JPH03109757A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH03109757A JPH03109757A JP1246312A JP24631289A JPH03109757A JP H03109757 A JPH03109757 A JP H03109757A JP 1246312 A JP1246312 A JP 1246312A JP 24631289 A JP24631289 A JP 24631289A JP H03109757 A JPH03109757 A JP H03109757A
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- Japan
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- resin
- semiconductor element
- insulating member
- package
- semiconductor device
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、樹脂封止型半導体装置、特にリフローはんだ
付は時の加熱により生じる樹脂クラックの防止に好適な
樹脂封止型半導体装置に関する。
付は時の加熱により生じる樹脂クラックの防止に好適な
樹脂封止型半導体装置に関する。
従来、樹脂封止型半導体装置においては、第８図にその
断面を示すように、半導体素子１をタブ２の上に固定す
るとともにタブ２の周囲に複数のり−ド３を配設し、半
導体素子１上の端子とり一ド３を金属細線４によって電
気的に接続して、その周囲を樹脂５でモールドする構造
が採用されている。近年、半導体素子の高集積化によっ
て、素子寸法が大型化する傾向にあり、その反面、半導
体装置の外形寸法は、高密度実装上の要求から自由に拡
大できないか、あるいは逆に小型化される傾向にある。
断面を示すように、半導体素子１をタブ２の上に固定す
るとともにタブ２の周囲に複数のり−ド３を配設し、半
導体素子１上の端子とり一ド３を金属細線４によって電
気的に接続して、その周囲を樹脂５でモールドする構造
が採用されている。近年、半導体素子の高集積化によっ
て、素子寸法が大型化する傾向にあり、その反面、半導
体装置の外形寸法は、高密度実装上の要求から自由に拡
大できないか、あるいは逆に小型化される傾向にある。
第８図の構造においては、外形寸法一定のままで半導体
素子１の寸法を大型化していくと、リード３を樹脂５に
固定する部分６の長さＱが不足し、リード３の十分な固
定強度が得られなくなる。
素子１の寸法を大型化していくと、リード３を樹脂５に
固定する部分６の長さＱが不足し、リード３の十分な固
定強度が得られなくなる。
このような問題を回避する方法としては、リード３を半
導体素子１の直下部まで延長させ、その上に半導体素子
１を搭載する方法が、特開昭５７−１１４２６１号公報
、同６１−２１８１３９号公報などにより知られでいる
。
導体素子１の直下部まで延長させ、その上に半導体素子
１を搭載する方法が、特開昭５７−１１４２６１号公報
、同６１−２１８１３９号公報などにより知られでいる
。
また従来のレジンモールドパッケージの樹脂封止型半導
体装置においては、上記第８図の通り半導体素子はタブ
上に搭載されているが、この方式で例えば４メガビツト
及び１６メガビツトあるいはそれ以上のダイナミック・
ランダム・アクセス・メモリＣＤＲＡＭ）のような大き
な素子を３００ミル［ｍ１ｆｌ］パツケージに収納する
ことは、きわめて困難であった。
体装置においては、上記第８図の通り半導体素子はタブ
上に搭載されているが、この方式で例えば４メガビツト
及び１６メガビツトあるいはそれ以上のダイナミック・
ランダム・アクセス・メモリＣＤＲＡＭ）のような大き
な素子を３００ミル［ｍ１ｆｌ］パツケージに収納する
ことは、きわめて困難であった。
そこで、タブレスリードフレーケのインナーリード部の
半導体素子搭載部に半導体素子搭載用絶縁性フィルムを
接着し、その上に半導体素子を搭載することが提案され
ている。
半導体素子搭載部に半導体素子搭載用絶縁性フィルムを
接着し、その上に半導体素子を搭載することが提案され
ている。
樹脂封止型半導体装置では、実装密度を上げるために従
来のピン挿入タイプに代わり、基板に直接リードをはん
だ付けする面付実装タイプが主流になりつつある。この
ようなパッケージでは、高温高湿環境で保存すると樹脂
が水分を吸収し、はんだ付加熱時（リフロー時）に水分
がパッケージ内部で蒸気になり、樹脂にクラックが生じ
やすい。
来のピン挿入タイプに代わり、基板に直接リードをはん
だ付けする面付実装タイプが主流になりつつある。この
ようなパッケージでは、高温高湿環境で保存すると樹脂
が水分を吸収し、はんだ付加熱時（リフロー時）に水分
がパッケージ内部で蒸気になり、樹脂にクラックが生じ
やすい。
このクラックは、はんだリフロー時に発生するため、リ
フロークラックと呼ばれている。
フロークラックと呼ばれている。
このようなりフロークラックを防止する従来技術として
は、特開昭６０−２（１８８４７号公報に記載のように
パッケージに孔をあけ、発生する蒸気を逃す方法がある
。
は、特開昭６０−２（１８８４７号公報に記載のように
パッケージに孔をあけ、発生する蒸気を逃す方法がある
。
従来のパッケージでは、特開昭６３−２２４２４５号公
報に開示されているように、タブと呼ばれる素子を搭載
するための金属板と樹脂の界面がはく離し、ここに蒸気
が発生することが多いため、樹脂とタブの接着強さを向
上させることにより蒸気の発生を防ぐことができる。こ
のような従来技術として。
報に開示されているように、タブと呼ばれる素子を搭載
するための金属板と樹脂の界面がはく離し、ここに蒸気
が発生することが多いため、樹脂とタブの接着強さを向
上させることにより蒸気の発生を防ぐことができる。こ
のような従来技術として。
特開昭５８−１９９５４８号公報及び特開昭６０−１８
６０４４号公報に示される技術がある。また、タブに特
殊な形状の孔をあけ、この孔に樹脂を食い込ませること
により樹脂を拘束し、はんだリフロー時に発生する蒸気
圧により生じる樹脂の応力を低減し、クラックを防止す
る技術が特開昭６３−２２４２４５号公報に開示されて
いる。
６０４４号公報に示される技術がある。また、タブに特
殊な形状の孔をあけ、この孔に樹脂を食い込ませること
により樹脂を拘束し、はんだリフロー時に発生する蒸気
圧により生じる樹脂の応力を低減し、クラックを防止す
る技術が特開昭６３−２２４２４５号公報に開示されて
いる。
上記従来技術のうち、パッケージに孔をあける方法は、
リフロークラックを防げるものの、パッケージに素子へ
直接通じる水分の通路を作ることになり、素子上の端子
の腐食が生じる可能性がある。
リフロークラックを防げるものの、パッケージに素子へ
直接通じる水分の通路を作ることになり、素子上の端子
の腐食が生じる可能性がある。
また、タブに加工を施す従来技術は１本発明で解決しよ
うとするタブを用いないタブレスパッケージには適用で
きない。
うとするタブを用いないタブレスパッケージには適用で
きない。
本発明が対象としているタブレスパッケージの部分断面
斜視図を第９図に、また第９図の長辺方向中央断面図を
第１０図に示す。複数のリード３上の半導体素子１を搭
載する部分にはシート状の絶縁部材７が接着されており
、半導体素子１は絶縁部材７の上に接合剤８によって接
合されている。
斜視図を第９図に、また第９図の長辺方向中央断面図を
第１０図に示す。複数のリード３上の半導体素子１を搭
載する部分にはシート状の絶縁部材７が接着されており
、半導体素子１は絶縁部材７の上に接合剤８によって接
合されている。
リード３は半導体素子１の下面で曲折した形状で延ばさ
れ、その先端部で金属細線４により素子１上の端子と電
気的に接続されている。そして、これらは封止樹脂５で
封止されている。
れ、その先端部で金属細線４により素子１上の端子と電
気的に接続されている。そして、これらは封止樹脂５で
封止されている。
このようなパッケージを高温高湿環境中で保存すると、
空気中の水分が樹脂に溶解し、パッケージ内部に拡散す
る。このような状態でリフロー加熱を行うと、第１１図
に示すように半導体素子１と接合剤８の界面にすきま９
が生じ、このすきま９で水分が蒸気化する。この蒸気１
０の圧力により、素子１と絶縁部材７の接合部より第１
１図に示すようなりフロークラック１１が生じる。また
。
空気中の水分が樹脂に溶解し、パッケージ内部に拡散す
る。このような状態でリフロー加熱を行うと、第１１図
に示すように半導体素子１と接合剤８の界面にすきま９
が生じ、このすきま９で水分が蒸気化する。この蒸気１
０の圧力により、素子１と絶縁部材７の接合部より第１
１図に示すようなりフロークラック１１が生じる。また
。
接合剤８のぬれ性が良好で半導体素子１と絶縁部材７の
接着力が強いような場合は、第１２図に示すように、接
着強度が弱い絶縁部材７と樹脂５の界面にすきま９が生
じ、このすきま９で水分が蒸気化する。この蒸気１０の
圧力により、絶縁部材７のコーナ部より第１２図に示す
ようなりフロークラックが発生する。
接着力が強いような場合は、第１２図に示すように、接
着強度が弱い絶縁部材７と樹脂５の界面にすきま９が生
じ、このすきま９で水分が蒸気化する。この蒸気１０の
圧力により、絶縁部材７のコーナ部より第１２図に示す
ようなりフロークラックが発生する。
本発明は、タブレスパッケージのりフロークラックを防
止し、さらに限られた外形寸法のもとで可能な限り大型
の半導体素子を搭載しうる樹脂封止型半導体装置を提供
することを目的とする。
止し、さらに限られた外形寸法のもとで可能な限り大型
の半導体素子を搭載しうる樹脂封止型半導体装置を提供
することを目的とする。
上記目的は、リフロー加熱時にパッケージ内部に発生す
る蒸気をパッケージ外部へ逃がすことによって達成され
る。すなわち、シート状の絶縁部材を複数の小片に分離
して絶縁部材内を蒸気が通りやすくする、あるいは絶縁
部材の側面と樹脂との界面をはく離させて、この部分を
蒸気が通るようにしておき、パッケージ内部に発生した
蒸気をリードを通じてパッケージ外部へ逃がす方法によ
って達成される。
る蒸気をパッケージ外部へ逃がすことによって達成され
る。すなわち、シート状の絶縁部材を複数の小片に分離
して絶縁部材内を蒸気が通りやすくする、あるいは絶縁
部材の側面と樹脂との界面をはく離させて、この部分を
蒸気が通るようにしておき、パッケージ内部に発生した
蒸気をリードを通じてパッケージ外部へ逃がす方法によ
って達成される。
本発明は、上記目的を達成するために、半導体素子と、
該半導体素子に夫々導通される各リードを、該半導体素
子の下面に絶縁部材を介して対向配置させ、該リードの
一部及び前記半導体素子の周囲を覆う封止樹脂とを備え
てなる樹脂封止型半導体装置において、前記絶縁部材が
複数の小片に分離されていることを特徴とする。
該半導体素子に夫々導通される各リードを、該半導体素
子の下面に絶縁部材を介して対向配置させ、該リードの
一部及び前記半導体素子の周囲を覆う封止樹脂とを備え
てなる樹脂封止型半導体装置において、前記絶縁部材が
複数の小片に分離されていることを特徴とする。
また、本発明は、上記目的を達成するために、前記の発
明と同様の前提において、前記絶縁部材の側面の樹脂と
の界面をはく離させる、あるいは接着力を弱くしたこと
を特徴とする。
明と同様の前提において、前記絶縁部材の側面の樹脂と
の界面をはく離させる、あるいは接着力を弱くしたこと
を特徴とする。
本発明の構成によれば、パッケージ内部に発生する蒸気
をリードを通じてパッケージ外部へ逃がすことができる
ので、リフロー加熱を行っても、蒸気の圧力によるリフ
ロークラックの発生を防止することができ、大型の半導
体素子を搭載しても高信頼性の樹脂封止型半導体装置が
得られる。
をリードを通じてパッケージ外部へ逃がすことができる
ので、リフロー加熱を行っても、蒸気の圧力によるリフ
ロークラックの発生を防止することができ、大型の半導
体素子を搭載しても高信頼性の樹脂封止型半導体装置が
得られる。
以下１本発明の一実施例を第１図及び第２図によって説
明する。第１図は、本発明の一実施例である樹脂封止型
半導体装置の部分断面斜視図、第２図は、第１図の長辺
方向中央断面図である。
明する。第１図は、本発明の一実施例である樹脂封止型
半導体装置の部分断面斜視図、第２図は、第１図の長辺
方向中央断面図である。
図において、複数のり−ド３は樹脂封止型半導体装置の
２方向（長手面）から外部に引き出されている。リード
３は、樹脂５内部において半導体素子１の直下部を通っ
て向きを変え、半導体素子１のリード３外部引き出し側
とは異なる辺の下を通って、その先端部で半導体素子１
と図示されていない金属細線４により電気接続が行われ
ている（第９図参照）、リード３の半導体素子１の直下
部には、複数の小片に分離しているポリイミドフィルム
などの絶縁部材７が接着されており、半導体素子ｌは絶
縁部材７と接合剤８によって接合されており、リード３
の上に絶縁部材７を介して搭載されている。絶縁部材７
は複数の小片７ａに分離されており、絶縁部材７の小片
７ａどうしは接着されていない。
２方向（長手面）から外部に引き出されている。リード
３は、樹脂５内部において半導体素子１の直下部を通っ
て向きを変え、半導体素子１のリード３外部引き出し側
とは異なる辺の下を通って、その先端部で半導体素子１
と図示されていない金属細線４により電気接続が行われ
ている（第９図参照）、リード３の半導体素子１の直下
部には、複数の小片に分離しているポリイミドフィルム
などの絶縁部材７が接着されており、半導体素子ｌは絶
縁部材７と接合剤８によって接合されており、リード３
の上に絶縁部材７を介して搭載されている。絶縁部材７
は複数の小片７ａに分離されており、絶縁部材７の小片
７ａどうしは接着されていない。
本実施例によれば、絶縁部材７は複数の小片７ａに分離
されており、小片７ａどうしは接着されていないので、
リフロー加熱時にパッケージ内部に発生する蒸気を絶縁
部材７からリード３を通じてパッケージ外部へ逃がすこ
とができるので、パッケージ内部に蒸気による圧力が生
じることがなく、リフロークラックを防止することがで
きる。
されており、小片７ａどうしは接着されていないので、
リフロー加熱時にパッケージ内部に発生する蒸気を絶縁
部材７からリード３を通じてパッケージ外部へ逃がすこ
とができるので、パッケージ内部に蒸気による圧力が生
じることがなく、リフロークラックを防止することがで
きる。
この半導体装置の組み立てに当っては、まず、複数の小
片からなる絶縁部材７のリード３との接触面にのみ接着
剤を塗布してリード３上に接着し。
片からなる絶縁部材７のリード３との接触面にのみ接着
剤を塗布してリード３上に接着し。
複数の絶縁部材７どうじが接触する面には、接着剤を塗
布せず、お互いが接着しないようにしておく、この絶縁
部材７上に半導体素子１を接合剤８によって接合してリ
ード３上に搭載する。次いで。
布せず、お互いが接着しないようにしておく、この絶縁
部材７上に半導体素子１を接合剤８によって接合してリ
ード３上に搭載する。次いで。
半導体素子１上の端子と各リード３とを金属細線４にて
電気的に接続し、しかる後にこれらを封止樹脂５で封止
した半導体装置を得る。なお、絶縁部材７はあらかじめ
複数の小片に分離されたものをリード３上の半導体素子
１搭載部に接着するのではなく、リード３上に接着した
後に複数の小片に分離したものであっても差し支えない
。また、複数の小片７ａの形状及び分離する数は、半導
体装置の大きさやリード３の形状によって適宜選択すれ
ば良い、半導体素子１と絶縁部材７の接合は、接合剤８
を絶縁部材７の分離境界部以外に塗布して行うことが望
ましい。
電気的に接続し、しかる後にこれらを封止樹脂５で封止
した半導体装置を得る。なお、絶縁部材７はあらかじめ
複数の小片に分離されたものをリード３上の半導体素子
１搭載部に接着するのではなく、リード３上に接着した
後に複数の小片に分離したものであっても差し支えない
。また、複数の小片７ａの形状及び分離する数は、半導
体装置の大きさやリード３の形状によって適宜選択すれ
ば良い、半導体素子１と絶縁部材７の接合は、接合剤８
を絶縁部材７の分離境界部以外に塗布して行うことが望
ましい。
リード３を樹脂５の外部に引き出す方向は、第１図に示
したような２方向すなわち樹脂封止型半導体装置の長手
力・向に限定するものではなく、１方向あるいは３方向
以上であっても良い。また、樹脂５の側面からだけでな
く、樹脂５の上面あるいは下面からリード３を引き出し
ても良い。さらに図では、リード３を樹脂５外部で下方
に折り曲げ、その先端を樹脂５の下面まで曲げたＪベン
ド型を例にとって示しであるが、樹脂５外部でのリード
３は任意の方向、形状に折り曲げても良いし、また折り
曲げなくとも良い。
したような２方向すなわち樹脂封止型半導体装置の長手
力・向に限定するものではなく、１方向あるいは３方向
以上であっても良い。また、樹脂５の側面からだけでな
く、樹脂５の上面あるいは下面からリード３を引き出し
ても良い。さらに図では、リード３を樹脂５外部で下方
に折り曲げ、その先端を樹脂５の下面まで曲げたＪベン
ド型を例にとって示しであるが、樹脂５外部でのリード
３は任意の方向、形状に折り曲げても良いし、また折り
曲げなくとも良い。
また、絶縁部材７は第１図のように半導体素子１直下部
全面に設けても良いし、第３図に示すように、半導体素
子１の長手方向の両端部分に分割配置して、半導体素子
１下面とり−ド３上面の間に樹脂５を介在させたもので
あっても差し支えない。分割した絶縁部材７の位置は、
第３図に示すような長手方向の両端に限定されるもので
はなく、リード３がパッケージの外部へ引き出されてい
る方向に分割されたものでも良く、分割数も２分割以上
であっても良い。
全面に設けても良いし、第３図に示すように、半導体素
子１の長手方向の両端部分に分割配置して、半導体素子
１下面とり−ド３上面の間に樹脂５を介在させたもので
あっても差し支えない。分割した絶縁部材７の位置は、
第３図に示すような長手方向の両端に限定されるもので
はなく、リード３がパッケージの外部へ引き出されてい
る方向に分割されたものでも良く、分割数も２分割以上
であっても良い。
第１図及び第３図では、いずれもタブ２を廃してリード
３のみによって半導体素子を支える構造を示した。しか
し、上記実施例は、リード３の一部を半導体素子１の直
下部に配設する構造であれば、特開昭６１−２１８１３
９号公報記載のようなタブ２を併用した構造の場合にも
有効である。
３のみによって半導体素子を支える構造を示した。しか
し、上記実施例は、リード３の一部を半導体素子１の直
下部に配設する構造であれば、特開昭６１−２１８１３
９号公報記載のようなタブ２を併用した構造の場合にも
有効である。
また、半導体素子１をリード３に取り付ける向きは、特
開昭６１−２１８１３９号公報に記載されているように
、半導体素子１の回路形成面、非回路形成面のいずれを
リード３側に向けても良い。
開昭６１−２１８１３９号公報に記載されているように
、半導体素子１の回路形成面、非回路形成面のいずれを
リード３側に向けても良い。
第４図及び第５図は、半導体素子１の回路形成面をリー
ド３側に向けた場合の金属細線接続法を示す部分断面斜
視図である。第４図及び第５図において、リード３は複
数の小片に分離された絶縁部材７を介して半導体素子１
の回路形成面上に接着されている。絶縁部材７及びリー
ド３は半導体素子１の回路形成面上に端子を覆うことが
ないように配置されており、リード３と金属細線４との
接続は半導体素子１の上部で行われている。このように
金属細線接続を半導体素子１と投影面積内のみで行うこ
とによって、半導体素子１の周囲にリード３と金属細線
４の接続のための領域を設ける必要がなくなるので、半
導体装置の限られた外形寸法内に、より大型の半導体素
子１を搭載することが可能となる。
ド３側に向けた場合の金属細線接続法を示す部分断面斜
視図である。第４図及び第５図において、リード３は複
数の小片に分離された絶縁部材７を介して半導体素子１
の回路形成面上に接着されている。絶縁部材７及びリー
ド３は半導体素子１の回路形成面上に端子を覆うことが
ないように配置されており、リード３と金属細線４との
接続は半導体素子１の上部で行われている。このように
金属細線接続を半導体素子１と投影面積内のみで行うこ
とによって、半導体素子１の周囲にリード３と金属細線
４の接続のための領域を設ける必要がなくなるので、半
導体装置の限られた外形寸法内に、より大型の半導体素
子１を搭載することが可能となる。
第４図及び第５図の場合、リード３は樹脂５内部におい
て半導体素子１の上方に位置しており、樹脂５外部では
下方に折り曲げられている。しかし、リード３を折り曲
げる向きは上下いずれであっても良いので、半導体素子
１とリード３の上下関係は絶対的なものではない。
て半導体素子１の上方に位置しており、樹脂５外部では
下方に折り曲げられている。しかし、リード３を折り曲
げる向きは上下いずれであっても良いので、半導体素子
１とリード３の上下関係は絶対的なものではない。
第６図及び第７図は本発明の他の実施例であり。
第６図は、本発明の樹脂封止型半導体装置の断面図、第
７図は第６図の部分断面拡大図である。
７図は第６図の部分断面拡大図である。
図において、絶縁部材７の側面７ｂには、シリコーンオ
イルなどの樹脂５との接着性を悪くする離型剤１２が塗
布されており、側面７ｂと樹脂５との界面は、はく離し
ているか、あるいは絶縁部材７の下面７ｃと樹脂５との
界面より接着力が弱くなっている。
イルなどの樹脂５との接着性を悪くする離型剤１２が塗
布されており、側面７ｂと樹脂５との界面は、はく離し
ているか、あるいは絶縁部材７の下面７ｃと樹脂５との
界面より接着力が弱くなっている。
これによって、リフロー加熱時にパッケージ内部に発生
する蒸気が、絶縁部材７の側面７ｂと樹脂５との界面を
通じて、リード３からパッケージ外部へ抜けるため、パ
ッケージ内部に蒸気によって圧力が発生することがなく
、リフロークラックの発生を防止することができる。
する蒸気が、絶縁部材７の側面７ｂと樹脂５との界面を
通じて、リード３からパッケージ外部へ抜けるため、パ
ッケージ内部に蒸気によって圧力が発生することがなく
、リフロークラックの発生を防止することができる。
なお、この半導体装置の組み立てに当たってはまず、絶
縁部材７をリード３上に接着し、絶縁部材７上に半導体
素子１を接合剤８によって接合してリード３上に搭載す
る１次いで、半導体素子１上の端子と各リード３とを金
属細線４にて電気的に接続し、しかる後にこれらを封止
樹脂５で封止した半導体装置を得る。絶縁部材７の側面
７ｂへの離型剤１２の塗布は、絶縁部材７をリード３上
へ接着する前後いずれであっても良い。
縁部材７をリード３上に接着し、絶縁部材７上に半導体
素子１を接合剤８によって接合してリード３上に搭載す
る１次いで、半導体素子１上の端子と各リード３とを金
属細線４にて電気的に接続し、しかる後にこれらを封止
樹脂５で封止した半導体装置を得る。絶縁部材７の側面
７ｂへの離型剤１２の塗布は、絶縁部材７をリード３上
へ接着する前後いずれであっても良い。
本発明によれば、リフロー加熱によってパッケージ内部
に発生する蒸気を、パッケージ外部に逃がすことができ
るので、蒸気の圧力によるリフロークラックの発生を防
止することができ、さらに限られた外形寸法のもとて可
能な限り大型の半導体素子を搭載しうる樹脂封止型半導
体装置を得ることができる。
に発生する蒸気を、パッケージ外部に逃がすことができ
るので、蒸気の圧力によるリフロークラックの発生を防
止することができ、さらに限られた外形寸法のもとて可
能な限り大型の半導体素子を搭載しうる樹脂封止型半導
体装置を得ることができる。
第１図及び第３図は本発明の樹脂封止型半導体装置の一
実施例を示す部分断面斜視図、第２図は第１図の長辺方
向中央断面図、第４図及び第５図は本発明の樹脂封止型
半導体装置で半導体素子とリードを対向させた例を示す
部分断面斜視図、第６図は本発明の他の実施例を示す長
辺方向中央断面図、第７図は第６図の部分断面拡大図、
第８図は従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図、第
９図は従来のタブレスパッケージの例を示す部分断面斜
視図、第１０図は第９図の長辺方向中央断面図、第１１
図及び第１２図はりフロークラックの発生メカニズムを
説明するための第９図の長辺方向中央断面図である。 １・・・半導体素子、２・・・タブ、３・・・リード、
４・・・金属細線、５・・・封止樹脂、７・・・絶縁部
材、７ａ・・・小片に分離された絶縁部材、８・・・接
合剤、９・・・すき嶌 菌 不 国 第 図 星 ４ 図 耗球部巷 見肱俸庶／涛 華 図 奉導体書孕 図 第 団 借１面 ″Ｆ面 接訃荊 Ｍ型剤 半導４７＋索子 クツ゛ リード“ 金属に暖 封止、＃ｉ脂 第 ９ 回 ｔθ 図 冨 ／１ 図 不 ｚ 図 枯針冑 １ クラヅフ
実施例を示す部分断面斜視図、第２図は第１図の長辺方
向中央断面図、第４図及び第５図は本発明の樹脂封止型
半導体装置で半導体素子とリードを対向させた例を示す
部分断面斜視図、第６図は本発明の他の実施例を示す長
辺方向中央断面図、第７図は第６図の部分断面拡大図、
第８図は従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図、第
９図は従来のタブレスパッケージの例を示す部分断面斜
視図、第１０図は第９図の長辺方向中央断面図、第１１
図及び第１２図はりフロークラックの発生メカニズムを
説明するための第９図の長辺方向中央断面図である。 １・・・半導体素子、２・・・タブ、３・・・リード、
４・・・金属細線、５・・・封止樹脂、７・・・絶縁部
材、７ａ・・・小片に分離された絶縁部材、８・・・接
合剤、９・・・すき嶌 菌 不 国 第 図 星 ４ 図 耗球部巷 見肱俸庶／涛 華 図 奉導体書孕 図 第 団 借１面 ″Ｆ面 接訃荊 Ｍ型剤 半導４７＋索子 クツ゛ リード“ 金属に暖 封止、＃ｉ脂 第 ９ 回 ｔθ 図 冨 ／１ 図 不 ｚ 図 枯針冑 １ クラヅフ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体素子と、該半導体素子に夫々導通接続される
各リードと、該リードの一部及び半導体素子の周囲を覆
う封止樹脂とを包含する樹脂封止型半導体装置において
、前記半導体素子の下面に絶縁部材を介して前記各リー
ドの一部を対向配置させ、かつ該絶縁部材が複数の小片
に分離されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装
置。 ２、前記複数の小片に分離している絶縁部材が互いに接
続していることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止
型半導体装置。 ３、半導体素子と、該半導体素子の夫々導通接続される
各リードと、該リードの一部及び半導体素子の周囲を覆
う封止樹脂とを包含する樹脂封止型半導体装置において
、前記半導体素子の下面に絶縁部材を介して前記各リー
ドの一部を対向配置させ、かつ該絶縁部材側面の前記封
止樹脂との界面をはく離させたことを特徴とする樹脂封
止型半導体装置。 ４、前記絶縁部材側面の前記封止樹脂との界面の接着力
を他の該絶縁部材と該封止樹脂との界面の接着力よりも
弱くしたことを特徴とする請求項３に記載の樹脂封止型
半導体装置。 ５、半導体素子の回路形成面側をリードと対向させたこ
とを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の樹脂
封止型半導体装置。 ６、半導体素子の非回路形成面側をリードと対向させた
ことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の樹
脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1246312A JPH03109757A (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1246312A JPH03109757A (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03109757A true JPH03109757A (ja) | 1991-05-09 |
Family
ID=17146684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1246312A Pending JPH03109757A (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03109757A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6046072A (en) * | 1993-03-29 | 2000-04-04 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Process for fabricating a crack resistant resin encapsulated semiconductor chip package |
| US6372080B1 (en) | 1993-03-29 | 2002-04-16 | Hitachi Chemical Company, Ltd | Process for fabricating a crack resistant resin encapsulated semiconductor chip package |
-
1989
- 1989-09-25 JP JP1246312A patent/JPH03109757A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6046072A (en) * | 1993-03-29 | 2000-04-04 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Process for fabricating a crack resistant resin encapsulated semiconductor chip package |
| US6248613B1 (en) | 1993-03-29 | 2001-06-19 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Process for fabricating a crack resistant resin encapsulated semiconductor chip package |
| US6372080B1 (en) | 1993-03-29 | 2002-04-16 | Hitachi Chemical Company, Ltd | Process for fabricating a crack resistant resin encapsulated semiconductor chip package |
| US6558791B2 (en) | 1993-03-29 | 2003-05-06 | Hitachi Chemical Company | Heat-resistant adhesive sheet |
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