JPH0311686A - 紫外光用エタロン板 - Google Patents
紫外光用エタロン板Info
- Publication number
- JPH0311686A JPH0311686A JP1144228A JP14422889A JPH0311686A JP H0311686 A JPH0311686 A JP H0311686A JP 1144228 A JP1144228 A JP 1144228A JP 14422889 A JP14422889 A JP 14422889A JP H0311686 A JPH0311686 A JP H0311686A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- face
- etalon
- mirror
- laser beam
- outer circumference
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
- H01S3/1062—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using a controlled passive interferometer, e.g. a Fabry-Perot etalon
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、入出射面として機能する端面を夫々高精度に
平面研磨した後、その少なくとも−の研磨面に一部透過
可能な反射膜を形成したエタロン板に係り、特に略４０
０ｎｍ以下の特定波長域の紫外光の波長選択を精度よく
行う事の出来るエタロン板の改良に関する。
平面研磨した後、その少なくとも−の研磨面に一部透過
可能な反射膜を形成したエタロン板に係り、特に略４０
０ｎｍ以下の特定波長域の紫外光の波長選択を精度よく
行う事の出来るエタロン板の改良に関する。
「従来の技術」
従来より、ウェーハ上に集積回路パターンを描画す、る
光リングラフィの露光用光源としてスペクトル幅の狭い
レーザ光、特に略４００ｎａ以下の紫外域で発振する光
出力パルスレーザであるエキシマレーザが用いられてい
る。
光リングラフィの露光用光源としてスペクトル幅の狭い
レーザ光、特に略４００ｎａ以下の紫外域で発振する光
出力パルスレーザであるエキシマレーザが用いられてい
る。
かかるエキシマレーザ装置としては例えば第４図に示す
ように、ＫｒＦ ＸｅＦ ＡｒＦ等の混合ガスをレーザ
媒質として封入したレーザ管３０の両端側にウィンドウ
３５ａ、３５ｂを取付けるとともに、ウィンドウ３５ａ
の軸方向外側に高反射ミラー３１を、ウィンドウ面すの
出力側に出力ミラー３２を配し、該レーザ管３０内に設
けた励起手段３４により励起したレーザ光を前記両ミラ
ー３１．３２間で多数回往復させながら増帳した後、所
定出力レベルのレーザ光を前記出力ミラー３２より出力
するようにした発振装置３は公知であり、かかる装置に
あってはウィンドウ３５ｂと出力ミラー３２間に−又は
複数のエタロン１を配置し、該エタロン１により波長選
択を行い、縮小投影露光に適したスペクトル幅に調整し
たレーザ光を露光装置７（ステッパ）側に導くように構
成している。
ように、ＫｒＦ ＸｅＦ ＡｒＦ等の混合ガスをレーザ
媒質として封入したレーザ管３０の両端側にウィンドウ
３５ａ、３５ｂを取付けるとともに、ウィンドウ３５ａ
の軸方向外側に高反射ミラー３１を、ウィンドウ面すの
出力側に出力ミラー３２を配し、該レーザ管３０内に設
けた励起手段３４により励起したレーザ光を前記両ミラ
ー３１．３２間で多数回往復させながら増帳した後、所
定出力レベルのレーザ光を前記出力ミラー３２より出力
するようにした発振装置３は公知であり、かかる装置に
あってはウィンドウ３５ｂと出力ミラー３２間に−又は
複数のエタロン１を配置し、該エタロン１により波長選
択を行い、縮小投影露光に適したスペクトル幅に調整し
たレーザ光を露光装置７（ステッパ）側に導くように構
成している。
そして前記レーザ光をモニターする事により該波長に対
応する制御信号を得、その制御信号に基づいて調整回路
６を介して、前記励起手段３４とエタロンの調整を行う
ように構成している。
応する制御信号を得、その制御信号に基づいて調整回路
６を介して、前記励起手段３４とエタロンの調整を行う
ように構成している。
そしてかかる装置に組込まれるエタロン１は例えば第２
図及び第３図に示すように、一対の端面２１，２２を夫
々高精度に平面研磨した２枚−組の石英ガラス、若しく
はフッ化カルシウム等からなる一対のエタロン板１０Ａ
と、両エタロン板１０Ａ間のギャップ調整を行うスペー
サ１１からなり、そしてエタロン板１０Ａの少なくとも
対向するーの端面に一部透過可能な反射膜１２Ａを蒸着
して形成し、そしてエタロン１にレーザ光を入射させる
事により反射膜１２Ａの間で繰り返し反射が起こり、こ
の反射−共振により選択された波長に狭帯域化されたレ
ーザ光が出力されるように構成している。
図及び第３図に示すように、一対の端面２１，２２を夫
々高精度に平面研磨した２枚−組の石英ガラス、若しく
はフッ化カルシウム等からなる一対のエタロン板１０Ａ
と、両エタロン板１０Ａ間のギャップ調整を行うスペー
サ１１からなり、そしてエタロン板１０Ａの少なくとも
対向するーの端面に一部透過可能な反射膜１２Ａを蒸着
して形成し、そしてエタロン１にレーザ光を入射させる
事により反射膜１２Ａの間で繰り返し反射が起こり、こ
の反射−共振により選択された波長に狭帯域化されたレ
ーザ光が出力されるように構成している。
尚、他の端面には反射防止膜１２Ｂが蒸着形成されてい
る。
る。
さて上記構成において、前記エタロン板１０に入射スる
エキシマレーザ光は、コヒーレンス長が極端に短くほと
んど干渉が起きない為に、ダイアモンドカッタその他の
機械加工手段により前記均質性を有する合成石英ガラス
を円板状に形成した後、レーザ光が入出射する端面２１
，２２のみを高精度に平面研磨するが、その外周面２３
Ａはダイアモンドカッタの研削跡により擦りガラス状に
形成されている。
エキシマレーザ光は、コヒーレンス長が極端に短くほと
んど干渉が起きない為に、ダイアモンドカッタその他の
機械加工手段により前記均質性を有する合成石英ガラス
を円板状に形成した後、レーザ光が入出射する端面２１
，２２のみを高精度に平面研磨するが、その外周面２３
Ａはダイアモンドカッタの研削跡により擦りガラス状に
形成されている。
しかしながら確かにエキシマレーザ光はコヒーレンス長
が極端に短くほとんど干渉が起きない為に直進性を有す
るが、レーザ光を短波長化した場合に、ガラス体自体の
僅かな屈折率差等に起因してレーザ光の長時間照射によ
り熱歪等が生じ微小な屈折率変動等が生じてしまう。か
かる変動はレンズのように一回のみの透過若しくは反射
する光学系であれば特段に問題とならないが、エタロン
板１０はレンズ等と異なり繰り返し反射且つ共振させる
構成を取る為に、例えエタロン板１０に均質な合成石英
を用いて乱反射を微小に抑えても繰り返し外周面２３Ａ
で乱反射される事によりエタロン性能に悪影響を及ぼし
てしまうものと推定される。
が極端に短くほとんど干渉が起きない為に直進性を有す
るが、レーザ光を短波長化した場合に、ガラス体自体の
僅かな屈折率差等に起因してレーザ光の長時間照射によ
り熱歪等が生じ微小な屈折率変動等が生じてしまう。か
かる変動はレンズのように一回のみの透過若しくは反射
する光学系であれば特段に問題とならないが、エタロン
板１０はレンズ等と異なり繰り返し反射且つ共振させる
構成を取る為に、例えエタロン板１０に均質な合成石英
を用いて乱反射を微小に抑えても繰り返し外周面２３Ａ
で乱反射される事によりエタロン性能に悪影響を及ぼし
てしまうものと推定される。
又ダイアモンドカッタの研削跡によりその表面に加工歪
も生じており、該加工歪もエタロン性能に悪影響を及ぼ
してしまうものと推定される。
も生じており、該加工歪もエタロン性能に悪影響を及ぼ
してしまうものと推定される。
「発明が解決しようとする課題」
さて前記エキシマレーザ装置に組み込まれる第２図のエ
タロンはエタロン板１０内を繰り返し透過するレーザ光
が精度よく反射−共振するように形成している。しかし
前記石英ガラス内に不純物や脈理若しくは屈折率差が存
在すると、その光吸収による内部温度の上昇に起因する
熱歪や屈折率の変動等により精度よい共振波長を得る事
が出来ず、結果として出力レーザ光の選択波長域が変動
して目的とする絶対波長を得られないという問題が生じ
ていた。
タロンはエタロン板１０内を繰り返し透過するレーザ光
が精度よく反射−共振するように形成している。しかし
前記石英ガラス内に不純物や脈理若しくは屈折率差が存
在すると、その光吸収による内部温度の上昇に起因する
熱歪や屈折率の変動等により精度よい共振波長を得る事
が出来ず、結果として出力レーザ光の選択波長域が変動
して目的とする絶対波長を得られないという問題が生じ
ていた。
かかる欠点を解消する為に本発明者は先に、略４００ｎ
ｍ以下の特定光波長帯域で使用される光学用石英ガラス
部材において、三座標方向のいずれの方向からも脈理が
認められない石英ガラス塊より形成され、低圧水銀ラン
プの照射により蛍光を実質的に発生せず、且つ少なくと
も光が透過する区域において屈折率差Δｎが小さく均質
性を有する（略５Ｘ１０”以下）光学用石英ガラス部材
を提案している。（特開昭８４−２８２４０号）しかし
ながらこのような均質性の高い光学用石英ガラス部材を
用いてもエタロン板１０はレンズ等と異なり繰り返し反
射且つ共振させる構成を取る為に、出力レーザ光の選択
波長域の変動や長時間使用による出力低下等を完全に防
ぐ事が出来ないという欠点を有していた。
ｍ以下の特定光波長帯域で使用される光学用石英ガラス
部材において、三座標方向のいずれの方向からも脈理が
認められない石英ガラス塊より形成され、低圧水銀ラン
プの照射により蛍光を実質的に発生せず、且つ少なくと
も光が透過する区域において屈折率差Δｎが小さく均質
性を有する（略５Ｘ１０”以下）光学用石英ガラス部材
を提案している。（特開昭８４−２８２４０号）しかし
ながらこのような均質性の高い光学用石英ガラス部材を
用いてもエタロン板１０はレンズ等と異なり繰り返し反
射且つ共振させる構成を取る為に、出力レーザ光の選択
波長域の変動や長時間使用による出力低下等を完全に防
ぐ事が出来ないという欠点を有していた。
本発明はかかる従来技術の欠点に鑑み、前記出力レーザ
光の選択波長城の変動を極力抑制し長時間使用にも安定
して精度よい絶対波長を得る事の出来るエタロン板１０
を提供する事を目的とする。
光の選択波長城の変動を極力抑制し長時間使用にも安定
して精度よい絶対波長を得る事の出来るエタロン板１０
を提供する事を目的とする。
「課題を解決しようとする手段」
本発明は、前記欠点がガラス自体の均質性のみに影響す
るものではなく、その表面状態も影響するものである事
を知見して発明されたものである。
るものではなく、その表面状態も影響するものである事
を知見して発明されたものである。
すなわち本発明の第１の特徴とする所は、第１図に示す
ようにエタロン板１０の外周面２３Ｂを前記エキシマレ
ーザ光が透過可能な鏡面状に形成した点にある。
ようにエタロン板１０の外周面２３Ｂを前記エキシマレ
ーザ光が透過可能な鏡面状に形成した点にある。
これにより前記屈折率等の変動により外周面２３Ｂに到
達したレーザ光は、外周面２３Ｂで乱反射する事なくそ
のまま透過してしまい繰り返しの乱反射を避ける車が出
来る為に、前記欠点が解消されるものと思慮される。又
該鏡面加工時にダイアモンドカッタの研削跡に起因する
表面歪も除去される。
達したレーザ光は、外周面２３Ｂで乱反射する事なくそ
のまま透過してしまい繰り返しの乱反射を避ける車が出
来る為に、前記欠点が解消されるものと思慮される。又
該鏡面加工時にダイアモンドカッタの研削跡に起因する
表面歪も除去される。
尚、前記レーザ光が透過可能な鏡面とは外周面２３Ｂの
表面粗さを好ましくは３０Å以下に設定する事により容
易に達成され、そしてこのような鏡面はレーザ光が透過
可能であればうねり等があってもよく、従って端面２１
，２２側のように高精度に平面研磨する必要はなく、フ
ァイアポリッシュ加工や通常のパフ鏡面加工にて形成す
ればよい。
表面粗さを好ましくは３０Å以下に設定する事により容
易に達成され、そしてこのような鏡面はレーザ光が透過
可能であればうねり等があってもよく、従って端面２１
，２２側のように高精度に平面研磨する必要はなく、フ
ァイアポリッシュ加工や通常のパフ鏡面加工にて形成す
ればよい。
更にエタロン板１０の端面２１，２２を高精度な平面研
磨面に、又外周面２３Ｂを鏡面状に仕上げてもガラス材
自体が脆性材料である為に、前記ダイヤモンドカッタそ
の他を用いた研削加工を行うと、外周面２３Ｂと端面２
１，２２間に挟まれる稜線部分に微小なマイクロクラッ
クが発生する。
磨面に、又外周面２３Ｂを鏡面状に仕上げてもガラス材
自体が脆性材料である為に、前記ダイヤモンドカッタそ
の他を用いた研削加工を行うと、外周面２３Ｂと端面２
１，２２間に挟まれる稜線部分に微小なマイクロクラッ
クが発生する。
そしてこのようなマイクロクラックが発生すると、端面
２１，２２の平面研磨や外周面２３Ｂの鏡面仕上げのみ
では乱反射を避けることが出来ない。
２１，２２の平面研磨や外周面２３Ｂの鏡面仕上げのみ
では乱反射を避けることが出来ない。
けだし前記研磨加工等はいずれも表面に形成された凹凸
を潰すか、表面全体の凹凸を除去するのみであるから、
稜線部分２４のみをより多く除去する事は不可能であり
、結果として該微小クラックが残存してしまう。
を潰すか、表面全体の凹凸を除去するのみであるから、
稜線部分２４のみをより多く除去する事は不可能であり
、結果として該微小クラックが残存してしまう。
そしてこのような微小クラックの存在は前記乱反射のみ
ならずその周囲に加工歪を発生せしめ、やはり前記エタ
ロン性能を低下させてしまう。
ならずその周囲に加工歪を発生せしめ、やはり前記エタ
ロン性能を低下させてしまう。
そこで本発明の第２の特徴として前記稜線部分２４をな
めらかなより具体的には鏡面状にＲ状の面取り加工を施
す事により前記マイクロクラック及びその周囲の加工歪
を除去する点にある。
めらかなより具体的には鏡面状にＲ状の面取り加工を施
す事により前記マイクロクラック及びその周囲の加工歪
を除去する点にある。
尚、この場合にエタロン板１０は均質性を有する事が前
提となる事は言うまでもなく、少なくとも前記特定光の
入出射方向と平行な方向に脈理が認められない高純度の
合成石英ガラス、より好ましくは三座標方向のいずれの
方向からも脈理が認められない高純度の合成石英ガラス
を用いるのがよい。
提となる事は言うまでもなく、少なくとも前記特定光の
入出射方向と平行な方向に脈理が認められない高純度の
合成石英ガラス、より好ましくは三座標方向のいずれの
方向からも脈理が認められない高純度の合成石英ガラス
を用いるのがよい。
「実施例」
以下、図面を参照して本発明の好適な実施例を例示的に
詳しく説明する。ただしこの実施例に記載されている構
成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは特に特
定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれのみに
限定する趣旨ではなく、単なる説明例に過ぎない。
詳しく説明する。ただしこの実施例に記載されている構
成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは特に特
定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれのみに
限定する趣旨ではなく、単なる説明例に過ぎない。
先ず三座標方向のいずれの方向からも脈理が認められず
、且つ低圧水銀ランプの照射により蛍光を実質的に発生
せず、更に少なくとも光が透過する区域において屈折率
差△ｎが小さく均質性を有する（略８Ｘ１０−６以下）
光学用石英ガラス部材として本出願人が開発し市販して
いる５ｕｐｒａｓｉ Ｉ−ＰＩＯ（商品名）を用い、該
ガラス部材をダイアモンドカッタにより５０φＸ １２
ｔに形成したエタロン板１０用の石英ガラス体を複数個
製作する。
、且つ低圧水銀ランプの照射により蛍光を実質的に発生
せず、更に少なくとも光が透過する区域において屈折率
差△ｎが小さく均質性を有する（略８Ｘ１０−６以下）
光学用石英ガラス部材として本出願人が開発し市販して
いる５ｕｐｒａｓｉ Ｉ−ＰＩＯ（商品名）を用い、該
ガラス部材をダイアモンドカッタにより５０φＸ １２
ｔに形成したエタロン板１０用の石英ガラス体を複数個
製作する。
次に前記石英ガラス体を２群に分け、−群のガラス体に
ついて、先ず稜線部分２４をダイヤ砥石により前記切削
加工時に発生したマイクロクラックが除去し得る程度の
研削代（最大研削代２５０ ｇｍ ）でＲ状に面取りを
行う。
ついて、先ず稜線部分２４をダイヤ砥石により前記切削
加工時に発生したマイクロクラックが除去し得る程度の
研削代（最大研削代２５０ ｇｍ ）でＲ状に面取りを
行う。
次に外周面２３と稜線部分２４を、前記面取り加工に用
いた砥石より細かい砥石を用いて１０〜３０ＪＬｍ程度
研削して表面の加工歪を除去した後、パフ研磨にて鏡面
仕上げを行いその表面粗さを２０〜３０Ａ程度に設定す
る。この結果第１図に示すような外周面２３Ｂと稜線部
分２４が形成出来る。
いた砥石より細かい砥石を用いて１０〜３０ＪＬｍ程度
研削して表面の加工歪を除去した後、パフ研磨にて鏡面
仕上げを行いその表面粗さを２０〜３０Ａ程度に設定す
る。この結果第１図に示すような外周面２３Ｂと稜線部
分２４が形成出来る。
次に外周面２３Ｂと稜線部分２４の鏡面加工を行ったガ
ラス体と行わないガラス体について夫々その端面２１．
２２を公知の平面研磨手段を利用して平面研磨を行い、
例えば平面度が入１５０〜入／１００（６３２，８ｍｍ
において）以上、その表面粗さを２０Å以上になるよう
に高平面度に加工する車により、第１図に示すエタロン
板１０（実施例）と、第２図に示すエタロン板１０Ａを
形成出来る。
ラス体と行わないガラス体について夫々その端面２１．
２２を公知の平面研磨手段を利用して平面研磨を行い、
例えば平面度が入１５０〜入／１００（６３２，８ｍｍ
において）以上、その表面粗さを２０Å以上になるよう
に高平面度に加工する車により、第１図に示すエタロン
板１０（実施例）と、第２図に示すエタロン板１０Ａを
形成出来る。
次に前記実施例と比較例に係る各エタロン板１０．１０
°の対向する端面２１，２２に夫々所定の反射膜１２Ａ
、１２Ｂをコーティングして反射率を８０％（２４８ｎ
ｍにて）に設定する。そして第１図及び第２図のエタロ
ン１を前記第４図に示す装置に組み込んだ後、前記発振
器３より２４８ｎ＋ｗ （ＫｒＦ ）の波長域のエキ
シマレーザ光についてパルス当たりエネルギー密度１０
（ｍＪ／ ｃ ｍ′ｅ ｐｕｌｓｅ）及び照射パルス数
２００ （ｐｕｌｓｅ／５ｅｅ）にて２４時間（約２Ｘ
１０７ ｐｕｌｓｅ）程度照射を行った。その結果、
比較例のものはその端面２１に僅かに凹み若しくはふく
らみが生じ又露光装置側に導かれる１ル レーザ光の選択波長にも振れが生じていた。実施例のも
のはこのような事がなく、安定して２４８．３±０．０
０２ｎｍの波長のレーザ光を得る車が出来た。
°の対向する端面２１，２２に夫々所定の反射膜１２Ａ
、１２Ｂをコーティングして反射率を８０％（２４８ｎ
ｍにて）に設定する。そして第１図及び第２図のエタロ
ン１を前記第４図に示す装置に組み込んだ後、前記発振
器３より２４８ｎ＋ｗ （ＫｒＦ ）の波長域のエキ
シマレーザ光についてパルス当たりエネルギー密度１０
（ｍＪ／ ｃ ｍ′ｅ ｐｕｌｓｅ）及び照射パルス数
２００ （ｐｕｌｓｅ／５ｅｅ）にて２４時間（約２Ｘ
１０７ ｐｕｌｓｅ）程度照射を行った。その結果、
比較例のものはその端面２１に僅かに凹み若しくはふく
らみが生じ又露光装置側に導かれる１ル レーザ光の選択波長にも振れが生じていた。実施例のも
のはこのような事がなく、安定して２４８．３±０．０
０２ｎｍの波長のレーザ光を得る車が出来た。
前記実施例のものについて更に４８時間同様なレーザ光
を照射した場合にも、同様に安定した絶対波長のレーザ
光を得る事が出来た。
を照射した場合にも、同様に安定した絶対波長のレーザ
光を得る事が出来た。
尚、５ｕｐｒａｓｉｌ−ＰＩＯ（商品名）に加えて本出
願人が開発し市販している三方向脈理のない５ｕｐｒａ
ｓｉｌ−Ｐ２Ｏ（商品名）についても前記と同様な方法
で実施例と比較例に係る各エタロン板１０を製作し、同
様な確認実験を行った所、はぼ同様な結果を得る車が出
来た。
願人が開発し市販している三方向脈理のない５ｕｐｒａ
ｓｉｌ−Ｐ２Ｏ（商品名）についても前記と同様な方法
で実施例と比較例に係る各エタロン板１０を製作し、同
様な確認実験を行った所、はぼ同様な結果を得る車が出
来た。
「発明の効果」
以上記載した如く本発明によれば、出力レーザ光の選択
波長域の変動を極力抑制し長時間使用にも安定して精度
よい波長を得る事の出来るエタロン板を提供する事が可
能となった。
波長域の変動を極力抑制し長時間使用にも安定して精度
よい波長を得る事の出来るエタロン板を提供する事が可
能となった。
第１図は本発明のエタロンの形状を示す正面２
図、第２図は従来のエタロンを示す正面図、第３図は第
２図のｍ−ｍ ’線断面図を示す。 第４図はエタロンが組込まれたエキシマレーザ装置を示
すブロック図である。 ｌＯ：エタロン板 ２１ 、２２：端面２３Ｂ＝外周面
２４：稜線部分
２図のｍ−ｍ ’線断面図を示す。 第４図はエタロンが組込まれたエキシマレーザ装置を示
すブロック図である。 ｌＯ：エタロン板 ２１ 、２２：端面２３Ｂ＝外周面
２４：稜線部分
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）略４００ｎｍ以下の特定光波長帯域で使用され、少
なくとも入出射面として機能する一対の端面を夫々高精
度に平面研磨した紫外光用エタロン板において、外周面
を前記特定光が透過可能な鏡面状に形成するとともに、
該外周面と端面間に挟まれる稜線部分をなめらかな曲面
状に面取り加工を施した事を特徴とする紫外光用エタロ
ン板 ２）前記外周面の表面粗さを少なくとも３０Å以下に設
定し、且つ稜線部分の面取り加工面が鏡面である請求項
１）記載の紫外光用エタロン板 ３）少なくとも前記特定光の入出射方向と平行な方向に
脈理が認められない高純度の合成石英ガラスを用いて形
成した請求項１）記載の紫外光用エタロン板
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1144228A JPH0311686A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 紫外光用エタロン板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1144228A JPH0311686A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 紫外光用エタロン板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0311686A true JPH0311686A (ja) | 1991-01-18 |
Family
ID=15357225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1144228A Pending JPH0311686A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 紫外光用エタロン板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0311686A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6268907B1 (en) | 1998-05-13 | 2001-07-31 | International Business Machines Corporation | Elimination of standing waves in photoresist |
| US6604621B1 (en) | 1998-12-11 | 2003-08-12 | Fujitec Co., Ltd. | Variable-speed moving sidewalk and method of designing it |
-
1989
- 1989-06-08 JP JP1144228A patent/JPH0311686A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6268907B1 (en) | 1998-05-13 | 2001-07-31 | International Business Machines Corporation | Elimination of standing waves in photoresist |
| US6604621B1 (en) | 1998-12-11 | 2003-08-12 | Fujitec Co., Ltd. | Variable-speed moving sidewalk and method of designing it |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3089955B2 (ja) | 光リソグラフィー用光学部材及び投影光学系 | |
| US4803694A (en) | Laser resonator | |
| US6181724B1 (en) | Narrow-band oscillation excimer laser and optics thereof | |
| US5381427A (en) | Single mode laser | |
| EP1041689A1 (en) | Excimer laser | |
| EP1088795A1 (en) | Synthetic quartz glass for optical member, process for producing the same, and method of using the same | |
| JPH0311686A (ja) | 紫外光用エタロン板 | |
| CA2043556A1 (en) | Narrow band excimer laser apparatus | |
| US20030210726A1 (en) | High Repetition Rate UV Excimer Laser | |
| JP3734105B2 (ja) | 半導体露光装置用の照明装置 | |
| JPH04349132A (ja) | 感光性ガラスの加工方法 | |
| EP1276000B1 (en) | Polarisation beam splitter and method of producing the same | |
| US20020122451A1 (en) | Barium fluoride high repetition rate UV excimer laser | |
| JPH1187825A (ja) | ガスレーザ発振装置 | |
| JPS63211779A (ja) | スラブ状レ−ザ−媒体及びその製造方法 | |
| JP2762188B2 (ja) | 紫外線レーザー用合成石英ガラス成形体の製造方法 | |
| USRE26617E (en) | Optical prism unit and manufacture thereof | |
| US7170920B2 (en) | Laser device | |
| US4550482A (en) | Method of constructing a beam spread lens | |
| JPH01223786A (ja) | レーザ発振器 | |
| EP4109687A1 (en) | Generation of high energy ultrashort laser pulse | |
| JP2889892B2 (ja) | 感光性ガラスの加工方法 | |
| EP1418447A1 (en) | Fluoride crystal lens element with minimized birefringence for VUV microlithography and optical blank therefor | |
| JPH05291674A (ja) | 狭帯域化光学素子 | |
| Slack et al. | XX. Optical activity and magneto-optical activity of crystalline nickel sulphate in the near ultra-violet |