JPH03112963A - 光学活性3,4―デヒドロピロリジン化合物の製造方法 - Google Patents
光学活性3,4―デヒドロピロリジン化合物の製造方法Info
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
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- Pyrrole Compounds (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、単為生殖性の原生動物による疾病の治療や、
植物例えば豆類のうどんこ病などのかびによる被害の防
除に有用な抗生物質アニソマイシンおよびその誘導体を
製造するために有用な反応中間体である 去 (式中、Arは置換または無置換のアリール基、Zはア
ミノ基の保護基、*は光学活性炭素をそれぞれ意味する
) で示される光学活性3,4−デヒドロピロリジン化合物
およびそのN−遊離の化合物の製造方法に関する。
植物例えば豆類のうどんこ病などのかびによる被害の防
除に有用な抗生物質アニソマイシンおよびその誘導体を
製造するために有用な反応中間体である 去 (式中、Arは置換または無置換のアリール基、Zはア
ミノ基の保護基、*は光学活性炭素をそれぞれ意味する
) で示される光学活性3,4−デヒドロピロリジン化合物
およびそのN−遊離の化合物の製造方法に関する。
[従来技術および解決すべき課題]
−一般式1]で示される上記光学活性化合物の製造に関
しては、つぎの反応経路1で示すように、D−チロシン
を出発原料とする方法(Tetrahedron Le
tt、、29.4419.1988. S、ジエーガム
(S、Jegham ) 、 B、C,ダス(B、C,
Das ) )が知られている。
しては、つぎの反応経路1で示すように、D−チロシン
を出発原料とする方法(Tetrahedron Le
tt、、29.4419.1988. S、ジエーガム
(S、Jegham ) 、 B、C,ダス(B、C,
Das ) )が知られている。
反応経路1
(IIJ
[III]
↓
〔■]
(上記各式中、
rは4−メ
トキシフェニル、
は
−ブチルオキシカルボニル、
Meは
メチルをそれぞれ意味する)
しかし、この反応経路の方法では中間体[v]がラセミ
化しやすく、そのため最終製品である光学活性化合物[
I]の光学純度に問題があった。またこの方法ではAr
が4−メトキシフェニルに限定されており、上記化合物
CI]の同族体は未だ開発されていなかった。
化しやすく、そのため最終製品である光学活性化合物[
I]の光学純度に問題があった。またこの方法ではAr
が4−メトキシフェニルに限定されており、上記化合物
CI]の同族体は未だ開発されていなかった。
本発明は、上記の如き実情に鑑み、アニソマイシンおよ
びその同族体を製造する上で有用な光学活性3,4−デ
ヒドロピロリジン化合物[I]およびそのN−遊離の化
合物の新規製造方法を提供することを目的とする。
びその同族体を製造する上で有用な光学活性3,4−デ
ヒドロピロリジン化合物[I]およびそのN−遊離の化
合物の新規製造方法を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
本発明による光学活性3.4−デヒドロピロリジン化合
物の製造方法は、 で示されるヒドロキシピロリジン化合物を脱水して、 y (上記各式中、Arは置換または無置換のアリール基、
Zはアミノ基の保護基、*は光学活性炭素をそれぞれ意
味する) で示される光学活性3,4−デヒドロピロリジン化合物
を得、必要に応じてそのN−保護基を除去して同化合物
[11をN−遊離の化合物に導くことを特徴とする。
物の製造方法は、 で示されるヒドロキシピロリジン化合物を脱水して、 y (上記各式中、Arは置換または無置換のアリール基、
Zはアミノ基の保護基、*は光学活性炭素をそれぞれ意
味する) で示される光学活性3,4−デヒドロピロリジン化合物
を得、必要に応じてそのN−保護基を除去して同化合物
[11をN−遊離の化合物に導くことを特徴とする。
ヒドロキシピロリジン化合物[XI 1を脱水して化合
物CI]を得るには、(1)ヒドロキシピロリジン化合
物[XXI ]に二硫化炭素ついで一般式RIX2で示
される化合物を反応させて、(上記各式中、Ar、Zお
よび*は上記定義のものと同じ意味を有し、R1はアル
キル基またはアラルキル基、X2はハロゲン原子または
スルホニルオキシ基、Y′はOCS、R’をそれぞれ意
味する) で示されるキサンテート化合物を得、ついで同化合物[
XII ]を脱離反応に付する方法、(11)ヒドロキ
シピロリジン化合物[XII ]を酸処理する方法、(
111)ヒドロキシピロリジン化合物[XII 1の水
酸基をハロゲン、p−トルエンスルホン酸エステル基ま
たはアセチルオキシ基で置換し、得られた化合物を脱離
反応に付する方法などがある。
物CI]を得るには、(1)ヒドロキシピロリジン化合
物[XXI ]に二硫化炭素ついで一般式RIX2で示
される化合物を反応させて、(上記各式中、Ar、Zお
よび*は上記定義のものと同じ意味を有し、R1はアル
キル基またはアラルキル基、X2はハロゲン原子または
スルホニルオキシ基、Y′はOCS、R’をそれぞれ意
味する) で示されるキサンテート化合物を得、ついで同化合物[
XII ]を脱離反応に付する方法、(11)ヒドロキ
シピロリジン化合物[XII ]を酸処理する方法、(
111)ヒドロキシピロリジン化合物[XII 1の水
酸基をハロゲン、p−トルエンスルホン酸エステル基ま
たはアセチルオキシ基で置換し、得られた化合物を脱離
反応に付する方法などがある。
上記方法に使用するヒドロキシピロリジン化合物[XI
I 1を製造するには、 で示されるアシルオキシピロリジン化合物のアミノ基を
保護試剤で保護して (上記各式中、Ar5Zおよび*は上記定義のものと同
じ意味を有し、Ar−は置換または無置換のアリール基
をそれぞれ意味する)で示されるN−置換ピロリジン化
合物を得、ついで同化合物[!X]のアシルオキシ基を
加水分解する。
I 1を製造するには、 で示されるアシルオキシピロリジン化合物のアミノ基を
保護試剤で保護して (上記各式中、Ar5Zおよび*は上記定義のものと同
じ意味を有し、Ar−は置換または無置換のアリール基
をそれぞれ意味する)で示されるN−置換ピロリジン化
合物を得、ついで同化合物[!X]のアシルオキシ基を
加水分解する。
上記方法に使用するアシルオキシピロリジン化合物[Y
ff]を製造するには、 (式中、Ar5Ar−および*は上記定義のものと同じ
意味を有する) で示されるベンズアミド化合物を臭素、塩化ヨウ素、ヨ
ウ素、ピリジンのHBr、塩、N−ブロモコハク酸イミ
ドより成る群から選ばれた環化試剤で処理する。
ff]を製造するには、 (式中、Ar5Ar−および*は上記定義のものと同じ
意味を有する) で示されるベンズアミド化合物を臭素、塩化ヨウ素、ヨ
ウ素、ピリジンのHBr、塩、N−ブロモコハク酸イミ
ドより成る群から選ばれた環化試剤で処理する。
上記方法に使用するベンズアミド化合物[X■]を製造
するには、 一般式 で示されるアリルアミン化合物を一般式Ar’ COX
’またはA r ’ CO2COA r(上記各式中、
A「、Ar−および*は上記定義のものと同じ意味を有
し、Xlはハロゲン原子を意味する)で示されるアミド
化試剤で処理する。
するには、 一般式 で示されるアリルアミン化合物を一般式Ar’ COX
’またはA r ’ CO2COA r(上記各式中、
A「、Ar−および*は上記定義のものと同じ意味を有
し、Xlはハロゲン原子を意味する)で示されるアミド
化試剤で処理する。
上記方法に使用するアリルアミン化合物[X■]を製造
するには、 (式中、Arおよび*は上記定義のものと同じ意味を有
し、YはN HCO2t −B u −N HCO2B
n (B nはベンジル基を意味する)BnONC0
2Bn。
するには、 (式中、Arおよび*は上記定義のものと同じ意味を有
し、YはN HCO2t −B u −N HCO2B
n (B nはベンジル基を意味する)BnONC0
2Bn。
o −Cb H4(CO) 2 Ns
N C(Cb H4) 3 、HCON H。
p −M e (C6H4) S 02 NHまたはC
6H,5o2NHを意味する) で示される含窒素化合物を塩基で処理するか、または上
記一般式においてYがN、である含窒素化合物[XW]
を水素化反応に付する。
6H,5o2NHを意味する) で示される含窒素化合物を塩基で処理するか、または上
記一般式においてYがN、である含窒素化合物[XW]
を水素化反応に付する。
上記方法に使用する含窒素化合物[XVl]を製造する
には、 で示されるアリルアルコール化合物を、一般式R2o、
CN−NCO2R2で示されるジアゾカルボン酸ジアル
キルおよび一般式 P(R3)3(上記各式中、Arおよび*は上記定義の
ものと同じ意味を有し、R2はアルキル基、R3はアリ
ール基またはアルキル基をそれぞれ意味する)で示され
る三級ホスフィン化合物の存在下、一般弐YH(Yは上
記定義の基のうちN、以外のものを意味する)で示され
る化合物と反応させるか、または CCb H50)2 PON3と反応させる。
には、 で示されるアリルアルコール化合物を、一般式R2o、
CN−NCO2R2で示されるジアゾカルボン酸ジアル
キルおよび一般式 P(R3)3(上記各式中、Arおよび*は上記定義の
ものと同じ意味を有し、R2はアルキル基、R3はアリ
ール基またはアルキル基をそれぞれ意味する)で示され
る三級ホスフィン化合物の存在下、一般弐YH(Yは上
記定義の基のうちN、以外のものを意味する)で示され
る化合物と反応させるか、または CCb H50)2 PON3と反応させる。
上記方法に使用するアリルアルコール化合物[XV]を
製造するには、 一般式 で示されるエポキシプロパン化合物をリチウムアセチリ
ドと反応させて (上記各式中、Arおよび*は上記定義のものと同じ意
味を有する) で示されるエチニルアルコールとし、これを部分還元す
る。
製造するには、 一般式 で示されるエポキシプロパン化合物をリチウムアセチリ
ドと反応させて (上記各式中、Arおよび*は上記定義のものと同じ意
味を有する) で示されるエチニルアルコールとし、これを部分還元す
る。
本発明方法の出発原料である1−アリール−2,3−エ
ポキシプロパン化合物[X]の調製方法を反応経路2に
示し、また上述した本発明による光学活性3,4−デヒ
ドロピロリジン化合物の製造方法を反応経路3に示す。
ポキシプロパン化合物[X]の調製方法を反応経路2に
示し、また上述した本発明による光学活性3,4−デヒ
ドロピロリジン化合物の製造方法を反応経路3に示す。
穴IIEc〕
X−ベンジルオキシ
アリルオキシ
〔VIIIaコ
X同ハロゲン
反応経路2
〔Ixb〕
CIXa〕
rX]
〔VIIIb ]
X−スルホニルオキシ
CXll1.]
本発明方法において、上記一般式で示される各化合物の
定義について上記反応経路3の反応順に説明する。
定義について上記反応経路3の反応順に説明する。
エポキシプロパン化合物[X]のアリール基Arとして
は、フェニル、ナフチル、インドリル、ビフェニルなど
の無置換アリール基、および芳香環にフッ素、塩素、臭
素、ヨウ素などのハロゲン原子や、メチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチルなどの炭素数1〜4のア
ルキル基、メトキシ、エトキシなどの炭素数1〜4のア
ルコキシ基、ベンジルオキシ基などのアラルキルオキシ
基、シアノ基、トリフルオロメチル基などの置換基を有
するフェニル、ナフチル、インドリル、ビフェニルなど
の置換アリール基が例示される。また、同化合物[X]
の*は光学活性炭素を示す。
は、フェニル、ナフチル、インドリル、ビフェニルなど
の無置換アリール基、および芳香環にフッ素、塩素、臭
素、ヨウ素などのハロゲン原子や、メチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチルなどの炭素数1〜4のア
ルキル基、メトキシ、エトキシなどの炭素数1〜4のア
ルコキシ基、ベンジルオキシ基などのアラルキルオキシ
基、シアノ基、トリフルオロメチル基などの置換基を有
するフェニル、ナフチル、インドリル、ビフェニルなど
の置換アリール基が例示される。また、同化合物[X]
の*は光学活性炭素を示す。
アリルアルコール化合物[XV]から含窒素化合物[X
W]を得る反、応で使用するジアゾカルボン酸ジアルキ
ルR20□CN−NCO2R2のアルキル基としては、
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチルなど
の炭素数1〜4のアルキル基が例示され、三級ホスフィ
ンP (R3)のR3基としてはフェニルのようなアリ
ール基、n−ブチルのようなアルキル基が例示される。
W]を得る反、応で使用するジアゾカルボン酸ジアルキ
ルR20□CN−NCO2R2のアルキル基としては、
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチルなど
の炭素数1〜4のアルキル基が例示され、三級ホスフィ
ンP (R3)のR3基としてはフェニルのようなアリ
ール基、n−ブチルのようなアルキル基が例示される。
アリルアミン化合物[X■]のアミド化試剤A r ”
COX’またはA r ’ CO2COA rにおけ
るアリール基Ar−とじては、フェニル、ナフチルなど
の無置換アリール基、および芳香環にフッ素、塩素、臭
素、ヨウ素などのハロゲン原子や、メチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチルなどの炭素数1〜4のア
ルキル基、メトキシ、エトキシなどの炭素数1〜4のア
ルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、アセチル基、ベンゾ
イル基などの置換基を有するフェニル、ナフチルなどの
置換アリール基が例示される。また、同アミド化試剤に
おけるハロゲンX1としては塩素、臭素などが例示され
る。
COX’またはA r ’ CO2COA rにおけ
るアリール基Ar−とじては、フェニル、ナフチルなど
の無置換アリール基、および芳香環にフッ素、塩素、臭
素、ヨウ素などのハロゲン原子や、メチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチルなどの炭素数1〜4のア
ルキル基、メトキシ、エトキシなどの炭素数1〜4のア
ルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、アセチル基、ベンゾ
イル基などの置換基を有するフェニル、ナフチルなどの
置換アリール基が例示される。また、同アミド化試剤に
おけるハロゲンX1としては塩素、臭素などが例示され
る。
アシルオキシピロリジン化合物[XIX]のアミノ基保
護のためのカルバメート化またはアミド化に使用される
保護試剤としては、クロロ炭酸エチル、クロロ炭酸ベン
ジル、クロロ炭酸1−ブチルなどのクロロ炭酸アルキル
、クロロ炭酸アラルキル、ハロゲン化アセチル、無水酢
酸、ハロゲン化ベンゾイル、無水安息香酸などが例示さ
れる。したがって、アミノ基の保護基としての2は、ベ
ンジルオキシカルボニル、t−ブチルオキシカルボニル
などのオキシカルボニル基、アセチル、ベンゾイルなど
のアシル基のように容易に除去可能な置換基である。
護のためのカルバメート化またはアミド化に使用される
保護試剤としては、クロロ炭酸エチル、クロロ炭酸ベン
ジル、クロロ炭酸1−ブチルなどのクロロ炭酸アルキル
、クロロ炭酸アラルキル、ハロゲン化アセチル、無水酢
酸、ハロゲン化ベンゾイル、無水安息香酸などが例示さ
れる。したがって、アミノ基の保護基としての2は、ベ
ンジルオキシカルボニル、t−ブチルオキシカルボニル
などのオキシカルボニル基、アセチル、ベンゾイルなど
のアシル基のように容易に除去可能な置換基である。
キサンテート化合物[XXI ]のY′が0C52R’
である場合、R1としては、メチル、エチルなどのアル
キル基、ベンジルなどのアラルキル基が例示される。
である場合、R1としては、メチル、エチルなどのアル
キル基、ベンジルなどのアラルキル基が例示される。
つぎに、上記反応経路2および3の各反応の条件につい
て反応順に説明する。
て反応順に説明する。
(^)まず、本発明方法の出発原料であるエポキシプロ
パン化合物[X]の製造について上記反応経路2に従っ
て説明する。
パン化合物[X]の製造について上記反応経路2に従っ
て説明する。
反応経路2の出発原料である2、3−エポキシプロパン
誘導体[■コにおいて、Xはフッ素、塩素、臭素、ヨウ
素などのハロゲン、またはメタンスルホニルオキシ、ト
リフルオロメタンスルホニルオキシ、ベンゼンスルホニ
ルオキシ、p−1ルエンスルホニルオキシ、3−ニトロ
ベンゼンスルホニルオキシなどのスルホニルオキシ基、
ベンジルオキシ、ジフェニルメチルオキシ、トリチルオ
キシなどのアラルキルオキシ基、アリルオキシ基などの
容易に脱離可能な置換基を示す。
誘導体[■コにおいて、Xはフッ素、塩素、臭素、ヨウ
素などのハロゲン、またはメタンスルホニルオキシ、ト
リフルオロメタンスルホニルオキシ、ベンゼンスルホニ
ルオキシ、p−1ルエンスルホニルオキシ、3−ニトロ
ベンゼンスルホニルオキシなどのスルホニルオキシ基、
ベンジルオキシ、ジフェニルメチルオキシ、トリチルオ
キシなどのアラルキルオキシ基、アリルオキシ基などの
容易に脱離可能な置換基を示す。
まず、2,3−エポキシプロパン誘導体[■コを不活性
溶媒中で一り00℃〜−1O℃の低温下で一価の銅塩0
.005〜2.0モル当量の存在下にアリールリチウム
と反応させる。不活性溶媒としては、例えばヘキサン、
ペンタン、ヘプタン、トルエンなどの炭化水素、エーテ
ル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチル
エーテルなどのエーテル類あるいはこれらの混合溶媒が
使用される。銅塩としては Cu2 (CN)2 、Cu2I 2などを用いるこ
とができる。アリールリチウムとしては、先に定義した
アリール基(Ar)を有するものが適宜選択されて使用
される。通常はリチウムキュープレート試剤を用いる。
溶媒中で一り00℃〜−1O℃の低温下で一価の銅塩0
.005〜2.0モル当量の存在下にアリールリチウム
と反応させる。不活性溶媒としては、例えばヘキサン、
ペンタン、ヘプタン、トルエンなどの炭化水素、エーテ
ル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチル
エーテルなどのエーテル類あるいはこれらの混合溶媒が
使用される。銅塩としては Cu2 (CN)2 、Cu2I 2などを用いるこ
とができる。アリールリチウムとしては、先に定義した
アリール基(Ar)を有するものが適宜選択されて使用
される。通常はリチウムキュープレート試剤を用いる。
この際、(1)化合物[■]の置換基Xがハロゲンであ
る時は、化合物[1a]からハロヒドリンCffx]が
得られ、(if)Xがトルエンスルホニルオキシなどの
スルホニルオキシ基である時は、化合物[■b]からエ
ポキシプロパン化合物[X]が得られ、(Ili) X
がアラルキルオキシやアリルオキシなどである場合は、
化合物[■C]から化合物[IKbが得られる。
る時は、化合物[1a]からハロヒドリンCffx]が
得られ、(if)Xがトルエンスルホニルオキシなどの
スルホニルオキシ基である時は、化合物[■b]からエ
ポキシプロパン化合物[X]が得られ、(Ili) X
がアラルキルオキシやアリルオキシなどである場合は、
化合物[■C]から化合物[IKbが得られる。
(1)の方法では、ハロヒドリン[■1]に極性溶媒中
で塩基を反応させるか、あるいは非極性溶媒と上記塩基
の水溶液との二層系で相間移動触媒を用いて化合物[■
!]と塩基を反応させることによって、上記化合物[X
]を得ることができる。塩基としては、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムな
どが使用され、極性溶媒としては、水、メタノール、ア
セトン、エーテルなどが使用され、非極性溶媒としては
へキサン、エーテル、ジクロロメタンなどが使用される
。
で塩基を反応させるか、あるいは非極性溶媒と上記塩基
の水溶液との二層系で相間移動触媒を用いて化合物[■
!]と塩基を反応させることによって、上記化合物[X
]を得ることができる。塩基としては、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムな
どが使用され、極性溶媒としては、水、メタノール、ア
セトン、エーテルなどが使用され、非極性溶媒としては
へキサン、エーテル、ジクロロメタンなどが使用される
。
また(Iff)の方法では、化合物[ffb]から公知
の方法、例えばパラジウム触媒を用いた水素化分解ある
いはオレフィンの異性化を伴う酸分解により保護基を除
き、化合物[ffb]をジオール[x1〕とし、さらに
これを本発明者らにより開発された方法、即ち、p−ト
ルエンスルホン酸などの酸触媒存在下ベンズアルデヒド
でアセタール化して化合物CII]とした後、これを臭
素あるいはN−ブロモコハク酸イミドを用いてブロモヒ
ドリンのベンゾイルエステル し、さらにこれを塩基で処理してエポキシプロパン化合
物[X]を得ることができる (Synthesfs.1985.503参照)。塩基
としては、やはり水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、
炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどが使用される。
の方法、例えばパラジウム触媒を用いた水素化分解ある
いはオレフィンの異性化を伴う酸分解により保護基を除
き、化合物[ffb]をジオール[x1〕とし、さらに
これを本発明者らにより開発された方法、即ち、p−ト
ルエンスルホン酸などの酸触媒存在下ベンズアルデヒド
でアセタール化して化合物CII]とした後、これを臭
素あるいはN−ブロモコハク酸イミドを用いてブロモヒ
ドリンのベンゾイルエステル し、さらにこれを塩基で処理してエポキシプロパン化合
物[X]を得ることができる (Synthesfs.1985.503参照)。塩基
としては、やはり水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、
炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどが使用される。
(B)つぎに、本発明による光学活性3,4−デヒドロ
ピロリジン化合物[I]およびそのN−遊離の化合物[
XXIV]の製造について、上記反応経路3に従ってさ
らに詳しく説明する。
ピロリジン化合物[I]およびそのN−遊離の化合物[
XXIV]の製造について、上記反応経路3に従ってさ
らに詳しく説明する。
a) まず、反応経路2を経て製造されたエポキシプロ
パン化合物[X]を不活性溶媒中でリチウムアセチリド
と反応させて、エチニルアルコール化合物[Xli’]
を得る。リチウムアセチリドとしては市販のりチウムア
セチリドのエチレンジアミン錯体を用いるか、またはブ
チルリチウム、フェニルリチウムなどのりチオ化試剤の
不活性溶媒中にアセチレンガスを導入して調整したもの
を用いる。不活性溶媒はエーテル、テトラヒドロフラン
、ジオキサンなどのエーテル類、トルエン、ヘキサンな
どの炭化水素、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホ
スホアミドなどの非プロトン系極性溶媒およびこれらの
混合物から適宜選んで使用する。リチウムアセチリドは
エポキシプロパン化合物[X]に対して1〜5モル当量
用いられ、同化合物[X]に一70℃〜80℃の温度範
囲で反応させられる。
パン化合物[X]を不活性溶媒中でリチウムアセチリド
と反応させて、エチニルアルコール化合物[Xli’]
を得る。リチウムアセチリドとしては市販のりチウムア
セチリドのエチレンジアミン錯体を用いるか、またはブ
チルリチウム、フェニルリチウムなどのりチオ化試剤の
不活性溶媒中にアセチレンガスを導入して調整したもの
を用いる。不活性溶媒はエーテル、テトラヒドロフラン
、ジオキサンなどのエーテル類、トルエン、ヘキサンな
どの炭化水素、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホ
スホアミドなどの非プロトン系極性溶媒およびこれらの
混合物から適宜選んで使用する。リチウムアセチリドは
エポキシプロパン化合物[X]に対して1〜5モル当量
用いられ、同化合物[X]に一70℃〜80℃の温度範
囲で反応させられる。
b)エチニルアルコール化合物[XIV]を部分還元し
てアリルアルコール化合物[XVIを得る。
てアリルアルコール化合物[XVIを得る。
この部分還元はリンドラ−触媒を用い、1〜5気圧の水
素雰囲気でアセトン、メタノール、クロロホルム、酢酸
エチル、酢酸などの溶媒中で反応を行なうことにより達
成できる。
素雰囲気でアセトン、メタノール、クロロホルム、酢酸
エチル、酢酸などの溶媒中で反応を行なうことにより達
成できる。
C)アリルアルコール化合物[XVIを光延反応(旧t
sunobu、5ynthes1s、1981.L参照
)により、ジアゾカルボン酸ジアルキル (R20□CN−NCO2R2)および三級ホスフィン
化合物P (R3)3の存在下、一般式YHで示される
化合物と反応させて、アリルアルコール化合物[XVI
とは立体配置が反転した含窒素化合物[X■]を得る。
sunobu、5ynthes1s、1981.L参照
)により、ジアゾカルボン酸ジアルキル (R20□CN−NCO2R2)および三級ホスフィン
化合物P (R3)3の存在下、一般式YHで示される
化合物と反応させて、アリルアルコール化合物[XVI
とは立体配置が反転した含窒素化合物[X■]を得る。
アリルアルコール化合物[XVIに反応させられる化合
物YHとしては、上記定義の基Yを有するものが適宜使
用される。ただし、YがN3である含窒素化合物[X■
]を得るにはYHの代わりに (C6H60)2 PON3を用いる。光延反応は、基
質であるアリルアルコール化合物[XVIに、基質に対
してYHまたは (C6H60)2PON3、ジアゾカルボン酸ジアルキ
ルおよび三級ホスフィンを各々1〜5モル当量反応させ
ることにより達成できる。ここでジアゾカルボン酸ジア
ルキルとしては上記定義のアルキル基R2を有するもの
が適宜使用され、三級ホスフィンとしては上記定義の基
R3を有するものが適宜使用される。反応溶媒としては
エーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレ
ングリコールジメチルエーテルなどのエーテル類を用い
ることができる。反応温度は一り8℃〜室温の範囲であ
る。
物YHとしては、上記定義の基Yを有するものが適宜使
用される。ただし、YがN3である含窒素化合物[X■
]を得るにはYHの代わりに (C6H60)2 PON3を用いる。光延反応は、基
質であるアリルアルコール化合物[XVIに、基質に対
してYHまたは (C6H60)2PON3、ジアゾカルボン酸ジアルキ
ルおよび三級ホスフィンを各々1〜5モル当量反応させ
ることにより達成できる。ここでジアゾカルボン酸ジア
ルキルとしては上記定義のアルキル基R2を有するもの
が適宜使用され、三級ホスフィンとしては上記定義の基
R3を有するものが適宜使用される。反応溶媒としては
エーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレ
ングリコールジメチルエーテルなどのエーテル類を用い
ることができる。反応温度は一り8℃〜室温の範囲であ
る。
d)含窒素化合物[X■]を水酸化カリウム、水酸化ナ
トリウム、ヒドラジンなどの塩基で処理してアリルアミ
ン化合物[X■]とする。ただし含窒素化合物[XVl
]中のYがN3であるときは、パラジウム、白金などを
用いる水素化反応で含窒素化合物[X■]をアリルアミ
ン化合物[X■]とする。
トリウム、ヒドラジンなどの塩基で処理してアリルアミ
ン化合物[X■]とする。ただし含窒素化合物[XVl
]中のYがN3であるときは、パラジウム、白金などを
用いる水素化反応で含窒素化合物[X■]をアリルアミ
ン化合物[X■]とする。
e) アリルアミン化合物[X■コを一般式%式%
(式中、Ar“は先に定義した意味を有し、Xiは塩素
、臭素のようなハロゲン原子を意味する)で示されるア
ミド化試剤と反応させて、ベンズアミド化合物[X■]
とする。
、臭素のようなハロゲン原子を意味する)で示されるア
ミド化試剤と反応させて、ベンズアミド化合物[X■]
とする。
f)ベンズアミド化合物[X■]を含水溶媒たとえば水
−アセトリニトリル混合溶媒中で環化試剤で処理して、
C−4位のエピマー混合物としてアシルオキシピロリジ
ン化合物[XI]を得る。環化試剤としては、先に定義
したものから適当なものを選んで使用する。同環化試剤
としてヨウ素を使用する場合には、これをベンズアミド
化合物[X■コに1〜3当量反応させる。
−アセトリニトリル混合溶媒中で環化試剤で処理して、
C−4位のエピマー混合物としてアシルオキシピロリジ
ン化合物[XI]を得る。環化試剤としては、先に定義
したものから適当なものを選んで使用する。同環化試剤
としてヨウ素を使用する場合には、これをベンズアミド
化合物[X■コに1〜3当量反応させる。
g)アシルオキシピロリジン化合物[XIK]のアミノ
基を塩基の存在下に一般式ZHで示される化合物と反応
させてN−置換ピロリジン化合物[XX]を得、ついで
これを加水分解してヒドロキシピロリジン化合物[XX
l ]とする。一般般式Hで示される化合物としては、
先に定義したZを有するものが適宜使用される。塩基と
しては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、水酸化カリウ
ム、水酸化ナトリウムなどの無機塩基、トリエチルアミ
ン、ピリジンなどの有機塩基が適宜使用される。N−置
換ピロリジン化合物[XXlのベンゾイル基の加水分解
は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの塩基の存
在下に行なう。
基を塩基の存在下に一般式ZHで示される化合物と反応
させてN−置換ピロリジン化合物[XX]を得、ついで
これを加水分解してヒドロキシピロリジン化合物[XX
l ]とする。一般般式Hで示される化合物としては、
先に定義したZを有するものが適宜使用される。塩基と
しては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、水酸化カリウ
ム、水酸化ナトリウムなどの無機塩基、トリエチルアミ
ン、ピリジンなどの有機塩基が適宜使用される。N−置
換ピロリジン化合物[XXlのベンゾイル基の加水分解
は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの塩基の存
在下に行なう。
h) ヒドロキシピロリジン化合物[XXI 1を脱水
処理してデヒドロピロリジン化合物[■]に導く。ヒド
ロキシピロリジン化合物[XXI ]の脱水方法として
は、(1)同化合物[XXI 1をキサンテート化合物
[XXI ]に変換し、ついで同化合物[XYI]を脱
離反応に付する方法、(11)ヒドロキシピロリジン化
合物[XII ]を硫酸、p−)ルエンスルホン酸、リ
ン酸などの酸で処理する方法、(l11)ヒドロキシピ
ロリジン化合物[XXI 1の水酸基を塩素、臭素、ヨ
ウ素などのハロゲン原子、p−トルエンスルホン酸エス
テル基、アセチルオキシ基などに変換した後、得られた
化合物を塩基の存在下に脱離反応に付する方法などがあ
る。
処理してデヒドロピロリジン化合物[■]に導く。ヒド
ロキシピロリジン化合物[XXI ]の脱水方法として
は、(1)同化合物[XXI 1をキサンテート化合物
[XXI ]に変換し、ついで同化合物[XYI]を脱
離反応に付する方法、(11)ヒドロキシピロリジン化
合物[XII ]を硫酸、p−)ルエンスルホン酸、リ
ン酸などの酸で処理する方法、(l11)ヒドロキシピ
ロリジン化合物[XXI 1の水酸基を塩素、臭素、ヨ
ウ素などのハロゲン原子、p−トルエンスルホン酸エス
テル基、アセチルオキシ基などに変換した後、得られた
化合物を塩基の存在下に脱離反応に付する方法などがあ
る。
一例としてキサンテート化合物[XXl1 ]を経由す
る方法(1)をさらに詳しく説明する。ヒドロキシピロ
リジン化合物[XXI 1を水酸化ナトリウム、水酸化
カリウムなどの無機塩基の存在下に二硫化炭素と反応さ
せて、ジチオカルボン酸塩とし、これを一般式RIX2
(式中、R1は先の定義と同じ意味を有し、X2は塩素
、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子またはp−トルエン
スルホニルオキシ、ベンゼンスルホニルオキシ、メタン
スルホニルオキシ、トリフルオロメタンスルホニルオキ
シなどのスルホニルオキシ基を意味する)で示されるア
ルキル化もしくはアラルキル化試剤と反応させて、キサ
ンテート化合物[XXl ]を得る。この午サンテート
化合物[XXI ]を]0−ジクロルベンゼンニトロベ
ンゼン、メシチレン、キシレンなどの高沸点溶媒中で加
熱還流すると、3.4−デヒドロピロリジン化合物[1
1(Zは先に定義したもののうち水素以外の基)と4.
5−デヒドロピロリジン化合物[XXI ]の混合物が
得られる。この反応において例えば2がベンジルオキシ
カルボニル基であり、R’がメチル基であるキサンテー
ト化合物[XXI ]を]O−ジクロルベンゼンで加熱
還流すると、化合物[I]と化合物[XII ]が8.
2:1の混合物として得られる。3,4−デヒドロピロ
リジン化合物[I]はシリカゲルなどを用いてクロマト
グラフィーで混合物から分離することができる。
る方法(1)をさらに詳しく説明する。ヒドロキシピロ
リジン化合物[XXI 1を水酸化ナトリウム、水酸化
カリウムなどの無機塩基の存在下に二硫化炭素と反応さ
せて、ジチオカルボン酸塩とし、これを一般式RIX2
(式中、R1は先の定義と同じ意味を有し、X2は塩素
、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子またはp−トルエン
スルホニルオキシ、ベンゼンスルホニルオキシ、メタン
スルホニルオキシ、トリフルオロメタンスルホニルオキ
シなどのスルホニルオキシ基を意味する)で示されるア
ルキル化もしくはアラルキル化試剤と反応させて、キサ
ンテート化合物[XXl ]を得る。この午サンテート
化合物[XXI ]を]0−ジクロルベンゼンニトロベ
ンゼン、メシチレン、キシレンなどの高沸点溶媒中で加
熱還流すると、3.4−デヒドロピロリジン化合物[1
1(Zは先に定義したもののうち水素以外の基)と4.
5−デヒドロピロリジン化合物[XXI ]の混合物が
得られる。この反応において例えば2がベンジルオキシ
カルボニル基であり、R’がメチル基であるキサンテー
ト化合物[XXI ]を]O−ジクロルベンゼンで加熱
還流すると、化合物[I]と化合物[XII ]が8.
2:1の混合物として得られる。3,4−デヒドロピロ
リジン化合物[I]はシリカゲルなどを用いてクロマト
グラフィーで混合物から分離することができる。
L) 3.4−デヒドロピロリジン化合物[I]はそ
れ自体マニソマイシン合成に有用な中間体であるが、必
要に応じて、アルカリ加水分解、あるいはパラジウムを
用いる水素化分解などそれ自体公知の方法により、3,
4−デヒドロピロリジン化合物[1]の保護基2を除去
して、N−遊離の3,4−デヒドロピロリジン[XXf
f1 として用いることもできる。
れ自体マニソマイシン合成に有用な中間体であるが、必
要に応じて、アルカリ加水分解、あるいはパラジウムを
用いる水素化分解などそれ自体公知の方法により、3,
4−デヒドロピロリジン化合物[1]の保護基2を除去
して、N−遊離の3,4−デヒドロピロリジン[XXf
f1 として用いることもできる。
上記一連の反応によってそれぞれ中間的に得られる化合
物は、通常は単離した後つぎの工程に使用するが、必ず
しも単離を行なわなくてもよい。
物は、通常は単離した後つぎの工程に使用するが、必ず
しも単離を行なわなくてもよい。
[発明の効果]
本発明による光学活性3.4−デヒドロピロリジン化合
物の製造方法は、以上の通り構成されているので、本書
冒頭で述べた従来法のように中間体がラセミ化しやすく
、そのため最終製品である光学活性化合物の光学純度が
低いといった問題を生じることなく、高純度の光学活性
物質を製造することができる。また、本発明の方法によ
って、一般式[I]で示される3、4−デヒドロピロリ
ジン化合物に属する種々の同族体を得ることができる。
物の製造方法は、以上の通り構成されているので、本書
冒頭で述べた従来法のように中間体がラセミ化しやすく
、そのため最終製品である光学活性化合物の光学純度が
低いといった問題を生じることなく、高純度の光学活性
物質を製造することができる。また、本発明の方法によ
って、一般式[I]で示される3、4−デヒドロピロリ
ジン化合物に属する種々の同族体を得ることができる。
(以下余白)
[実 施 例]
本発明の技術的特徴を例証するために、以下に実施例お
よび参考例をいくつか挙げる。ただし、これらは本発明
を限定するものではない。
よび参考例をいくつか挙げる。ただし、これらは本発明
を限定するものではない。
これら実施例および参考例において、上述説明でローマ
数字C11〜[Xff1で示した化合物群にそれぞれ属
する具体的化合物を、上記ローマ数字に対応するアラビ
ア数字[1]〜[24]で示す。また、割合を示す%は
すべて重量%を示す。
数字C11〜[Xff1で示した化合物群にそれぞれ属
する具体的化合物を、上記ローマ数字に対応するアラビ
ア数字[1]〜[24]で示す。また、割合を示す%は
すべて重量%を示す。
まず、本発明方法の出発原料[X]の1つであるS−(
+)−1−(4−メトキシフェニル)−2,3−エポキ
シプロパン〔10〕の合成について参考例として説明す
る。
+)−1−(4−メトキシフェニル)−2,3−エポキ
シプロパン〔10〕の合成について参考例として説明す
る。
参考例I
R−1−ベンジルオキシ−2,3−エポキシプロパン[
8c]からの上記[10]の合成a) 4−ブoモ7二V−ル3.03 Fill (24,2
d) ノテトラヒドロフラン10が溶液をアルゴン気流
下−78℃に冷却し、n−ブチルリチウム15%ヘキサ
ン溶液14.8層(23,Od)を滴下し、混合液を3
0分攪拌し、反応を遂行させた。この反応液を一78℃
でシアン化第−銅り、03 g(LL、5mM)のテト
ラヒドロフラン1offi/懸濁液にキャヌラを用いて
加え、同温度でさらに30分間攪拌を行なワた。
8c]からの上記[10]の合成a) 4−ブoモ7二V−ル3.03 Fill (24,2
d) ノテトラヒドロフラン10が溶液をアルゴン気流
下−78℃に冷却し、n−ブチルリチウム15%ヘキサ
ン溶液14.8層(23,Od)を滴下し、混合液を3
0分攪拌し、反応を遂行させた。この反応液を一78℃
でシアン化第−銅り、03 g(LL、5mM)のテト
ラヒドロフラン1offi/懸濁液にキャヌラを用いて
加え、同温度でさらに30分間攪拌を行なワた。
こうしてリチウムキュープレート試剤の懸濁液を調製し
た。
た。
別途に、特開昭61−132196号公報記載の方法に
よって得られた光学純度の高いR−(−)−エピクロル
ヒドリン[8a]を原料として光学純度の高いR−(−
)−1−ベンジルオキシ−2,3−エポキシプロパンC
8c] (96%ee)を合成した。
よって得られた光学純度の高いR−(−)−エピクロル
ヒドリン[8a]を原料として光学純度の高いR−(−
)−1−ベンジルオキシ−2,3−エポキシプロパンC
8c] (96%ee)を合成した。
上記リチウムキュープレート試剤の懸濁液に、−78℃
でR−(−)−ベンジルオキシ−2,3−エポキシプロ
パン[llcコ1.20g (7,3+aM )のテト
ラヒドロフラン溶液を滴下し、混合液を3時間同温度で
攪拌した後、さらに−25℃で1時間攪拌した。反応液
に飽和食塩水2(1’およびニーチル100Nを加えて
抽出を行ない、エーテル層を飽和食塩水201111で
洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で溶媒
を留去した。得られた残渣をシリカゲル120gでカラ
ムクロマトグラフィーに付し、エーテル:ヘキサン−1
:2の溶媒によるフラクションより無色油状のS−(+
)−アルコール[9b] 1.97 g (収率98
%)を得た。
でR−(−)−ベンジルオキシ−2,3−エポキシプロ
パン[llcコ1.20g (7,3+aM )のテト
ラヒドロフラン溶液を滴下し、混合液を3時間同温度で
攪拌した後、さらに−25℃で1時間攪拌した。反応液
に飽和食塩水2(1’およびニーチル100Nを加えて
抽出を行ない、エーテル層を飽和食塩水201111で
洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で溶媒
を留去した。得られた残渣をシリカゲル120gでカラ
ムクロマトグラフィーに付し、エーテル:ヘキサン−1
:2の溶媒によるフラクションより無色油状のS−(+
)−アルコール[9b] 1.97 g (収率98
%)を得た。
[α] ” : +7.0 (C=3.11. M
eOH)NMR(CDC/3 )δ:1.80(IH,
d。
eOH)NMR(CDC/3 )δ:1.80(IH,
d。
J −4、5Hz r D 20で消失) 、 2.7
5 (2H。
5 (2H。
d、 8.3 Hz) 、 3.20−3.80 (2
H,m) 、 3゜80(3H,s)、3.90−4.
10(IH,m)、4゜55(2H,s)、6.70−
7.20(4H,m)、7゜33(5H,s) I R(neat) cab−’ : 3450,1B
20.1520.1240M5 l1le :273
(M+1) 、 121 (100%)。
H,m) 、 3゜80(3H,s)、3.90−4.
10(IH,m)、4゜55(2H,s)、6.70−
7.20(4H,m)、7゜33(5H,s) I R(neat) cab−’ : 3450,1B
20.1520.1240M5 l1le :273
(M+1) 、 121 (100%)。
b)
S−(+)−アルコール[9bコ 1.75 g (6
゜45 mM)のメタノール30層溶液に活性炭に担持
した20%水酸化パラジウム50mgを加え、同溶液を
水素ガス1気圧雰囲気下で16時間攪拌した。反応液を
セライト濾過した後、減圧下で溶媒を留去し、S−ジオ
ール[1111,19g (収率99%)を得た。これ
をエタノール+ヘキサンの混合液で再結晶して、板状晶
を得た。
゜45 mM)のメタノール30層溶液に活性炭に担持
した20%水酸化パラジウム50mgを加え、同溶液を
水素ガス1気圧雰囲気下で16時間攪拌した。反応液を
セライト濾過した後、減圧下で溶媒を留去し、S−ジオ
ール[1111,19g (収率99%)を得た。これ
をエタノール+ヘキサンの混合液で再結晶して、板状晶
を得た。
ap : 74−75℃
NMR(CDC/3 )δ: 2.30 (2H,br
s。
s。
D20で消失) 、 2.85 (2H,d、 J
−8,4Hz) 、 3.25−4.0 (3H,m
) 、 3.70 (3H。
−8,4Hz) 、 3.25−4.0 (3H,m
) 、 3.70 (3H。
s) 、 8.80(2H,d、 J =8.8 H
z) 、 7.10(2H,d、J=8.6 Hz) I R(neat) am−’ : 3400.161
0.1510.1240゜M5 Il/e : 1
82 (M” ) 、121 (10tl %)
。
z) 、 7.10(2H,d、J=8.6 Hz) I R(neat) am−’ : 3400.161
0.1510.1240゜M5 Il/e : 1
82 (M” ) 、121 (10tl %)
。
S−ジオール[11] 1.17g (8,4+M )
のベンゼン溶液10層にベンズアルデヒド0.85層(
8,401M)およびp−トルエンスルホン酸水和物3
0B(2M%)を加え、反応器にディージ・スターク装
置を取り付けて5時間加熱還流を行なった。
のベンゼン溶液10層にベンズアルデヒド0.85層(
8,401M)およびp−トルエンスルホン酸水和物3
0B(2M%)を加え、反応器にディージ・スターク装
置を取り付けて5時間加熱還流を行なった。
反応液にエーテル50層を加えて抽出を行ない、エーテ
ル層を飽和重曹水20カおよび飽和食塩水20rIIl
で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。つい
で減圧下溶媒を留去し、得られた残渣をシリカゲル70
gでカラムクロマトグラフィーに付し、エーテル:ヘキ
サン−1:10の溶媒によるフラクションよりアセター
ル[12] 1゜65g(収率95,5%)を得た。
ル層を飽和重曹水20カおよび飽和食塩水20rIIl
で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。つい
で減圧下溶媒を留去し、得られた残渣をシリカゲル70
gでカラムクロマトグラフィーに付し、エーテル:ヘキ
サン−1:10の溶媒によるフラクションよりアセター
ル[12] 1゜65g(収率95,5%)を得た。
NMR(CDC/s )δ: 2.85−3.25 (
2H。
2H。
m) 、 3.75 (3H,s ) 、 3.60−
4.60 (3H。
4.60 (3H。
m) 、 5.70 (0,8H,s) 、 5.95
(0,4H,s)6.80 (2H,d、 J =
8.6 Hz) 、 7.10 (2H1 d。
(0,4H,s)6.80 (2H,d、 J =
8.6 Hz) 、 7.10 (2H1 d。
一8.B
Hz)
7.30−7.50 (5H。
m)
I R(neat) Cm−’ : 1B20.
1520.1250M5 IIbe : 270
(M” )、 149 (100%)。
1520.1250M5 IIbe : 270
(M” )、 149 (100%)。
d)
アセクール[12] 1.31g C4,85mM)の
四塩化炭素15Iv2/溶液にN−ブロモコハク酸イミ
ド9L7mg (5,01IIM )を加え、室温で
20時間攪拌を行なった。生じた沈澱物をセライト濾過
し、濾液を飽和重曹水10扉および飽和食塩水1011
/で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。
四塩化炭素15Iv2/溶液にN−ブロモコハク酸イミ
ド9L7mg (5,01IIM )を加え、室温で
20時間攪拌を行なった。生じた沈澱物をセライト濾過
し、濾液を飽和重曹水10扉および飽和食塩水1011
/で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。
ついで溶媒を減圧下に留去し、黄色の油状物としてS−
ブロモベンゾエート[13] 1.87gの粗生成物を
得た。
ブロモベンゾエート[13] 1.87gの粗生成物を
得た。
この粗生成物をメタノールIQが溶液とし、これに炭酸
カリウム850+ag (8,15mM)を加え、5
時間室温で攪拌を行なって、溶媒の大部分を減圧下で留
去した。この残留物にエーテル30IIllを加えて抽
出を行ない、エーテル層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥した。
カリウム850+ag (8,15mM)を加え、5
時間室温で攪拌を行なって、溶媒の大部分を減圧下で留
去した。この残留物にエーテル30IIllを加えて抽
出を行ない、エーテル層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥した。
ついで減圧下で溶媒を留去し、残渣をシリカゲル50g
でカラムクロマトグラフィーに付し、エーテル:ヘキサ
ン−1:9の溶媒によるフラクションよりS−(+)−
1−(4−メトキシフェニル)−2,3−エポキシプロ
パン[10F 5481g (収率81,2%)を得た
。
でカラムクロマトグラフィーに付し、エーテル:ヘキサ
ン−1:9の溶媒によるフラクションよりS−(+)−
1−(4−メトキシフェニル)−2,3−エポキシプロ
パン[10F 5481g (収率81,2%)を得た
。
[α] 28D、 + t4e
(Cm LO,CHC/ i )
NMR(CDC/3) δ: 2.50 (IH
,dd、 J −2,44,4,88Hz ) 、
2.70−2.85 (2H。
,dd、 J −2,44,4,88Hz ) 、
2.70−2.85 (2H。
m) 、 3.0−3.20 (I H,m) 、 3
.80 (3H。
.80 (3H。
s) 、 13.80 (2H,d、 J −8,5
5Hz) 、 7.10(2H,d、8.55Hz) I R(neat) am−’ : 1B10,151
5.1240M5 tile : 184 (M”
) 、 111 (100%)。
5Hz) 、 7.10(2H,d、8.55Hz) I R(neat) am−’ : 1B10,151
5.1240M5 tile : 184 (M”
) 、 111 (100%)。
参考f!AI 2
S−(+)−エビクロヒドリン[8a]からの[10]
の合成 4−ブロモアニソール1.25層(lomM)のテトラ
ヒドロフラン5IIll溶液にアルゴン雰囲気下=78
℃でn−ブチルリチウム15%ヘキサン溶液6゜L l
l1(9,5a+M )を滴下し、20分攪拌を行なっ
た。
の合成 4−ブロモアニソール1.25層(lomM)のテトラ
ヒドロフラン5IIll溶液にアルゴン雰囲気下=78
℃でn−ブチルリチウム15%ヘキサン溶液6゜L l
l1(9,5a+M )を滴下し、20分攪拌を行なっ
た。
得られた淡黄色溶液を一78℃でシアン化第−銅488
B (5mM)のテトラヒドロフランtoIR1懸濁
液にキヤスクを用いて加え、混合液を同温度で30分攪
拌した後、−45℃で20分攪拌した。こうしてリチウ
ムキュープレート試剤の懸濁液を調製した。
B (5mM)のテトラヒドロフランtoIR1懸濁
液にキヤスクを用いて加え、混合液を同温度で30分攪
拌した後、−45℃で20分攪拌した。こうしてリチウ
ムキュープレート試剤の懸濁液を調製した。
この懸濁液に特開昭62−6697号公報記載の方法で
得られた光学純度の高いS−(+)−エピクロルヒドリ
ンl”8a] 463mg (5mM)のテトラヒド
ロフラン溶液を滴下し、同溶液を室温に戻した後、2.
5時間攪拌した。ついで飽和塩化アンモニウム水溶液1
0w/およびエーテル30111を加えて抽出を行ない
、エーテル層を飽和重曹水10カおよび飽和食塩水10
層で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した
。
得られた光学純度の高いS−(+)−エピクロルヒドリ
ンl”8a] 463mg (5mM)のテトラヒド
ロフラン溶液を滴下し、同溶液を室温に戻した後、2.
5時間攪拌した。ついで飽和塩化アンモニウム水溶液1
0w/およびエーテル30111を加えて抽出を行ない
、エーテル層を飽和重曹水10カおよび飽和食塩水10
層で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した
。
減圧下で溶媒を留去し、粗S−(+)−クロルヒドリン
[9al 1.38 gを得た。これをテトラヒドロ
フラン1577!’に溶解し、粉末状水酸化ナトリウム
800a+g (15a+M)を加え、溶液を11時間
室温で攪拌した。ついでエーテル150層を加えて抽出
を行ない、エーテル層を飽和食塩水で洗浄液が中性にな
るまで洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下
で溶媒を留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフィーに付し、エーテル;ヘキサン−1: 10の
溶媒によるフラクションよりS−(+)−1−(4−メ
トキシフェニル)−2,3−エポキシプロパン[10コ
809II1g (収率74%)を得た。
[9al 1.38 gを得た。これをテトラヒドロ
フラン1577!’に溶解し、粉末状水酸化ナトリウム
800a+g (15a+M)を加え、溶液を11時間
室温で攪拌した。ついでエーテル150層を加えて抽出
を行ない、エーテル層を飽和食塩水で洗浄液が中性にな
るまで洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下
で溶媒を留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフィーに付し、エーテル;ヘキサン−1: 10の
溶媒によるフラクションよりS−(+)−1−(4−メ
トキシフェニル)−2,3−エポキシプロパン[10コ
809II1g (収率74%)を得た。
つぎに本発明の実施例を示す。
実施例1
S−(+)−1−(4−メトキシフェニル)−2,3−
エポキシプロパン[10] 610 tag (3,
72mM )のジメチルスルホキシド5が溶液に90v
/v%のりチウムアセチリド・エチレンジアミン錯体5
2Qmg (5,1mM )を徐々に加えた後、混合
液を1時間室温で攪拌した。
エポキシプロパン[10] 610 tag (3,
72mM )のジメチルスルホキシド5が溶液に90v
/v%のりチウムアセチリド・エチレンジアミン錯体5
2Qmg (5,1mM )を徐々に加えた後、混合
液を1時間室温で攪拌した。
飽和食塩水3層を注意深く加えた後、エーテル50 l
ll1を加えて抽出を行ない、エーテル層を飽和食塩水
で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下
溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲル35gでカ
ラムクロマトグラフィーに付し、エーテル:ヘキサン−
1−3溶媒によるフラクションよりR−(+)−エチニ
ルアルコール[14] 578 mg (収率82%)
を得た。
ll1を加えて抽出を行ない、エーテル層を飽和食塩水
で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下
溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲル35gでカ
ラムクロマトグラフィーに付し、エーテル:ヘキサン−
1−3溶媒によるフラクションよりR−(+)−エチニ
ルアルコール[14] 578 mg (収率82%)
を得た。
[α] ” : +3.84’
(C=1.04. CHCl’ ! )NMR(CDC
/3 )δ: 2.00 (IH,brs)、
2.05 (IH,t、 J −2,8Hz)、
2.35 (2H,dd、 J=2.44.5.
4 Hz) 、 2.80 (2H,m)、 3
.80 (3H,s)、 3.80 − 4.10
(IH,m)、 6.80(2H,d、 J−
8,5Hz)、 ?、LQ (2H,d、 J
−1!、55Hz) I R(neat)cta−’ : 3450,3
300,2150,1815.15MS tile
: 190(M” ) 。
/3 )δ: 2.00 (IH,brs)、
2.05 (IH,t、 J −2,8Hz)、
2.35 (2H,dd、 J=2.44.5.
4 Hz) 、 2.80 (2H,m)、 3
.80 (3H,s)、 3.80 − 4.10
(IH,m)、 6.80(2H,d、 J−
8,5Hz)、 ?、LQ (2H,d、 J
−1!、55Hz) I R(neat)cta−’ : 3450,3
300,2150,1815.15MS tile
: 190(M” ) 。
121(100%)。
実施例2
R−(+)−エチニルアルコール[14] 405層
mg (2,13d) ノ酢酸エチル10w!溶液ニリ
ンドラ−触媒(鉛で被毒された5%パラジウム−炭酸カ
ルシウム)6Bを加え、混合物を水素雰囲気下室温で1
時間攪拌した。反応液をセライト濾過し、濾液を減圧上
溶媒留去し、残渣をシリカゲル12gでカラムクロマト
グラフィーに付し、エーテル:ヘキサン−1:3の溶媒
によるフラクションよりR−(−)−アリルアルコール
[15] 383 a+g (94%)を得た。
mg (2,13d) ノ酢酸エチル10w!溶液ニリ
ンドラ−触媒(鉛で被毒された5%パラジウム−炭酸カ
ルシウム)6Bを加え、混合物を水素雰囲気下室温で1
時間攪拌した。反応液をセライト濾過し、濾液を減圧上
溶媒留去し、残渣をシリカゲル12gでカラムクロマト
グラフィーに付し、エーテル:ヘキサン−1:3の溶媒
によるフラクションよりR−(−)−アリルアルコール
[15] 383 a+g (94%)を得た。
[α] 22 : −11,1″
(C−1,08,CHC/ 、)
NMR(CD C/ i ) δ : 1.85
(I H,brs)、 2.0− 2.40
(2H,m)、 2.45 −2゜90(2H,
m)、 3.80 (3H,s)、 3.70
−4.00(IH,m)、 5.00 −5.30
(2H,m)5.80 −8.LO(IH,m)
、 8.80 (2H。
(I H,brs)、 2.0− 2.40
(2H,m)、 2.45 −2゜90(2H,
m)、 3.80 (3H,s)、 3.70
−4.00(IH,m)、 5.00 −5.30
(2H,m)5.80 −8.LO(IH,m)
、 8.80 (2H。
d、 J −8,55Hz)、 7.LO(2
H,d、 J= 8.55Hz ) I R(neat) cm−’ : 3400.
1B10,1520.1240M5 ll1le
: 192 (M” )、 121 (
100%)。
H,d、 J= 8.55Hz ) I R(neat) cm−’ : 3400.
1B10,1520.1240M5 ll1le
: 192 (M” )、 121 (
100%)。
実施例3
R−(−)−アリルアルコール[15] 2.03g
(10,8mM ) 、)リフェニルフォスフィン3
.33g (L2.7a+M)およびフタルイミド L
、l!7g (12,711M )のテトラヒドロフラ
ン溶液の混合物を20℃に冷却し、この混合物に攪拌下
ジイソプロピルアゾジカルボン酸エステル2.57m
(12,7IIM)を20分かけて滴下し、さらに同温
で12時間攪拌を行なった。反応液を室温に戻し、シリ
カゲル20gを加え、減圧下溶媒を留去した。残った粉
状残渣をシリカゲル100gでカラムクロマトグラフィ
ーに付し、エーテル:ヘキサン−1ニアの溶媒によるフ
ラクシヨンより無色油状物としてアリルアミンのフタル
イミド誘導体S −(+) −[16] 2.89
g (収率85%)を得た。
(10,8mM ) 、)リフェニルフォスフィン3
.33g (L2.7a+M)およびフタルイミド L
、l!7g (12,711M )のテトラヒドロフラ
ン溶液の混合物を20℃に冷却し、この混合物に攪拌下
ジイソプロピルアゾジカルボン酸エステル2.57m
(12,7IIM)を20分かけて滴下し、さらに同温
で12時間攪拌を行なった。反応液を室温に戻し、シリ
カゲル20gを加え、減圧下溶媒を留去した。残った粉
状残渣をシリカゲル100gでカラムクロマトグラフィ
ーに付し、エーテル:ヘキサン−1ニアの溶媒によるフ
ラクシヨンより無色油状物としてアリルアミンのフタル
イミド誘導体S −(+) −[16] 2.89
g (収率85%)を得た。
rα326: +147.7゜
(C−1,01,CHC/、)
NMR(CDC/3)δ: 2.40− 3.50(
4H,m)、 3.71 (3H,m)、 4J
O−4,70(L H,m) 、 4.70−5.15
(2H,m) 。
4H,m)、 3.71 (3H,m)、 4J
O−4,70(L H,m) 、 4.70−5.15
(2H,m) 。
5.50− 6.00 (IH,m) 、 8.8
0 (2H,dJ−8,55Hz) 、 7.10
(2H,d、 J −8,55Hz) 、 7
.55− 7.80 (4H,m)I R(neat
) cm−’ : 1780.1710.1B20.1
52G、14race : 321(M” %) 実施例4 C16] 2.113 g (8,8raM)のエタ
ノール100が溶液にヒドラジンの一水和物0.66g
(13,2+nM)を加え、5時間加熱還流を行なっ
た。溶媒を減圧下に留去し、クロロホルムを加え、セラ
イトで濾過し、濾液を減圧下に溶媒留去し、クーゲロー
ルで蒸留して無色油状のS−(+)アリルアミン[17
] L、57g (収率93%)を得た。
0 (2H,dJ−8,55Hz) 、 7.10
(2H,d、 J −8,55Hz) 、 7
.55− 7.80 (4H,m)I R(neat
) cm−’ : 1780.1710.1B20.1
52G、14race : 321(M” %) 実施例4 C16] 2.113 g (8,8raM)のエタ
ノール100が溶液にヒドラジンの一水和物0.66g
(13,2+nM)を加え、5時間加熱還流を行なっ
た。溶媒を減圧下に留去し、クロロホルムを加え、セラ
イトで濾過し、濾液を減圧下に溶媒留去し、クーゲロー
ルで蒸留して無色油状のS−(+)アリルアミン[17
] L、57g (収率93%)を得た。
b p : 140℃10.gmmHg〔α]” :
+ 23.1’ (C−1,07,CHC/ 3 ) NMR(CD C/ 3 )δ: 1.50 (2
H,brs) 、 1.80− C15(5H,m)
、 3.80(3H,s) 、 5.00−5.2
0(2H,m) 、 5.80−6.10(IH,m)
、 6.80 (2H,d、J=11.55Hz) 7、lo (2H1 d。
+ 23.1’ (C−1,07,CHC/ 3 ) NMR(CD C/ 3 )δ: 1.50 (2
H,brs) 、 1.80− C15(5H,m)
、 3.80(3H,s) 、 5.00−5.2
0(2H,m) 、 5.80−6.10(IH,m)
、 6.80 (2H,d、J=11.55Hz) 7、lo (2H1 d。
8.55
Hz) 。
実施例5
S−(+)−アリルアミン[17] 5001g (2
、[12mM )のジクロルメタン10w!溶液に0℃
でトリエチルアミン0.44 ml (3,1rAM
)および塩化ベンゾイル0.34N(2,H+aM )
を加え、1時間攪拌を行なった。反応液を室温に戻した
後、ジクロルメタン10w/を加え、有機層を水および
飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥
した。溶媒を減圧下に留去し、5−(−)−ベンズアミ
ド[1g] 88Qrxgを無色針状晶として得た。エ
タノール十へ牛サンの混合液で再結晶を行なって純粋な
S −[18] 800mg (収率94%)を得
た。
、[12mM )のジクロルメタン10w!溶液に0℃
でトリエチルアミン0.44 ml (3,1rAM
)および塩化ベンゾイル0.34N(2,H+aM )
を加え、1時間攪拌を行なった。反応液を室温に戻した
後、ジクロルメタン10w/を加え、有機層を水および
飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥
した。溶媒を減圧下に留去し、5−(−)−ベンズアミ
ド[1g] 88Qrxgを無色針状晶として得た。エ
タノール十へ牛サンの混合液で再結晶を行なって純粋な
S −[18] 800mg (収率94%)を得
た。
m p : 110−112℃
[α コ ” ニーe、ea’(C鴫0.3
B、 CHC/ 3 )N〜IR(CDCIs )
δ : 2.10−2.50 (2H。
B、 CHC/ 3 )N〜IR(CDCIs )
δ : 2.10−2.50 (2H。
m)、 2.90 (2H,d、 J =6.
6 Hz)、 3.79(3H,s)、 4.
20 − 4.60 (LH,m)。
6 Hz)、 3.79(3H,s)、 4.
20 − 4.60 (LH,m)。
5.00−5.20 (2H,m)、 5.BO−6
,15(2H。
,15(2H。
m)、 6.80(2H,d、 J= 8.55
Hz)、 7、LO(2H,d、 J −
8,55Hz)、 7J5−7゜55(3H,m)、
7.80−7.80(2H,m)I R(nea
t)co+−’ : 3310.2921)、183
0゜実施例6 S−(−)−ベンズアミド[181120B (0,4
1d )のアセトニトリルニ水−1: 1 (v/v)
6Fi/溶液にヨウ素310 tag (1,23m
M)を加え、室温で3日間攪拌を行なった。反応液に飽
和重曹水および5%亜硫酸ナトリウム水溶液5−を加え
、ヨウ素の色が消えたのを確認した後、ジクロルメタン
20度を加えて抽出を行なった。
Hz)、 7、LO(2H,d、 J −
8,55Hz)、 7J5−7゜55(3H,m)、
7.80−7.80(2H,m)I R(nea
t)co+−’ : 3310.2921)、183
0゜実施例6 S−(−)−ベンズアミド[181120B (0,4
1d )のアセトニトリルニ水−1: 1 (v/v)
6Fi/溶液にヨウ素310 tag (1,23m
M)を加え、室温で3日間攪拌を行なった。反応液に飽
和重曹水および5%亜硫酸ナトリウム水溶液5−を加え
、ヨウ素の色が消えたのを確認した後、ジクロルメタン
20度を加えて抽出を行なった。
有機層を飽和食塩水で洗浄した後無水硫酸マグネンウム
で乾燥し、減圧上溶媒を留去し、残渣をシリカゲル5g
でカラムクロマトグラフィーに付し、メタノール:クロ
ロホルム−3:97の溶媒によるフラクションより2−
メトキシフェニルメチル−4−ベンゾイルオキシピロリ
ジン[19] 114mg (収率90%)を得た。
で乾燥し、減圧上溶媒を留去し、残渣をシリカゲル5g
でカラムクロマトグラフィーに付し、メタノール:クロ
ロホルム−3:97の溶媒によるフラクションより2−
メトキシフェニルメチル−4−ベンゾイルオキシピロリ
ジン[19] 114mg (収率90%)を得た。
NMR(CDC/3 )δ: 1.50−2.55 (
3H。
3H。
m、IHはD20で消失)、2.80(2H,t。
J −7,1Hz) 、 2.90−3.70 (3H
,m) 、 5゜30−5.60(IH,m)、6.8
0(2H,d、J=8.55Hz) 、 7.10 (
2H,d、 J =8.55Hz) 。
,m) 、 5゜30−5.60(IH,m)、6.8
0(2H,d、J=8.55Hz) 、 7.10 (
2H,d、 J =8.55Hz) 。
7.30−7.70 (3H,m) 、 7.90−8
.10 (2H。
.10 (2H。
m)
I R(neat) Cm−’ : 3350.171
0,1270.1240゜実施例7 ピロリジン[19] 390mg (1,25IIM
)のジクロルメタン5712/溶液に0℃でトリエチル
アミン0゜27F!/ (1,83a+M) 、りoo
炭酸ベンジル0.21111(1,5+M )を加え、
室温で12時間攪拌を行なった。減圧工大部分の溶媒を
留去した後、残渣にエーテル50111を加えて抽出を
行ない、エーテル層を飽和重曹水および飽和食塩水で順
次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧上
溶媒を留去し、カルバメートすなわち2−メトキシフェ
ニルメチル−4−ベンゾイルオキシ−N−ペンジルオキ
シ力ルポニルビロリジン[20]828Il1gを粗生
成物として得た。
0,1270.1240゜実施例7 ピロリジン[19] 390mg (1,25IIM
)のジクロルメタン5712/溶液に0℃でトリエチル
アミン0゜27F!/ (1,83a+M) 、りoo
炭酸ベンジル0.21111(1,5+M )を加え、
室温で12時間攪拌を行なった。減圧工大部分の溶媒を
留去した後、残渣にエーテル50111を加えて抽出を
行ない、エーテル層を飽和重曹水および飽和食塩水で順
次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧上
溶媒を留去し、カルバメートすなわち2−メトキシフェ
ニルメチル−4−ベンゾイルオキシ−N−ペンジルオキ
シ力ルポニルビロリジン[20]828Il1gを粗生
成物として得た。
実施例8
上記カルバメーh [20F 828 m gの粗生成
物をメタノール10I111に溶かし、炭酸カリウム1
90rag (1,38mM )を加え、室温で2時
間攪拌を行なった。ついで、減圧下で大部分の溶媒を留
去し、エーテル31を加えて抽出を行なった。エーテル
層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで
乾燥し、減圧上溶媒を留去し、残渣をシリカゲル12g
でカラムクロマトグラフィーに付し、エーテル:ヘキサ
ン−4=1の溶媒によるフラクションよりヒドロキシカ
ルバメートすなわち2−メトキシフェニルメチル−4−
ヒドロキシ−N−ペンジルオキシ力ルポニルビロリジン
[21] 388a+g (収率91%)を得た。
物をメタノール10I111に溶かし、炭酸カリウム1
90rag (1,38mM )を加え、室温で2時
間攪拌を行なった。ついで、減圧下で大部分の溶媒を留
去し、エーテル31を加えて抽出を行なった。エーテル
層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで
乾燥し、減圧上溶媒を留去し、残渣をシリカゲル12g
でカラムクロマトグラフィーに付し、エーテル:ヘキサ
ン−4=1の溶媒によるフラクションよりヒドロキシカ
ルバメートすなわち2−メトキシフェニルメチル−4−
ヒドロキシ−N−ペンジルオキシ力ルポニルビロリジン
[21] 388a+g (収率91%)を得た。
NMR(CDC/3 )δ: 1.80−2.00 (
4H。
4H。
m) 、 2.50−3.70 (4H,m) 、 3
.80 (3H。
.80 (3H。
s) 、 3.90−4.50 (2H,m) 、 5
.20 (2H。
.20 (2H。
br s) 、 6.80 (2H,m) 、 7.1
0 (2H,br d)7.35(5H,s) I R(neat) : 3400,1890.15
15cm実施例9 ヒドロキシカルバメート[21] 148 mg
(0゜43mM)のベンゼン3!III溶液にテトラブ
チルアンモニウムハイドロゲンサルファート148mg
(0゜43mM)および二硫化炭素302/ (0
,56層M)を加え、10分間攪拌後、50%水酸化ナ
トリウム水溶液1層を加え、25分室温で攪拌を続けた
。こうしてジチオカルボン酸塩を生成せしめた後、ヨー
ドメタン33I111(0,52+aM)を加え、3時
間激しく攪拌を行なった。反応液にエーテル30層を加
えて抽出を行ない、エーテル層を飽和食塩水で洗浄し、
無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧上溶媒を留去した
。得られた残渣L90mgをシリカゲル8gでカラムク
ロマトグラフィーに付し、エーテル:ヘキサン−1:2
の溶媒によるフラクションよりキサンテート[22]
1821g (収率9゜%)を得た。
0 (2H,br d)7.35(5H,s) I R(neat) : 3400,1890.15
15cm実施例9 ヒドロキシカルバメート[21] 148 mg
(0゜43mM)のベンゼン3!III溶液にテトラブ
チルアンモニウムハイドロゲンサルファート148mg
(0゜43mM)および二硫化炭素302/ (0
,56層M)を加え、10分間攪拌後、50%水酸化ナ
トリウム水溶液1層を加え、25分室温で攪拌を続けた
。こうしてジチオカルボン酸塩を生成せしめた後、ヨー
ドメタン33I111(0,52+aM)を加え、3時
間激しく攪拌を行なった。反応液にエーテル30層を加
えて抽出を行ない、エーテル層を飽和食塩水で洗浄し、
無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧上溶媒を留去した
。得られた残渣L90mgをシリカゲル8gでカラムク
ロマトグラフィーに付し、エーテル:ヘキサン−1:2
の溶媒によるフラクションよりキサンテート[22]
1821g (収率9゜%)を得た。
NMR(CDC/3 )δ: 2.0−2.30 (2
H。
H。
m)、2.50(2H,s)、 2.Ei5 (I
H,s)。
H,s)。
2.65−3.50(4H,m) 、 3.80 (3
H,s) 。
H,s) 。
4.00−4.45 (I H,m) 、 5.20
(2H,m) 。
(2H,m) 。
5.60−5.80 (0,68H,m) 、
5.80−8.10 (0,33H,m) 、 5.
70−7.20 (4H,m) 、 7.40 (5H
,s) I R(neat)cm−’ : 50.1200,1100゜ 実施例10 2,5 1700.1805.L520,1410.12キサン
テート[22] 123B (0,26mM)の0−ジ
クロルベンゼン10rIl溶液を200℃で1.5時間
加熱した。ついで、減圧下溶媒を留去し、残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーに付し、エーテル:ヘキ
サン−1=7の溶媒によるフラクションよりR−(−)
−2−メトキシフェニルメチル−N−ベンジルオキシカ
ルボニル−3,4−デヒドロピロリジン[1コ59.5
B (86%)を得た。
5.80−8.10 (0,33H,m) 、 5.
70−7.20 (4H,m) 、 7.40 (5H
,s) I R(neat)cm−’ : 50.1200,1100゜ 実施例10 2,5 1700.1805.L520,1410.12キサン
テート[22] 123B (0,26mM)の0−ジ
クロルベンゼン10rIl溶液を200℃で1.5時間
加熱した。ついで、減圧下溶媒を留去し、残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーに付し、エーテル:ヘキ
サン−1=7の溶媒によるフラクションよりR−(−)
−2−メトキシフェニルメチル−N−ベンジルオキシカ
ルボニル−3,4−デヒドロピロリジン[1コ59.5
B (86%)を得た。
mp:49−50℃(エーテル+へキサンの混合液より
再結晶) [α] 26:−190,4゜ (C”1.0 、 CHC/ s ) NMR(CDC/ 3 ) 6 : 2.60−
3.30 (2H。
再結晶) [α] 26:−190,4゜ (C”1.0 、 CHC/ s ) NMR(CDC/ 3 ) 6 : 2.60−
3.30 (2H。
m) 、 3.77 (3H,s ) 、 3
.60−3.90 (2H。
.60−3.90 (2H。
m)、4.05−4.30 (I H,m)、4.[1
0−4,90(IH,m)、5.20(2H,m)、5
.70(2H。
0−4,90(IH,m)、5.20(2H,m)、5
.70(2H。
m) 、 6.75−7.10 (4H,m)
、 7.40 (5H。
、 7.40 (5H。
S)
I R(neat) c〔’ : 1700.1
800,1510.1410M5 ale :
323 (M” ) 、 121 CLQO%
)。
800,1510.1410M5 ale :
323 (M” ) 、 121 CLQO%
)。
実施例11
R−(−)−N−ベンジルオキシカルボニル−3,4−
デヒドロピロリジン[11117n+g (0゜38
a+M)のエチレングリコール3IIII/溶液に水酸
化ナトリウム1.Og (25a1M)を加え、120
”Cで14時間加熱攪拌を行なった。塩化メチレンを
加えて抽出を行ない、有機層を飽和食塩水で洗浄した後
、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧下で留
去し、残渣をシリカゲル5gでカラムクロマトグラフィ
ーに付し、メタノール:クロロホルム−5;95の溶媒
によるフラクションよりR−(−)−2−メトキシフェ
ニルメチル−3,4−デヒドロピロリジンC24]
72a+g(収率89%)を得た。
デヒドロピロリジン[11117n+g (0゜38
a+M)のエチレングリコール3IIII/溶液に水酸
化ナトリウム1.Og (25a1M)を加え、120
”Cで14時間加熱攪拌を行なった。塩化メチレンを
加えて抽出を行ない、有機層を飽和食塩水で洗浄した後
、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧下で留
去し、残渣をシリカゲル5gでカラムクロマトグラフィ
ーに付し、メタノール:クロロホルム−5;95の溶媒
によるフラクションよりR−(−)−2−メトキシフェ
ニルメチル−3,4−デヒドロピロリジンC24]
72a+g(収率89%)を得た。
[α]24ニー101.2” (C−1,44,テト
ラヒドロフラン)1文献値[α] ニー89.3゜
(C−1,26,テトラヒドロフラン)(前掲のTet
rahedron Lett、、29.4419.19
88)NMR(CD C/ s )δ: 2.15 (
I H,br s。
ラヒドロフラン)1文献値[α] ニー89.3゜
(C−1,26,テトラヒドロフラン)(前掲のTet
rahedron Lett、、29.4419.19
88)NMR(CD C/ s )δ: 2.15 (
I H,br s。
D20で消失) 、 2.44(2H,d、 J −
8,8Hz ) 、 2.80−2.95 (2H,m
) 、 3.79 (2H。
8,8Hz ) 、 2.80−2.95 (2H,m
) 、 3.79 (2H。
s ) 、 4.00−4.35 (I H,m) 、
5.E15−5.95(2H,m)、8.80(2H
,d、J=8.55Hz)7.10 (2H,d、
J−8,55Hz) I R(neat) ct
s−’: 3300.1810.1515.1240
.1180゜ NMRおよびrRの各スペクトル値は文献値と一致した
。
5.E15−5.95(2H,m)、8.80(2H
,d、J=8.55Hz)7.10 (2H,d、
J−8,55Hz) I R(neat) ct
s−’: 3300.1810.1515.1240
.1180゜ NMRおよびrRの各スペクトル値は文献値と一致した
。
以上
Claims (10)
- (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼[XX I ] で示されるヒドロキシピロリジン化合物を脱水して、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼[ I ] (上記各式中、Arは置換または無置換のアリール基、
Zはアミノ基の保護基、*は光学活性炭素をそれぞれ意
味する) で示される光学活性3,4−デヒドロピロリジン化合物
を得、必要に応じてそのN−保護基を除去して同化合物
[ I ]をN−遊離の化合物に導くことを特徴とする光
学活性3,4−デヒドロピロリジン化合物の製造方法。 - (2)請求項1記載の方法において、ヒドロキシピロリ
ジン化合物[XX I ]に二硫化炭素ついで一般式R^
1X^2で示される化合物を反応させて、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼[XXII] (上記各式中、Ar、Zおよび*は請求項1のものと同
じ意味を有し、R^1はアルキル基またはアラルキル基
、X^2はハロゲン原子またはスルホニルオキシ基、Y
′は OCS_2R^1をそれぞれ意味する) で示されるキサンテート化合物を得、ついで同化合物[
XXII]を脱離反応に付することによって、ヒドロキシ
ピロリジン化合物[XX I ]の脱水を行なうことを特
徴とする方法。 - (3)請求項1記載の方法において、ヒドロキシピロリ
ジン化合物[XX I ]を酸処理して脱水を行なうこと
を特徴とする方法。 - (4)請求項1記載の方法において、ヒドロキシピロリ
ジン化合物[XX I ]の水酸基をハロゲン、p−トル
エンスルホン酸エステル基またはアセチルオキシ基で置
換し、得られた化合物を脱離反応に付することによって
、ヒドロキシピロリジン化合物[XX I ]の脱水を行
なうことを特徴とする方法。 - (5)請求項1から4のうちいずれか1記載の方法にお
いて、ヒドロキシピロリジン化合物 [XX I ]を製造するに当たり、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼[XIX] で示されるアシルオキシピロリジン化合物のアミノ基を
保護試剤で保護して 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼[XX] (上記各式中、Ar、Zおよび*は請求項1のものと同
じ意味を有し、Ar′は置換または無置換のアリール基
をそれぞれ意味する)で示されるN−置換ピロリジン化
合物を得、ついで同化合物[XX]のアシルオキシ基を
加水分解することを特徴とする方法。 - (6)請求項5記載の方法において、アシルオキシピロ
リジン化合物[XIX]を製造するに当たり、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼[XVIII] (式中、Ar、Ar′および*は請求項5のものと同じ
意味を有する) で示されるベンズアミド化合物を臭素、塩化ヨウ素、ヨ
ウ素、ピリジンのHBr_3塩、N−ブロモコハク酸イ
ミドより成る群から選ばれた環化試剤で処理することを
特徴とする方法。 - (7)請求項6記載の方法において、ベンズアミド化合
物[XVIII]を製造するに当たり、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼[XVII] で示されるアリルアミン化合物を 一般式Ar′COX^1または Ar′CO_2COAr′(上記各式中、Ar、Ar′
および*は請求項6のものと同じ意味を有し、X^1は
ハロゲン原子を意味する)で示されるアミド化試剤で処
理することを特徴とする方法。 - (8)請求項7記載の方法において、アリルアミン化合
物[XVII]を製造するに当たり、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼[XVI] (式中、Arおよび*は請求項7のものと同じ意味を有
し、YはNHCO_2t−Bu、NHCO_2Bn(B
nはベンジル基を意味する)、BnONCO_2Bn、 o−C_6H_4(CO)_2N、 NC(C_6H_4)_3、HCONH、 p−Me(C_6H_4)SO_2NHまたはC_6H
_5SO_2NHを意味する) で示される含窒素化合物を塩基で処理するか、または上
記一般式においてYがN_3である含窒素化合物[XV
I]を水素化反応に付することを特徴とする方法。 - (9)請求項8記載の方法において、含窒素化合物[X
VI]を製造するに当たり、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼[XV] で示されるアリルアルコール化合物を、一般式R^2O
_2CN=NCO_2R^2で示されるジアゾカルボン
酸ジアルキルおよび一般式 P(R^3)_3(上記各式中、Arおよび*は請求項
8のものと同じ意味を有し、R^2はアルキル基、R^
3はアリール基またはアルキル基をそれぞれ意味する)
で示される三級ホスフィン化合物の存在下、一般式YH
(Yは請求項8の基のうちN_3以外のものを意味する
)で示される化合物と反応させるか、または (C_6H_5O)_2PON_3と反応させることを
特徴とする方法。 - (10)請求項9項において、アリルアルコール化合物
[XV]を製造するに当たり、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼[X] で示されるエポキシプロパン化合物をリチウムアセチリ
ドと反応させて 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼[XIV] (上記各式中、Arおよび*は請求項9のものと同じ意
味を有する) で示されるエチニルアルコールとし、これを部分還元す
ることを特徴とする方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1252575A JP2739505B2 (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | 光学活性3,4―デヒドロピロリジン化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1252575A JP2739505B2 (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | 光学活性3,4―デヒドロピロリジン化合物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03112963A true JPH03112963A (ja) | 1991-05-14 |
| JP2739505B2 JP2739505B2 (ja) | 1998-04-15 |
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ID=17239283
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|---|---|---|---|
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1989
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