JPH0311498B2 - - Google Patents
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- JPH0311498B2 JPH0311498B2 JP20958084A JP20958084A JPH0311498B2 JP H0311498 B2 JPH0311498 B2 JP H0311498B2 JP 20958084 A JP20958084 A JP 20958084A JP 20958084 A JP20958084 A JP 20958084A JP H0311498 B2 JPH0311498 B2 JP H0311498B2
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/94—Selection of substances for gas fillings; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the tube, e.g. by gettering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J7/00—Details not provided for in the preceding groups and common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J7/14—Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
- H01J7/18—Means for absorbing or adsorbing gas, e.g. by gettering
- H01J7/186—Getter supports
Landscapes
- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Description
〔発明の技術分野〕
本発明はテレビジヨン受像管および陰極線管の
ような真空管に用いられるゲツタ・アセンブリの
成形方法に関するものであり、更に詳しくいえ
ば、加熱およびフラツシング中にゲツタが反つた
り、持ちあがつたりしないように改良した通路リ
ング型ゲツタ・アセンブリの成形方法に関するも
のである。 〔従来技術〕 電子管の製造においてゲツタ物質を使用するこ
とは良く知らてれている。一般に用いられるゲツ
タ構造は環状のＵ形受けのような容器と、その容
器の中に圧入されたゲツタ物質とより成る。この
アセンブリは、電子銃の陽極ボタンその他の内部
部品にとりつけられている「アンテナ」ばねによ
り、テレビジヨン受像管内に設けられるのが普通
である。管内部を排気した後で、ゲツタ容器と、
その内部の物質を高温度に加熱して、ゲツタ物質
をフラツシユすなわち蒸発させることにより、管
内部に残留しているガスが除去される。加熱は誘
導加熱が適当である。蒸発したゲツタ物質は残留
ガスを吸着し、または残留ガスと化学反応して、
低蒸気圧の固体凝固物としてガスを除去し、管の
寿命全体を通じて放出されるガスを吸着し続け
る。 通常はゲツタ物質は、たとえばニツケル粉末と
のバリウム−アルミニウム金属間化合物のような
金属の混合物または合金を主として含む。反応物
質を与えるのはこの混合物のバリウム成分であ
る。大型受像管またはその他の大型陰極線管内の
残留ガスを除去するためには、比較的多量の活性
バリウム物質を必要とする。たとえば、フラツシ
ング前の容器内のゲツタ粉末混合物の総量900〜
1500mgに対してバリウムの量は200〜300mgであ
る。 したがつて、典型的な通路リングゲツタはプレ
スされたゲツタ物質粉末を940mg含むことができ、
約230mgの蒸発したバリウムを生ずる。すなわち、
粉末合金中に94％のバリウムが存在する。そのよ
うに多量のゲツタ物質を使用するために広い通路
ゲツタ、たとえば側壁の間の寸法が約0.38cm
（0.15インチ）またはそれ以上、を使用するよう
になり、そのようなゲツタ加熱およびフラツシン
グ中に反つたり、ゲツタ物質が持ちあがつたりし
て、ゲツタ物質が管の内部に放出されたり、その
他の種類のゲツタ故障が起る。 この問題を解決するための先行技術が米国特許
第3428168号明細書に開示されている。その米国
特許明細書には、環状通路における補強部材とし
て金属線、フランジおよび縁部を折り曲げたもの
を使用することが示されている。この技術は有効
ではあるが、とくにバリウムを多量に含むゲツタ
では、線およびフランジによる補強を使用するこ
とによるゲツタの質量増大のためにフラツシング
を要する時間が長くなるか、高周波電力を増大せ
ねばならなくなるが、縁部を曲げることによつて
は最も効率の高い固着構造が得られず、縁部を曲
げる加工を行つた後の清掃たとえば脱脂によつて
も、「フラツシング」中に受像管中に放出され得
る不純物は完全には除去されない。米国特許第
3457448号明細書には線補強部材と、ゲツタ容器
の側壁に環状ビード部を使用することが開示され
ている。それらのビード部によつても最も効率的
な固着構造は得られず、ゲツタ物質を効率的に配
置できない。 〔発明の目的〕 したがつて、本発明の目的は、加熱およびフラ
ツシング中のゲツタ物質の反りと持ちあがりを阻
止する通路リング型ゲツタ・アセンブリを得るこ
とである。 〔発明の実施例〕 以下、図面を参照して本発明を詳しく説明す
る。 第１図Ａ、第１図Ｂに示すゲツタ・アセンブリ
１０は環状路１１を有する。この環状路１１は外
側壁１２と、内側壁１４と、高くされた中央支持
部１６と、底部１８とを有する。底部部材１８に
は環状溝２０が形成される。その環状溝２０は図
示のように全体として正弦波状であつて、通路１
１の中へ延びる。粉末状のゲツタ物質２２が通路
１１の中に置かれて環状溝２０を覆う。そのゲツ
タ物質２２はたとえば約1056〜3168Kg／cm2
（15000〜45000psi）の圧力で通路１１の中に圧縮
する。この圧縮作業によりゲツタ物質２２は第２
図に参照番号２２′で示されているように押し固
められ、溝通路の底部１８の近くの幅が狭くなつ
た全体として球根形状の横断面２０′を有する形
に環状溝２０を変形させる。球根形状の環状溝２
０′は圧縮されているゲツタ物質２２′を効率良く
保持し、加熱およびフラツシング中のゲツタ物質
の反りと持ちあがりが避けられる。 本発明により成形されるゲツタ・アセンブリは
次のような利点を有するものである。 １ このゲツタアセンブリは直線的な動作の型作
業により低コストで製作され、脱脂中に完全か
つ容易に清浄にされる。 ２ 別々のインサートリングをなくすことにより
ゲツタ・アセンブリが軽量となり、ゲツタ物質
をフラツシユさせるために必要な高周波電力が
減少する。 ３ ゲツタ・アセンブリの質量が小さいためにゲ
ツタを早いスタート時刻にフラツシユさせるこ
とができ、それにより真空管の生産量を増大で
きる。 ４ ゲツタ・アセンブリの質量が少いために「ア
ンテナ」ばね支持体にかかる曲げ荷重が小さく
なり、受像管の表面被覆との接触が非常に少く
なる。 ５ 質量が少く、構造が一体化されゲツタ物質と
の接触面が広いために、フラツシングにより生
ずるバリウムの発生が促進される。 ６ ゲツタ・アセンブリを一体構造とすることに
より別々のインサートとの位置合わせが狂うこ
とがなくなり、高周波電界との結合が確実に行
われ、それにより異なるゲツタの間のバリウム
の発生量のばらつきが小さくなる。 ７ １回または２回のゲツタフラツシユの後で起
る歪と反りが小さいことにより示されるように
構造強度が高くなる。 本発明は中心閉鎖型および中心開放型のゲツタ
リングの成形に使用でき、ステンレス鋼により適
当に作られる。典型的には、通路の幅は約0.25〜
0.51cm（0.1〜0.2インチ）で、１つの高くされた
溝を有するが、強度をもつと高くし、バリウム発
生量を増し、またはフラツシングを速く行うこと
を希望する場合には、同じ寸法または異なる寸法
の高くされた溝を更に有することができ。溝の高
さは、圧縮前のゲツタ充填物質の上面から約0.25
〜0.008cm（0.010〜0.003インチ）低くすることが
できる。溝の底部側の典型的な開き寸法は、ゲツ
タ物質の圧縮前は約0.025±0.005cm（0.010±
0.002インチ）である。ゲツタ物質を圧縮した後
は、溝は僅かに丸くされる、すなわち球状にさ
れ、これの最終的な高さはゲツタの充填物質より
約0.020〜0.051cm（0.008〜0.020インチ）のまで
変化する（典型的には約0.038cm（0.015インチ））
典型的には、溝のうしろ側開口部は、合金の圧縮
圧に応じて、最終組立後にある程度閉じられる
（密閉はされない）。 ゲツタは標準生産品の放熱ゲツタ粉末合金を用
い、手作業をで約2112Kg／cm2（30000psi）の圧力
で圧縮させることにより製造した。粉末の重量は
940±15mgであつた。12種類のゲツタ（高くした
溝つき、または溝無しで作り、フラツシユさせ
た。そのゲツタを、フラツシユさせる前に、400
℃および２×10-5Torrの環境内で１時間脱気し、
真空中で冷却した。 フラツシユにより同量のバリウムを生ずるよう
に試料を選択した。高くされた溝を有しない全部
で12個のゲツタは反りと持ちあがりを示した。そ
れらの試料のうちの８個には他の異常、ゲツタ通
路リングの融解も観察された。高くされた溝を有
する本発明のゲツタでは反り、その他のフラツシ
ング欠陥を生じたものは無かつた。
ような真空管に用いられるゲツタ・アセンブリの
成形方法に関するものであり、更に詳しくいえ
ば、加熱およびフラツシング中にゲツタが反つた
り、持ちあがつたりしないように改良した通路リ
ング型ゲツタ・アセンブリの成形方法に関するも
のである。 〔従来技術〕 電子管の製造においてゲツタ物質を使用するこ
とは良く知らてれている。一般に用いられるゲツ
タ構造は環状のＵ形受けのような容器と、その容
器の中に圧入されたゲツタ物質とより成る。この
アセンブリは、電子銃の陽極ボタンその他の内部
部品にとりつけられている「アンテナ」ばねによ
り、テレビジヨン受像管内に設けられるのが普通
である。管内部を排気した後で、ゲツタ容器と、
その内部の物質を高温度に加熱して、ゲツタ物質
をフラツシユすなわち蒸発させることにより、管
内部に残留しているガスが除去される。加熱は誘
導加熱が適当である。蒸発したゲツタ物質は残留
ガスを吸着し、または残留ガスと化学反応して、
低蒸気圧の固体凝固物としてガスを除去し、管の
寿命全体を通じて放出されるガスを吸着し続け
る。 通常はゲツタ物質は、たとえばニツケル粉末と
のバリウム−アルミニウム金属間化合物のような
金属の混合物または合金を主として含む。反応物
質を与えるのはこの混合物のバリウム成分であ
る。大型受像管またはその他の大型陰極線管内の
残留ガスを除去するためには、比較的多量の活性
バリウム物質を必要とする。たとえば、フラツシ
ング前の容器内のゲツタ粉末混合物の総量900〜
1500mgに対してバリウムの量は200〜300mgであ
る。 したがつて、典型的な通路リングゲツタはプレ
スされたゲツタ物質粉末を940mg含むことができ、
約230mgの蒸発したバリウムを生ずる。すなわち、
粉末合金中に94％のバリウムが存在する。そのよ
うに多量のゲツタ物質を使用するために広い通路
ゲツタ、たとえば側壁の間の寸法が約0.38cm
（0.15インチ）またはそれ以上、を使用するよう
になり、そのようなゲツタ加熱およびフラツシン
グ中に反つたり、ゲツタ物質が持ちあがつたりし
て、ゲツタ物質が管の内部に放出されたり、その
他の種類のゲツタ故障が起る。 この問題を解決するための先行技術が米国特許
第3428168号明細書に開示されている。その米国
特許明細書には、環状通路における補強部材とし
て金属線、フランジおよび縁部を折り曲げたもの
を使用することが示されている。この技術は有効
ではあるが、とくにバリウムを多量に含むゲツタ
では、線およびフランジによる補強を使用するこ
とによるゲツタの質量増大のためにフラツシング
を要する時間が長くなるか、高周波電力を増大せ
ねばならなくなるが、縁部を曲げることによつて
は最も効率の高い固着構造が得られず、縁部を曲
げる加工を行つた後の清掃たとえば脱脂によつて
も、「フラツシング」中に受像管中に放出され得
る不純物は完全には除去されない。米国特許第
3457448号明細書には線補強部材と、ゲツタ容器
の側壁に環状ビード部を使用することが開示され
ている。それらのビード部によつても最も効率的
な固着構造は得られず、ゲツタ物質を効率的に配
置できない。 〔発明の目的〕 したがつて、本発明の目的は、加熱およびフラ
ツシング中のゲツタ物質の反りと持ちあがりを阻
止する通路リング型ゲツタ・アセンブリを得るこ
とである。 〔発明の実施例〕 以下、図面を参照して本発明を詳しく説明す
る。 第１図Ａ、第１図Ｂに示すゲツタ・アセンブリ
１０は環状路１１を有する。この環状路１１は外
側壁１２と、内側壁１４と、高くされた中央支持
部１６と、底部１８とを有する。底部部材１８に
は環状溝２０が形成される。その環状溝２０は図
示のように全体として正弦波状であつて、通路１
１の中へ延びる。粉末状のゲツタ物質２２が通路
１１の中に置かれて環状溝２０を覆う。そのゲツ
タ物質２２はたとえば約1056〜3168Kg／cm2
（15000〜45000psi）の圧力で通路１１の中に圧縮
する。この圧縮作業によりゲツタ物質２２は第２
図に参照番号２２′で示されているように押し固
められ、溝通路の底部１８の近くの幅が狭くなつ
た全体として球根形状の横断面２０′を有する形
に環状溝２０を変形させる。球根形状の環状溝２
０′は圧縮されているゲツタ物質２２′を効率良く
保持し、加熱およびフラツシング中のゲツタ物質
の反りと持ちあがりが避けられる。 本発明により成形されるゲツタ・アセンブリは
次のような利点を有するものである。 １ このゲツタアセンブリは直線的な動作の型作
業により低コストで製作され、脱脂中に完全か
つ容易に清浄にされる。 ２ 別々のインサートリングをなくすことにより
ゲツタ・アセンブリが軽量となり、ゲツタ物質
をフラツシユさせるために必要な高周波電力が
減少する。 ３ ゲツタ・アセンブリの質量が小さいためにゲ
ツタを早いスタート時刻にフラツシユさせるこ
とができ、それにより真空管の生産量を増大で
きる。 ４ ゲツタ・アセンブリの質量が少いために「ア
ンテナ」ばね支持体にかかる曲げ荷重が小さく
なり、受像管の表面被覆との接触が非常に少く
なる。 ５ 質量が少く、構造が一体化されゲツタ物質と
の接触面が広いために、フラツシングにより生
ずるバリウムの発生が促進される。 ６ ゲツタ・アセンブリを一体構造とすることに
より別々のインサートとの位置合わせが狂うこ
とがなくなり、高周波電界との結合が確実に行
われ、それにより異なるゲツタの間のバリウム
の発生量のばらつきが小さくなる。 ７ １回または２回のゲツタフラツシユの後で起
る歪と反りが小さいことにより示されるように
構造強度が高くなる。 本発明は中心閉鎖型および中心開放型のゲツタ
リングの成形に使用でき、ステンレス鋼により適
当に作られる。典型的には、通路の幅は約0.25〜
0.51cm（0.1〜0.2インチ）で、１つの高くされた
溝を有するが、強度をもつと高くし、バリウム発
生量を増し、またはフラツシングを速く行うこと
を希望する場合には、同じ寸法または異なる寸法
の高くされた溝を更に有することができ。溝の高
さは、圧縮前のゲツタ充填物質の上面から約0.25
〜0.008cm（0.010〜0.003インチ）低くすることが
できる。溝の底部側の典型的な開き寸法は、ゲツ
タ物質の圧縮前は約0.025±0.005cm（0.010±
0.002インチ）である。ゲツタ物質を圧縮した後
は、溝は僅かに丸くされる、すなわち球状にさ
れ、これの最終的な高さはゲツタの充填物質より
約0.020〜0.051cm（0.008〜0.020インチ）のまで
変化する（典型的には約0.038cm（0.015インチ））
典型的には、溝のうしろ側開口部は、合金の圧縮
圧に応じて、最終組立後にある程度閉じられる
（密閉はされない）。 ゲツタは標準生産品の放熱ゲツタ粉末合金を用
い、手作業をで約2112Kg／cm2（30000psi）の圧力
で圧縮させることにより製造した。粉末の重量は
940±15mgであつた。12種類のゲツタ（高くした
溝つき、または溝無しで作り、フラツシユさせ
た。そのゲツタを、フラツシユさせる前に、400
℃および２×10-5Torrの環境内で１時間脱気し、
真空中で冷却した。 フラツシユにより同量のバリウムを生ずるよう
に試料を選択した。高くされた溝を有しない全部
で12個のゲツタは反りと持ちあがりを示した。そ
れらの試料のうちの８個には他の異常、ゲツタ通
路リングの融解も観察された。高くされた溝を有
する本発明のゲツタでは反り、その他のフラツシ
ング欠陥を生じたものは無かつた。
【表】
それらのゲツタのフラツシング特性は次の通り
であつた。
であつた。
【表】
第３図を参照して、図示のゲツタアセンブリは
本発明に従つて製造されたもので、ゲツタ物質が
反ることなしに「フラツシユ」されている。 第４図は、高くされた溝が儲けられていないこ
とを除き、第３図に示すのと同じゲツタ・アセン
ブリを示す。「フラツシング」によりこのゲツタ
は反り３０を生じている。 第５図はゲツタ物質を圧縮する前の本発明のゲ
ツタ・アセンブリの高くした溝の写真（25.4倍）
である。 第６図はゲツタ物質を圧縮した後の高くした溝
の写真である。 以上のように、本発明によれば、容器内の環状
路の底部に、開放されたつり鐘形状の断面を有す
る環状溝の持上り部を設け、この持上り部を覆う
ようにして環状路内でゲツタ物質を圧縮するよう
にしたので、容器の底部とゲツタ物質との結合を
強固にすることができ、フラツシング動作中のゲ
ツタ物質の反り及び持上りを防止することがで
き、またフラツシング時間の減少など種々の効果
を得ることができる。
本発明に従つて製造されたもので、ゲツタ物質が
反ることなしに「フラツシユ」されている。 第４図は、高くされた溝が儲けられていないこ
とを除き、第３図に示すのと同じゲツタ・アセン
ブリを示す。「フラツシング」によりこのゲツタ
は反り３０を生じている。 第５図はゲツタ物質を圧縮する前の本発明のゲ
ツタ・アセンブリの高くした溝の写真（25.4倍）
である。 第６図はゲツタ物質を圧縮した後の高くした溝
の写真である。 以上のように、本発明によれば、容器内の環状
路の底部に、開放されたつり鐘形状の断面を有す
る環状溝の持上り部を設け、この持上り部を覆う
ようにして環状路内でゲツタ物質を圧縮するよう
にしたので、容器の底部とゲツタ物質との結合を
強固にすることができ、フラツシング動作中のゲ
ツタ物質の反り及び持上りを防止することがで
き、またフラツシング時間の減少など種々の効果
を得ることができる。
第１図Ａは本発明により成形されるゲツタアセ
ンブリの断面図、第１図Ｂは第１図Ａに示すゲツ
タアセンブリの平面図、第２図は本発明によつて
完成したゲツタアセンブリの第１図Ａに対応する
断面図、第３図は本発明により得られたゲツタア
センブリをフラツシユさせた後のゲツタ物質であ
る金属組織の状態を示す写真、第４図は本発明以
外の成形方法によつて得られたゲツタ・アセンブ
リをフラツシユさせた後の反りと持ちあがりを示
すゲツタ物質の金属組織の写真、第５図はゲツタ
物質を圧縮する前の本発明に係るゲツタ・アセン
ブリの高くされた溝およびゲツタ物質の金属組織
の状態を拡大して示す写真、第６図はゲツタ物質
を圧縮した後の高くされた溝およびゲツタ物質の
金属組織の状態を拡大して示す写真である。 １１……環状路、１２，１４……側壁部、１８
……底部、２０……環状溝、２２……ゲツタ物
質。
ンブリの断面図、第１図Ｂは第１図Ａに示すゲツ
タアセンブリの平面図、第２図は本発明によつて
完成したゲツタアセンブリの第１図Ａに対応する
断面図、第３図は本発明により得られたゲツタア
センブリをフラツシユさせた後のゲツタ物質であ
る金属組織の状態を示す写真、第４図は本発明以
外の成形方法によつて得られたゲツタ・アセンブ
リをフラツシユさせた後の反りと持ちあがりを示
すゲツタ物質の金属組織の写真、第５図はゲツタ
物質を圧縮する前の本発明に係るゲツタ・アセン
ブリの高くされた溝およびゲツタ物質の金属組織
の状態を拡大して示す写真、第６図はゲツタ物質
を圧縮した後の高くされた溝およびゲツタ物質の
金属組織の状態を拡大して示す写真である。 １１……環状路、１２，１４……側壁部、１８
……底部、２０……環状溝、２２……ゲツタ物
質。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 環状路１１を有する容器内にゲツタ物質２２
が圧縮されており、この環状路１１は側壁部１
２，１４と底部１８とを有し、さらに、この底部
１８には環状路１１側に突出する部分が設けられ
ているゲツタ・アセンブリにおいて、 前記環状路１１側へ突出し、且つ縦断面形状が
開いたつり鐘形状になるように、前記底部１８へ
環状溝２０を少なくともひとつ形成しておき、 前記環状溝２０の持上がつた部分を覆うように
して前記ゲツタ物質２２を前記環状路１１内に圧
縮するようにし、そして、前記底部１８近傍で幅
が狭くなる中空状球根形状になるように、この環
状溝２０の縦断面形状を変形するようにし、これ
により、変形された溝２０′と圧縮されたゲツタ
物質２２′とを強固に結合させるようにしたこと
を特徴とするゲツタ・アセンブリの成形方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/539,795 US4642516A (en) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | Getter assembly providing increased getter yield |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60227343A JPS60227343A (ja) | 1985-11-12 |
| JPH0311498B2 true JPH0311498B2 (ja) | 1991-02-18 |
Family
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP59209580A Granted JPS60227343A (ja) | 1983-10-07 | 1984-10-05 | ゲッタ・アセンブリの成形方法 |
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