JPH03110885A - 分布帰還型半導体レーザー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、回折格子などの周期構造をもつ光導波路を有
する分布帰還型半導体レーザーに関するものである。

（従来の技術） 従来、半導体レーザーの発振モード低減のために共振器
内に回折格子を僅えた分布帰還型半導体レーザー（ＤＦ
Ｂレーザー）が開発されてきた。通常のＤＦＢレーザー
においては２つの発振モードが存在可能であり、１００
零の単一縦モード発振（ＳＬＭ）を得ることは不可能で
あった。そこで１００零単一縦モード発振を得るべく、
回折格子中に発振光の波長の１７４（λ／４）の位相シ
フト部を導入するようになってきた。

これらの単一縦モードレーザーにおいて、高い光出力を
得るために、通常の素子では、第９図に示すように、基
板１上に活性層２、光ガイド層３、回折格子１０、クラ
ッド層４を配置して構成した分布帰還型半導体レーザー
の片端面（光取り出し面とは反対側）に高反射（）ＩＲ
）膜２１および光取り出し面に無反射（ＡＲ）膜２２を
コーティングしていた。ざらにλ／４位相シフト型レー
ザーではシフト領域の位置を光取り出し側へずらしく通
常シフト位置は共振器内中央が多い）、高光出力を得て
いた。これは共振器内で電界がシフト領域に集中するた
め、光取り出し面を当該領域に近づけると、取り出し面
での電界が増加することに対応している。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、これらのレーザーではＨＲココ−ィングを施す
と車−モード型モードになることおよび端面での反射率
が大きくなるため、ファブリペローモード発振の起きる
ことがあること等問題が多かった。さらにλ／４位相シ
フト型レーザーでは前述したように、位相シフト領域へ
電界が集中するため、高光出力になるにつれて、電界集
中の起きている領域で注入キャリア寿命が減少し、屈折
率分布が不均一になるた゛め車−縦モード発振が維持さ
れなくなる（空間的ホール・バーニング）という問題が
あフた。

そこで、本発明の目的は、共振器内の回折格子の回折効
率分布を制御し、回折格子の片端で結合係数にを大きく
しこの部分を反射ミラーとすることによって、分布帰還
型半導体レーザー内の光子密度分布並びにキャリア密度
分布を極力均一化することによりホール・バーニングを
抑制し、かつ単一縦モード発振で高光出力を得るように
した分布帰還型半導体レーザーを提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

このような目的を達成するために、本発明では、基板上
に活性層を配置し、該活性層に沿って周期的に屈折率の
変化する導波路を配置して共振器を構成した分布帰還型
半導体レーザーにおいて、前記共振器の前記導波路の片
端部には、当該共振器の長さの弼以下の長さｄにわたっ
て、前記共振器の残余の部分とは異なる周期で屈折率が
変化して、当該残余の部分の結合係数よりも高い結合係
数にをもつ高結合領域を配置し、かつ積に・ｄが１．０
以上であることを特徴とする。

［作　用］ 本発明では、ＤＦＢレーザーの回折格子に結合定数に分
布を設け、特に共振器導波路の片端に高に領域を有する
ことによって、閉じ込めを強化し、発振しきい値を低減
すると共に、ホールバーニング発生の抑制が可能となる
ため、比較的短い共振器で狭スペクトル線幅を得ること
もできる。

しかもまた、本発明によれば、端面の反射ミラーにおけ
る位相を制御できるために、単一モード発振の分留りを
向上し、安定化することが可能となるという利点がある
。

〔実施例〕

以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。

因】１吐上 第１図（ａ）〜（ｄ）はＩｎＰ＜００１＞基板１上に、
ＩｎＧａＡｓＰ活性層２　（０，１２ｕｒｎ厚）　続い
てＩｎＧａＡｓＰガイド（先導波）層３　（０，１５μ
ｖａ厚）を形成した、１．５　μｍ帯用基板上にウェッ
トエッチ法により回折格子を形成した例である。電子線
露光法により、この基板上に、＜１１０＞方向にφ−ｏ
＋ａｃレジスト２０を用いて、回折格子レジストパター
ンを形成した。第１図（ａ）　に見られるように、この
レジストパターンは、片端の長さ４０μｍの領域１２’
　ではラインが細く（スペースが広く）、かつその他の
長さ２２０μｍの領域１１′　ではスペースが細く（ラ
インが太く）なるようにして配置した。

さらに、符号１６′　は領域１１’　　と１２’　　と
の間の位相調整領域である。

このような基板を、飽和臭素水：臭化水素酸：水＝　１
：１０：４０（Ｔ、Ｍａｔｓｕｏｋａ　ａｎｄ　Ｈ，Ｎ
ａｇａｉ、　　“ＩｎＰＥｃｈａｎｔ　ｆｏｒ　Ｓｕｂ
ｍｉｃｒｏｎ　Ｐａｔｔｅｒｎｓ　”、　Ｊ、Ｅｌｅｃ
ｔｒｏ−ｃｈｅｍ、　Ｓｏｃ、Ｖｏｌ、１３３．２４８
５（１９８Ｂ）に記載のエツチング液）、０℃ρ異方性
エツチング液で２０秒間エッチングしたところ、アンダ
ーカットなしに、第１図（ｂ）のような回折格子が得ら
れた。これは前記のエツチング液がサイドエツチングが
殆ど無く、スペース幅で決まるＶ字溝形状を形成した時
点で、エツチング速度が著しく低下し、事実上エツチン
グが停止するからである。このエツチングでは屈折率変
化の大きさは、レジストパターンのスペース幅の自乗に
比例している。従って、第１図（Ｃ）に示されるように
、回折格子の片端部分の領域１２では形状変化が大きい
ため結合係数が大きくなり、その他の領域１１では形状
変化が小さく、従って屈折率変化が小さくなるため、結
合係数が小さくなる。また高に領域１２と低に領域１１
との境界近傍に位相調整領域１６を設けることによって
、これらのレーザーではえ７４位相シフト型レーザーで
発生した電界の空間的な不均一の発生が無いことおよび
ＨＲ膜ココ−ティングよる単一縦モードの多モードが無
いことにより、回折格子の位相を制御し、高い分留りで
単一縦モード発振を得ることもできる。

本実施例で作製した素子の特性を測定したところ、発振
しきい電流値は高に領域１２が無い素子に比べ十分に低
くすることができた。また、両端面をへき開した状態に
おいても光出力２０ａＷ以上の単−縦モード発振を再現
性よく得ることができた。

このように、レジストパターンのライン・アンド・スペ
ース（Ｌ／Ｓ）を変化させることにより、回折格子のエ
ツチング形状（深さ）を変えて、結合係数にを片端で大
きく、かつその他の領域で小さくすることができる。こ
れにより、共振器全体として結合係数にを大きくしつつ
、電界分布を均一にすることができるので、しきい電流
値の低減とスペクトル狭線化およびホール・バーニング
抑制を両立させることができる。

このような共振器内部における光子密度の制御は片端の
高結合係数領域１２に比較してその他の低結合係数領域
１１の結合係数が小さくなっていればよいが、低に領域
が短いと高光子密度領域が短く、第１図（ｅ）　に示す
ように、閉じ込められる光子が少なくなる。それと同時
に、ホール・バーニングなしに可能な出力が制限される
。このため、本発明では全共振器長に比較して十分な長
さ、すなわち、全共振器長の約１７２以上の低結合係数
領域が必要となる。また、結合係数には分布反射型ミラ
ーの単位長さ当りの反射率に相当する数値であり、この
値と領域長の積は当該領域による実効的な反射率に対応
するため、本発明の目的のためには高に領域におけるに
・ｄ積が１以上あれば十分である。また本実施例では結
合係数の変化が高に領域１２と低に領域１１との境界１
箇所で行われているが、上記光子分布の原理に鑑みれば
、上記２領域の境界領域で結合係数を徐々に変化させて
も同様の効果が得られることは明らかである。

上記のような結合係数にの制御を行うためには、エツチ
ング法に応じたレジストパターンが必要である０例えば
等方性ウェットエッチャントの場合には、高に部１２で
はラインとスペースの幅を同程度にし、低に部１１でラ
インが細いかスペースが細いレジストパターンを形成す
る。この場合に得られるエツチング形状は第３図（ａ）
　、　（ｂ）に示すようになり、やはり片端部分１２の
結合係数にがその他の領域１１の結合係数によりも大き
くなる。

このような制御はドライエツチングの場合にも同様に可
能である。

あるいはまた、異方性９等方性に拘らずレジスト２０の
厚さが大きく、スペース部分でのエツチング時のエツチ
ング液の流れが減速される場合には、エツチング形状は
第４図のようになり、結合係数にの変化を更に大きくす
ることができる。

このような結合係数にの変化は、回折格子の次数を変化
させることによっても可能である。例えば、レジストパ
ターンを、第５図に示すように、高に部１２で１次の回
折格子が形成され、その他の部分１１で２次もしくはそ
れ以上の高次の回折格子が形成されるように形成するこ
とで、上記と同様の結合係数に分布を形成することがで
きる。

第１図（ｂ）に示した実施例では、活性層２の上に配置
した光ガイド層３に回折格子を形成したが、本発明はこ
の例にのみ限られず、たとえば第１図（ｇ）に示すよう
に、基板１または基板１上のクラッド層４に回折格子を
形成し、その上に光ガイド層３を配設し、さらにその上
に活性層２およびクラッド層４をこの順序で配設しても
よい。この場合には、第１図（ｆ）に示すように、基板
１または基板１上のクラッド層４にレジストパターンを
配置し、ついでエツチング処理を行ってＶ字溝を形成し
、さらにその上に光ガイド層３を形成して、最終的に第
１図（ｇ）の構造を得る。

実施例１に見られるような効果は、回折格子を共振器内
に有するＤＥＢレーザーならば総て成立するため、レー
ザーの発振波長や材料、基板上に積層する順序や埋め込
み等の共振器の形状に依らないことは明かである。また
、レジストパターン形成に際し、使用するレジストに依
らないことも明かである。

さらに、半導体レーザー用回折格子に利用される、サブ
ミクロンパターン形成が可能であれば、特に電子線露光
に限定する必要はなく、シンクロトロン放射光やプラズ
マＸ線源によるＸ線露光を用いてもよいことは明かであ
る。さらにまた、ガイド層エツチング（積層順序が逆の
場合は基板のエツチング）においては、レジストパター
ンの幅に対してエツチング形状が変化する方法ならば、
実施例１以外のエッチャントによるウェットエツチング
でもまたローディング効果がある場合、またはドライエ
ツチングの場合でも、結合定数の制御が可能なことは明
かである。

このように、本発明によるレジストパターンのライン・
アンド・スペース（Ｌ／Ｓ）設計原理は次のように述べ
ることができる。回折格子のエツチング形状に対して結
合係数が一意的に定まるため、およそ制御性のあるエツ
チング方法においては、一定の条件下におけるレジスト
パターンのＬ／Ｓと結合係数にとの間には第２図（ａ）
　、　（ｂ）　、　（ｃ）の例に挙げるように一定の関
係（に−Ｌ／Ｓ）が得られる。

従って、実現したい高結合係数領域のに値にｈと低結合
係数領域のに値に４　に対応するＬ／Ｓ　値（Ｌ／Ｓ）
ｈと（Ｌ／Ｓ）ｚにより各々の領域に回折格子レジスト
パターンを形成すれば、本実施例の回折格子を得ること
が可能になる。

さらに、ＩｎＰ半導体レーザーに限らず他の半導体レー
ザーでも固体内の発振領域に回折格子により波長選択を
するレーザーに適用可能であることは言うまでもない。

以下に、本発明によって、結合定数にの分布をもつ回折
格子を作製する方法の例について述べる。

因】ＩＩス レジストパターンとして第３図（ａ）　、　（ｂ）のよ
うなパターンを形成し、エツチング液として、飽和臭素
水工水：燐酸＝２：１５：１、室温（Ｇ、Ｍｅｎｅｇｈ
ｉｎｉ。

”Ｇｒａｔｉｎｇ　ｆｏｒｍａｔｉｏｎ　ｂｙ　Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ　ｅｔｃｈｉｎｇ　ｉｎ＾ｌＩｎＡｓ　ｆｏ
ｒ　ＭＱＷ　Ｄｅｖｉｃｅｓ　　、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　
Ｌｅｔｔｅｒｓｖｏｌ、２５，７２５．　（１９８９）
に記載のエツチング液）を用い、５秒間エツチングした
。このエツチング液では、エツチング時間に対しエツチ
ング深さが比例するために、第３図（ａ）　、　（ｂ）
のような回折格子が形成され、屈折率変化は、レジスト
パターンのライン幅りとスペース幅Ｓ、エツチング深さ
ｄとすると、（Ｌ−５）・ｄに比例する。従って、第３
図（ａ）。

（ｂ）のようなレジストパターンに対して、結合係数に
分布が第１図（ｃ）と同様な共振器を得ることができた
。

本実施例のようなレジストパターンと結合係数の関係は
、エツチング形状が矩形に近い場合は、異方性エツチン
グまたは等方性エツチングのいずれでも可能である。

衷Ｊ０１ユ 厚さ５０ｎｍのφ−ｍａｃレジストをもちいて、レジス
トパターンとして第６図のようなパターンを形成した。

次に、この基板を実施例１に用いたエツチング液で４秒
間エツチングした。

レジストの厚さを十分薄くして、前記のエツチング液を
用いると、化学反応活性種の供給律速か溶液中の等方的
拡散によって決定され、基板露出面積比が大きいほどエ
ツチング速度が低下する。

このようなウェットエツチングにおけるマイクロ・ロー
ディング効果により、スペースの広いパターンではエツ
チング速度が遅くなり、台形エツチングされる回折格子
形状は浅い矩形に近くなる。一方、スペースの狭いパタ
ーンではエツチング速度が早いために、台形エツチング
される回折格子は、Ｖ字に近くなる。一般に、結合係数
には同じ深さの時には、矩形の形状で最も大きくなる。

このため結合係数には、本エツチング条件ではＬ／Ｓが
１：ｌ程度の時に最大になり、７字形状になったり、ス
ペース幅がライン幅に比較して大きくなると結合係数に
が小さくなる（上記文献参照）。このような方法は、本
エツチング液に限らず、上記のようなマイクロ・ローデ
ィング効果のあるものならば、エツチング形状を考慮に
入れて回折格子のＬ／Ｓを予め設計すれば、同様の結果
が得られることは明かである。

衷」１辻Ａ 厚さ３００ｎＩ１１の比較的厚いφ−ｍａｃレジストを
用いて、レジストパターンとして第４図のようなパター
ンを形成した。次に、この基板を実施例１に用いたエツ
チング液で４秒間エツチングした。

この時、レジストの厚さが大きいため、スペースが狭く
なればなるほど、レジストに囲まれた溝における化学活
性種の供給コンダクタンスが低下し、エツチング速度が
小さくなる。従って、スペースの広いパターンではエツ
チング速度が早くなり、スペースの狭いパターンではエ
ツチング速度が遅くなる。従って、第４図のようなエツ
チング形状が得られる。ここで、ラインが広い部分で結
合係数にが大きくなるため、結合係数分布は、第１図（
Ｃ）に示したものと同様になる（上記文献参照）。

上記のような効果は本エツチング液に限るものではなく
、レジストパターンによる供給律速の効果がある場合に
も同様の結果が得られる。

夾族頂ｊ 厚さ１５０ｎｍのφ−ｍａｃレジストを用いて、レジス
トパターンとして第３図（ａ）　、　（ｂ）のようなパ
ターンを形成した。ついで、ＢＣｌ３を反応ガスとして
、出力ｔｏｏｗ、加速４００ｖで２分間ＥＣＲエツチン
グを行った。

このエツチングでは、エツチング時間によりエツチング
深さを制御できるために、第３図（ａ）。

（ｂ）のような回折格子が形成され、屈折率変化は、レ
ジストパターンのライン幅りとスペース幅Ｓ、エツチン
グ深さｄとすると、（Ｌ−５）・ｄに比例する。従って
、第３図（ａ）　、　（ｂ）のようなレジストパターン
に対して、結合係数に分布が第１図（Ｃ）と同様な共振
器を得ることができた。

本実施例のようなレジストパターンと結合係数との関係
は、特にエツチング法がＥＣＲエツチングに限るもので
はなく、イオンエツチング（Ｉｌｌ）・リアクティブイ
オンエツチング（ＲＩＥ）等の他のドライエツチングで
も可能であることは明かである。

また、エツチングガスも基板エツチングが可能であれば
他のガスでもよく、ａｃｔｓに限られない。

衷妻１１旦 レジストパターンとして、第５図に示されるように、共
振器の片端の領域１２に１次の回折格子パターンを形成
し、その他の領域１１では２次の回折格子を形成した。

２次の回折格子は１次の回折格子に比較して同じ深さの
エツチングを行っても、結合係数が著しく小さくなる（
上記文献参照）。

従って、このようなレジストパターンをマスクにエツチ
ングを行うと、第１図（Ｃ）と同様な結合係数分布を実
現することができた。

エツチング形状が矩形に近い場合には、低次の回折格子
はど結合係数が大きくなるため、特に１次と２次の組合
せによる必要は無く、その他の領域１１に比較して片端
の領域１２がより高次の回折格子になるようにすればよ
い。

また、エツチング形状が矩形とは大きく異なる場合でも
、上記文献に見られるように、同じエツチング深さでも
次数によって結合係数の値が異なるので、共振器の片端
部の結合係数をその他の部分より大きくなるように設計
できることは明らかである。

夾直胴ユ 従来技術の項でも述べたように、光子密度は反射係数の
大きいミラ一部分と位相シフト部分に集中する。結合係
数の大きい回折格子は屈折率変化による一種の分布型ミ
ラーと見なせるので、実施例１〜６で挙げた共振器構造
で、片端部１２の結合係数を著しく増加させると、光出
力動作状態ではこれらの部分に光が集中し、発振モード
が端面の位相の影響を強く受けたり、ホール・バーニン
グが生じる原因となることある。

第７図（ａ）　、　（ｂ）はこれに鑑み構成したＤＦＢ
−ＬＤの構造を示し、ここで５は基板１側に配置した電
極パッド、６は主注入電極、７はクラッド層４上に配置
されて電極６に接続された主注入領域、８は抑制注入電
極、９はクラッド層４上に配置されて電極８に接続され
た注入抑制領域である。片端部類域１２の結合係数はそ
の他の領域１１よりも大きくなっている。このため回折
格子の両端部は受動ミラーとして働くため、両端面での
電場集中が抑制されてへき開面の位相の影響が抑制され
る。さらに前記の欠点を解決するために、片端部の領域
１２の高結合係数の外よりの部分９においては、主注入
領域７の主注入電極６とは異なる抑制注入電極８により
主注入領域７よりも電流注入を抑制し、あるいは第７図
（ｂ）の実施例のように活性層２を取り除いている。こ
れにより外部より電流注入量を制御することによって光
の集中を制御できる。

更に、へき開端面での回折格子の位相の影響を避けるた
めに、回折格子の領域を共振器長より短くすることも有
効である。これは、回折格子が端面に露出していると当
該回折格子の位相によって発振しきい値、光出力等の素
子特性がばらつくが、本構造とすることにより素子特性
のばらつきを十分小さくできる利点がある。

本構造の素子を実際に製作したところ、従来のレーザー
に比較して高光出力領域まで単一縦モード発振が維持さ
れ、そのばらつきも十分小さく抑えられていた。

去】０辻旦 実施例１〜７において、結合係数にを共振器の片端の領
域１２において大きくすると、閉じ込めは強くなるもの
の、ファイバー等を接続する光出力端では反射率が小さ
くなることもあり、外部からの光入射によって、レーザ
ー発振が不安定になることもありうる。そこで、第８図
（ａ）に示すように、光出力端における反射光の影響を
抑制するために、光出力端にも高に領域を設けることが
考えられる。ここで、非光出力端では光の高閉じ込めを
実現する必要があり、これに対して光出力端では、共振
器内の光を導出する必要があるので、結合効率にと領域
長ｄの積に・ｄは光出力端において小さくする必要があ
る。第８図（ａ）は上記のような指針に基づき、実施例
７の素子において、光出力端にも高に１３領域を設けた
実施例の構造である。

に１．に２．に、はそれぞれ光出力端部１３、共振器中
央部１１、非光出力端部１２の結合係数であり、ｄｌ、
ｄｚ、ｄｓはそれぞれの部分の回折格子領域長である。

これまで述べてきた例では、に８−に２くに。

であフたが、本実施例では、第８図（ｂ）のように、 にｌ”ｄｌく　に３°ｄ３　ｌに１．に３　〉に２とす
る。この時、光出力端における閉じ込めが非光出力端に
おける閉じ込めよりも強いために、共振器内の光子密度
分布は第８図（ｃ）のようになり、共振器内に注入され
たエネルギーは、訪導放出と光出力端からの放出に効率
よく働いていることがわかる。また非光出力端における
閉じ込めを若干弱くすることにより、ｐｉｎダイオード
等による出力モニター用の光出力も取り出すことができ
る。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、ＤＦＢ−ＬＤの
共振器に設ける回折格子の結合係数にに分布を与え、特
に共振器導波路の片端に結合係数にの高い領域を設ける
ことにより、閉じ込めを強化し、発振しきい値を低減す
ると共に、ホールバーニング発生の抑制が可能となるた
め、比較的短い共振器で狭スペクトル線幅を得ることも
できる。

しかもまた、本発明によれば、端面の反射ミラーにおけ
る位相を制御できるために、単一モード発振の分留りを
向上し、安定化することが可能となるという利点がある
。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は異方性ウェットエツチングにより結合係
数に分布の回折格子を有する本発明実施例のＤＦＢ−Ｌ
Ｄを作製するためのレジストパターンを示す断面図、 第１図（ｂ）は第１図（ａ）のレジストパターンでウェ
ットエッチした回折格子を示す断面図、第１図（Ｃ）は
第１図（ｂ）の回折格子の結合係数分布図、 第１図（ｄ）および（ｅ）は本発明における低結合係数
領域の長さを全共振器長に対してどのように定めるかを
説明するための光子密度分布図、第１図（ｆ）および（
ｇ）は本発明の他の実施例を示す断面図、 第２図（ａ）〜（Ｃ）は、本発明においてレジストパタ
ーン設計の原理を説明するために結合係数とＬ／Ｓとの
関係を示す特性図、 第３図（ａ）は等方性ウェットエツチングにより結合係
数に分布回折格子を形成するにあたって、低に部のレジ
ストパターンのライン幅を狭くした場合のレジストパタ
ーンおよびエツチングされた回折格子を示す断面図、 第３図（ｂ）は同じく低に部のレジストパターンのスペ
ース幅を狭くした場合についての断面図、 第４図はローディング効果（レジスト膜厚によるコンダ
クタンスの減少）のある場合のウェットエツチングによ
り結合係数に分布回折格子を形成する本発明実施例のレ
ジストパターンおよびエツチングされた回折格子を示す
断面図、 第５図は回折格子の次数変化によって結合係数に分布回
折格子を形成する本発明実施例のレジストパターンおよ
びエツチングされた回折格子を示す断面図、 第６図はローディング効果（反応種の供給律速）のある
場合のウェットエツチングにより結合係数に分布回折格
子を形成する本発明実施例のレジストパターンおよびエ
ツチングされた回折格子を示す断面図、 第７図（ａ）は非光出力端の電流注入を抑制した本発明
実施例のに分布ＤＦＢ−ＬＤの構造を示す断面図、 第７図（ｂ）は非光出力端の活性層を除き利得抑制した
本発明実施例のに分布ＤＦＢ−ＬＤの構造を示す断面図
、 第８図（ａ）は光出力端にも高結合係数領域を設けた本
発明実施例のに分布ＤＦＢ−Ｌｔ）の構造を示す断面図
、 第８図（ｂ）は第８図（ａ）の実施例の結合係数分布図
、 第８図（ｃ）は第８図（ａ）の実施例の光子密度分布図
、 第９図は従来の片端面高反射ＤＦＢ−ＬＤの構造を示す
断面図である。 １・・・ＩｎＰ基板、 ２・・・活性層、 ３・・・ガイド層、 ４・・・クラッド層、 ５・・・電極パッド、 ６・・・主注入電極、 ７・・・主注入領域、 ８・・・抑制注入電極、 ９・・・注入抑制領域、 １０・・・回折格子、 １１・・・低に領域、 １１′　・・・レジストパターンの領域、１２・・・高
に領域、 １２′　・・・レジストパターンの領域、１３・・・中
に領域、 １５・・・位相シフト、 ｌ６・・・位相調整領域、 １６′　・・・レジストパターンの領域、２０・・・レ
ジスト、 ２１・・・高反射コーティング、 ２２・・・無反射コーティング。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）基板上に活性層を配置し、該活性層に沿って周期的
   に屈折率の変化する導波路を配置して共振器を構成した
   分布帰還型半導体レーザーにおいて、 前記共振器の前記導波路の片端部には、当該共振器の長
   さの１／２以下の長さｄにわたって、前記共振器の残余
   の部分とは異なる周期で屈折率が変化して、当該残余の
   部分の結合係数よりも高い結合係数ｋをもつ高結合領域
   を配置し、かつ積ｋ・ｄが１．０以上であることを特徴
   とする分布帰還型半導体レーザー。