記録する。３０
は、半導体レーザ２２の発光量に比例させようとする発
光量設定値であり、デジタルデータである。２７は画素
データを変換するルックアップテーブルであり、露光量
が設定値の２乗に比例したものになるのを補正する手段
である。２８は補正ざれた画素データをアナログ値に変
換するデジタル／アナログ変換器である．２６は検出さ
れた光出力と画素データを比較する比較器。２５はセッ
ト／リセット入力の立ち上がりエッジで行なうフリツブ
フロツブであり、画素クロツクでセットされ比較器２６
の出力でリセットされる。
光出力をモニタするためのＰＩＮフォトダイオードであ
り、半導体レーザ２２内部のチップの後端部で後面発光
量をモニタするか、半導体レーザ２２の外郎にビームス
ブリツタを設けて前面発光量の一部をモニタするように
構成してある。半導体レーザ２２から発生されたレーザ
ビームは、ここでは図示していない光学系、光偏向器等
を用いて走査され、感光材料上で画像を記録する。３０
は、半導体レーザ２２の発光量に比例させようとする発
光量設定値であり、デジタルデータである。２７は画素
データを変換するルックアップテーブルであり、露光量
が設定値の２乗に比例したものになるのを補正する手段
である。２８は補正ざれた画素データをアナログ値に変
換するデジタル／アナログ変換器である．２６は検出さ
れた光出力と画素データを比較する比較器。２５はセッ
ト／リセット入力の立ち上がりエッジで行なうフリツブ
フロツブであり、画素クロツクでセットされ比較器２６
の出力でリセットされる。
３５はアンドゲートであり、方形波出力Ｖｓのデューテ
イを制御するために用いる。３６は方形波を三角波Ｖｔ
に成型する積分回路、３７は半導体レーザのレーザ発振
を行わせる最小電流を流すための電圧Ｖ。を出力するた
めに設けられた比較器、３８は三角波ＶｔとＶ。を加算
し駆動電圧Ｖｄを出力する加算器である。２１は駆動電
圧Ｖｄを半導体レーザ２２のＩＲ勅電流に変換する電圧
／電流変換回路、２４はＰＩＮフオトダイオード２３の
検出電流を電圧に変換する電流／電圧変換器である。
イを制御するために用いる。３６は方形波を三角波Ｖｔ
に成型する積分回路、３７は半導体レーザのレーザ発振
を行わせる最小電流を流すための電圧Ｖ。を出力するた
めに設けられた比較器、３８は三角波ＶｔとＶ。を加算
し駆動電圧Ｖｄを出力する加算器である。２１は駆動電
圧Ｖｄを半導体レーザ２２のＩＲ勅電流に変換する電圧
／電流変換回路、２４はＰＩＮフオトダイオード２３の
検出電流を電圧に変換する電流／電圧変換器である。
次に以上の構成Ｃおける動作を第６図に示すタイミング
チャートに従って説明する。第６図においてＣは画素ク
ロツクをあらわす。ｅは画素クロツクに同期して入力さ
れる画素データをデジタル／アナログ変換器２８で変換
したアナログ値を示す。
チャートに従って説明する。第６図においてＣは画素ク
ロツクをあらわす。ｅは画素クロツクに同期して入力さ
れる画素データをデジタル／アナログ変換器２８で変換
したアナログ値を示す。
Ｖｓはアンドゲート３５の出力で、画素クロツクに同期
しフリツブフロツブ２５の出力でデューテイを制御され
た方形波である。Ｖｔは積分回路３６の出力の三角波で
ある。Ｖｄは電圧／電流変換器２１の入力電圧であり、
Ｖｔ＞ＯであるならＶｏを、Ｖｔ＝Ｏであるなら０をＶ
ｔに加えたものである．この比較器３７の出力を加える
ことにより、三角波の立ち上がりの最初から半導体レー
ザ２２はレーザ発振する。Ｌは半導体レーザの光出力で
ある。Ｒｓは比較器２６の出力であり、アナログ／デジ
タル変換器２８の出力ｅが光出力の検出値である電流／
電圧変換器２４の出力よりも大きい時ハイレベルになり
、小さい時ローレベルになる。Ｒｓの立ち上がりエッジ
でフリツブフロツブ２５の出力Ｑがリセットされる。
しフリツブフロツブ２５の出力でデューテイを制御され
た方形波である。Ｖｔは積分回路３６の出力の三角波で
ある。Ｖｄは電圧／電流変換器２１の入力電圧であり、
Ｖｔ＞ＯであるならＶｏを、Ｖｔ＝Ｏであるなら０をＶ
ｔに加えたものである．この比較器３７の出力を加える
ことにより、三角波の立ち上がりの最初から半導体レー
ザ２２はレーザ発振する。Ｌは半導体レーザの光出力で
ある。Ｒｓは比較器２６の出力であり、アナログ／デジ
タル変換器２８の出力ｅが光出力の検出値である電流／
電圧変換器２４の出力よりも大きい時ハイレベルになり
、小さい時ローレベルになる。Ｒｓの立ち上がりエッジ
でフリツブフロツブ２５の出力Ｑがリセットされる。
第６図において３９の立ち上がりエッジによってフリツ
ブフロツブ２５の出力Ｑがハイレベルになり三角波Ｖｔ
が発生する。三角波が発生すると比較器３７によって、
三角波に電圧ｖ０を加えてＶｄが作られる。Ｖｄｅ比例
した駆ｌＩＪ電流が流れることにより半導体レーザの光
出力Ｌが図のように発生する。Ｌを検出し、デジタル／
アナログ変換器２８の出力ｅを越えると、比較器２６の
出力がハイレベルになりその立ち上がりエッジによりフ
リツブフロツブ２５がリセットされる。すると積分器３
６は放電を始め、三角波Ｖｔが下降を始める。この下降
速度は上昇速度と同じであり光出力も上昇時と対称な形
になる。この光出力による露光量も先の第１実施例と同
様に温度依存性のないものである。ルックアップテーブ
ルも先の第１実施例と同様である。
ブフロツブ２５の出力Ｑがハイレベルになり三角波Ｖｔ
が発生する。三角波が発生すると比較器３７によって、
三角波に電圧ｖ０を加えてＶｄが作られる。Ｖｄｅ比例
した駆ｌＩＪ電流が流れることにより半導体レーザの光
出力Ｌが図のように発生する。Ｌを検出し、デジタル／
アナログ変換器２８の出力ｅを越えると、比較器２６の
出力がハイレベルになりその立ち上がりエッジによりフ
リツブフロツブ２５がリセットされる。すると積分器３
６は放電を始め、三角波Ｖｔが下降を始める。この下降
速度は上昇速度と同じであり光出力も上昇時と対称な形
になる。この光出力による露光量も先の第１実施例と同
様に温度依存性のないものである。ルックアップテーブ
ルも先の第１実施例と同様である。
［実施例４］
第９図は本発明の第４の実施例のブロック図である。先
の第１実施例のブロック図である第１図とほぼ同様であ
るため異なる所のみ説明する。
の第１実施例のブロック図である第１図とほぼ同様であ
るため異なる所のみ説明する。
５０は鋸波発生器であるが、発生する鋸波の傾きを外部
より電気的な入力で設定可能となっている。傾きは画素
データをデジタル／アナログ変換器２８でアナログ値に
変換したものを用いる。
より電気的な入力で設定可能となっている。傾きは画素
データをデジタル／アナログ変換器２８でアナログ値に
変換したものを用いる。
比較器２６はフォトダイオード２３で検出された光出力
と所定の一定値Ｐｓを比較するように構成してある。こ
の構成により光出力が一定値Ｐｓを越えた時点で駆動電
流を遮断することができる。
と所定の一定値Ｐｓを比較するように構成してある。こ
の構成により光出力が一定値Ｐｓを越えた時点で駆動電
流を遮断することができる。
この時の露光量Ｅ（光出力の積分値）は前述した（２）
式で与えられる。説明のために（２）式を再び記す。
式で与えられる。説明のために（２）式を再び記す。
めここでηは半導体レーザのスロープ効率、ｋは駆動電
流の傾き、Ｐｏは半導体レーザの最低光出力である。
流の傾き、Ｐｏは半導体レーザの最低光出力である。
先の実施例１では（２）式のｋを一定として、Ｐｓを変
化させて露光量Ｅを制御していたが、本実施例ではＰｓ
を一定としてｋを画素データに対応させて変化させ、露
光量Ｅを制御ずる。
化させて露光量Ｅを制御していたが、本実施例ではＰｓ
を一定としてｋを画素データに対応させて変化させ、露
光量Ｅを制御ずる。
鋸波の傾きを電気的な入力によって変化させる手段は、
例えば第１０図に示すような回路構成で実現できる。第
１０図において、画素クロックを単安定マルチバイブレ
ータに入力してデューテイ比を固定し、演算増幅器を用
いた三角波発生器に入力する。三角波発生器に用いる抵
抗器をＦＥＴを用いた電子ボリュームにより可変にして
鋸波の傾きを変化させる。
例えば第１０図に示すような回路構成で実現できる。第
１０図において、画素クロックを単安定マルチバイブレ
ータに入力してデューテイ比を固定し、演算増幅器を用
いた三角波発生器に入力する。三角波発生器に用いる抵
抗器をＦＥＴを用いた電子ボリュームにより可変にして
鋸波の傾きを変化させる。
本実施例では光出力を直線状に上昇させ、ある光出力で
遮断する方式であるため、温度変化による露光量変化が
ほとんど無くなる効果があるのは先の実施例１と同様で
ある。
遮断する方式であるため、温度変化による露光量変化が
ほとんど無くなる効果があるのは先の実施例１と同様で
ある。
なお半導体レーザの駆動電流を鋸波ではなく、先の実施
例３に示したような三角波を用いても良いことは勿論の
ことである。
例３に示したような三角波を用いても良いことは勿論の
ことである。
［実施例５］
第１１図は本発明の第５の実施例のブロック図である。
構成は先の第９図と類似するが、比較器２６の入力も画
素データに接続されていることを特徴とする。本実施例
では光量設定値Ｐｓも傾きｋと比例して共に変化し、画
素データの値に拘らず一定のパルス幅（１画素分）とな
るように構戒されている。このことは（２）式において
駆′ｉａ電流の傾きｋと光量設定値Ｐｓを同時に変化さ
せて露光量Ｅを制御することを表わしている。
素データに接続されていることを特徴とする。本実施例
では光量設定値Ｐｓも傾きｋと比例して共に変化し、画
素データの値に拘らず一定のパルス幅（１画素分）とな
るように構戒されている。このことは（２）式において
駆′ｉａ電流の傾きｋと光量設定値Ｐｓを同時に変化さ
せて露光量Ｅを制御することを表わしている。
さて、これまでの実施例１〜実施例４は一種のパルス幅
変調であり、画素データの値に応じてバルス帽、即ち露
光時間が変化するようになっている。よって、これを画
像記録装置に適用した場合には、１画素内でパルス輻が
画素データの値に応じて変化してしまい、１画素内での
露光領域に偏りが生じ、更に画素データに応じて偏りの
度合いも変動してしまう問題点があった。
変調であり、画素データの値に応じてバルス帽、即ち露
光時間が変化するようになっている。よって、これを画
像記録装置に適用した場合には、１画素内でパルス輻が
画素データの値に応じて変化してしまい、１画素内での
露光領域に偏りが生じ、更に画素データに応じて偏りの
度合いも変動してしまう問題点があった。
これに対して本実施例では、傾きｋと光量設定値Ｐｓを
関連付けながら同時に変化させることにより、パルス幅
、即ち露光時間を常にほぼ一定は保つことができる。つ
まり常にほぼ１画素内全ての領域を露光するため、パル
ス幅変調の欠点である、露光領域の偏り及び変動が無く
なる。これにより記録精度の高い画像が得られる。
関連付けながら同時に変化させることにより、パルス幅
、即ち露光時間を常にほぼ一定は保つことができる。つ
まり常にほぼ１画素内全ての領域を露光するため、パル
ス幅変調の欠点である、露光領域の偏り及び変動が無く
なる。これにより記録精度の高い画像が得られる。
なお、本実施例においても駆動電流を鋸波ではなく、先
の実施例３に示したような三角波を用いても良いことは
勿論のことである。
の実施例３に示したような三角波を用いても良いことは
勿論のことである。
三角波を用いることにより、各画素の濃度中心が１画素
内の中心に揃い、１画素内での濃度分布もより均一化さ
れるため、更に精度の高い良質なハーフトーン画像が得
られる。
内の中心に揃い、１画素内での濃度分布もより均一化さ
れるため、更に精度の高い良質なハーフトーン画像が得
られる。
さて、以上説明してきた全ての実施例においては、１画
素内で１度のパルス幅変調を行なうものであったが、１
画素内で複数回同様の変調を繰り返すようにしても良い
。これは実施例の構戒で鋸波あるいは三角波の周波数を
整数倍することで達成できる。これにより】画素内での
濃度分布が細分均等化され、より良質の画像が得られる
。
素内で１度のパルス幅変調を行なうものであったが、１
画素内で複数回同様の変調を繰り返すようにしても良い
。これは実施例の構戒で鋸波あるいは三角波の周波数を
整数倍することで達成できる。これにより】画素内での
濃度分布が細分均等化され、より良質の画像が得られる
。
なお、本発明は上記実施例のようなレーザ記録装置以外
にも、レーザ読取装置やレーザ加工機、あるいは医療用
のレーザ治療装置等、様々な分野で半導体レーザを使用
した様々な装置に広く適用することが可能である。
にも、レーザ読取装置やレーザ加工機、あるいは医療用
のレーザ治療装置等、様々な分野で半導体レーザを使用
した様々な装置に広く適用することが可能である。
［発明の効果］
以上本発明によれば、半導体レーザの光出力による露光
量制御を、温度変動に影響を受けること無く高速且つ低
コストで行なうことができる。
量制御を、温度変動に影響を受けること無く高速且つ低
コストで行なうことができる。
第１図は本発明を実施した半導体レーザ駆動装置の構成
図、 第２図は第１図の動作を説明するためのタイミングチャ
ート、 第３図は第１図中のルックアップテーブルの形状を示し
た図、 第４図は第２の実施例の構成図、 第５図は第３の実施例の構成図、 第６図は第４の動作を説明するためのタイミングチャー
ト、 第７図は本発明の考え方を説明するための図、第８図は
本発明の考え方を説明するための図、第９図及び第１０
図は本発明の第４の実施例の構成図、 第１１図は本発明の第５の実施例の構成図、第１２図は
半導体レーザの駆動電流一光出力特性の一例、 第１３図は従来のＡＰＣ回路のブロック図、であり、図
中の主な符号は、 ２０・・・・鋸波の発生手段、 ２１・・・・電圧／電流変換手段、 ２２・・・・半導体レーザ、 ２３・・・・ＰＩＮフオトダイオード、２５・・・・立
ち上がりエッジで動作するセットリセットフリツブフロ
ツブ、 ３１・・・・半導体レーザの駆動電流を遮断するための
スイッチ、 ２６・・・・光出力の検出値と設定値を比較する比較器
、 ７・・・・ルックアップテーブル、 ｔ 光上 か一ノｇ ’Ｉｉ 浅ｕｎ ｙｌＲ電洗Ｉ Ｆ ＣｒｎＡ ）
図、 第２図は第１図の動作を説明するためのタイミングチャ
ート、 第３図は第１図中のルックアップテーブルの形状を示し
た図、 第４図は第２の実施例の構成図、 第５図は第３の実施例の構成図、 第６図は第４の動作を説明するためのタイミングチャー
ト、 第７図は本発明の考え方を説明するための図、第８図は
本発明の考え方を説明するための図、第９図及び第１０
図は本発明の第４の実施例の構成図、 第１１図は本発明の第５の実施例の構成図、第１２図は
半導体レーザの駆動電流一光出力特性の一例、 第１３図は従来のＡＰＣ回路のブロック図、であり、図
中の主な符号は、 ２０・・・・鋸波の発生手段、 ２１・・・・電圧／電流変換手段、 ２２・・・・半導体レーザ、 ２３・・・・ＰＩＮフオトダイオード、２５・・・・立
ち上がりエッジで動作するセットリセットフリツブフロ
ツブ、 ３１・・・・半導体レーザの駆動電流を遮断するための
スイッチ、 ２６・・・・光出力の検出値と設定値を比較する比較器
、 ７・・・・ルックアップテーブル、 ｔ 光上 か一ノｇ ’Ｉｉ 浅ｕｎ ｙｌＲ電洗Ｉ Ｆ ＣｒｎＡ ）
Claims (8)
- （１）半導体レーザと、 該半導体レーザの光出力設定値を設定する手段と、 光出力が時間と共に漸次上昇するように所定入力波形で
前記半導体レーザを駆動させる手段と、 該駆動される半導体レーザの光出力を検出する手段と、 該検出される光出力と前記設定値とを比較する手段と、 前記光出力が前記設定値に達する時点まで、前記半導体
レーザの光出力を前記所定入力波形で形成させる手段、 を有することを特徴とする半導体レーザ駆動装置。 - （２）前記光出力設定値は露光量に応じて可変とし、前
記光出力を漸次上昇させる前記所定入力波形の傾きは一
定とする請求項（１）記載の半導体レーザ駆動装置。 - （３）前記光出力設定値は一定値とし、前記光出力を漸
次上昇させる前記所定入力波形の傾きは露光量に応じて
可変とする請求項（１）記載の半導体レーザ駆動装置。 - （４）前記光出力設定値、及び前記光出力を漸次上昇さ
せる前記所定入力波形の傾きは露光量に応じて可変とし
、露光時間をほぼ一定とする請求項（１）記載の半導体
レーザ駆動装置。 - （５）漸次上昇する前記光出力が前記設定値に達したら
、前記所定入力波形とは逆の傾きの入力波形で光出力を
漸次下降させる請求項（１）記載の半導体レーザ駆動装
置。 - （６）前記半導体レーザは同一の筐体内から２本のレー
ザビームを独立に出力し得るものであり、一方を光出力
が前記漸次上昇するように駆動してその出力を検出し、
もう一方を一定出力となるよう駆動し、前者の出力検出
値と前記設定値との比較により後者の出力を制御する請
求項（１）記載の半導体レーザ駆動装置。 - （７）半導体レーザと、 該半導体レーザの光出力設定値を設定する手段と、 光出力が時間と共に漸次上昇するように所定入力波形で
前記半導体レーザを駆動させる手段と、 該駆動される半導体レーザの光出力を検出する手段と、 該検出される光出力と前記設定値とを比較する手段と、 前記光出力が前記設定値に達する時点まで、前記半導体
レーザの光出力を前記所定入力波形で形成させる手段と
、 前記半導体レーザの出力を記録媒体に照射する手段、 を有することを特徴とするレーザ記録装置。 - （８）前記半導体レーザの出力ビームと前記記録媒体を
相対移動させる手段を有し、前記記録媒体上に画像を形
成する請求項（７）記載のレーザ記録装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1243771A JP2692984B2 (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | レーザ記録装置 |
| CA 2025549 CA2025549C (en) | 1989-09-19 | 1990-09-17 | Method and apparatus for modulating semiconductor laser or the like, and system using the same |
| AT90117935T ATE249060T1 (de) | 1989-09-19 | 1990-09-18 | Verfahren und vorrichtung zur modulation eines halbleiterlasers oder dergleichen und system unter verwendung derselben |
| EP90117935A EP0418819B1 (en) | 1989-09-19 | 1990-09-18 | Method and apparatus for modulating semiconductor laser or the like, and system using the same |
| DE69034099T DE69034099T2 (de) | 1989-09-19 | 1990-09-18 | Verfahren und Vorrichtung zur Modulation eines Halbleiterlasers oder dergleichen und System unter Verwendung derselben |
| US07/584,263 US5270736A (en) | 1989-09-19 | 1990-09-18 | Light modulation method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1243771A JP2692984B2 (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | レーザ記録装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03105368A true JPH03105368A (ja) | 1991-05-02 |
| JP2692984B2 JP2692984B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=17108730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1243771A Expired - Fee Related JP2692984B2 (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | レーザ記録装置 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2692984B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007273722A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Eudyna Devices Inc | レーザダイオード駆動回路、電子回路及びデューティ制御方法 |
| JP2015146396A (ja) * | 2014-02-03 | 2015-08-13 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置、車両用灯具、及び、車両用照明装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2941907B2 (ja) | 1990-07-27 | 1999-08-30 | キヤノン株式会社 | 光変調装置及び光ビーム記録装置 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS5893025A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-02 | Hitachi Ltd | 光ビ−ム走査装置 |
| JPS59146456A (ja) * | 1983-02-10 | 1984-08-22 | Canon Inc | 光量制御装置 |
| JPS62198184A (ja) * | 1986-02-25 | 1987-09-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レ−ザモ−ドホツピング検出方法 |
| JPS6356452A (ja) * | 1986-08-27 | 1988-03-11 | Canon Inc | 記録装置 |
-
1989
- 1989-09-19 JP JP1243771A patent/JP2692984B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US8259766B2 (en) | 2006-03-31 | 2012-09-04 | Eudyna Devices Inc. | Laser diode drive circuit, electronic circuit, method for controlling laser diode drive circuit, and method for controlling duty |
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