JPH03111790A - Ｘ線強度スペクトルモニター方法 - Google Patents
Ｘ線強度スペクトルモニター方法Info
- Publication number
- JPH03111790A JPH03111790A JP24966889A JP24966889A JPH03111790A JP H03111790 A JPH03111790 A JP H03111790A JP 24966889 A JP24966889 A JP 24966889A JP 24966889 A JP24966889 A JP 24966889A JP H03111790 A JPH03111790 A JP H03111790A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- spectrum
- sor
- ray
- ssd
- spectra
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Particle Accelerators (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、Ｘ線強度スペクトルモニター方法に関し、特
に半導体検出器（Ｓ Ｓ Ｄ ： ５ｏｌｉｄ ５ｔａ
ｔｅＤｅｔｅｃｔｏｒ）を用いた場合のＸ線強度スペク
トルモニター方法に係わり、高精度なモニタ一方法を提
供することを目的とし、 半導体検出器によってＸ線強度スペクトルモニターする
方法において、単色Ｘ線で半導体検出器の応答関数を測
定し、その結果を用いて測定スペクトルをデコンボリュ
ーション（たたみ込み逆演算）し、Ｘ線強度スペクトル
を計測する構成とする。
に半導体検出器（Ｓ Ｓ Ｄ ： ５ｏｌｉｄ ５ｔａ
ｔｅＤｅｔｅｃｔｏｒ）を用いた場合のＸ線強度スペク
トルモニター方法に係わり、高精度なモニタ一方法を提
供することを目的とし、 半導体検出器によってＸ線強度スペクトルモニターする
方法において、単色Ｘ線で半導体検出器の応答関数を測
定し、その結果を用いて測定スペクトルをデコンボリュ
ーション（たたみ込み逆演算）し、Ｘ線強度スペクトル
を計測する構成とする。
超ＬＳＩと呼ばれるような半導体集積回路の製造におい
ては、サブミクロン加工技術の重要性が近年益々大きく
なってきている。かかる状勢の中で半導体集積回路製造
のりｌグラフィ工程において、強度が桁違いに大きく且
つ平行性が優れているシンクロトロン放射光（Ｓ ＯＲ
： ５ｙｎｃｒｏｔｒｏｎＯｒｂｉｔ Ｒａｄｉａｔｉ
ｏｎ）を転写用光源として利用する方法が盛んに研究さ
れている。
ては、サブミクロン加工技術の重要性が近年益々大きく
なってきている。かかる状勢の中で半導体集積回路製造
のりｌグラフィ工程において、強度が桁違いに大きく且
つ平行性が優れているシンクロトロン放射光（Ｓ ＯＲ
： ５ｙｎｃｒｏｔｒｏｎＯｒｂｉｔ Ｒａｄｉａｔｉ
ｏｎ）を転写用光源として利用する方法が盛んに研究さ
れている。
しかし、これが将来製造技術として定着するためにはＳ
ＯＲ強度のモニター等、基本的な技術の確立が必要であ
る。
ＯＲ強度のモニター等、基本的な技術の確立が必要であ
る。
ＳＯＲ露光においては、Ｘ線から可視光にわたる連続ス
ペクトルのなかからＸ線露光に必要なフォトンエネルギ
ー帯（１ｋｅＶ〜３ ｋｅＶ）だけを取り出すためのバ
ンドパスフィルタが必要になる。バンドパスフィルタと
しては全反射ミラーによる高エネルギー成分除去とベリ
リウム（Ｂｅ）窓等による低エネルギー成分除去の組み
合わせが一般的である。
ペクトルのなかからＸ線露光に必要なフォトンエネルギ
ー帯（１ｋｅＶ〜３ ｋｅＶ）だけを取り出すためのバ
ンドパスフィルタが必要になる。バンドパスフィルタと
しては全反射ミラーによる高エネルギー成分除去とベリ
リウム（Ｂｅ）窓等による低エネルギー成分除去の組み
合わせが一般的である。
の結果Ｘ線強度スペクトルが変動する可能性がある。
一方また電子蓄積リングの電子ビームは時間と共に減衰
していくので、ＳＯＲ強度も減衰していく。
していくので、ＳＯＲ強度も減衰していく。
このような理由からＳＯＲ露光を実現するためにはどう
してもＳＯＲ強度スペクトルの変動をモニターすること
が不可欠である。
してもＳＯＲ強度スペクトルの変動をモニターすること
が不可欠である。
ＳＯＲ強度スペクトルを精度良く検出できる検出器とし
ては半導体検出器（Ｓ Ｓ Ｄ）がある。ＳＳＤの最大
計数率は１０４フオトン／Ｓ程度であり、一方ＳＯＲ強
度は１０Ｉ０フォトン／Ｓ以上にも及ぶので、気体や固
体による散乱Ｘ線スペクトルを測定し、間接的に入射Ｘ
線強度スペクトルを求めている。
ては半導体検出器（Ｓ Ｓ Ｄ）がある。ＳＳＤの最大
計数率は１０４フオトン／Ｓ程度であり、一方ＳＯＲ強
度は１０Ｉ０フォトン／Ｓ以上にも及ぶので、気体や固
体による散乱Ｘ線スペクトルを測定し、間接的に入射Ｘ
線強度スペクトルを求めている。
第４図は従来のＸ線強度スペクトルモニター方法のフロ
ー図を示す。半導体検出器の検出出力パルスを波高分析
器で分析しくＳｌ）、波高分析器から送られたスペクト
ルデータを電子蓄積リングの蓄積電流値、測定時間によ
り規格化しくＳ２）、散乱理論によって散乱Ｘ線強度ス
ペクトルから実際のＳＯＲの強度スペクトルに換算して
（Ｓ３）、出力して（Ｓ４）いる。
ー図を示す。半導体検出器の検出出力パルスを波高分析
器で分析しくＳｌ）、波高分析器から送られたスペクト
ルデータを電子蓄積リングの蓄積電流値、測定時間によ
り規格化しくＳ２）、散乱理論によって散乱Ｘ線強度ス
ペクトルから実際のＳＯＲの強度スペクトルに換算して
（Ｓ３）、出力して（Ｓ４）いる。
ＳＳＤに単色のフォトンエネルギーのＸ線が入射した際
、このフォトンエネルギーに比例した電荷がＳＳＤ中に
生じ、電荷量に比例した電圧パルスが出力されるのであ
るが、一部は電荷の不完全な収集が起こり本来のパルス
高よりも低いパルスが発生する。このことが原因でＳＳ
Ｄによる単色のフォトンエネルギーの測定スペクトルは
第５図に示す様に低エネルギー側に裾をひいた形となる
。
、このフォトンエネルギーに比例した電荷がＳＳＤ中に
生じ、電荷量に比例した電圧パルスが出力されるのであ
るが、一部は電荷の不完全な収集が起こり本来のパルス
高よりも低いパルスが発生する。このことが原因でＳＳ
Ｄによる単色のフォトンエネルギーの測定スペクトルは
第５図に示す様に低エネルギー側に裾をひいた形となる
。
また、この応答関数は入射フォトンエネルギーに依存し
て変化する。
て変化する。
第５図において（ａ）は単色のフォトンエネルギー１．
５ ｋｅＶをＳＳＤに入射した場合の測定スペクトル結
果を示すグラフであり、横軸はみかけのフォトンエネル
ギーで縦軸はフォトンエネルギーに対応した波高値を有
する出力電圧パルスのカウント数を示すものでスペクト
ル強度に相当する。第５図（ｂ）は単色のフォトンエネ
ルギー３．ＯＫｅＶの場合を示す。
５ ｋｅＶをＳＳＤに入射した場合の測定スペクトル結
果を示すグラフであり、横軸はみかけのフォトンエネル
ギーで縦軸はフォトンエネルギーに対応した波高値を有
する出力電圧パルスのカウント数を示すものでスペクト
ル強度に相当する。第５図（ｂ）は単色のフォトンエネ
ルギー３．ＯＫｅＶの場合を示す。
このような応答関数をもつＳＳＤによってスペクトルを
測定すると本来のスペクトルが応答関数でコンボリュー
ション（たたみ込み演算）されたスペクトルが観測され
ることとなり、低エネルギー側に幾分重みがかかり、さ
らに裾をひいたスペクトルとなってしまう。
測定すると本来のスペクトルが応答関数でコンボリュー
ション（たたみ込み演算）されたスペクトルが観測され
ることとなり、低エネルギー側に幾分重みがかかり、さ
らに裾をひいたスペクトルとなってしまう。
以上の理由により、従来はバンドパスのＳＯＲスペクト
ルを正確に測定することができなかった。
ルを正確に測定することができなかった。
上記問題点は、注目しているエネルギー帯における応答
関数を単色エネルギーのＸ線を用いて測定し、応答関数
のフォトンエネルギー依存性を求め、測定スペクトルに
対してデコンボリューションすることによって解決でき
る。
関数を単色エネルギーのＸ線を用いて測定し、応答関数
のフォトンエネルギー依存性を求め、測定スペクトルに
対してデコンボリューションすることによって解決でき
る。
本発明は単色Ｘ線で半導体検出器の応答関数を測定し、
その結果を用いて測定スペクトルをデコンボリューショ
ンし、Ｘ線強度スペクトルを計測するようにしているの
で、本来のＸ線スペクトルが正しく観測されることとな
りＳＳＤを使用して、より高精度にＸ線スペクトルを測
定できる。
その結果を用いて測定スペクトルをデコンボリューショ
ンし、Ｘ線強度スペクトルを計測するようにしているの
で、本来のＸ線スペクトルが正しく観測されることとな
りＳＳＤを使用して、より高精度にＸ線スペクトルを測
定できる。
次に図面により本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の実施例によるＸ線強度スペクトルモニ
ター方法のフロー図、第２図はＳＯＲのＸ線強度スペク
トルの測定系を示す図、第３図は本発明のモニタ一方法
によるＸ線強度スペクトルを示すグラフである。
ター方法のフロー図、第２図はＳＯＲのＸ線強度スペク
トルの測定系を示す図、第３図は本発明のモニタ一方法
によるＸ線強度スペクトルを示すグラフである。
第２図において、電子蓄積リングｌから放射されたシン
クロトロン放射光（ＳＯＲ）２が二枚ノミラー３により
反射された後、ベリリウム窓４を透過し測定装置に導か
れる。５ＯＲ２は測定装置中のヘリウムガス５によって
散乱され、その散乱Ｘ線６が半導体検出器（ＳＳＤ）７
によって検出される。５ＳＤ７からの出力パルスは増幅
器８によって増幅された後、波高分析器によってスペク
トルが得られる。さらに、スペクトルのデータは計算機
１０に送られデータ処理がなされる。ヘリウムガスによ
るＸ線の散乱強度は理論により正確に計算できるので実
際のＳＯＲの強度スペクトルに換算することができる。
クロトロン放射光（ＳＯＲ）２が二枚ノミラー３により
反射された後、ベリリウム窓４を透過し測定装置に導か
れる。５ＯＲ２は測定装置中のヘリウムガス５によって
散乱され、その散乱Ｘ線６が半導体検出器（ＳＳＤ）７
によって検出される。５ＳＤ７からの出力パルスは増幅
器８によって増幅された後、波高分析器によってスペク
トルが得られる。さらに、スペクトルのデータは計算機
１０に送られデータ処理がなされる。ヘリウムガスによ
るＸ線の散乱強度は理論により正確に計算できるので実
際のＳＯＲの強度スペクトルに換算することができる。
本発明のモニタ一方法では第１図に示すように、従来の
モニタ一方法に対し、応答関数逆行列を求め（Ｓｚ＋）
、デコンボリューション（Ｓｚｚ）を行なう処理を追
加している。
モニタ一方法に対し、応答関数逆行列を求め（Ｓｚ＋）
、デコンボリューション（Ｓｚｚ）を行なう処理を追
加している。
ＳＳＤの応答関数は、ＳＯＲを分光した単色のフォトン
をＳＳＤに入射することによって測定できる。分光によ
りフォトンエネルギーを変化させながら応答関数の行列
をあらかじめ求める。
をＳＳＤに入射することによって測定できる。分光によ
りフォトンエネルギーを変化させながら応答関数の行列
をあらかじめ求める。
いまフォトンエネルギーをε、測定系のみかけのエネル
ギーをＥとし、Ｅ、≦Ｅ≦Ｅ１１＋ ε１≦８≦ε。
ギーをＥとし、Ｅ、≦Ｅ≦Ｅ１１＋ ε１≦８≦ε。
＋Ｅｋ−εｍ（ｋ＝１．・・・＋ｎ）で表される範囲で
離散的に応答関数が求まったとする。ただし、この範囲
はモニターすべきバンドパスのエネルギー帯と同じか、
またはこれよりも広くとる必要がある。このとき、応答
関数の行列は以下のように表される。
離散的に応答関数が求まったとする。ただし、この範囲
はモニターすべきバンドパスのエネルギー帯と同じか、
またはこれよりも広くとる必要がある。このとき、応答
関数の行列は以下のように表される。
但し、Σ Ｒ（Ｅｉ 、 εｋ） ＝ １
（２）Ｅｉ ここで、Ｒ（Ｅｉ 、 εｋ）はフォトンエネルギε
よ、みかけのエネルギーＥ、における応答関数の成分で
ある。さらに、真のスペクトルをＱ （Ｅ） 。
（２）Ｅｉ ここで、Ｒ（Ｅｉ 、 εｋ）はフォトンエネルギε
よ、みかけのエネルギーＥ、における応答関数の成分で
ある。さらに、真のスペクトルをＱ （Ｅ） 。
測定されたスペクトルをＰ （Ｅ）とすると、以下のよ
うな関係が得られる。
うな関係が得られる。
したがって、既知のＰ（Ｅ）、 Ｒ（Ｅ、ε）を用い、
（３）式の連立方程式を解くことによって真のスペクト
ルＱ （Ｅ）を求めることができる。すなわち、測定ス
ペクトルの応答関数によるデコンボリューションが可能
になる。あらかじめ応答関数の逆行列を作製しておくこ
とによって高速にスペクトルが計算できる。
（３）式の連立方程式を解くことによって真のスペクト
ルＱ （Ｅ）を求めることができる。すなわち、測定ス
ペクトルの応答関数によるデコンボリューションが可能
になる。あらかじめ応答関数の逆行列を作製しておくこ
とによって高速にスペクトルが計算できる。
以上のような処理は実際には、測定によって得られた応
答関数のデータＲ（Ｅ、ε）を数表として計算機の記憶
装置に保存しておくか、または、Ｒ（Ｅ。
答関数のデータＲ（Ｅ、ε）を数表として計算機の記憶
装置に保存しておくか、または、Ｒ（Ｅ。
ε）を近似的にあたえる数式をあらかじめ求めておき、
モニター装置に計算機によるデータ処理部分を追加する
ことによって、容易にＸ線強度スペクトルモニターとし
ての精度を向上させることができる。
モニター装置に計算機によるデータ処理部分を追加する
ことによって、容易にＸ線強度スペクトルモニターとし
ての精度を向上させることができる。
第３図は本発明のモニタ一方法により測定された５ＯＲ
Ｘ線スペクトルの例である。図において一点鎖線は従来
のモニタ一方法によるスペクトル強度、点線は本発明の
モニタ一方法によるスペク電子の加速エネルギー２，５
ＧｅＶの電子蓄積リングからのＳＯＲが視射角８ ｍ
ｒａｄの石英ミラーで２回反射され、厚さ５０μｌのＢ
ｅ窓を透過した後のＳＯＲスペクトルである。応答関数
でデコンボリューションした場合としない場合では、前
者の方が理論計算スペクトルにより一致することがわか
る。
Ｘ線スペクトルの例である。図において一点鎖線は従来
のモニタ一方法によるスペクトル強度、点線は本発明の
モニタ一方法によるスペク電子の加速エネルギー２，５
ＧｅＶの電子蓄積リングからのＳＯＲが視射角８ ｍ
ｒａｄの石英ミラーで２回反射され、厚さ５０μｌのＢ
ｅ窓を透過した後のＳＯＲスペクトルである。応答関数
でデコンボリューションした場合としない場合では、前
者の方が理論計算スペクトルにより一致することがわか
る。
これは、本発明の効果を示す一例である。ここで、応答
関数は、フォトンエネルギー帯１．５ｋｅＶ〜５ ｋｅ
Ｖの範囲できざみ幅０．１ ｋｅＶ毎に測定し、１．５
ｋｅＶ以下のエネルギーにおいては外挿によって応答
関数の行列を決定している。
関数は、フォトンエネルギー帯１．５ｋｅＶ〜５ ｋｅ
Ｖの範囲できざみ幅０．１ ｋｅＶ毎に測定し、１．５
ｋｅＶ以下のエネルギーにおいては外挿によって応答
関数の行列を決定している。
半導体検出器（Ｓ Ｓ Ｄ）の応答関数を用いて、ＳＳ
Ｄによって測定されたＸ線強度スペクトルをデコンボリ
ューションすることによって、従来よりも高精度にＸ線
強度スペクトルのモニターが可能になった。
Ｄによって測定されたＸ線強度スペクトルをデコンボリ
ューションすることによって、従来よりも高精度にＸ線
強度スペクトルのモニターが可能になった。
第１図は本発明の実施例によるＸ線強度スペクトルモニ
ター方法のフロー図、 第２図はＳＯＲのＸ線強度スペクトルの測定系を示す図
、 第３図は本発明のモニタ一方法によるＸ線強度スペクト
ルを示すグラフ、 第４図は従来のＸ線強度スペクトルのモニター方法のフ
ロー図、 第５図は半導体検出器の応答関数の例を示す図である。 図において、 ｌ ・・・ 電子蓄積リング ２ ・・・ シンクロトロン放射光（ＳＯＲ）３ ・・
・ ミラー ４ ・・・ ベリリウム窓 ５ ・・・ ヘリウムガス ６ ・・・ 散乱Ｘ線 ７ ・・・ 半導体検出器（Ｓ Ｓ Ｄ）８ ・・・
増幅器 ９ ・・・ 波高分析器 １０ ・・・ 計算機 を示す。 第 図 ＳＯＲのＸ蘇慎ズ■クトルの測疋系Σ禾す図Ｅ （ｋｅ
ｙ ） ′：＄完明のモニタ一方シムｆ二より×葦刺洩度Ｘ公り
トルと示Ｔブラフ第３図 従来のＸ蒜巽度Ｘへ ζフドルのモニター乃私のフロー図 第４１￥］ カウント数 カウント数
ター方法のフロー図、 第２図はＳＯＲのＸ線強度スペクトルの測定系を示す図
、 第３図は本発明のモニタ一方法によるＸ線強度スペクト
ルを示すグラフ、 第４図は従来のＸ線強度スペクトルのモニター方法のフ
ロー図、 第５図は半導体検出器の応答関数の例を示す図である。 図において、 ｌ ・・・ 電子蓄積リング ２ ・・・ シンクロトロン放射光（ＳＯＲ）３ ・・
・ ミラー ４ ・・・ ベリリウム窓 ５ ・・・ ヘリウムガス ６ ・・・ 散乱Ｘ線 ７ ・・・ 半導体検出器（Ｓ Ｓ Ｄ）８ ・・・
増幅器 ９ ・・・ 波高分析器 １０ ・・・ 計算機 を示す。 第 図 ＳＯＲのＸ蘇慎ズ■クトルの測疋系Σ禾す図Ｅ （ｋｅ
ｙ ） ′：＄完明のモニタ一方シムｆ二より×葦刺洩度Ｘ公り
トルと示Ｔブラフ第３図 従来のＸ蒜巽度Ｘへ ζフドルのモニター乃私のフロー図 第４１￥］ カウント数 カウント数
Claims (1)
- 半導体検出器によってＸ線強度スペクトルをモニターす
る装置において、単色Ｘ線で半導体検出器の応答関数を
測定し、その結果を用いて測定スペクトルをデコンボリ
ューションし、Ｘ線強度スペクトルを計測することを特
徴とするＸ線強度スペクトルモニター方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24966889A JPH03111790A (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | Ｘ線強度スペクトルモニター方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24966889A JPH03111790A (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | Ｘ線強度スペクトルモニター方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03111790A true JPH03111790A (ja) | 1991-05-13 |
Family
ID=17196435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24966889A Pending JPH03111790A (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | Ｘ線強度スペクトルモニター方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03111790A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006194618A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビームの評価方法及び走査方法並びに荷電粒子ビーム装置 |
| JP2006234727A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Toshiba Corp | 放射線分布撮影装置および放射線分布撮影方法 |
| JP2009526213A (ja) * | 2006-02-09 | 2009-07-16 | フリードリヒ−アレクサンダー−ウニベルジテート・エアランゲン−ニュルンベルク | 放射線の１つ以上の特性を決定する方法および装置 |
| JP2011089901A (ja) * | 2009-10-22 | 2011-05-06 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 検出結果補正方法、その検出結果補正方法を用いた放射線検出装置、その検出結果補正方法を実行するためのプログラム、及びそのプログラムを記録する記録媒体 |
| JP2015501928A (ja) * | 2011-11-23 | 2015-01-19 | クロメック リミテッドＫｒｏｍｅｋ Ｌｉｍｉｔｅｄ | 検出器装置及び検出方法 |
-
1989
- 1989-09-26 JP JP24966889A patent/JPH03111790A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006194618A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビームの評価方法及び走査方法並びに荷電粒子ビーム装置 |
| JP2006234727A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Toshiba Corp | 放射線分布撮影装置および放射線分布撮影方法 |
| JP2009526213A (ja) * | 2006-02-09 | 2009-07-16 | フリードリヒ−アレクサンダー−ウニベルジテート・エアランゲン−ニュルンベルク | 放射線の１つ以上の特性を決定する方法および装置 |
| JP2011089901A (ja) * | 2009-10-22 | 2011-05-06 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 検出結果補正方法、その検出結果補正方法を用いた放射線検出装置、その検出結果補正方法を実行するためのプログラム、及びそのプログラムを記録する記録媒体 |
| JP2015501928A (ja) * | 2011-11-23 | 2015-01-19 | クロメック リミテッドＫｒｏｍｅｋ Ｌｉｍｉｔｅｄ | 検出器装置及び検出方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6895071B2 (en) | XRR detector readout processing | |
| TW201531696A (zh) | 用於切線入射ｘ射線螢光之角度校正 | |
| JP2008309807A (ja) | Ｘ線エネルギースペクトルの放射線量子の背景補正された計数を決定する方法 | |
| JP3889851B2 (ja) | 膜厚測定方法 | |
| US4228351A (en) | Method for measuring the density of lightweight materials | |
| JPH05240808A (ja) | 蛍光ｘ線定量方法 | |
| JP2007078702A (ja) | Ｘ線反射装置 | |
| JP2848751B2 (ja) | 元素分析方法 | |
| US4803715A (en) | Thickness measurement with automatic correction for changes in composition | |
| JP2005513478A5 (ja) | ||
| Scheeline et al. | Considerations for implementing spatially-resolved spectrometry using the Abel inversion | |
| JPH10221047A (ja) | 蛍光ｘ線膜厚分析装置及び方法 | |
| Lankosz | Monte Carlo simulation of the grain size and edge effects in x‐ray fluorescence microanalysis of geological samples | |
| JP3164720B2 (ja) | 汚染元素濃度分析装置および汚染元素濃度分析方法 | |
| JPH0616008B2 (ja) | 散乱光測定装置 | |
| Smalley et al. | High-energy radiographic imaging performance of LYSO | |
| Sakai et al. | Position dependency analysis of point spread function in Compton imaging | |
| Esslinger et al. | Elimination of the background in high‐precision Compton profile analysis | |
| JPS61170606A (ja) | 螢光ｘ線膜厚計 | |
| USH922H (en) | Method for analyzing materials using x-ray fluorescence | |
| JP3399861B2 (ja) | Ｘ線分析装置 | |
| Boscolo et al. | Quantum efficiency measurements of an uncoated CEM in the range 0.14-160 nm (9 keV-8 eV) | |
| RU2378665C1 (ru) | Способ определения поглощенной дозы бета-излучения в термолюминесцентном детекторе на основе анионо-дефектного монокристалла оксида алюминия | |
| JP2685722B2 (ja) | Ｘ線分析方法 | |
| JPS6398550A (ja) | 軟ｘ線領域のエクザフス装置 |