JPH03112B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、気相沈積されたパラ−キシリレン
重合物および気相沈積されたパラ−キシリレン置
換誘導体重合物を、かかる被膜を支持している基
体の所定、所望の区域から除去する方法、および
かかる方法に用いる組成に関する。

〔従来の技術〕

プリント回路板およびセラミツク回路板のよう
な電子部材の製造において、回路板用、板上の部
品用ならびに板上の要素を、互いに、および板に
直接に接触していない素子に連結するコネクタや
導線用に、通常およびしばしば用いられている被
膜の材料は、真空気相沈積されたパラ−キシリレ
ン重合物および真空気相沈積されたパラ−キシリ
レン置換誘導体重合物、例えば時々パリレンＮ
（商標名）（parylene Ｎ）と呼ばれるポリ−パラ
−キシリレンそれ自体、一般にパリレンＣ（商標
名）（parylene Ｃ）と呼ばれるポリ−モノクロロ
−パラ−キシリレンおよび一般にパリレンＤ（商
標名）（parylene Ｄ）と呼ばれるポリ−ジクロロ
−パラ−キシリレンである。これらのパリレン、
およびとくにパリレンＣは、良好な不浸透水性、
高耐溶剤性、高耐熱性およびすぐれた熱膨脹係数
を与えるので、エレクトロニクス用としてもつと
も良好に適合した被膜である。さらに、これらは
通常薄い膜に沈積されるので、電子素子の電気特
性がこれらの存在によつて影響をうけない。しか
しながら、たいていのパリレンは一般の溶媒に溶
解しないので、これらの被膜を除去することが非
常に困難である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

パリレン被膜を、電子部品、プリント回路板お
よび可撓性ハーネス（harnesses）からこすりと
るための努力は、効果のないことが立証された。
摩耗により、被覆された電子部材および隣接部品
が損傷される傾向にあり、かつ、除去するのが困
難なごみおよびほこりを生じ、さらに近接被膜区
域に影響を与えることなしに除去したい正確な被
膜区域に限定することが困難となる。パリレンを
除去する他の方法、例えばプラズマエツチング
は、時間がかかり、高価となり、さらにしばしば
部品および基体を破壊もしくは損傷する。

しばらくの間、基体、とくに、パリレンで被覆
された部品および導線で密に充填されたプリント
配線板、セラミツク回路板および電子回路のよう
な基体からパリレン被膜を除去するための、この
分野の使用に適した簡単で経費のかからない方法
が望まれていた。かかる方法は、被覆であろうと
未被覆であろうと、近接または隣接の部品に影響
を与えることなしに所望、所定の区域から被膜を
除去しなければならない。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明は、プリント配線板、電子部品、可撓
性ハーネス、セラミツク、金属およびその他の基
板のような基体から、基体を損傷することなく、
かつ除去したい区域に近接する他の区域からパリ
レン被膜を除去することなしに、所定、所望区域
のパリレン被膜を除去する方法を提供するもので
ある。

この発明の方法により処理されるべき基体は、
真空気相沈積されたパラ−キシリレンの重合物な
らびに真空気相沈積された、モノクロロ−パラ−
キシリレンおよびジクロロ−パラ−キシリレンの
ようなパラキシリレン置換誘導体の重合物からな
る群から選ばれた少くとも１つからなる被膜を支
持している。

これらのパリレン被膜を支持している基体から
パリレン被膜を除去する方法は、除去すべき所
定、所望の被膜区域を、基体に対して被膜をゆる
め、剥離もしくはかき落しのような物理的除去を
十分に可能ならしめるような物質と接触させるこ
とである。この物質で好ましいものは、テトラヒ
ドロフラン単独、もしくはテトラヒドロフランと
コロイドシリカのようなキヤリヤーとを組合せた
物質である。好ましいキヤリヤーは、不活性のも
の、すなわちテトラヒドロフラン、パリレン被
膜、もしくは電子部品、およびパリレン被膜を支
持している基体の何れとも反応しないものであ
る。不活性のキヤリヤーは、キヤリヤーとしての
みならず増粘剤としての作用をもなし、被覆であ
ろうと未被覆であろうと、隣接部品に影響なし
に、パリレンで被覆された所定、所望の区域に正
確にキヤリヤー／テトラヒドロフラン混合物を塗
布することを可能ならしめる。

この発明の方法および組成物は、金属、プラス
チツク、複合体もしくはセラミツク材料からなる
基体から、溶媒に不溶のパリレン被膜を除去する
ものである。上記の金属としては、例えばアルミ
ニウム、鋼、金、錫、鉛および銀、またはこれら
の混合物を含む。上記のプラスチツクとしては、
例えばフタル酸ジアリル、ナイロンまたはポリイ
ミドを含み、上記の複合体としては、例えばエポ
キシ／ガラス、ポリイミド／ガラスまたはポリイ
ミド／アクリルからなる積層プリント配線板材料
を含む、さらに、上記のセラミツクスとしては、
例えばアルミナおよびベリリアを含む。この発明
の方法は、広範囲にわたる厚さのパリレン被膜を
除去するが、好ましくは約0.10ミル（2.54×10^-4
cm）ないし約15ミル（3.8×10^-2cm）の範囲の厚
さを有する被膜を除去する方法である。このよう
な方法によつて除去されるパリレン被膜は、従来
の気相沈積／重合方法によつて形成される。

基体からパリレン被膜を除去するために、この
発明において用いられる物質は、パリレン被膜の
所定、所望の区域を気体に対してゆるめ、剥離、
チツピングおよびかき落しのような方法で被膜の
物理的除去を十分に可能ならしめるものである。
これらの物質は、パリレンの被覆された区域もし
くはパリレン被膜を支持する基体とは化学的に反
応せず、むしろ被膜に浸透し、被膜と基体との間
の結合をゆるめて、短時間、好ましくは除去すべ
き区域に塗布後30分未満で、パリレン被膜を除去
することを可能ならしめるような十分なゆるみを
生じさせるものである。これらの物質は、好まし
くは、室温で塗布するが、物理的方法によつて、
容易かつ十分に被膜の除去をおこなえるような、
被膜をゆるめるための十分の量を用いることによ
つて約−40〓（約−40℃）ないし約115〓（約46
℃）の範囲のどの温度においても塗布することが
できる。

好ましい態様として、基体に対してパリレン被
膜をゆるめるためにパリレン被膜に塗布される上
記の物質としては、テトラヒドロフラン単独、ま
たはキヤボジル〔Cab−Ｏ−Sil：キヤボツト社
（Cabot Corporation）によつて製造されたヒユ
ームドシリカもしくはコロイドシリカの商標名〕
のような不活性のキヤリヤーとの組合せたものが
あげられる。これらのキヤリヤーは、不活性のも
の、すなわちテトラヒドロフラン、パリレンまた
はパリレン被膜を支持する基体と反応しないもの
である。キヤリヤーは増粘剤としても作用し、さ
らに、テトラヒドロフランと組合せて粘稠な物質
を形成し、この粘稠物質は所定、所望のパリレン
の被覆された区域に塗布することができて、その
結果、被覆であろうと未被覆であろうと、近接も
しくは隣接の区域への影響なしに、パリレンの被
覆された区域から被膜を除去することができる。
この場合、テトラヒドロフラン対キヤリヤーの割
合を、重量比で約１：40〜約１：25の範囲となる
ように、テトラヒドロフランを不活性キヤリヤー
と組合せることが好ましい。キヤリヤーとテトラ
ヒドロフランとの混合は、ビーカー、大桶もしく
は他の容器中で、好ましくは蓋をして、２成分を
互いに単に混合することにより容易かつ迅速にお
こなうことができる。好ましい混合物は、約4.5
ｇないし約５ｇのキヤボジルと100mlのテトラヒ
ドロフランとからなるものである。テトラヒドロ
フランは、揮発しやすい液体であるので、テトラ
ヒドロフランとキヤリヤーとの混合物は密封した
容器中に保存することが好ましい。処理すべき構
造体、例えばコネクタに混合物を塗布するときに
は、混合物の塗布された構造体を密封容器中にお
くか、または、アルミニウム箔もしくは他の保護
材料を構造体のまわりにおおつてテトラヒドロフ
ランの蒸発を防ぐ。もしも、風の吹き込む条件が
ある場合には、好ましくは、さらに液体のテトラ
ヒドロフランを混合物に添加して、混合物が凝結
するか割れるのを防止する。

テトラヒドロフラン単独、または、不活性キヤ
リヤーと組合わされたテトラヒドロフランは、除
去したい被膜区域と、約15分ないし約30分の範囲
で接触させるのが好ましい。そのあとで、もしも
液体のテトラヒドロフランを用いたときには、被
膜区域を、５分ないし60分間乾燥することが好ま
しい。もしも、テトラヒドロフランが被膜区域に
若干残つている場合には、アルコール、アセト
ン、水もしくは他の普通の溶媒ですすぐことによ
り、これを除去することができる。もしも、テト
ラヒドロフラン／不活性キヤリヤーの混合物を用
いる場合には、水ですすぎ、ブラシ掛けし、つい
で溶媒ですすぐことによつて除去することができ
る。その後、数分ないし数時間の間に、ピンセツ
トを用いて引離すか、プラスチツク、複合体もし
くは木材のような材料からなるのみのような道具
を用いて、かき落すかもしくは引張りはがすか、
または、消しゴムを用いてこすりとるかして、パ
リレン被膜を物理的に除去することができる。パ
リレン被膜の除去速度は、被膜の厚さに依存し、
厚い被膜のほうがより容易に除去される。

この発明の方法において用いられるテトラヒド
ロフランは、電子部材を加工するために通常用い
られる種々の材料と相溶することが判明した。下
記の基体材料を、時間を15分から５時間の範囲で
変化させて、テトラヒドロフランにさらした。す
なわち、この材料は、ナイロン、フタル酸ジアリ
ル、ポリイミド添加エポキシ接着剤、可撓性ポリ
イミド／アクリル積層シート、エポキシ／ガラス
複合体、ポリイミド／ガラス複合体、アルミナ、
はんだ、セラミツクスおよびアルミニウムであ
る。20倍から5000倍の範囲における種々の倍率の
走査電子顕微鏡写真は、基体の表面外観に重要な
変化がないことを示した。加えて各試料のフーリ
エ変換赤外分析（FTIR）は、テトラヒドロフラ
ンにさらした後の材料のスペクトルと、さらす前
の材料のスペクトルとが同一であることを示し
た。

テトラヒドロフランは、この発明の方法を実行
するのに好ましい材料であるが、幾らかの他の物
質をも用い得ることが判明した。ジクロロメタン
（すなわち塩化メチレン）は、テトラヒドロフラ
ンにくらべて、15倍ないし20倍のパリレンをゆる
めるための処理時間を要するけれども、テトラヒ
ドロフランの代りに用いることができる。また、
トルエンも用いることができるが、処理時間がテ
トラヒドロフランにくらべて50倍要する。これに
対して、アセトン、１，１，１−トリクロロエタ
ンおよびアルコールは、パリレン被膜をゆるめ
ず、また、パリレン被膜に対して何らの他の効果
をも示さないことがわかつた。

〔実施例〕 以下に示すこの発明の方法は、コネクタ構造中
に組立てられたコネクターピンからパリレンＣの
被膜を除去するために用いられた。

金めつきされた丸いコネクタピンを、ガラスの
充填されたフタル酸ジアリル基体に支持した。金
めつきされた長方形のピンを、可撓性の積層ポリ
イミド／アクリルケーブルと接したナイロン基体
に支持した。パリレン被膜の厚さは約0.4ミル
（1.02×10^-3cm）であつた。

コネクタ−部材の金メツキされたピンから、前
述した好ましい混合物、すなわちテトラヒドロフ
ラン〔アライド社（Allied Corporation）製〕お
よびキヤボジル〔キヤボツト社（Cabot
Corporation）製〕の混合物を用いて、パリレン
被膜を除去した。混合物で１時間処理（この間処
理した区域は蒸発を防ぐためにアルミニウム箔で
おおつた）した後、拡大鏡を使い、ピンセツトを
用いてパリレン被膜をコネクタより引き離した。
丸いピンにつき、１つの例については、10分間で
10個のピンから被膜を除去し、他の例について
は、2.3分間で10個のピンから被膜を除去した。
混合物で２時間処理した長方形のピンについて
は、３分未満で10個のピンから被膜を除去した。
ピンを顕微鏡を使つて検査したところ、パリレン
被膜はなく、かつ処理工程による損傷もないこと
が判明した。

上記に述べたテトラヒドロフラン単独を用い
て、コネクタ−部材の金めつきされたピンからパ
リレン被膜を除去した。丸いピンについては、１
時間のテトラヒドロフランによる処理後、25分間
に10個のピンから被膜を除去した。長方形のピン
については、0.25時間ないし1.25時間のテトラヒ
ドロフランによる処理後、10個ないし41個のピン
を有するコネクタについて、ピン１個あたり0.15
分ないし0.75分の割合で被膜を除去した。ピンを
顕微鏡を使つて検査したところ、パリレン被膜は
なく、処理工程による損傷もないことが判明し
た。

これらの試験から、テトラヒドロフランによる
パリレン被膜の処理時間は、ゆるめられた被膜の
物理的除去の速度に対して影響を与えないと結論
された。１時間に１個処理したと同じ割合の除去
が、15分間に１個処理した試料についても達成さ
れた。

薄い被膜は厚い被膜よりもゆるめられたパリレ
ンの物理的除去に長時間を要するけれども、追加
の試験が、極めて薄い被膜、例えば0.2ミル
（0.51×10^-3cm）厚さのパリレンを上記に示すコ
ネクタから除去し得ることを示した。ピンセツト
に加えて、エポキシ／ガラス複合材製のかき落し
用くさびを用いた。また、ゆるめられた薄いパリ
レン被膜を除去するためのこすりとり用道具とし
て、消しゴムを用いた。とくにこの目的のために
申し分のない消しゴムは、パラピンク
（Parapink）〔イレーザーステイツク（Eraser
Stick）社の商標名〕およびプラツシユレイス
（Plash Race）〔エバーハードフアベル
（Eberhard Faber）社の商標名〕である。

テトラヒドロフラン混合物を用いるこの発明の
方法は、また、プリント配線板の限定された区域
からパリレン被膜を除去するのに用いられる。テ
トラヒドロフラン混合物で処理したのち、めつき
スルーホールのない４インチ（10.16cm）平方の
エポキシ／ガラス複合体区域から、１分ないし３
分間で、0.5ミル（1.27×10^-3cm）のパリレンを剥
離した。20倍の倍率の顕微鏡を使つて、処理した
構造を検査したところ、プリント配線板およびそ
の上の記号をも含めて、損傷を与えずにパリレン
が除去されたことが明らかとなつた。同様の処理
後、14のめつきスルーホールを有する6.25インテ
（15.88cm）平方のエポキシ／ガラス複合体区域に
ついて、複合体表面およびめつきスルーホールか
らパリレンを除去するのに12分を要した。後者の
場合、各ホールのパリレンは、円筒形状の単一片
で除去された。表面およびホールから全部除去さ
れたことが20倍の倍率の顕微鏡で立証された。

上記の記述は、この発明が適用される技術思想
の好ましい例示的方法を詳細に述べたものであ
る。多数の他の包含される変形が、この発明の範
囲から逸脱することなく、容易に用い得ることは
当業者であれば認識することができよう。特に、
この発明においては、テトラヒドロフランを使用
することに限定されることなく、むしろ、パリレ
ン被膜を基体からゆるめることができて、基体か
ら、ゆるめられた被膜の物理的除去を十分におこ
なえる範囲のいかなる物質をも包含する。特に、
環状エーテル、芳香族エーテル、ハロゲン化アル
カン、ハロゲン化アロマチツクスまたはアルキル
化アリール化合物はこの目的のために有効である
と期待される。

〔発明の効果〕

上記のこの発明の方法および組成物は多くの利
点を有する。この発明の方法は、特別の器具もし
くは道具なしにパリレンの除去をおこなえて、一
定の場所においても、製造および再加工の施設か
ら離れた他の場所においても、パリレンの除去を
容易におこなうことができる。パリレンは、密に
充填された電子部材および間隔が近接したコネク
タピンから除去し得るし、また突出した回路、ハ
ンダ付された相互連結の突出部、めつきスルーホ
ールおよび高さの高い部品を具備する複雑な部材
からも除去し得る。また、異常に間隔が接近した
部品を具備したプリント配線板から、部品を損傷
することなく、かつ隣接した部品をそこなうこと
なく、パリレンを除去することができる。

これらの方法によると、また、非常に薄い回
路、および極めて薄い導線を具備するこわれやす
い部品からこれらを損傷することなく、迅速に、
能率的に、パリレンを除去することができて、回
路部品の再加工の費用を低減することができる。
さらに、これらの方法は、金属基体、プラスチツ
ク基体、複合体もしくはセラミツク部品、または
複合体もしくはセラミツク基体を損傷することが
ない。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 真空気相沈積されたパラ−キシリレンの重合
   物および真空気相沈積されたパラ−キシリレン置
   換誘導体の重合物よりなる群から選ばれた少くと
   も１つからなる被膜をその上に有する基体から、
   該被膜の少くとも１つの所定、所望区域を除去す
   る方法であつて、該少くとも１つの区域にテトラ
   ヒドロフラン、テトラヒドロフランと不活性キヤ
   リヤーとの混合物、ジクロロメタンおよびトルエ
   ンよりなる群から選ばれた物質を接触させて、該
   区域の被膜を十分にゆるめ、剥離、チツピング、
   かき落としまたはこすりとりによつて該被膜の該
   区域を除去することからなる基体の所定、所望区
   域からのパラ−キシリレン系樹脂被膜の除去方
   法。 ２ 被膜がポリ−モノクロロ−パラ−キシリレン
   からなり、物質がテトラヒドロフランからなる特
   許請求の範囲第１項記載の方法。 ３ 物質がテトラヒドロフランと不活性キヤリヤ
   ーとの混合物からなり、該物質が、塗布の温度お
   よび圧力条件下、該物質の近接区域への漏れもし
   くは排出が実質的にない状態で限定された被膜区
   域に該物質の塗布を十分におこなえるような粘度
   を有しているものである特許請求の範囲第１項記
   載の方法。 ４ 基体が、プリント配線板、電子回路、電子部
   品、または前記２以上の組合せからなるものであ
   り、物質がテトラヒドロフランからなるものであ
   る特許請求の範囲第１項記載の方法。 ５ 不活性キヤリヤーが、コロイドシリカおよび
   アルミナからなる群から選ばれたものである特許
   請求の範囲第３項記載の方法。 ６ テトラヒドロフランと不活性キヤリヤーとの
   比が約１：40ないし約１：25の範囲である特許請
   求の範囲第３項記載の方法。