JPH03110526A - 光スイッチ - Google Patents
光スイッチInfo
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- JPH03110526A JPH03110526A JP1249970A JP24997089A JPH03110526A JP H03110526 A JPH03110526 A JP H03110526A JP 1249970 A JP1249970 A JP 1249970A JP 24997089 A JP24997089 A JP 24997089A JP H03110526 A JPH03110526 A JP H03110526A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical fiber
- excitation light
- doped
- signal light
- light source
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3131—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure in optical fibres
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、光フアイバカブラを利用した光スィッチに関
する。
する。
〈従来の技術〉
石英系光ファイバのコア内を伝播する信号光をＯＮ／Ｏ
ＦＦする光スィッチとして知られているものは、光路中
に配置した微小光学素子（誘電体板や偏光子）を移動さ
せたり回転させたりする機械式のものがほとんどである
。
ＦＦする光スィッチとして知られているものは、光路中
に配置した微小光学素子（誘電体板や偏光子）を移動さ
せたり回転させたりする機械式のものがほとんどである
。
しかし、機械式の光スィッチは、可動部を必要とするた
め大型であるとともに、切り換え速度が遅く、また、メ
ンテナンスを必要とする上に寿命が短いという点で不利
である。
め大型であるとともに、切り換え速度が遅く、また、メ
ンテナンスを必要とする上に寿命が短いという点で不利
である。
なお、導波路型の電気制御式の光スィッチも知られてい
る。これは、可動部がなく、電気光学的に動作するもの
であり、この点では有利ではある。
る。これは、可動部がなく、電気光学的に動作するもの
であり、この点では有利ではある。
しかし、損失が大き過ぎる（数ｄＢ〜十数ｄＢ）という
欠点をもっている。
欠点をもっている。
そこで、最近、電気制御式光スィッチの利点を生かしつ
つ、損失を低減するものとして、石英系光ファイバのコ
アを包囲するクラッド内において、コアを３つに分断し
、その両側の分断箇所に偏光方向カ互いに直交する偏光
子を挿入するとともに・中央の分断箇所に位相変調板を
挿入し、位相変調板に印加する電圧の制ｊ′ｎによって
コア内を伝播する信号光のＯＮ／ＯＦＦを行うようにし
た光スィッチが提案されるに至っている。
つ、損失を低減するものとして、石英系光ファイバのコ
アを包囲するクラッド内において、コアを３つに分断し
、その両側の分断箇所に偏光方向カ互いに直交する偏光
子を挿入するとともに・中央の分断箇所に位相変調板を
挿入し、位相変調板に印加する電圧の制ｊ′ｎによって
コア内を伝播する信号光のＯＮ／ＯＦＦを行うようにし
た光スィッチが提案されるに至っている。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、微小な径のクラッド内に偏光子や位相変
調板を挿入したり、分断されたコアどうしの芯合わせを
高精度に行うには、きわめて高い加工精度が要求される
。
調板を挿入したり、分断されたコアどうしの芯合わせを
高精度に行うには、きわめて高い加工精度が要求される
。
現実にはコア間に芯ずれが起きやすく、そうなると、Ｏ
Ｎ時（信号光伝送時）において損失が生じるとともに、
反射も発生して寄生発振が生じ、Ｓ／Ｎ比の悪化を招く
、また、偏光子や位相変調板での減衰も避けることがで
きない。
Ｎ時（信号光伝送時）において損失が生じるとともに、
反射も発生して寄生発振が生じ、Ｓ／Ｎ比の悪化を招く
、また、偏光子や位相変調板での減衰も避けることがで
きない。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであっ
て、ＯＮ／ＯＦＦの切り換え速度が速く、かっ、損失な
しに信号光を伝送でき、しがも、Ｓ／Ｎ比が良好な光ス
ィッチを提供することを目的とする。
て、ＯＮ／ＯＦＦの切り換え速度が速く、かっ、損失な
しに信号光を伝送でき、しがも、Ｓ／Ｎ比が良好な光ス
ィッチを提供することを目的とする。
〈課題を解決するための手段〉
本発明は、このような目的を達成するために、次のよう
な構成をとる。
な構成をとる。
すなわち、本発明の光スィッチは、
第１の光ファイバと第２の光ファイバとの側面どうしを
互いに添わせた状態で所定長さ範囲にわたって融着延伸
した融着延伸部分が形成され、前記第１．第２の光ファ
イバのうら少なくとも第１の光ファイバにおいて、少な
くとも前記融着延伸部分を含みこの融着延伸部分よりも
出射端側の所定長さ範囲が希土類元素をドープして光増
幅機能をもたせたドープ光ファイバに構成され、前記第
１．第２の光ファイバのうちいずれか一方の入射端部を
励起用光源に接続してその入射端部から励起光を入射さ
せるとともに、前記他方の光ファイバの入射端部から信
号光を入射させるように構成されており、 かつ、前記励起用光源において励起光照射を０Ｎ１０
Ｆ Ｆ自在に構成してあることを特徴とするものである
。
互いに添わせた状態で所定長さ範囲にわたって融着延伸
した融着延伸部分が形成され、前記第１．第２の光ファ
イバのうら少なくとも第１の光ファイバにおいて、少な
くとも前記融着延伸部分を含みこの融着延伸部分よりも
出射端側の所定長さ範囲が希土類元素をドープして光増
幅機能をもたせたドープ光ファイバに構成され、前記第
１．第２の光ファイバのうちいずれか一方の入射端部を
励起用光源に接続してその入射端部から励起光を入射さ
せるとともに、前記他方の光ファイバの入射端部から信
号光を入射させるように構成されており、 かつ、前記励起用光源において励起光照射を０Ｎ１０
Ｆ Ｆ自在に構成してあることを特徴とするものである
。
く作用〉
本発明の上記構成による作用は、次のとおりである。
すなわち、励起用光源において励起光照射をＯＮすると
、励起光がいずれか一方の光ファイバの入射端部を通っ
て融着延伸部分に至る。融着延伸部分では、その延伸に
よってコアを包囲しているクラッドが細径化され両光フ
ァイバのコアどうしが充分に接近していることから、融
着延伸部分に至った励起光は両コア間を反復転移する。
、励起光がいずれか一方の光ファイバの入射端部を通っ
て融着延伸部分に至る。融着延伸部分では、その延伸に
よってコアを包囲しているクラッドが細径化され両光フ
ァイバのコアどうしが充分に接近していることから、融
着延伸部分に至った励起光は両コア間を反復転移する。
したがって、励起光がいずれの光ファイバを通ってきて
も、励起光はドープ光ファイバに入ることになる。
も、励起光はドープ光ファイバに入ることになる。
ドープ光ファイバにおいては、希土類元素の基底のエネ
ルギー準位にある最外殻電子が励起光のエネルギーによ
って高いエネルギー準位に励起される。この希土類元素
の励起状態において、信号光を入射する。信号光がいず
れの光ファイバを通つてきても、融着延伸部分での両コ
ア間の反復転移によって信号光はドープ光ファイバに入
ることになる。
ルギー準位にある最外殻電子が励起光のエネルギーによ
って高いエネルギー準位に励起される。この希土類元素
の励起状態において、信号光を入射する。信号光がいず
れの光ファイバを通つてきても、融着延伸部分での両コ
ア間の反復転移によって信号光はドープ光ファイバに入
ることになる。
エネルギー準位が励起光によって高められた希土類元素
に信号光が当たると、高いエネルギー準位にあった電子
が基底のエネルギー準位に戻り、誘導放出効果が起こる
ため、信号光のパワーが増幅される。そして、この増幅
された信号光がドープ光ファイバの出射端部から出射さ
れる。これが信号光伝送のＯＮ状態である。
に信号光が当たると、高いエネルギー準位にあった電子
が基底のエネルギー準位に戻り、誘導放出効果が起こる
ため、信号光のパワーが増幅される。そして、この増幅
された信号光がドープ光ファイバの出射端部から出射さ
れる。これが信号光伝送のＯＮ状態である。
一方、励起用光源において励起光照射をＯＦＦすると、
ドープ光フアイバ内における希土類元素の励起が行われ
ない。この状態で、信号光がドープ光フアイバ内に入る
と、その信号光はドープ光ファイバに吸収されてしまい
、ドープ光ファイバの出射端部からの出射はない。これ
が信号光伝送のＯＦＦ状態である。
ドープ光フアイバ内における希土類元素の励起が行われ
ない。この状態で、信号光がドープ光フアイバ内に入る
と、その信号光はドープ光ファイバに吸収されてしまい
、ドープ光ファイバの出射端部からの出射はない。これ
が信号光伝送のＯＦＦ状態である。
以上のように、励起光照射ののｒ％Ｉ１０ Ｆ Ｆによ
って信号光伝送がＯＮ ／ ＯＦ Ｆされる。
って信号光伝送がＯＮ ／ ＯＦ Ｆされる。
この信号光伝送のＯＮ／（Ｆｑ ための構成は、いわ
ゆる光フアイバカプラの構造において、その融着延伸部
分の一部およびそれに連続する部分を、希土類元素をド
ープしたドープ光ファイバとしているとともに、励起用
光源で励起光照射をＯＮ／ＯＦＦ自在に構成するだけで
よい。
ゆる光フアイバカプラの構造において、その融着延伸部
分の一部およびそれに連続する部分を、希土類元素をド
ープしたドープ光ファイバとしているとともに、励起用
光源で励起光照射をＯＮ／ＯＦＦ自在に構成するだけで
よい。
〈実施例〉
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
。
策１大隻±
第１図に示すように、第１の光ファイバＦｔ と第２の
光ファイバＦ８との側面どうしを互いに添わせた状態で
所定長さｌの範囲にわたって融着（加熱溶融による一体
化）をしながら、その融着部分を延伸することにより、
融着延伸部分ａが形成されている。
光ファイバＦ８との側面どうしを互いに添わせた状態で
所定長さｌの範囲にわたって融着（加熱溶融による一体
化）をしながら、その融着部分を延伸することにより、
融着延伸部分ａが形成されている。
第１の光ファイバＦ＋は、融着延伸部分ａの中央を境と
して、入射端部側は石英系光ファイバＦ Ｉ−Ｃとなっ
ており、出射端部側は石英系光ファイバに光増幅機能を
もたせるための希土類元素としてエルビウムＥｒをドー
プしたＥｒドープ光ファイバＦ１−０となっている。
して、入射端部側は石英系光ファイバＦ Ｉ−Ｃとなっ
ており、出射端部側は石英系光ファイバに光増幅機能を
もたせるための希土類元素としてエルビウムＥｒをドー
プしたＥｒドープ光ファイバＦ１−０となっている。
すなわち、第１の光ファイバＦｌ は、石英系光ファイ
バＦｌ−ＣとＥ「ドープ光ファイバＦｌ−１１の端部ど
うしを突き合わせて融着−本化したものである。第２の
光ファイバＦ２は、ドープ無しの石英系光ファイバであ
る。
バＦｌ−ＣとＥ「ドープ光ファイバＦｌ−１１の端部ど
うしを突き合わせて融着−本化したものである。第２の
光ファイバＦ２は、ドープ無しの石英系光ファイバであ
る。
図面上、Ｅｒドープ光ファイバと石英系光ファイバとを
一目瞭然に区別できるようにするため、Ｅｒドープ光フ
ァイバに砂点を施しである（Ｅｒドープは実際にはコア
において行われる）。
一目瞭然に区別できるようにするため、Ｅｒドープ光フ
ァイバに砂点を施しである（Ｅｒドープは実際にはコア
において行われる）。
融着延伸部分ａにおいては、その延伸によって第１の光
ファイバＦ、および第２の光ファイバＦアのクラッドが
細径化し、全体が実質的にコアとして機能する状態とな
っている。
ファイバＦ、および第２の光ファイバＦアのクラッドが
細径化し、全体が実質的にコアとして機能する状態とな
っている。
第１の光ファイバＦ、における石英系光ファイバＦ、−
０の入射端部は、波長λＰ （＝１．４８μｍ）の励起
光Ｌｐを照射する励起用光源としての半導体レーザｌに
接続しである一方、第２の光ファイバＦ、の入射端部か
らは波長λ３ （＝１．５５μｍ）の信号光Ｌｓが入
射されるように構成され、他端部は開放端にとなってい
る。
０の入射端部は、波長λＰ （＝１．４８μｍ）の励起
光Ｌｐを照射する励起用光源としての半導体レーザｌに
接続しである一方、第２の光ファイバＦ、の入射端部か
らは波長λ３ （＝１．５５μｍ）の信号光Ｌｓが入
射されるように構成され、他端部は開放端にとなってい
る。
この他端部を開放端にとするために、融着延伸部分ａに
おいて、Ｅｒドープ光ファイバＦ１−１に出射する励起
光Ｌｐと信号光Ｌｓとの合成光の量と、第２の光ファイ
バＦ２の出射端部に出射する合成光の鼠との比率α１
：α雪が、α１ ：α１′＝−１００％：０％となるよ
うに、融着延伸部分ａの融着延伸長ｌとコア間距離Ｗと
が定められている。
おいて、Ｅｒドープ光ファイバＦ１−１に出射する励起
光Ｌｐと信号光Ｌｓとの合成光の量と、第２の光ファイ
バＦ２の出射端部に出射する合成光の鼠との比率α１
：α雪が、α１ ：α１′＝−１００％：０％となるよ
うに、融着延伸部分ａの融着延伸長ｌとコア間距離Ｗと
が定められている。
Ｅ「ドープ光ファイバＦ、−０の出射端部は、透過波長
を信号光Ｌｓの波長λＳとするフィルタ２に接続され、
このフィルタ２から中継光増幅器（図示せず）まで増幅
された信号光Ｌｓを伝送する第３の石英系光ファイバＦ
、が導出されている。
を信号光Ｌｓの波長λＳとするフィルタ２に接続され、
このフィルタ２から中継光増幅器（図示せず）まで増幅
された信号光Ｌｓを伝送する第３の石英系光ファイバＦ
、が導出されている。
半導体レーザｌは、励起光Ｌｐの照射のＯＮ／ＯＦＦを
行うためのスイッチｌａを備えている。
行うためのスイッチｌａを備えている。
次に、第１実施例の光スィッチの動作を説明する。
半導体レーザ１のスイッチ１ａをＯＮすると、波長λｐ
（−１，４８μｍ）の励起光Ｌｌが第１の光ファイバ
Ｆ、の石英系光ファイバＦ１−６からＥｒドープ光ファ
イバＦ １−１１に入り、その中のエルビウムＥ「を励
起する。
（−１，４８μｍ）の励起光Ｌｌが第１の光ファイバ
Ｆ、の石英系光ファイバＦ１−６からＥｒドープ光ファ
イバＦ １−１１に入り、その中のエルビウムＥ「を励
起する。
この励起状態において、第２の光ファイバＦ１に波長λ
ｓ （＝１．５５μｍ）の信号光ＬＳを入射すると、
信号光Ｌｓは融着延伸部分ａでミキシングされてＥｒド
ープ光ファイバＦｌ−１１に入り、エルビウムＥｒに誘
導放出を起こさせ、Ｅｒドープ光ファイバＦ＋−に沿っ
て信号光Ｌｓのパワーを増幅していく。
ｓ （＝１．５５μｍ）の信号光ＬＳを入射すると、
信号光Ｌｓは融着延伸部分ａでミキシングされてＥｒド
ープ光ファイバＦｌ−１１に入り、エルビウムＥｒに誘
導放出を起こさせ、Ｅｒドープ光ファイバＦ＋−に沿っ
て信号光Ｌｓのパワーを増幅していく。
増幅された信号光Ｌ３と励起光Ｌｐとの合成光は、フィ
ルタ２によって励起光１．ｐがカットされ、増幅された
信号光Ｌｓのみが第３の光ファイバＦ。
ルタ２によって励起光１．ｐがカットされ、増幅された
信号光Ｌｓのみが第３の光ファイバＦ。
を介して遠方へと伝送される。これが信号光ＬｓのＯＮ
状態である。
状態である。
半導体レーザｌのスイッチｌａをＯＦＦすると励起光Ｌ
ｐの出射が無くなり、Ｅｒドープ光ファイバＦ’＋−ｓ
においてエルビウムＥｒの励起が行われないため、信号
光ＬｓがＥｒドープ光ファイバＦ ｌ−Ｄに入ってきて
もそのエネルギーのすべてが石英およびエルビウムＥｒ
に吸収されてしまい、第３の光ファイバＦ、を通しての
信号光ＬＳの伝送は行われない。すなわち、信号光Ｌｓ
ＭＯＦＦされる。
ｐの出射が無くなり、Ｅｒドープ光ファイバＦ’＋−ｓ
においてエルビウムＥｒの励起が行われないため、信号
光ＬｓがＥｒドープ光ファイバＦ ｌ−Ｄに入ってきて
もそのエネルギーのすべてが石英およびエルビウムＥｒ
に吸収されてしまい、第３の光ファイバＦ、を通しての
信号光ＬＳの伝送は行われない。すなわち、信号光Ｌｓ
ＭＯＦＦされる。
なお、信号光ＬＳを１００パーセン）ＯＦＦするために
は、エルビウムＥｒのドープ量を一定以上に多くするこ
と（例えば、１ｏｏｐｐ−以上）、およびｌｌｒドープ
光ファイノくの長さを充分に長くすることが必要である
。
は、エルビウムＥｒのドープ量を一定以上に多くするこ
と（例えば、１ｏｏｐｐ−以上）、およびｌｌｒドープ
光ファイノくの長さを充分に長くすることが必要である
。
爪ｌ大目斑
この実施例は、第２図に示すように、第１の光ファイバ
Ｆ、の全体をＥｒドープ光ファイ／＜ＦＩ４としたもの
である。その他の構成は第１実施例と同様であるので、
対応または相当する部分に同一符号を付すにとどめ、説
明を省略する。
Ｆ、の全体をＥｒドープ光ファイ／＜ＦＩ４としたもの
である。その他の構成は第１実施例と同様であるので、
対応または相当する部分に同一符号を付すにとどめ、説
明を省略する。
本実施例の場合、第１実施例に比べて、石英系光ファイ
バＦ１−２とＥｒドープ光ソファイノＦＩ−ｎとの突き
合わせ融着−本化の必要が瘍１．信号光ＬｓのＯＮ／Ｏ
ＦＦ＠能は、第１実施例と同様である。
バＦ１−２とＥｒドープ光ソファイノＦＩ−ｎとの突き
合わせ融着−本化の必要が瘍１．信号光ＬｓのＯＮ／Ｏ
ＦＦ＠能は、第１実施例と同様である。
星ユ叉崖斑
この実施例は、二方向伝送タイプの光スィッチに係る。
すなわち、第３図に示すように、第１の光ファイバＦ、
の全体をＥｒドープ光ファイバＦ ｌ−６にするととも
に、第２の光ファイバＦｚを石英系光ファイバＦ！−ｃ
とＥ「ドープ光ファイバＦ ！−Ｄとの組み合わせとし
、Ｅｒドープ光ファイバＦχ−Ｄの出射端部をフィルタ
２′を介して第４の光ファイバＦ４に接続しである。そ
の他の構成は第１実施例と同様であるので、対応または
相当する部分に同一符号を付すにとどめ、説明を省略す
る。
の全体をＥｒドープ光ファイバＦ ｌ−６にするととも
に、第２の光ファイバＦｚを石英系光ファイバＦ！−ｃ
とＥ「ドープ光ファイバＦ ！−Ｄとの組み合わせとし
、Ｅｒドープ光ファイバＦχ−Ｄの出射端部をフィルタ
２′を介して第４の光ファイバＦ４に接続しである。そ
の他の構成は第１実施例と同様であるので、対応または
相当する部分に同一符号を付すにとどめ、説明を省略す
る。
本実施例の場合、融着延伸部分ａの融着延伸長ｉとコア
間距離Ｗとを適当に定めることにより、α、；α２の比
率が両方とも０％とはならなし）適当な比率とし、第３
の光ファイバＦ、からも第４の光ファイバＦ、からも信
号光Ｌｓが伝送されるようにしである。励起光Ｌｌの照
射がＯＮのとき、Ｅ「ドープ光ファイバＦ＋−０での信
号光ＬＳの伝送もＥｒドープ光ファイバＦｔ−６での信
号光１．ｓの伝送もともにＯＮとなる。
間距離Ｗとを適当に定めることにより、α、；α２の比
率が両方とも０％とはならなし）適当な比率とし、第３
の光ファイバＦ、からも第４の光ファイバＦ、からも信
号光Ｌｓが伝送されるようにしである。励起光Ｌｌの照
射がＯＮのとき、Ｅ「ドープ光ファイバＦ＋−０での信
号光ＬＳの伝送もＥｒドープ光ファイバＦｔ−６での信
号光１．ｓの伝送もともにＯＮとなる。
逆に、励起光Ｌｌ）の照射がＯＦＦのとき、両方のＥｒ
ドープ光ファイバＦ＋−ｓ、Ｆｔ−１での信号光Ｌｓの
伝送がＯＦＦとなる。
ドープ光ファイバＦ＋−ｓ、Ｆｔ−１での信号光Ｌｓの
伝送がＯＦＦとなる。
工土人血桝
この実施例は、第４図に示すように、第１の光ファイバ
Ｆｌを石英系光ファイバＦ＋−ｃとＥｒ）’−ブ光ファ
イバＦ１−．との組み合わせとするとともに、第２の光
ファイバＦ８を石英系光ファイノイＦｓ−ｃとＥ「ドー
プ光ファイバＦ２−、との組み合わせとしたものである
。その他の構成は第３実施例と同様であるので、対応ま
たは相当する部分に同一符号を付すにとどめ、説明を省
略する。
Ｆｌを石英系光ファイバＦ＋−ｃとＥｒ）’−ブ光ファ
イバＦ１−．との組み合わせとするとともに、第２の光
ファイバＦ８を石英系光ファイノイＦｓ−ｃとＥ「ドー
プ光ファイバＦ２−、との組み合わせとしたものである
。その他の構成は第３実施例と同様であるので、対応ま
たは相当する部分に同一符号を付すにとどめ、説明を省
略する。
ＯＮ／ＯＦＦ機能については、第３実施例と同様である
。
。
第上去隻撚
この実施例は、第１実施例の光スィッチを二方向伝送タ
イプに改造したものであり、第５図に示すように、第１
実施例（第１図）における第２の光ファイバＦ、の出射
端部に、Ｅｒドープ光ファイバＦ、−９の人ｔ４端部を
突き合わせ融着−本イヒしたものである。
イプに改造したものであり、第５図に示すように、第１
実施例（第１図）における第２の光ファイバＦ、の出射
端部に、Ｅｒドープ光ファイバＦ、−９の人ｔ４端部を
突き合わせ融着−本イヒしたものである。
易」１口１医
この実施例は、第２実施例の光スィッチを二方向伝送タ
イプに改造したものであり、第６図に示すように、第２
実施例（第２図）における第２の光ファイバＦｇの出射
端部に、Ｅｒドープ光ファイバＦ、１の入射端部を突き
合わせ融着−本化したものである。
イプに改造したものであり、第６図に示すように、第２
実施例（第２図）における第２の光ファイバＦｇの出射
端部に、Ｅｒドープ光ファイバＦ、１の入射端部を突き
合わせ融着−本化したものである。
なお、上述したいずれの実施例においても、励起光ｔ、
ｐを第２の光ファイバＦオから入射し、信号光Ｌｓを第
１の光ファイバＦｔから入射するように構成しても、同
様のスイッチング機能が発揮される。
ｐを第２の光ファイバＦオから入射し、信号光Ｌｓを第
１の光ファイバＦｔから入射するように構成しても、同
様のスイッチング機能が発揮される。
〈発明の効果〉
本発明によれば、次の効果が発揮される。
すなわち、励起用光源において励起光照射をＯＮすると
、ドープ光ファイバにおいて希土類元素が高いエネルギ
ー準位に励起され、この状態において信号光を入射する
と、誘導放出効果によって信号光が増幅され、信号光伝
送のＯＮ状態となるが、励起用光源において励起光照射
をＯＦＦすると、ドープ光フアイバ内における希土類元
素の励起が行われず、信号光がドープ光ファイバに入っ
てきても、そのドープ光ファイバに吸収されてしまい、
信号光伝送がＯＦＦ状態となる。このように、励起光照
射のＯＮ／ＯＦＦによって信号光伝送がＯＮ／ＯＦＦさ
れるのであるが、そのための構成は、いわゆる光カプラ
の構造において、その融着延伸部分の一部およびそれに
連続する部分を、希土類元素をドープしたドープ光ファ
イバとしているとともに、励起用光源で励起光照射をＯ
Ｎ／ＯＦＦ自在に構成するだけである。
、ドープ光ファイバにおいて希土類元素が高いエネルギ
ー準位に励起され、この状態において信号光を入射する
と、誘導放出効果によって信号光が増幅され、信号光伝
送のＯＮ状態となるが、励起用光源において励起光照射
をＯＦＦすると、ドープ光フアイバ内における希土類元
素の励起が行われず、信号光がドープ光ファイバに入っ
てきても、そのドープ光ファイバに吸収されてしまい、
信号光伝送がＯＦＦ状態となる。このように、励起光照
射のＯＮ／ＯＦＦによって信号光伝送がＯＮ／ＯＦＦさ
れるのであるが、そのための構成は、いわゆる光カプラ
の構造において、その融着延伸部分の一部およびそれに
連続する部分を、希土類元素をドープしたドープ光ファ
イバとしているとともに、励起用光源で励起光照射をＯ
Ｎ／ＯＦＦ自在に構成するだけである。
すなわち、コア部あるいはクラッド部において可動部が
ない分だけ構造が簡単で小型化に有利であるとともに、
メンテナンスも容易であり、また、ＯＮ／ＯＦＦの切り
換えを比較的高速に行うことができる。
ない分だけ構造が簡単で小型化に有利であるとともに、
メンテナンスも容易であり、また、ＯＮ／ＯＦＦの切り
換えを比較的高速に行うことができる。
さらに、従来例のようなコア分断に伴うコア間の芯ずれ
の問題も、偏光子０位相変調板による減衰の問題も生じ
ない、むしろ、信号光伝送の０８時には信号光を増幅で
きるとともに、コア芯ずれに起因した寄生発振がなくて
Ｓ／Ｎ比が向上するから、伝送効率の向上にも寄与する
ことになる。
の問題も、偏光子０位相変調板による減衰の問題も生じ
ない、むしろ、信号光伝送の０８時には信号光を増幅で
きるとともに、コア芯ずれに起因した寄生発振がなくて
Ｓ／Ｎ比が向上するから、伝送効率の向上にも寄与する
ことになる。
第１図ないし第６図はそれぞれ本発明の第１実施例ない
し第６実施例に係る光スィッチを示す概略構成図である
。 １・・・半導体レーザ（励起用光源） ｌａ・・・励起光ＯＮ／ＯＦＦ用のスイッチ２・・・フ
ィルタ Ｆ、・・・第１の光ファイバ Ｆ、・・・第２の光ファイバ Ｆ＋−ｃ・・・石英系光ファイバ Ｆ２イ・・・石英系光ファイバ Ｆ＋−３・・・Ｅｒドープ光フアイバ Ｆ２−１・・・Ｅｒドープ光フアイバ Ｆ２−、・・・Ｅｒドープ光ファイバ ａ・・・融着延伸部分 １、ｐ・・・励起光 Ｌｓ・・・信号光
し第６実施例に係る光スィッチを示す概略構成図である
。 １・・・半導体レーザ（励起用光源） ｌａ・・・励起光ＯＮ／ＯＦＦ用のスイッチ２・・・フ
ィルタ Ｆ、・・・第１の光ファイバ Ｆ、・・・第２の光ファイバ Ｆ＋−ｃ・・・石英系光ファイバ Ｆ２イ・・・石英系光ファイバ Ｆ＋−３・・・Ｅｒドープ光フアイバ Ｆ２−１・・・Ｅｒドープ光フアイバ Ｆ２−、・・・Ｅｒドープ光ファイバ ａ・・・融着延伸部分 １、ｐ・・・励起光 Ｌｓ・・・信号光
Claims (1)
- （１）第１の光ファイバと第２の光ファイバとの側面ど
うしを互いに添わせた状態で所定長さ範囲にわたって融
着延伸した融着延伸部分が形成され、前記第１、第２の
光ファイバのうち少なくとも第１の光ファイバにおいて
、少なくとも前記融着延伸部分を含みこの融着延伸部分
よりも出射端側の所定長さ範囲が希土類元素をドープし
て光増幅機能をもたせたドープ光ファイバに構成され、
前記第１、第２の光ファイバのうちいずれか一方の入射
端部を励起用光源に接続してその入射端部から励起光を
入射させるとともに、前記他方の光ファイバの入射端部
から信号光を入射させるように構成されており、 かつ、前記励起用光源において励起光照射をＯＮ／ＯＦ
Ｆ自在に構成してあることを特徴とする光スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1249970A JPH03110526A (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 光スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1249970A JPH03110526A (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 光スイッチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03110526A true JPH03110526A (ja) | 1991-05-10 |
Family
ID=17200901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1249970A Pending JPH03110526A (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 光スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03110526A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010169891A (ja) * | 2009-01-22 | 2010-08-05 | Fujikura Ltd | 光ファイバカプラ及び光ファイバ増幅器 |
-
1989
- 1989-09-26 JP JP1249970A patent/JPH03110526A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010169891A (ja) * | 2009-01-22 | 2010-08-05 | Fujikura Ltd | 光ファイバカプラ及び光ファイバ増幅器 |
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