JPH03114536A - チタノシリケート触媒の再生方法 - Google Patents
チタノシリケート触媒の再生方法Info
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- JPH03114536A JPH03114536A JP1249178A JP24917889A JPH03114536A JP H03114536 A JPH03114536 A JP H03114536A JP 1249178 A JP1249178 A JP 1249178A JP 24917889 A JP24917889 A JP 24917889A JP H03114536 A JPH03114536 A JP H03114536A
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- catalyst
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- methyl
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/584—Recycling of catalysts
Landscapes
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、オレフィンと、過酸化水素とおよび、結晶性
チタノシリケート触媒とから工業的にエポキシドを製造
する方法に関する。更に詳しくは、触媒を効率的に再生
することにより、長期に渡ってエポキシ化反応に使用す
る方法に関する。
チタノシリケート触媒とから工業的にエポキシドを製造
する方法に関する。更に詳しくは、触媒を効率的に再生
することにより、長期に渡ってエポキシ化反応に使用す
る方法に関する。
触媒の存在下、オレフィンと過酸化水素とからエポキシ
ドを製造する方法は様々なものが知られている。その中
でも特開昭59−51273に記載のTS−1と称する
一種の結晶性チタノシリケートを触媒とする方法は、不
均一反応系であるため、触媒と生成物であるエポキシド
との分離が容易であり、工業的に優れた方法である。
ドを製造する方法は様々なものが知られている。その中
でも特開昭59−51273に記載のTS−1と称する
一種の結晶性チタノシリケートを触媒とする方法は、不
均一反応系であるため、触媒と生成物であるエポキシド
との分離が容易であり、工業的に優れた方法である。
ところが上記の方法について、本発明者らが試験したと
ころ、触媒の活性劣化が激しいため長期の運転ができず
、従って経済的なプロセスとは成り得ないことが判明し
た。経済的に存利なプロセスにするためには、活性劣化
したチタノシリケート触媒を再生して何回もエポキシ化
反応に使い、単位触媒あたりのエポキシド生産量を上げ
ることが必須であると考えられる。
ころ、触媒の活性劣化が激しいため長期の運転ができず
、従って経済的なプロセスとは成り得ないことが判明し
た。経済的に存利なプロセスにするためには、活性劣化
したチタノシリケート触媒を再生して何回もエポキシ化
反応に使い、単位触媒あたりのエポキシド生産量を上げ
ることが必須であると考えられる。
活性劣化したチタノシリケート触媒を再生する方法とし
ては空気中550℃で焼成する方法(G、Perego
、 et al、+ Proc、 7th Inter
n、 ZeoliteConfer、+ 1986.
Tokyo、 p、827)が知られている。
ては空気中550℃で焼成する方法(G、Perego
、 et al、+ Proc、 7th Inter
n、 ZeoliteConfer、+ 1986.
Tokyo、 p、827)が知られている。
一方、チタノシリケートを500℃よりも高い温度にさ
らすと、結晶格子位置にあるチタンが除かれる(B、
Kraushaar−Czarnetki、 et a
l、、 Catal。
らすと、結晶格子位置にあるチタンが除かれる(B、
Kraushaar−Czarnetki、 et a
l、、 Catal。
Lett、、 2 、43 (19B9))ことが
知られている。
知られている。
従って、上記した方法の実施は、チタノシリケートの破
壊をもたらすために好ましくない。
壊をもたらすために好ましくない。
本発明の目的は、オレフィンと、過酸化水素とおよび、
結晶性チタノシリケート触媒とからエポキシドを生成せ
しめる反応において、使用中に劣化した触媒を再生する
方法を提供することにある。
結晶性チタノシリケート触媒とからエポキシドを生成せ
しめる反応において、使用中に劣化した触媒を再生する
方法を提供することにある。
本発明者らは、チタノシリケート触媒の再生方法を鋭意
検討した結果、極めて有効な方法を二つ見いだし、本発
明を完成させるに至った。
検討した結果、極めて有効な方法を二つ見いだし、本発
明を完成させるに至った。
一つめは、触媒を酸素含有気体の雰囲気下、焼成する方
法である。焼成温度は400〜500℃である。酸素含
有気体は、酸素が5〜99vo1%で、残りが不活性気
体であるものであり、好ましくは空気である。焼成温度
が500℃を越えるとチタノシリケート触媒が破壊され
、400℃より低いと触媒が充分に再生されない。
法である。焼成温度は400〜500℃である。酸素含
有気体は、酸素が5〜99vo1%で、残りが不活性気
体であるものであり、好ましくは空気である。焼成温度
が500℃を越えるとチタノシリケート触媒が破壊され
、400℃より低いと触媒が充分に再生されない。
二つめは、触媒を適当な溶媒で洗浄処理する方法である
。その際、特に処理温度が再生の効果に重要な影響を及
ぼす。使用溶媒が分解しない程度に、エポキシ化反応実
施時よりもやや(5〜150℃1好ましくは5〜120
℃)高い温度で行うのが特に効果的であり、通常0〜2
00℃1好ましくは40〜180℃1圧力1〜100気
圧で行われる。
。その際、特に処理温度が再生の効果に重要な影響を及
ぼす。使用溶媒が分解しない程度に、エポキシ化反応実
施時よりもやや(5〜150℃1好ましくは5〜120
℃)高い温度で行うのが特に効果的であり、通常0〜2
00℃1好ましくは40〜180℃1圧力1〜100気
圧で行われる。
本発明に用いられる洗浄用溶媒は、通常の有機物を溶解
する、炭素数のあまり大きくない(好ましくは9以下)
水、アルコール、ケトン、炭化水素、ハロゲン化炭化水
素、エステル、ニトリル、および酸からなる群から選ば
れたものである。
する、炭素数のあまり大きくない(好ましくは9以下)
水、アルコール、ケトン、炭化水素、ハロゲン化炭化水
素、エステル、ニトリル、および酸からなる群から選ば
れたものである。
アルコールとしては、メタノール、エタノール、l−プ
ロパノール、2−プロパノール、2−メチル−2−プロ
パノール、1−ブタノール、2−ブタノニル、アリルア
ルコール、エチレングリコールが好適である。
ロパノール、2−プロパノール、2−メチル−2−プロ
パノール、1−ブタノール、2−ブタノニル、アリルア
ルコール、エチレングリコールが好適である。
ケトンとしては、アセトン、2−ブタノン、2−メチル
ブタノン、2−ペンタノン、3−ペンタノン、2−メチ
ル−4−ペンタノン、シクロヘキサノンが好適である。
ブタノン、2−ペンタノン、3−ペンタノン、2−メチ
ル−4−ペンタノン、シクロヘキサノンが好適である。
炭化水素としては、プロパン、1−ブテン、2−ブテン
、イソプレン、ベンゼン、トルエン、キシレン、トリメ
チルベンゼンが好適である。
、イソプレン、ベンゼン、トルエン、キシレン、トリメ
チルベンゼンが好適である。
ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタンクロロホ
ルム、四塩化炭素、1.1−ジクロロエタン、1.2−
ジクロロエタン、1,1.1− )ジクロロエタン、1
,1.2− )ジクロロエタン、1.1.1.2−テト
ラクロロエタン、Ll、2.2−テトラクロロエタン、
塩化アリル、ジプロモメタン、クロロベンゼンが好適で
ある。
ルム、四塩化炭素、1.1−ジクロロエタン、1.2−
ジクロロエタン、1,1.1− )ジクロロエタン、1
,1.2− )ジクロロエタン、1.1.1.2−テト
ラクロロエタン、Ll、2.2−テトラクロロエタン、
塩化アリル、ジプロモメタン、クロロベンゼンが好適で
ある。
エステルとしては、ぎ酸メチル、酢酸メチル、酢酸エチ
ル、酢酸ブチル、プロピオン酸エチルが好適であり、ニ
トリルとしては、アセトニトリルが好適である。
ル、酢酸ブチル、プロピオン酸エチルが好適であり、ニ
トリルとしては、アセトニトリルが好適である。
酸としては、ぎ酸、酢酸、プロピオン酸が好適である。
エポキシ化反応を固定床または連続攪拌槽で行う場合、
触媒の溶媒による洗浄は、エポキシ化反応原料の代わり
に洗浄用溶媒を反応器へ供給することにより行われる。
触媒の溶媒による洗浄は、エポキシ化反応原料の代わり
に洗浄用溶媒を反応器へ供給することにより行われる。
エポキシ化反応をバッチ式で行う場合、触媒の溶媒によ
る洗浄は、反応後に溶液を上澄みとして抜き取った後、
洗浄用溶媒を反応器に加え攪拌し、再び上澄み液を抜き
取ることにより行われる。
る洗浄は、反応後に溶液を上澄みとして抜き取った後、
洗浄用溶媒を反応器に加え攪拌し、再び上澄み液を抜き
取ることにより行われる。
焼成と溶媒洗浄のいずれを採用するかは、経済性を考慮
した上で反応装置の形式によって決められる。両者を併
用することも可能である。
した上で反応装置の形式によって決められる。両者を併
用することも可能である。
本発明が適用されるのは、組成式がxTioz (1−
x)SiO,(ただし0.0001<x < 0.5好
ましくは0.001 <x < 0.05 )で示され
る結晶性チタノシリケートを有効成分とする、オレフィ
ンのエポキシ化用触媒である。
x)SiO,(ただし0.0001<x < 0.5好
ましくは0.001 <x < 0.05 )で示され
る結晶性チタノシリケートを有効成分とする、オレフィ
ンのエポキシ化用触媒である。
チタノシリケートの合成にあたっては、まず、シリカ源
、チタン源、含窒素化合物、および水から構成される反
応混合物を調製する。シリカ源はテトラアルコキシケイ
素またはコロイド状シリカである。チタン源はテトラア
ルコキシチタンまたは四塩化チタンである。含窒素化合
物はテトラアルキルアンモニウムイオン、好ましくは水
酸化テトラプロピルアンモニウムまたは水酸化テトラブ
チルアンモニウムである。また、含窒素化合物としてト
リエタノールアミン、ジェタノールアミン、ピペリジン
またはNH2(CHz)−NHK(但し、nは1〜9で
ある。)が使用される。
、チタン源、含窒素化合物、および水から構成される反
応混合物を調製する。シリカ源はテトラアルコキシケイ
素またはコロイド状シリカである。チタン源はテトラア
ルコキシチタンまたは四塩化チタンである。含窒素化合
物はテトラアルキルアンモニウムイオン、好ましくは水
酸化テトラプロピルアンモニウムまたは水酸化テトラブ
チルアンモニウムである。また、含窒素化合物としてト
リエタノールアミン、ジェタノールアミン、ピペリジン
またはNH2(CHz)−NHK(但し、nは1〜9で
ある。)が使用される。
反応体のモル比は、
S i Ox/T i Oz= 10〜50H,O/S
t O,−10〜100 含窒素化合物/ S i Oz−0、05〜1である。
t O,−10〜100 含窒素化合物/ S i Oz−0、05〜1である。
上記した反応混合物をオートクレーブ中で100〜22
0 ℃において2〜1000時間保持する。次に固形物
を取り出し、乾燥後、空気中400〜500℃にて1〜
100時間焼成する。
0 ℃において2〜1000時間保持する。次に固形物
を取り出し、乾燥後、空気中400〜500℃にて1〜
100時間焼成する。
上記した方法により、種々の結晶形を有するチタノシリ
ケートが合成できる。それらのうち2例についてそれぞ
れ第1.3および2.4表に、X線回折スペクトル(C
u−にα)と赤外線吸収スペクトルの主なパターンを示
す。
ケートが合成できる。それらのうち2例についてそれぞ
れ第1.3および2.4表に、X線回折スペクトル(C
u−にα)と赤外線吸収スペクトルの主なパターンを示
す。
01±0゜
2
440〜
460
第1〜4表において、
vs=非常に強い
S二強い
m=中くらい
W−弱い
を表す。
本発明のエポキシ化反応は、オレフィンと、過酸化水素
とおよび、チタノシリケート触媒とを用いて、溶剤の存
在下または非存在下に、0〜150℃,1〜100気圧
にて行われる。
とおよび、チタノシリケート触媒とを用いて、溶剤の存
在下または非存在下に、0〜150℃,1〜100気圧
にて行われる。
オレフィンとしては、エチレン、プロピレン、1−ブテ
ン、2−ブテン、1−ヘキセン、1−オクテン、イソブ
チン、1,3−ブタジェン、イソプレン、シクロヘキセ
ン、塩化アリルまたはアリルアルコールが用いられる。
ン、2−ブテン、1−ヘキセン、1−オクテン、イソブ
チン、1,3−ブタジェン、イソプレン、シクロヘキセ
ン、塩化アリルまたはアリルアルコールが用いられる。
過酸化水素は1〜95wt%、好ましくは5〜60wt
%水溶液である。溶媒としては、水、メタノール、2−
プロパノール、2−メチル−2−プロパノール、アセト
ン、アセトニトリル、酢酸、プロピオン酸またはこれら
のうちいくつかの混合物が用いられる。
%水溶液である。溶媒としては、水、メタノール、2−
プロパノール、2−メチル−2−プロパノール、アセト
ン、アセトニトリル、酢酸、プロピオン酸またはこれら
のうちいくつかの混合物が用いられる。
チタノシリケート触媒の調製
200m1のフラスコに、窒素雰囲気下、34.2gの
テトラエトキシ硅素(164mmol)および1.9成
のテトライソプロポキシチタン(6,4mmol)を加
えた。攪拌しながら、38.9gの20〜25%水酸化
テトラプロピルアンモニウム水溶液を徐々に滴下した。
テトラエトキシ硅素(164mmol)および1.9成
のテトライソプロポキシチタン(6,4mmol)を加
えた。攪拌しながら、38.9gの20〜25%水酸化
テトラプロピルアンモニウム水溶液を徐々に滴下した。
90℃にて3時間攪拌することにより、エタノールを3
0rnfl留去した。内容物をチタン型オートクレーブ
に移し更に81戚の水を加えた。自己発生圧力下、17
5℃にて7時間加熱した。冷却後、内容物を取り出し、
遠心分離により上澄み液を抜き取り、水を加えて攪拌後
、再び遠心分離を行い、沈澱物を取り出し、110℃に
て4時間乾燥後、500℃にて5時間焼成した。生成物
のX線回折スペクトルは第1表のようなものであり、特
開昭56−96720記載のチタノシリケートと一致し
ていた。走査型電子顕微鏡写真により、平均粒子径は0
.3μmであった。
0rnfl留去した。内容物をチタン型オートクレーブ
に移し更に81戚の水を加えた。自己発生圧力下、17
5℃にて7時間加熱した。冷却後、内容物を取り出し、
遠心分離により上澄み液を抜き取り、水を加えて攪拌後
、再び遠心分離を行い、沈澱物を取り出し、110℃に
て4時間乾燥後、500℃にて5時間焼成した。生成物
のX線回折スペクトルは第1表のようなものであり、特
開昭56−96720記載のチタノシリケートと一致し
ていた。走査型電子顕微鏡写真により、平均粒子径は0
.3μmであった。
た。
以下に本発明の実施例および比較例を示すが、これらは
必ずしも触媒再生の最適条件を示すものではない、また
本発明はこれらによって限定されるものではない。なお
、比較例1、実施例1.2は同一の触媒を用いて行い、
比較例3、実施例4−7は触媒を反応管から取り出すこ
となく、連続して行った。
必ずしも触媒再生の最適条件を示すものではない、また
本発明はこれらによって限定されるものではない。なお
、比較例1、実施例1.2は同一の触媒を用いて行い、
比較例3、実施例4−7は触媒を反応管から取り出すこ
となく、連続して行った。
比較例1
冷却管を具備する30rnlのフラスコに粉末状の0.
4gのチタノシリケート、 12gのメタノール、4g
の塩化アリル(52,3mmoり、3.2gの30wt
%過酸化水素水溶液(28,2mmol )の順に加え
た。この懸濁液を40℃にて3時間攪拌した。冷却後、
フラスコごと遠心分離機にかけ、上澄み液を回収した。
4gのチタノシリケート、 12gのメタノール、4g
の塩化アリル(52,3mmoり、3.2gの30wt
%過酸化水素水溶液(28,2mmol )の順に加え
た。この懸濁液を40℃にて3時間攪拌した。冷却後、
フラスコごと遠心分離機にかけ、上澄み液を回収した。
沈澱物に再び上記と同じ量のメタノール、塩化アリル、
過酸化水素を加え、上記と同様の操作を繰り返した。生
成物をガスクロマトグラフィーにより分析した。第5表
に結果を示す。
過酸化水素を加え、上記と同様の操作を繰り返した。生
成物をガスクロマトグラフィーにより分析した。第5表
に結果を示す。
実施例1
比較例1のごとくエポキシ化反応を何回か繰り返し、エ
ビクロロヒドリン収率が40.5%になったところで、
劣化した触媒の入っているフラスコにメタノール12g
を加え、75℃にて1時間攪拌することにより洗浄を行
った。冷却後フラスコごと遠心分離機にかけ、上澄み液
を抜き取った。洗浄を繰り返した後、再び同様にしてエ
ポキシ化反応を行った。第5表に示す様に、触媒活性は
若干回復していることがわかる。
ビクロロヒドリン収率が40.5%になったところで、
劣化した触媒の入っているフラスコにメタノール12g
を加え、75℃にて1時間攪拌することにより洗浄を行
った。冷却後フラスコごと遠心分離機にかけ、上澄み液
を抜き取った。洗浄を繰り返した後、再び同様にしてエ
ポキシ化反応を行った。第5表に示す様に、触媒活性は
若干回復していることがわかる。
実施例2
実施例1で使用した触媒をフラスコより取り出し、空気
中480℃で3時間焼成した。触媒を取り出し、再び同
様にしてエポキシ化反応を行った。
中480℃で3時間焼成した。触媒を取り出し、再び同
様にしてエポキシ化反応を行った。
第5表に示す様に、触媒活性は回復していることが分か
る。
る。
比較例2
この比較例は、触媒の再生における処理温度が低いと、
逆効果になることもある場合を示す例である。比較例1
と同様な操作を繰り返し、エピクロルヒドリン収率が5
3.9%になった時点で、メタノールの代わりにアセト
ンを洗浄用溶媒として用い、40℃にて実施例1のごと
き処理を行った。エピクロルヒドリン収率は46.0%
であった。
逆効果になることもある場合を示す例である。比較例1
と同様な操作を繰り返し、エピクロルヒドリン収率が5
3.9%になった時点で、メタノールの代わりにアセト
ンを洗浄用溶媒として用い、40℃にて実施例1のごと
き処理を行った。エピクロルヒドリン収率は46.0%
であった。
実施例3
比較例1において、塩化アリルの代わりに1〜ヘキセン
を用い、反応温度を63℃にした他は同様の操作を行っ
た。1,2−エポキシヘキセンの収率は30.2%であ
った。この操作を何回か繰り返し、1.2−エポキシヘ
キセン収率が19.1%になったところで、触媒をフラ
スコより取り出し、空気中500℃で3時間焼成した。
を用い、反応温度を63℃にした他は同様の操作を行っ
た。1,2−エポキシヘキセンの収率は30.2%であ
った。この操作を何回か繰り返し、1.2−エポキシヘ
キセン収率が19.1%になったところで、触媒をフラ
スコより取り出し、空気中500℃で3時間焼成した。
再び同様にしてエポキシ化反応を行ったところ、1.2
−エポキシヘキセンの収率は30.4%であった。
−エポキシヘキセンの収率は30.4%であった。
比較例3
2.1gのコロイド状シリカ(日産化学製スノーテック
スU P 、 5iOzを20〜21wt%含有)と2
.27gのチタノシリケートを混合、乾燥し、空気中5
00℃で焼成後粉砕し、120メツシュ以上の微粉末を
得た。これを0.78 gとり、希釈剤のセライト(1
,4g)と混合し、内径8叩のガラス製反応管に詰めた
。なお触媒層の内容積は3 、8 mlであった。
スU P 、 5iOzを20〜21wt%含有)と2
.27gのチタノシリケートを混合、乾燥し、空気中5
00℃で焼成後粉砕し、120メツシュ以上の微粉末を
得た。これを0.78 gとり、希釈剤のセライト(1
,4g)と混合し、内径8叩のガラス製反応管に詰めた
。なお触媒層の内容積は3 、8 mlであった。
塩化アリル、過酸化水素(30wt%水溶fi)、メタ
ノール、アンモニア(0,5wt%水溶液)の混合物(
重量比=40:32: 120: 1 :モル比=5
2.3 :28.2: 374.5: 0.1)を
0.29mA!/n+inの割合で連続的に反応管に供
給した。反応管を55℃の水浴に浸した0反応管の出口
で圧力が4〜14kg/cfflGになるように抵抗を
つけた。生成物を氷水で冷却し、ガスクロマトグラフィ
ーにより分析した。定常状態に達したときのエピクロル
ヒドリン収率は第6表に示すように、82.8%であっ
た。
ノール、アンモニア(0,5wt%水溶液)の混合物(
重量比=40:32: 120: 1 :モル比=5
2.3 :28.2: 374.5: 0.1)を
0.29mA!/n+inの割合で連続的に反応管に供
給した。反応管を55℃の水浴に浸した0反応管の出口
で圧力が4〜14kg/cfflGになるように抵抗を
つけた。生成物を氷水で冷却し、ガスクロマトグラフィ
ーにより分析した。定常状態に達したときのエピクロル
ヒドリン収率は第6表に示すように、82.8%であっ
た。
実施例4
比較例3を継続するうちに、エピクロルヒドリン収率が
58.0%に下がった時点で、原料液の代わりにメタノ
ールを同じ流量で反応管に供給した。
58.0%に下がった時点で、原料液の代わりにメタノ
ールを同じ流量で反応管に供給した。
反応管を70℃の水浴に3時間浸した。冷却後、比較例
3と同様の操作でエポキシ化反応を行なったところ、エ
ピクロルヒドリン収率が73.0%であり、触媒活性は
若干回復していることがわかる。
3と同様の操作でエポキシ化反応を行なったところ、エ
ピクロルヒドリン収率が73.0%であり、触媒活性は
若干回復していることがわかる。
実施例5
この実施例は、劣化した触媒の溶媒洗浄における処理温
度が高いと、より効果的であることを示すものである。
度が高いと、より効果的であることを示すものである。
実施例4を継続するうち、エピクロルヒドリン収率が6
6.7%下がった時点で、原料液の代わりにメタノール
を同じ流量で反応管に供給した0反応管を85゛Cの水
浴に3時間浸した。冷却後、比較例3と同様の操作でエ
ポキシ化反応を行なったところ、エピクロルヒドリン収
率が83.1%であった。
6.7%下がった時点で、原料液の代わりにメタノール
を同じ流量で反応管に供給した0反応管を85゛Cの水
浴に3時間浸した。冷却後、比較例3と同様の操作でエ
ポキシ化反応を行なったところ、エピクロルヒドリン収
率が83.1%であった。
実施例6
実施例5を継続するうち、エピクロルヒドリン収率が6
4.3%に下がった時点で、原料液の代わりにアセトン
と2−メチル−4−ペンタノンのl:1(重量比)溶液
を同じ流量で反応管に供給した。
4.3%に下がった時点で、原料液の代わりにアセトン
と2−メチル−4−ペンタノンのl:1(重量比)溶液
を同じ流量で反応管に供給した。
反応管を85℃の水浴に3時間浸した。冷却後、比較例
3と同様の操作でエポキシ化反応を行なったところ、エ
ピクロルヒドリン収率が81.6%であった。
3と同様の操作でエポキシ化反応を行なったところ、エ
ピクロルヒドリン収率が81.6%であった。
実施例7
実施例6を継続するうち、エピクロルヒドリン収率が5
8.4%に下がった時点で、原料液の代わりにベンゼン
を同肇流量で反応管に流した。反応管を85℃の水浴に
3時間浸した。冷却後、比較例3と同様の操作でエポキ
シ化反応を行なったところ、エピクロルヒドリン収率が
85.8%であった。
8.4%に下がった時点で、原料液の代わりにベンゼン
を同肇流量で反応管に流した。反応管を85℃の水浴に
3時間浸した。冷却後、比較例3と同様の操作でエポキ
シ化反応を行なったところ、エピクロルヒドリン収率が
85.8%であった。
第
5
表
エピクロルヒドリン収率
(%)
第
表
エピクロルヒドリン収率
(%)
〔発明の効果〕
実施例において示すように本発明の方法によって何度も
再生処理すれば、チタノシリケート触媒は、エポキシ化
反応に長時間使用しうる。
再生処理すれば、チタノシリケート触媒は、エポキシ化
反応に長時間使用しうる。
Claims (9)
- (1)オレフィンと、過酸化水素とおよび、結晶性チタ
ノシリケート触媒とからエポキシドを生成せしめる反応
において、劣化した触媒を、酸素含有気体の存在下40
0〜500℃にて焼成するか、又はエポキシ化反応時よ
りも5〜150℃高い温度にて溶媒で洗浄することによ
り再生することを特徴とするチタノシリケート触媒の再
生方法。 - (2)溶媒が水、アルコール、ケトン、炭化水素、ハロ
ゲン化炭化水素、エステル、ニトリル、および酸からな
る群から選ばれたものである請求項1に記載の方法。 - (3)アルコールが、メタノール、エタノール、1−プ
ロパノール、2−プロパノール、2−メチル−2−プロ
パノール、1−ブタノール、2−ブタノール、アリルア
ルコール、およびエチレングリコールからなる群から選
ばれたものである請求項2に記載の方法。 - (4)ケトンが、アセトン、2−ブタノン、2−メチル
ブタノン、2−ペンタノン、3−ペンタノン、2−メチ
ル−4−ペンタノン、およびシクロヘキサノンからなる
群から選ばれたものである請求項2に記載の方法。 - (5)炭化水素が、プロパン、1−ブテン、2−ブテン
、イソプレン、ベンゼン、トルエン、キシレン、および
トリメチルベンゼンからなる群から選ばれたものである
請求項2に記載の方法。 - (6)ハロゲン化炭化水素が、ジクロロメタン、クロロ
ホルム、四塩化炭素、1,1−ジクロロエタン、1,2
−ジクロロエタン、1,1,1−トリクロロエタン、1
,1,2−トリクロロエタン、1,1,1,2−テトラ
クロロエタン、1,1,2,2−テトラクロロエタン、
ジプロモメタン、塩化アリル、およびクロロベンゼンか
らなる群から選ばれたものである請求項2に記載の方法
。 - (7)エステルが、ぎ酸メチル、酢酸メチル、酢酸エチ
ル、酢酸ブチル、およびプロピオン酸エチルからなる群
から選ばれたものである請求項2に記載の方法。 - (8)ニトリルが、アセトニトリルである請求項2に記
載の方法。 - (9)酸が、ギ酸、酢酸、およびプロピオン酸からなる
群から選ばれたものである請求項2に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1249178A JPH03114536A (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | チタノシリケート触媒の再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1249178A JPH03114536A (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | チタノシリケート触媒の再生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03114536A true JPH03114536A (ja) | 1991-05-15 |
Family
ID=17189065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1249178A Pending JPH03114536A (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | チタノシリケート触媒の再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03114536A (ja) |
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-
1989
- 1989-09-27 JP JP1249178A patent/JPH03114536A/ja active Pending
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