JPH03110438A - Frequency characteristic measuring instrument for photodetecting circuit - Google Patents
Frequency characteristic measuring instrument for photodetecting circuitInfo
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- JPH03110438A JPH03110438A JP1248309A JP24830989A JPH03110438A JP H03110438 A JPH03110438 A JP H03110438A JP 1248309 A JP1248309 A JP 1248309A JP 24830989 A JP24830989 A JP 24830989A JP H03110438 A JPH03110438 A JP H03110438A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、高速・広帯域受光回路の周波数特性を測定
する装置に関するもので、特にその周波数特性を、短時
間に、かつ良好なS/Nで測定することができる受光回
路の周波数特性測定装置に関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a device for measuring the frequency characteristics of a high-speed/wideband photodetector circuit, and in particular, the present invention relates to a device for measuring the frequency characteristics of a high-speed/wideband photodetector circuit, and in particular, to measure the frequency characteristics in a short time and with a good S/N ratio. This invention relates to a frequency characteristic measuring device for a light receiving circuit that can measure the frequency characteristics of a light receiving circuit.
近年、光フアイバ通信における信号伝送速度は高速化の
一途をたどり、既にl0Gb/sを越えるような変調・
復調技術が現実のものとなりつつある。そして、このよ
うな高速・広帯域の光フアイバ伝送を行なうには、送信
機側の半導体レーザダイオードの変調特性とともに、受
信機側の受光回路の周波数特性(周波数応答とも呼ばれ
る)を正しく評価することが必要不可欠である。In recent years, signal transmission speeds in optical fiber communications have continued to increase, and modulation and speeds exceeding 10 Gb/s have already been achieved.
Demodulation technology is becoming a reality. In order to perform such high-speed, broadband optical fiber transmission, it is necessary to correctly evaluate the modulation characteristics of the semiconductor laser diode on the transmitter side as well as the frequency characteristics (also called frequency response) of the light receiving circuit on the receiver side. It is essential.
従来、数GHzから数十GHzに及ぶ高速・広帯域の受
光回路(受光素子として一体に構成されているものを含
む)の周波数特性を評価する方法としては、発振光周波
数が極めて近く、かつ偏波状態の一致した2台の半導体
レーザダイオードの光を合波し、被測定受光回路に入射
してビート信号を検出しつつ、一方の半導体レーザダイ
オードの温度もしくは注入電流を変化させてその発振周
波数を掃引することによって、ビート信号の強度を記録
する方法が用いられている (例えば、川西、猿渡、「
長波長受光素子のへテロダイン検波による高周波特性の
評価」、昭和60年度電気通信学会半導体・材料部門全
国大会376、あるいは用西他、「受光回路の周波数特
性測定方法」特願昭60−274412号)。Conventionally, methods for evaluating the frequency characteristics of high-speed, wide-band photodetector circuits (including those configured integrally as photodetectors) ranging from several GHz to several tens of GHz have been based on methods in which the oscillation optical frequencies are extremely close and the polarization is The light from two semiconductor laser diodes in the same state is combined, enters the photodetector circuit under test, and detects the beat signal, while changing the temperature or injection current of one semiconductor laser diode to adjust its oscillation frequency. A method is used to record the intensity of the beat signal by sweeping it (for example, Kawanishi, Saruwatari, ``
``Evaluation of high frequency characteristics by heterodyne detection of long wavelength photodetectors'', 1985 National Conference of Semiconductor and Materials Division, Institute of Electrical Communication, 376, or Yonishi et al., ``Method for measuring frequency characteristics of photodetector circuits'', Patent Application No. 1988-274412. ).
第2図は、このような方法に基づ〈従来の周波数特性測
定装置の構成を示す図である。この図において、単一縦
モードで発振している第1のDFB (distrib
uted feedback)レーザダイオード21の
出力光と、同じく単一縦モードで発振している第2のD
I” Bレーザダイオード22の出力光は、それぞれ
反射による発振周波数への影響を防ぐためにアイソレー
タ23,24を透過させた後、両出力光の偏波状態が一
致するように光カプラ25で合波され、被測定受光回路
26へ入射される。FIG. 2 is a diagram showing the configuration of a conventional frequency characteristic measuring device based on such a method. In this figure, the first DFB (distrib
output light from the laser diode 21 and the second D, which is also oscillating in a single longitudinal mode.
The output light from the I"B laser diode 22 is transmitted through isolators 23 and 24 to prevent reflection from affecting the oscillation frequency, and then combined by an optical coupler 25 so that the polarization states of both output lights match. and enters the light receiving circuit 26 to be measured.
ここで、第1および第2のDFBレーザダイオード21
.22には、それぞれ発振光周波数が温度ゆらぎによっ
て変化してしまうのを防ぐために温度制御装置27.2
8が付加されている。また、被測定受光回路26の電気
出力は、その周波数成分を測定して記録するためのスペ
クトラムアナライザ29に入力されている。Here, the first and second DFB laser diodes 21
.. In order to prevent the oscillation light frequency from changing due to temperature fluctuations, temperature control devices 27.2 and 22 are respectively installed.
8 is added. Further, the electrical output of the light receiving circuit to be measured 26 is input to a spectrum analyzer 29 for measuring and recording its frequency components.
次に、第2図に示した従来の装置によって被測定受光回
路の周波数特性が測定される原理について説明する。今
、第1のDFBレーザダイオード21の発振光周波数を
νい第2のDFBレーザダイオード22の発振光周波数
をν、とすると、それぞれの光電界は、
E l= A ICOS (2E ν+t+φ2)
・・・・=(1)Et=AtCo s (2yr v
tt+φt) −・・・−・(2)と書ける。但し、
A + 、 A tは電界振幅、φ1.φ、は初期位相
である。被測定受光回路26によって得られる電気出力
は、原理的には入射光パワーに比例した電気信号を生じ
るので、その出力は、V = RI E + + E
t l ・・・・・・(3)で与えら
れる。ただし、Rは受光回路によって定まる係数である
。上式(3)に、(+)式および(2)式を代入して計
算することにより、直流成分の他に、次式で与えられる
周波数rbを有するビート信号が得られることがわかる
。Next, the principle of measuring the frequency characteristics of the light receiving circuit under test using the conventional apparatus shown in FIG. 2 will be explained. Now, if the oscillation optical frequency of the first DFB laser diode 21 is ν and the oscillation optical frequency of the second DFB laser diode 22 is ν, then each optical electric field is E l= A ICOS (2E ν+t+φ2)
...=(1) Et=AtCos (2yr v
It can be written as tt+φt) −・・・−・(2). however,
A + , A t are electric field amplitudes, φ1. φ is the initial phase. The electrical output obtained by the light-receiving circuit 26 under test generates an electrical signal proportional to the incident light power in principle, so the output is V = RI E + + E
t l ...... is given by (3). However, R is a coefficient determined by the light receiving circuit. It can be seen that by substituting equation (+) and equation (2) into equation (3) above, a beat signal having a frequency rb given by the following equation, in addition to the DC component, can be obtained.
rb= lν1−シア1 ・・・・・
・(4)この時、スペクトラムアナライザ29によって
時間的に測定周波数帯域を掃引してビート信号の周波数
成分を測定すれば、第3図(A)に示すような結果が得
られる。rb=lν1-shear1...
(4) At this time, if the frequency component of the beat signal is measured by temporally sweeping the measurement frequency band with the spectrum analyzer 29, a result as shown in FIG. 3(A) can be obtained.
ここで、第1のDFBレーザダイオード21の温度を、
温度制御装置27を用いて変化させることにより、周波
数ν1を変化させ、その結果としてビート信号の周波数
「bを変化させることが出来る。この場合、被測定受光
回路25の電気出力信号をスペクトラムアナライザ29
で測定すれば、第3図(B)および(C)に示すように
なる。一方、スペクトラムアナライザによって測定され
る電気信号強度は、それぞれの周波数「bにおける被測
定受光回路25の周波数応答に相当する。したがって、
第1のDPBレーザダイオード21の温度を掃引して周
波数ν、をゆっくり掃引しつつ、スペクトラムアナライ
ザ29によるビート信号の周波数成分の掃引測定を繰り
返し、それぞれの測定値の最大値を記録してゆけば、被
測定受光回路25の周波数特性を測定することができる
。この様子を示したのが、第3図(D)であり、同図に
示す破線が測定されるべき受光回路の周波数特性に相当
する。Here, the temperature of the first DFB laser diode 21 is
By changing the temperature using the temperature control device 27, the frequency ν1 can be changed, and as a result, the frequency "b" of the beat signal can be changed.
When measured, the results are shown in FIGS. 3(B) and 3(C). On the other hand, the electrical signal strength measured by the spectrum analyzer corresponds to the frequency response of the light receiving circuit under test 25 at each frequency "b. Therefore,
While sweeping the temperature of the first DPB laser diode 21 and slowly sweeping the frequency ν, repeat the sweep measurement of the frequency component of the beat signal by the spectrum analyzer 29, and record the maximum value of each measurement value. , the frequency characteristics of the light receiving circuit 25 to be measured can be measured. This state is shown in FIG. 3(D), and the broken line shown in the figure corresponds to the frequency characteristic of the light receiving circuit to be measured.
ところで、上述した従来の周波数特性測定装置において
は、スペクトラムアナライザ29の1回の掃引につき、
一つの周波数値における周波数応答しか測定することが
出来ないため、周波数特性を測定するのに相当な時間を
要するという問題があった。これは単に掃引速度を速く
すれば解決される問題ではない。すなわち、光周波数ν
、の掃引速度を速くすると、スペクトラムアナライザ2
9の1回の測定によって記録される最大値と、次の1回
の測定によって記録される最大値の間に、第3図(E)
に示す様な凹凸が生じてしまい、その結果として測定さ
れる周波数特性の信号対雑音比(S/N)が劣化してし
まう。By the way, in the above-mentioned conventional frequency characteristic measuring device, per one sweep of the spectrum analyzer 29,
Since the frequency response at only one frequency value can be measured, there is a problem in that it takes a considerable amount of time to measure the frequency characteristics. This is not a problem that can be solved simply by increasing the sweep speed. That is, the optical frequency ν
When the sweep speed of , is increased, spectrum analyzer 2
3 (E) between the maximum value recorded by one measurement of 9 and the maximum value recorded by the next one measurement.
As a result, the signal-to-noise ratio (S/N) of the measured frequency characteristics deteriorates.
例えば、仮にビート信号の線幅が3MIIz以下で、ス
ペクトラムアナライザ29の分解能が3MHz。For example, suppose the line width of the beat signal is 3 MIIz or less and the resolution of the spectrum analyzer 29 is 3 MHz.
1回の掃引時間【を5(lnsとすると光周波数ν1の
掃引速度Vは単純に計算しても、
V =!9=(3Mllz)/ (50ras)= 6
0 MHz/s −(5)より、60MHz/s以下
でなければならない。すなわち、5GHzの帯域での周
波数特性の測定には、84秒以上かかることになる。If one sweep time [is 5 (lns), the sweep speed V of optical frequency ν1 can be simply calculated as follows: V =!9=(3Mllz)/(50ras)=6
0 MHz/s - From (5), it must be 60 MHz/s or less. That is, it takes 84 seconds or more to measure the frequency characteristics in the 5 GHz band.
また、上述した従来の周波数特性測定装置によって測定
される周波数特性のS/Nは、光周波数ν1の掃引速度
Vが十分に遅い場合でも一般には悪い。Furthermore, the S/N of the frequency characteristic measured by the conventional frequency characteristic measuring device described above is generally poor even when the sweep speed V of the optical frequency ν1 is sufficiently slow.
これは、半導体レーザダイオード21の発振光周波数が
、I/100度程度の温度安定化を行なった状態におい
てもなお数Mllzの周波数揺らぎを有しているためで
ある。すなわち、ビート周波数自体が敗Mtlz程度揺
らいでいるために、スペクトラムアナライザ29の連続
する複数回の掃引測定の間でやはり第3図(E)に示す
ような凹凸が生じてしまう。This is because the oscillation light frequency of the semiconductor laser diode 21 still has frequency fluctuations of several Mllz even in a state where the temperature has been stabilized to about I/100 degrees. That is, since the beat frequency itself fluctuates by about Mtlz, unevenness as shown in FIG. 3(E) still occurs between multiple consecutive sweep measurements by the spectrum analyzer 29.
この発明は上述した事情に鑑みてなされたもので、その
目的とするところは、上述したような従来技術の欠点を
克服し、高速・広帯域の受光回路の周波数特性を、短時
間で、かつ良好なS/Nで測定する事が出来る優れた受
光回路の周波数特性測定装置を提供することにある。This invention was made in view of the above-mentioned circumstances, and its purpose is to overcome the drawbacks of the prior art as described above, and to improve the frequency characteristics of a high-speed, wide-band photodetector circuit in a short time and with good quality. It is an object of the present invention to provide an excellent frequency characteristic measuring device for a light receiving circuit that can measure with a high S/N ratio.
この発明は、上記課題を解決するため、基準光と被制御
半導体レーザダイオードの出力光とを被測定受光回路も
しくは参照受光回路に入射して得られるビート信号を、
周波数掃引用の第1の局部発信器の出力とミキサで混合
して中間周波数信号を生成し、その中間周波数信号が常
に一定の周波数となるようにPLL (位相同期化ル
ープ)を用いて被制御半導体レーザの発振光周波数を制
御しつつ第1の局部発信器の発振周波数を掃引すること
で光周波数を掃引し、一方、被測定受光回路から出力さ
れるビート信号の強度を、第1の局部発信器の掃引と同
期させたスペクトラムアナライザや、あるいは検波器と
ストレージスコープ等を組み合わせた記録装置で掃引測
定することを特徴としている。In order to solve the above-mentioned problems, this invention generates a beat signal obtained by inputting a reference light and an output light of a controlled semiconductor laser diode into a light receiving circuit to be measured or a reference light receiving circuit.
An intermediate frequency signal is generated by mixing the output of the first local oscillator for frequency sweeping with a mixer, and controlled using a PLL (phase synchronized loop) so that the intermediate frequency signal always has a constant frequency. The optical frequency is swept by sweeping the oscillation frequency of the first local oscillator while controlling the oscillation frequency of the semiconductor laser. It is characterized by sweeping measurements using a spectrum analyzer synchronized with the sweep of an oscillator, or a recording device that combines a detector and a storage scope.
上記の構成によれば、被測定受光回路もしくは参照受光
回路より、基準光と被制御半導体レーザダイオードの出
力光の光周波数の差に相当する周波数成分を有するビー
ト信号が検出され、このビート信号の周波数を利用して
被制御半導体レーザダイオードの光周波数が掃引される
。ここで、ビート信号の周波数を、マイクロ波領域の周
波数可変発振器である第1の局部発振器の発振周波数に
よって広い周波数帯域にわたって制御するために、PL
Lを用いるが、線幅が数M Hzから数十M Hzと広
い単体の半導体レーザダイオードを光周波数可変発振器
として用いるために、特殊な工夫を必要とする。すなわ
ち、ビート信号と、第1の局部発振器の出力をまずミキ
サで混合し、それぞれの周波数の差もしくは和の周波数
を有する中間周波数信号を生成し、この中間周波数信号
の周波数が常に一定値となるように、PLLを用いて半
導体レーザダイオードの光周波数を制御している。この
様なPLLが動作している状態で、第1の局部発振器の
発振周波数を掃引することにより、半導体レーザダイオ
ードの発振光周波数が掃引され、これにより、ビート信
号の周波数が、いわゆるヘテロゲイン型のPLL (
周波数のオフセットロッキングとも呼ばれる)によって
常にトラッキングされるため、短い時間でかつ正確にビ
ート周波数を掃引することが可能となる。また、被測定
受光回路によって検出されたビート信号は、スペクトラ
ムアナライザ等の記録装置によってその信号強度が時間
的に掃引されて記録される。したがって、例えばこのス
ペクトラムアナライザの掃引速度と、前記ビート周波数
の掃引速度を一致させ、どちらの掃引も同時に開始させ
て測定を実施すれば、スペクトラムアナライザを一回掃
引するだけで所望の周波数特性を記録することが出来る
。According to the above configuration, a beat signal having a frequency component corresponding to the difference in optical frequency between the reference light and the output light of the controlled semiconductor laser diode is detected from the light receiving circuit to be measured or the reference light receiving circuit, and The frequency is used to sweep the optical frequency of the controlled semiconductor laser diode. Here, in order to control the frequency of the beat signal over a wide frequency band by the oscillation frequency of the first local oscillator, which is a variable frequency oscillator in the microwave region, the PL
However, in order to use a single semiconductor laser diode with a wide linewidth ranging from several MHz to several tens of MHz as an optical frequency variable oscillator, special measures are required. That is, the beat signal and the output of the first local oscillator are first mixed in a mixer to generate an intermediate frequency signal having the difference or sum of their respective frequencies, and the frequency of this intermediate frequency signal is always a constant value. In this way, the optical frequency of a semiconductor laser diode is controlled using a PLL. By sweeping the oscillation frequency of the first local oscillator while such a PLL is operating, the oscillation optical frequency of the semiconductor laser diode is swept, and as a result, the frequency of the beat signal changes to the so-called hetero gain type. PLL (
Since the beat frequency is constantly tracked by frequency offset locking (also called frequency offset locking), it is possible to sweep the beat frequency accurately in a short time. Further, the beat signal detected by the light-receiving circuit under test is recorded by temporally sweeping the signal strength thereof by a recording device such as a spectrum analyzer. Therefore, for example, if you match the sweep speed of this spectrum analyzer with the sweep speed of the beat frequency and start both sweeps at the same time and perform measurements, you can record the desired frequency characteristics with just one sweep of the spectrum analyzer. You can.
以下、図面を参照してこの発明の実施例について説明す
る。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図は、この発明の第1の実施例による受光回路の周
波数特性測定装置の構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing the configuration of a frequency characteristic measuring device for a light receiving circuit according to a first embodiment of the present invention.
この図において、被制御半導体レーザダイオード+01
としては、例えば活性層領域と分布反射層領域を有する
1、5μm帯DBRLD(レーザダイオード)を用いる
。そして、前記活性層領域には電流注入装置102によ
って8011IAの電流を注入し、また分布反射層領域
には制御電流注入装置+03によって約30a+Aの制
御電流を供給する。この場合、半導体レーザダイオード
101は約193.5TIIz (1,535μm近傍
)で単一縦モード発振し、かつスペクトル線幅は16M
Hzとなる。さらに、制御電流注入装置103によって
、分布反射層領域への制御m流値を変化させることによ
り、約100CIlzにわたって1 、9 G Hz/
mAの割合で半導体レーザダイオード101の発振光周
波数を変化させることが出来る。なお、この実施例にお
いては、半導体レーザダイオード101に、l/100
°C程度の温度安定化を施している。In this figure, the controlled semiconductor laser diode +01
For example, a 1.5 μm band DBRLD (laser diode) having an active layer region and a distributed reflection layer region is used. A current of 8011 IA is injected into the active layer region by the current injection device 102, and a control current of about 30 A+A is supplied to the distributed reflection layer region by the control current injection device +03. In this case, the semiconductor laser diode 101 oscillates in a single longitudinal mode at approximately 193.5 TIIz (near 1,535 μm), and the spectral linewidth is 16M.
Hz. Furthermore, by varying the control m current value to the distributed reflective layer region by means of the controlled current injection device 103, the control m current value of 1,9 GHz/
The oscillation frequency of the semiconductor laser diode 101 can be changed at a rate of mA. Note that in this embodiment, the semiconductor laser diode 101 has l/100
The temperature is stabilized at around °C.
被制御半導体レーザダイオード101の出力光は、反射
光によってその発振周波数が揺らいでしまう現象を防ぐ
ためにアイソレータ104を透過させる。そして、この
出力光は光ファイバに入射され、基準光源108から得
られる基準光と、両光の偏波状態が一致するような状態
で光カプラ106で混合されたのち、被測定受光回路8
1に入射される。ここでは、受光回路として15CIl
z以上の帯域を有するフォトダイオード(Lasert
ron社製QDEUC+1−035−001) 10
7に16 G fiz以上の帯域を存する増幅器109
を接続したものを用いている。こうして被測定受光回路
81から得られるビート信号は、被制御半導体レーザダ
イオードの発振光周波数をν8、基準光の光周波数をν
、とすれば、面述した(4)式で与えられる周波数rb
を有している。なお、基準光源108としては、半導体
レーザダイオードに外部共振器を付加してスペクトル線
幅を数+kllzまで狭くするとともに光周波数の安定
度を向上させた、狭スペクトル化LD光源(サンチック
社製N5L−155)を用いたが、単体の半導体レーザ
ダイオードを用いてもよい。またこの実施例においては
、光カプラ106として、通常のンングルモード光ファ
イバカプラを、また光配線には通常のシングルモード光
ファイバを用いており、光カプラ106で混合される両
光の偏波状態が一致するように最初に調整した後は特に
両光の偏波状態を制御しなくとも安定したビート信号出
力が得られるが、光カプラ106として偏波保持光フア
イバカプラを用い、さらに偏波保持光ファイバを用いて
光配線を行なえば、両光の偏波状態の不一致を最小限に
抑え、極めて安定したビート信号を得ることができる。The output light of the controlled semiconductor laser diode 101 is transmitted through the isolator 104 in order to prevent the oscillation frequency from fluctuating due to reflected light. Then, this output light is input to an optical fiber, mixed with the reference light obtained from the reference light source 108 at the optical coupler 106 in such a state that the polarization states of both lights match, and then mixed with the reference light obtained from the reference light source 108 at the optical coupler 106.
1. Here, 15CIl is used as the light receiving circuit.
A photodiode (Lasert) with a band above z
ron QDEUC+1-035-001) 10
Amplifier 109 having a band of 16 G fiz or more in 7
I'm using something that connects. In this way, the beat signal obtained from the light receiving circuit under test 81 has an oscillation light frequency of the controlled semiconductor laser diode ν8 and an optical frequency of the reference light ν8.
, then the frequency rb given by equation (4) mentioned above is
have. The reference light source 108 is a narrow spectrum LD light source (N5L- manufactured by Santic Co., Ltd., which is a semiconductor laser diode with an external resonator to narrow the spectral linewidth to several + kllz and improve the stability of the optical frequency. 155), but a single semiconductor laser diode may also be used. Furthermore, in this embodiment, a normal single-mode optical fiber coupler is used as the optical coupler 106, and a normal single-mode optical fiber is used for the optical wiring, so that the polarization state of both lights mixed by the optical coupler 106 is After initial adjustment so that they match, a stable beat signal output can be obtained without particularly controlling the polarization states of both lights. If optical wiring is performed using fibers, it is possible to minimize the mismatch between the polarization states of both lights and obtain an extremely stable beat signal.
被測定受光回路81から出力されたビート信号は、信号
分岐回路82で分岐され、その一部がスペクトラムアナ
ライザ83 (rlEWLETT PACKARD社
製+11’71000シリーズ)に導かれ、その周波数
成分が記録される。一方、信号分岐回路82で分岐され
たもう一方のビート信号は、ヘテロゲイン型のP L
Lによって被制御半導体レーザダイオードlO1の発振
光周波数を制御・掃引するために用いられる。The beat signal output from the light-receiving circuit under test 81 is branched by a signal branching circuit 82, and a portion thereof is guided to a spectrum analyzer 83 (+11'71000 series manufactured by rlEWLETT PACKARD), and its frequency components are recorded. On the other hand, the other beat signal branched by the signal branching circuit 82 is a hetero gain type P L
L is used to control and sweep the oscillation optical frequency of the controlled semiconductor laser diode lO1.
次に、このヘテロダイン型のPLLの動作を説明する。Next, the operation of this heterodyne type PLL will be explained.
分岐された周波数rbのビート信号は、ミキサ110(
ワトキンス・ジョンソン社製M87C: RFi域約1
8GIlz)のRF端子に人力される。一方ミキサ11
0のLO端子には第1の局部発振器IIIの出力(周波
数r)が人力され、その結果、ミキサ110のIF端子
からは、次式で与えられる周波数rlFを有する中間周
波数信号が出力される。The branched beat signal of frequency rb is sent to mixer 110 (
Watkins Johnson M87C: RFi range approx. 1
8GIlz)'s RF terminal. On the other hand, mixer 11
The output (frequency r) of the first local oscillator III is input to the LO terminal of 0, and as a result, the IF terminal of the mixer 110 outputs an intermediate frequency signal having a frequency rIF given by the following equation.
rlF= l fb−f l −
−・・−・(5)なお、第1の局部発振器IIIとして
は、広い周波数帯域にわたって周波数を変化・掃引させ
ることが可能なシンセサイズド・スィーパ(IIEWL
ETTPA(JARD社製11P8340A:周波数可
変範囲10M1lz −26,5G Hz )を用いた
。rlF= l fb-f l −
--- (5) The first local oscillator III is a synthesized sweeper (IIEWL) that can change and sweep the frequency over a wide frequency band.
ETTPA (11P8340A manufactured by JARD Corporation: variable frequency range 10M11z -26.5GHz) was used.
こうして得られた中間周波数信号は、約lG11zの帯
域を有する増幅器+12によって増幅された後、位相比
較3113に人力される。一方、この中間周波数信号と
位相を比較すべき信号としては、ある一定の基準周波数
rrで発振している第2の局部発振器114の出力を利
用する。ここで位相比較器113としては、分周率M=
20のプリスケーラと8ビツトの同期式カウンタと全加
算器などを組み合わせて構成した、±2πX2560の
位相比較範囲を持つディジタル位相比較器を用いた。The intermediate frequency signal thus obtained is amplified by an amplifier +12 having a band of approximately 1G11z, and then inputted to a phase comparator 3113. On the other hand, as a signal whose phase should be compared with this intermediate frequency signal, the output of the second local oscillator 114 oscillating at a certain reference frequency rr is used. Here, as the phase comparator 113, the frequency division ratio M=
A digital phase comparator with a phase comparison range of ±2π×2560 was used, which was constructed by combining 20 prescalers, an 8-bit synchronous counter, a full adder, etc.
また、この実施例においては、基準周波数rrを260
MIIzと設定し、位相比較を4.3MIIzのクロー
tり周期で行なうように設計した。なお、第2の局部発
振器114と第1の局部発振器Illの基準クロックを
同期させることにより、より高い精度でのビート周波数
の制御を実現することも可能である。Further, in this embodiment, the reference frequency rr is set to 260
MIIz was set, and the phase comparison was designed to be performed at a crawling period of 4.3 MIIz. Note that by synchronizing the reference clocks of the second local oscillator 114 and the first local oscillator Ill, it is also possible to control the beat frequency with higher precision.
位相比較器113から出力される誤差信号は、位相比較
のクロック周期成分によるリップルを減少させるための
ローパスフィルタと、PLLのロックレンジを拡大する
ための2次のラグリードフィルタとから構成されるルー
プフィルタ115を介して、制御電流注入装置+03に
フィードバックされ、これにより、被制御半導体レーザ
ダイオード101の分布反射層領域への制御電流が変化
する。こうして、中間周波数信号の周波数rlFが基準
周波数〔rに等しくなるように、被制御半導体レーザダ
イオード101の発振周波数が制御され、周波数のオフ
セットロッキングが実現される。The error signal output from the phase comparator 113 is processed through a loop consisting of a low-pass filter for reducing ripples due to clock cycle components of phase comparison and a second-order lag lead filter for expanding the lock range of the PLL. It is fed back to the control current injection device +03 via the filter 115, thereby changing the control current to the distributed reflection layer region of the controlled semiconductor laser diode 101. In this way, the oscillation frequency of the controlled semiconductor laser diode 101 is controlled so that the frequency rIF of the intermediate frequency signal becomes equal to the reference frequency [r, and frequency offset locking is realized.
次に、このような周波数のオフセットロッキングが実現
された状態で、第1の局部発振器111の発振周波数を
掃引することによって、ビート周波数「bが掃引される
ことについて説明する。Next, it will be explained that the beat frequency "b" is swept by sweeping the oscillation frequency of the first local oscillator 111 in a state where such frequency offset locking is realized.
ロッキングがかかった状態、すなわち中間周波数ftF
が第2の局部発振器114による基準周波数「rに等し
くなった状態における被制御半導体レーザダイオード1
0!の発振周波数ν1は、基準光の光周波数ν、との大
小関係および前述した(4)式で定義されるビート周波
数rbと、第1の局部発振器111の発振周波数fとの
大小関係により、4通りの場合が考えられる。第4図は
、これらの関係を図示したものである。■あるいは■の
状態となるか、もしくは■あるいは■の状態となるかは
、位相比較器!13(第1図参照)で検出された位相差
の正負に対して被制御半導体レーザダイオード!01の
発振周波数の増減のどちらを対応させるかによって、−
意に決定される。例えば、この実施例においては、中間
周波数信号の位相が第2の局部発振器114の出力信号
の位相より進んでいる場合に、被制御半導体レーザダイ
オード!O1の発振周波数ν1を減少させる向きにフィ
ードバックをかけるように構成したので、■あるいは■
いずれかの関係でロッキングされる。そしてロッキング
状態でのビート周波数rbと第1の局部発振器Illの
発振周波数fとを比較すれば■と■どちらの関係である
かは判別可能である。つまり、第4図の■〜■いづれの
関係でロッキングされているかは一意に決定される。Locking state, that is, intermediate frequency ftF
is equal to the reference frequency "r" generated by the second local oscillator 114.
0! The oscillation frequency ν1 is 4 due to the magnitude relationship with the optical frequency ν of the reference light and the magnitude relationship between the beat frequency rb defined by the above-mentioned equation (4) and the oscillation frequency f of the first local oscillator 111. A possible case is a street. FIG. 4 illustrates these relationships. The phase comparator determines whether it will be in the state of ■ or ■, or whether it will be in the state of ■ or ■! Controlled semiconductor laser diode for the positive and negative phase difference detected in 13 (see Figure 1)! Depending on whether the oscillation frequency of 01 is increased or decreased, -
decided at will. For example, in this embodiment, if the phase of the intermediate frequency signal leads the phase of the output signal of the second local oscillator 114, then the controlled semiconductor laser diode! Since the configuration is such that feedback is applied in the direction of decreasing the oscillation frequency ν1 of O1, ■ or ■
Locked in either relationship. By comparing the beat frequency rb in the rocking state with the oscillation frequency f of the first local oscillator Ill, it is possible to determine whether the relationship is (1) or (2). In other words, it is uniquely determined which of the relationships 1 to 2 in FIG. 4 is locked.
ここで、第4図中に示された周波数の値のうち、ν、と
frは基準となる固定された値である。したがって、こ
こで第1の局部発振器111の発振周波数rを掃引する
ことにより、被制御半導体レーザダイオード101の発
振光周波数ν1を掃引し、その結果としてビート周波数
rbを掃引することが出来る。たとえば、第1の局部発
振器111の発振周波数を「、から「、まで連続的に掃
引すると、第4図中■に示した周波数関係でロッキング
されている場合には、ビート周波数がfr+f、から「
r+「tまで連続的に掃引されることになる。Here, among the frequency values shown in FIG. 4, ν and fr are fixed values serving as a reference. Therefore, by sweeping the oscillation frequency r of the first local oscillator 111, the oscillation optical frequency ν1 of the controlled semiconductor laser diode 101 can be swept, and as a result, the beat frequency rb can be swept. For example, if the oscillation frequency of the first local oscillator 111 is continuously swept from "," to "," and the beat frequency is locked according to the frequency relationship shown in "■" in FIG.
It will be continuously swept up to r+'t.
以上のようにして、被制御半導体レーザダイオードlo
tの発振光周波数が制御される。そしてこの時、スペク
トルアナライザ83の掃引周波数範囲をrr+r+から
rr+rtまでと設定し、掃引時間を第1の局部発振器
21として用いるシンセサイズド・スィーパと一致させ
、さらにトリガ信号供給回路84によってスペクトラム
アナライザ83とシンセサイズド・スィーパの周波数掃
引 (いずれも単掃引とする)を同期させて同時に開始
させれば、スペクトラムアナライザ83の1回の掃引で
受光回路8!の周波数特性を記録することが出来る。便
宜上、これを同期測定と呼ぶことにする。In the above manner, the controlled semiconductor laser diode lo
The oscillation optical frequency of t is controlled. At this time, the sweep frequency range of the spectrum analyzer 83 is set from rr+r+ to rr+rt, the sweep time is made to match that of the synthesized sweeper used as the first local oscillator 21, and the trigger signal supply circuit 84 causes the spectrum analyzer 83 If the frequency sweep of the synthesized sweeper and the frequency sweep of the synthesized sweeper (both are single sweeps) are synchronized and started at the same time, one sweep of the spectrum analyzer 83 can be performed by the light receiving circuit 8! It is possible to record the frequency characteristics of For convenience, this will be referred to as synchronous measurement.
第5図(a)は、この発明の第1の実施例によって同期
測定された受光回路の周波数特性を示す図である。この
場合、fr、r+およびftは、それぞれ260MHz
、13 、 74GHzおよび18 、 74GHzと
設定し、掃引時間は5秒とした。FIG. 5(a) is a diagram showing the frequency characteristics of the light receiving circuit synchronously measured according to the first embodiment of the present invention. In this case, fr, r+ and ft are each 260MHz
, 13, 74 GHz and 18, 74 GHz, and the sweep time was 5 seconds.
一方、第5図(b)は、第1図に示す第1の実施例にお
いて、トリガ信号供給回路84を用いずに第1の局部発
振器111の発振周波数をrlからr。On the other hand, FIG. 5(b) shows that in the first embodiment shown in FIG. 1, the oscillation frequency of the first local oscillator 111 is changed from rl to r without using the trigger signal supply circuit 84.
まで200秒かけて掃引し、その際のスペクトラムアナ
ライザ(掃引時間50 m5ecで繰り返し掃引)83
による出力の周波数成分の測定結果を最大値トレース機
能によって記録したものである。この方法によって測定
された特性は、第2図に示す従来の装置(たとえばアン
リツ社製へテロダイン・オプティカル・スィーパMG9
603Aを利用した場合等)によって測定されたもの、
すなわち、第3図(D)の様にして測定されたものと同
様に考えることができる。このような測定を、便宜上、
非同期測定と、呼ぶことにする。Spectrum analyzer (repeated sweep with a sweep time of 50 m5ec) 83
The results of measuring the frequency components of the output are recorded using the maximum value trace function. The characteristics measured by this method are based on the conventional equipment shown in FIG.
603A),
That is, it can be considered in the same way as that measured as shown in FIG. 3(D). For convenience, such measurements are
We will call this asynchronous measurement.
第5図(a)と(b)を比較して明らかなように、同期
測定によって、従来不可能であった、短い測定時間での
S/Nのよい周波数特性の測定が可能となっている。測
定時間が40分の1であるにもかかわらず、S/Nのよ
い測定がおこなわれており、このように上述した第1の
実施例によれば顕著な効果が得られる。As is clear from comparing Figures 5 (a) and (b), synchronous measurement makes it possible to measure frequency characteristics with good S/N in a short measurement time, which was previously impossible. . Even though the measurement time is 1/40th, the measurement is performed with a good S/N ratio, and thus the above-described first embodiment provides a remarkable effect.
なお、上述した第1の実施例においてはスペクトルアナ
ライザ83の掃引開始時刻のみをトリガ信号によって制
御しているが、第1の局部発振器I11出力の一部をモ
ニタして、スペクトラムアナライザ83の掃引速度もし
くは測定周波数帯域を常に制御するように動作する掃引
同期回路を用いることによって、いわゆるスカラネット
ワークアナライザの様に動作させて同期測定を行なうこ
とも可能である。また、同実施例においては、彼測定受
光回路81のビート信号出力強度が極端に小さくなると
、PLLの制御がはずれて測定が困難になる。すなわち
、測定のダイナミックレンジに制限があり、例えば同実
施例では23dBであった。しかし、増幅器112に第
1の局部発振器I11の掃引速度よりら高速で動作する
AGCアンプを用いることにより、特性測定時のダイナ
ミックレンジをさらに拡大することが可能である。In the first embodiment described above, only the sweep start time of the spectrum analyzer 83 is controlled by the trigger signal, but a part of the output of the first local oscillator I11 is monitored to control the sweep speed of the spectrum analyzer 83. Alternatively, by using a sweep synchronization circuit that operates to constantly control the measurement frequency band, it is also possible to perform synchronized measurements by operating like a so-called scalar network analyzer. In addition, in the same embodiment, when the beat signal output intensity of the measurement light receiving circuit 81 becomes extremely small, the control of the PLL is lost and measurement becomes difficult. That is, there is a limit to the dynamic range of measurement, for example, 23 dB in this example. However, by using an AGC amplifier that operates at a higher speed than the sweep speed of the first local oscillator I11 for the amplifier 112, it is possible to further expand the dynamic range during characteristic measurement.
次に、第6図は、この発明の第2の実施例の構成を示す
図である。この第2の実施例が、前述した第1の実施例
の異なる点は、光カプラ106の2つの出力の内、使わ
れていなかった出力を、被測定受光回路81とは別の参
照受光回路92に入射し、これから得られるビート信号
を利用して被制御半導体レーザダイオード101の発振
光周波数の制御を行なうようにしたことにある。Next, FIG. 6 is a diagram showing the configuration of a second embodiment of the present invention. This second embodiment differs from the first embodiment described above in that the unused output of the two outputs of the optical coupler 106 is transferred to a reference light receiving circuit other than the light receiving circuit under test 81. The oscillation light frequency of the controlled semiconductor laser diode 101 is controlled using the beat signal obtained from the laser diode 92 .
次に、この第2の実施例による動作を、前述した第1の
実施例と異なる部分についてのみ説明する。Next, the operation of this second embodiment will be explained only with respect to the parts that are different from the above-described first embodiment.
被測定受光回路91には光カプラ106の一方の出力が
入射されて第2のビート信号が生成され、スペクトルア
ナライザ83によって記録される。One output of the optical coupler 106 is input to the light receiving circuit under test 91 to generate a second beat signal, which is recorded by the spectrum analyzer 83.
一方、光カプラ106の他方の出力は参照受光回路92
に入射され、半導体レーザダイオードlO1の光周波数
制御に用いられる第1のビート信号を供給する。ここで
参照受光回路92は、測定したい周波数範囲において、
周波数のオフセットロッキング動作を行なうに足るビー
ト信号出力を生成しうるような周波数特性を有している
ものとする。On the other hand, the other output of the optical coupler 106 is connected to the reference light receiving circuit 92.
and supplies a first beat signal used for optical frequency control of the semiconductor laser diode IO1. Here, the reference light receiving circuit 92 performs the following in the frequency range to be measured:
It is assumed that the frequency characteristic is such that a beat signal output sufficient for frequency offset locking operation can be generated.
こうして得られた第1のビート信号を用いて光周波数の
掃引を行なう動作は、既に第1の実施例において説明し
た通りである。The operation of sweeping the optical frequency using the first beat signal thus obtained is as already explained in the first embodiment.
上述した第2の実施例によれば、被測定受光回路91の
光・電気変換効率がきわめて小さい(すなわち周波数特
性が悪い)周波数領域を含む帯域での測定においてら、
光周波数のオフセットロッキングがはずれることなく、
安定した掃引動作を実現することができる。すなわち、
前述した第1の実施例において説明した全ての長所に加
えて、広いダイナミックレンジでの周波数特性の測定が
可能となる。According to the second embodiment described above, when measuring in a band including a frequency region in which the light-to-electrical conversion efficiency of the photodetector circuit 91 to be measured is extremely low (that is, the frequency characteristics are poor),
Without losing optical frequency offset locking,
A stable sweep operation can be achieved. That is,
In addition to all the advantages described in the first embodiment, frequency characteristics can be measured over a wide dynamic range.
なお、光の強度によって光の強度もしくは周波数を変調
するような光入出力デバイスの周波数特性に関してら、
周波数応答が既知である何等かの手段によって電気の強
度変化の信号に変換する回路を、その光デバイスの後段
に設け、全体を被測定受光回路と捉えることにより、上
述した第1あるいは第2の実施例によって評価可能であ
ることは、容易に類推可能である。また、上述した第1
あるいは第2の実施例においては、ミキサ110を周波
数のダウンコンバージョンに用いるものとして説明した
が、これをアップコンバージョンに用いて同様な構成に
よる受光回路の周波数特性測定装置を構成することも可
能である。また、被制御半導体レーザダイオード+01
として、DBRLDを用い、その分布反射層領域への制
御電流によって発振光周波数を制御する方法を例に挙げ
て説明したが、この発明に利用される半導体LDは何等
これに限定されるものではない。さらに、あまり高感度
の要求されない測定においては、スペクトラムアナライ
ザ83ではなく、ビート信号を検波してその強度を出力
する検波器と、ストレージスコープやプロッタのような
信号強度変化を時間的に掃引して記録する装置を組み合
わせた記録装置によって記録することも可能である。Regarding the frequency characteristics of optical input/output devices that modulate the intensity or frequency of light depending on the intensity of light,
By providing a circuit that converts the electrical intensity change signal by some means whose frequency response is known at the subsequent stage of the optical device, and treating the entire optical device as a light-receiving circuit to be measured, the above-mentioned first or second method can be achieved. The fact that it can be evaluated based on the examples can be easily inferred by analogy. In addition, the first
Alternatively, in the second embodiment, the mixer 110 was described as being used for frequency down-conversion, but it is also possible to use this for up-conversion to configure a frequency characteristic measuring device for a light receiving circuit with a similar configuration. . In addition, the controlled semiconductor laser diode +01
Although the method of controlling the oscillation optical frequency by controlling current to the distributed reflection layer region using a DBRLD has been described as an example, the semiconductor LD used in the present invention is not limited to this in any way. . Furthermore, in measurements that do not require very high sensitivity, instead of using the spectrum analyzer 83, a detector that detects the beat signal and outputs its intensity, and a storage scope or plotter that sweeps the signal intensity changes over time can be used. It is also possible to record by a recording device that is a combination of recording devices.
以上詳述したように、この発明によれば、基準光と被制
御半導体レーザダイオードの出力光とを、被測定受光回
路もしくは参照用受光回路に入射して得られるビート信
号の周波数を常に正確に制御しつつ掃引し、これと同時
にスペクトラムアナライザ等による受光回路の周波数応
答測定のための掃引を同期させて行なうことにより、受
光回路の周波数特性を短時間でかつ良好なS/Nで測定
することができるという効果が得られる。As described in detail above, according to the present invention, the frequency of the beat signal obtained by inputting the reference light and the output light of the controlled semiconductor laser diode into the light receiving circuit under test or the reference light receiving circuit is always accurately determined. The frequency characteristics of the light receiving circuit can be measured in a short time and with a good S/N ratio by sweeping while controlling and at the same time synchronizing the sweep for measuring the frequency response of the light receiving circuit using a spectrum analyzer, etc. This has the effect of being able to.
第1図はこの発明の第1の実施例の構成を示すブロック
図、第2図は従来の受光回路の周波数特性測定装置の構
成を示すブロック図、第3図は従来例による周波数特性
測定例を説明するための図、第4図はこの発明に係わる
ビート周波数制御動作を説明するための図、第5図はこ
の発明の第1の実施例によって測定された受光回路の周
波数特性を示す図、第6図はこの発明の第2の実施例の
構成を示すブロック図である。
81.91・・・・・・被測定受光回路、82・・・・
・信号分岐回路、
83・・・・・・スペクトラムアナライザ(記録装置)
、84・・・・・・トリガ信号供給回路(掃引同期回路
)、92・・・・・・参照受光回路、
01・・・・・・被制御半導体レーザダイオード、03
・・・・制御電流注入装置、
06・・・・・・光カプラ、+08・・・・・・基準光
源、0・・・・・ミキサ、
l・・・・・・第1の局部発振器、
2・・・・・・増幅器、 113・・・・・・位相比
較器、4・・・・・・第2の局部発振器、
5・・・・・・ループフィルタ。FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a block diagram showing the configuration of a conventional frequency characteristic measuring device for a light receiving circuit, and FIG. 3 is an example of measuring frequency characteristics according to the conventional example. FIG. 4 is a diagram for explaining the beat frequency control operation according to the present invention. FIG. 5 is a diagram showing the frequency characteristics of the light receiving circuit measured according to the first embodiment of the present invention. , FIG. 6 is a block diagram showing the configuration of a second embodiment of the present invention. 81.91... Light receiving circuit under test, 82...
・Signal branch circuit, 83...Spectrum analyzer (recording device)
, 84...Trigger signal supply circuit (sweep synchronization circuit), 92...Reference light receiving circuit, 01...Controlled semiconductor laser diode, 03
...Control current injection device, 06...Optical coupler, +08...Reference light source, 0...Mixer, l...First local oscillator, 2...Amplifier, 113...Phase comparator, 4...Second local oscillator, 5...Loop filter.
Claims (2)
する半導体レーザダイオードを用い、該半導体レーザダ
イオードの出力光の光周波数と基準光源の光周波数との
周波数差を利用する受光回路の周波数特性測定装置にお
いて、 前記半導体レーザダイオードの出力光と基準光とを合波
する光カプラと、 前記光カプラの出力光を被測定受光回路に入射した結
果得られるビート信号を分岐する信号分岐回路と、 発振周波数が掃引可能な第1の局部発振器と、前記信号
分岐回路によって取り出されたビート信号の一部と前記
第1の局部発振器の出力とを混合して中間周波数信号を
発生するミキサと、基準周波数で発振する第2の局部発
振器と、前記第2の局部発振器の出力と前記中間周波数
信号との位相差を検出し、その位相差に応じた誤差信号
を出力する位相比較器と、 前記誤差信号によって前記中間周波数信号の周波数と前
記基準周波数とが常に等しくなるように前記半導体レー
ザダイオードの発振周波数を制御する発振周波数制御手
段と、 前記信号分岐回路によって取り出されるビート信号の強
度を時間的に掃引測定して記録する記録装置と、 前記記録装置の掃引測定と前記第1の局部発振器の発振
周波数の掃引とを同期させる掃引同期手段と、 を具備することを特徴とする受光回路の周波数特性測定
装置。(1) Frequency characteristics of a light receiving circuit that uses a semiconductor laser diode that oscillates in a single longitudinal mode as an optical frequency variable oscillator and utilizes the frequency difference between the optical frequency of the output light of the semiconductor laser diode and the optical frequency of the reference light source. The measurement device includes: an optical coupler that combines the output light of the semiconductor laser diode and the reference light; a signal branching circuit that branches a beat signal obtained as a result of inputting the output light of the optical coupler into the light receiving circuit under test; a first local oscillator whose oscillation frequency can be swept; a mixer that generates an intermediate frequency signal by mixing a portion of the beat signal extracted by the signal branch circuit with the output of the first local oscillator; and a reference. a second local oscillator that oscillates at a frequency; a phase comparator that detects a phase difference between the output of the second local oscillator and the intermediate frequency signal and outputs an error signal according to the phase difference; oscillation frequency control means for controlling the oscillation frequency of the semiconductor laser diode so that the frequency of the intermediate frequency signal and the reference frequency are always equal to each other according to a signal; A frequency characteristic of a light receiving circuit, comprising: a recording device that performs sweep measurement and records; and sweep synchronization means that synchronizes the sweep measurement of the recording device and the sweep of the oscillation frequency of the first local oscillator. measuring device.
する半導体レーザダイオードを用い、該半導体レーザダ
イオードの出力光の光周波数と基準光源の光周波数との
周波数差を利用する受光回路の周波数特性測定装置にお
いて、 前記半導体レーザダイオードの出力光と基準光とを合波
する光カプラと、 前記光カプラの一方の出力光が入射されて第1のビート
信号を生成する参照受光回路と、 発振周波数が掃引可能な第1の局部発振器と、前記第1
のビート信号と前記第1の局部発振器の出力とを混合し
て中間周波数信号を発生するミキサと、 基準周波数で発振する第2の局部発振器と、前記第2の
局部発振器の出力と前記中間周波数信号との位相差を検
出し、その位相差に応じた誤差信号を出力する位相比較
器と、 前記誤差信号によって前記中間周波数信号の周波数と前
記基準周波数とが常に等しくなるように前記半導体レー
ザダイオードの発振周波数を制御する発振周波数制御手
段と、 前記光カプラの他方の出力光を被測定受光回路に入射し
た結果得られる第2のビート信号の強度を時間的に掃引
測定して記録する記録装置と、前記記録装置の掃引測定
と前記第1の局部発振器の発振周波数の掃引とを同期さ
せる掃引同期手段と、 を具備することを特徴とする受光回路の周波数特性測定
装置。(2) Frequency characteristics of a light receiving circuit that uses a semiconductor laser diode that oscillates in a single longitudinal mode as an optical frequency variable oscillator and utilizes the frequency difference between the optical frequency of the output light of the semiconductor laser diode and the optical frequency of the reference light source. The measuring device includes: an optical coupler that combines the output light of the semiconductor laser diode and the reference light; a reference light receiving circuit that receives the output light of one of the optical couplers and generates a first beat signal; and an oscillation frequency. a first local oscillator capable of sweeping;
a mixer that mixes the beat signal of the first local oscillator and the output of the first local oscillator to generate an intermediate frequency signal; a second local oscillator that oscillates at a reference frequency; a phase comparator that detects a phase difference with a signal and outputs an error signal according to the phase difference; and a semiconductor laser diode configured to always make the frequency of the intermediate frequency signal equal to the reference frequency by the error signal. oscillation frequency control means for controlling the oscillation frequency of the optical coupler; and a recording device for temporally sweeping measuring and recording the intensity of a second beat signal obtained as a result of inputting the other output light of the optical coupler into the light receiving circuit to be measured. and a sweep synchronization means for synchronizing the sweep measurement of the recording device and the sweep of the oscillation frequency of the first local oscillator.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1248309A JPH03110438A (en) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | Frequency characteristic measuring instrument for photodetecting circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1248309A JPH03110438A (en) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | Frequency characteristic measuring instrument for photodetecting circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03110438A true JPH03110438A (en) | 1991-05-10 |
Family
ID=17176159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1248309A Pending JPH03110438A (en) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | Frequency characteristic measuring instrument for photodetecting circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03110438A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014013191A (en) * | 2012-07-04 | 2014-01-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Frequency measurement device of optical device |
| CN105606890B (en) * | 2015-11-04 | 2018-05-25 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | A kind of light wave element frequency response characteristic parameter measuring apparatus |
-
1989
- 1989-09-25 JP JP1248309A patent/JPH03110438A/en active Pending
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