JPH03116902A - バリスタの製造方法 - Google Patents

バリスタの製造方法

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JPH03116902A
JPH03116902A JP1255388A JP25538889A JPH03116902A JP H03116902 A JPH03116902 A JP H03116902A JP 1255388 A JP1255388 A JP 1255388A JP 25538889 A JP25538889 A JP 25538889A JP H03116902 A JPH03116902 A JP H03116902A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
varistor
zno
oxide
raw material
voltage
Prior art date
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Pending
Application number
JP1255388A
Other languages
English (en)
Inventor
Akiyoshi Nakayama
晃慶 中山
Kazuyoshi Nakamura
和敬 中村
Yasunobu Yoneda
康信 米田
Yukio Sakabe
行雄 坂部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication of JPH03116902A publication Critical patent/JPH03116902A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電圧非直線抵抗体として機能するバリスタの
製造方法に関し、特に、酸化亜鉛を主成分とし、副成分
として少なくともAl1t03が添加されてなるバリス
タの製造方法に関する。
〔従来の技術〕
バリスタは、サージ吸収素子または電圧安定化素子等に
広く用いられている。バリスタの電気的特性は、次の実
験式で表される。
1/ 4 = (V/V 4 )″ 上記の実験式において、■はバリスタ素子を流れる電流
を、■は印加電圧を、Viは電流値が1の場合の電圧を
示し、通常1mAの値を採り、バリスタ電圧vI□と表
現される。αは電圧非直線係数を示し、バリスタ素子を
電気回路に組み込んだ際に電圧制m機能の程度を示すも
のであり、このαが大きい程、電圧制御に優れている。
半導体素子の進歩に伴って、電子機器の駆動電圧が低電
圧化してきている。従って、半導体素子を保護するのに
用いられるバリスタについては、よりバリスタ電圧の低
いものが求められてきている。
酸化亜鉛(ZnO)を主体とするバリスタでは、バリス
タ電圧は、焼結体中のZnO粒子が厚み方向に並んだ数
に依存する。従って、バリスタ電圧を低下させるには、
ZnOの粒径を大きくすればよい。
しかしながら、ZnOの粒径を大きくした場合には、粒
径が小さい場合に比べて厚み方向に並ぶ粒子数が少なく
なる。従って、ZnOの粒径がばらつくと、バリスタ特
性も大きくばらつくことになる。
特開昭61−121301号には、ZnO粉末を主成分
として含み、副成分としてAI!、□03を5.0xl
O−’ 〜5.0xlO−3モル%程度含む原料を、成
形した後に、成形体を700〜1000℃の温度範囲で
熱処理し、しかる後焼結することにより、低電圧バリス
タを製造する方法が開示されている。この方法では、酸
化アルミニウムがZnOの粒径を大きくすることに寄与
するだけでなく、ZnO結晶粒子の低抵抗化を促進し、
それによってサージ耐量の向上にも寄与することが示さ
れている。
〔発明が解決しようとする技術的課題〕しかしながら、
上記した従来の製造方法では、酸化アルミニウム(Af
fix Oa )は1100pp以下というごく微量に
添加されるものである。従って、ZnO粉末中に均一に
分散させることが非常に難しい。
Al□0.が原料中において偏析した状態で焼結を行う
と、ZnO結晶粒子の径のばらつきが大きくなり、また
、中に謎異常成長するものも見られるようになる。この
ような場合、衝撃電圧が印加された場合等において、電
流はバリスタ素子全体に均一に流れず局所的に集中し、
素子の劣化あるいは破壊を生じがちとなる。
従って、本発明の目的は、Al2zOsをZnOに対し
て均一に分散させることが可能であり、それによってZ
nOの粒径のばらつきを低減することができ、高電流域
における電圧非直線性の改善並びにサージ耐量の大幅な
改善を可能とし得るバリスタの製造方法を提供すること
にある。
〔技術的課題を解決するための手段〕
本願発明者らは、AltosをZnO粉末中に均一に分
散させる方法について、種々の検討を行った結果、成形
に先立つ原料の仮焼・粉砕工程を見直すことが最善の道
であると考え、本願発明をなすに至った。
すなわち、本発明では、ZnOを主成分とじて含み、副
成分として少なくともA2□0.を含ム原料を仮焼・粉
砕した後に、成形し、焼成するバリスタの製造方法にお
いて、上記原料の仮焼・粉砕工程を複数回繰り返すこと
を特徴とする。
本発明において、副成分としてはAjl!、 O,ヲ用
いることが必須であるが、Aεz03以外の材料をさら
に添加してもよい0例えば、BizO*、Coo、Mn
0z 、Sb、O,、Ni01Cr!Ox 、T io
z 、Pbo、Snow 、MgO,VtO3等の適宜
の材料を副成分としてさらに添加してもよい。
AflzOsは、ZnOバリスタの製造に際し副成分と
して用いられる適宜の量添加される0通常は、1100
pp以下の極めて微量のAj!tChが原料中に添加さ
れる。
〔作用〕
少なくともA/!、O,を含む2れ0バリスタ用原料が
複数回仮焼・粉砕されるため、原料中に添加されたA2
□0.が、ZnO粉末中に均一に分散あるいは固溶され
る。従って、ZnOの粒径のばらつきが低減される。
〔発明の効果〕
本発明によれば、複数回の仮焼・粉砕により、All!
03がZnO粉末中に均一に分散・固溶され、ZnOの
粒径のばらつきが効果的に低減されるため、異常電流が
流れた際には、該電流はバリスタ素子全体に均一に流れ
ることになる。従って、本発明の製造方法により得られ
たバリスタでは、10−3〜10−”Aといった高電流
域における電圧非直線性が改善されるとともに、サージ
耐量を改善することが可能となり、素子の劣化や破壊を
効果的に防止することができる。
〔実施例の説明〕
以下、本発明の実施例につき説明する。なお、以下の実
施例は、積層型バリスタに適用したものであるが、単板
のバリスタ素体の両生面に電極を形成したディスク型バ
リスタ等の他の構造のZnOバリスタの製造にも本発明
を適用することができる。
まず、原料として、酸化亜鉛(ZnO)、酸化プラセオ
ジウム(P rb O++) 、酸化コバルト(C03
04) 、酸化カルシウム(CaO)、炭酸カリウム(
Kz COs )及び酸化クロム(Cr。
Ol)を、それぞれ、100モル%、0゜1モル%、0
.5モル%、0.1モル%、0.1モル%及び0.1モ
ル%の組成となるように秤量し、混合する。次に、上記
混合物に対し、酸化アルミニウムCAlx 03 )を
10ppm及びホウケイ酸亜鉛ガラスを1重量%添加し
、ボールミルにより24時間混合した後、乾燥し、原料
としての混合粉末を得た。
得られた混合粉末を、800°Cの温度で2時間仮焼し
、しかる後ボールミルで粉砕し乾燥した。
乾燥された混合粉末を、800″Cの温度で再度2時間
仮焼し、しかる後ボールミルで粉砕した後乾燥した。
次に、再度乾燥された混合粉末に、有機質バインダを混
合してペーストを作製し1、ドクターブレード法により
20〜60μm程度の厚みの均一なグリーンシートを形
成した。次に、得られたグリーンシートを、所定の矩形
の形状に切断し、多数の矩形バリスタ・グリーンシート
を作製した。
次に、白金(pt)c:=有機ビヒクルを混合してなる
電極ペーストを、内部電極を形成するために、上記のバ
リスタ・グリーンシート上にスクリーン印刷により印刷
した。
しかる後、上記印刷された電極ペーストの一端が積層体
の両端部に交互に露出するように、電極ペーストの印刷
された複数枚のバリスタ・グリーンシートを積層し、さ
らに、この積層体の上面及び下面に、ダミー層として、
電極ペーストが印刷されていないバリスタ・グリーンシ
ー14を積層し、厚み方向に圧着して積層体を得た。
圧着された積層体を空気中で1100〜1300°Cの
温度で加熱して焼成し、焼結体を得た。しかる後、内部
電極の引出されている焼結体の端面に、銀ペーストを塗
布し、600 ”Cの温度で焼付けて外部電極を形成し
て積層型バリスタを得た。゛上記のようにして得られた
本実施例の積層型バリスタにつき、バリスタ電圧V I
mA 、電圧非直線係数α1゜−371゜−2及びサー
ジ耐量を測定した。
比較のために、上述した仮焼・粉砕工程を一度だけ行う
ことにより製造した積層型バリスタを用意し、同様の測
定を行った。
仮焼温度及び仮焼・粉砕工程の回数々共に、上記測定結
果を第1表に示す。
なお、この積層型バリスタは、焼き上がりで内部電極の
面積が3 ran X 2 Imで厚みが40μmのバ
リスタ・グリーンシートを10層積層したものを含み、
積層型バリスタ全体の厚みは0.1mであり、平面形状
は3.2X2.5mmの矩形である。
(以下、余白) 第 表 第1表において、*が付されている試料は、仮焼・粉砕
工程を2度繰り返さない比較例であることを示している
第1表から明らかなように、実施例の製造方法により得
られた試料番号5〜8のバリスタでは、高電流域におけ
る非直線性が、比較例のバリスタ(試料番号1〜4)に
比べて優れていることがわかる。また、サージ耐量につ
いても実施例のバリスタでは800A以上と非常に優れ
ており、特に低電流域における電圧非直線性の劣化がほ
とんどなく、サージ吸収後の熱暴走の危険性を小さくし
得ることかわる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  酸化亜鉛を主成分とし、副成分として少なくともAl
    _2O_3を含む原料を仮焼・粉砕し、粉砕された原料
    を成形し、次に焼成する各工程を備えるバリスタの製造
    方法において、 前記原料の仮焼及び粉砕を複数回繰り返すことを特徴と
    するバリスタの製造方法。
JP1255388A 1989-09-29 1989-09-29 バリスタの製造方法 Pending JPH03116902A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100441863B1 (ko) * 2002-03-28 2004-07-27 주식회사 에이피케이 프라세오디뮴계 산화아연 바리스터 및 그 제조방법
US7300620B2 (en) 2002-07-25 2007-11-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for manufacturing varistor

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56158403A (en) * 1980-05-12 1981-12-07 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Method of manufacturing voltage nonlinear resistor

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