JPH0311744Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0311744Y2 JPH0311744Y2 JP1982038512U JP3851282U JPH0311744Y2 JP H0311744 Y2 JPH0311744 Y2 JP H0311744Y2 JP 1982038512 U JP1982038512 U JP 1982038512U JP 3851282 U JP3851282 U JP 3851282U JP H0311744 Y2 JPH0311744 Y2 JP H0311744Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- output
- circuit
- input
- comparator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はバツテリー電圧等の比較電圧の低下を
検出し、表示する電圧検出回路に関する。バツテ
リーを電源とする携帯用電子機器（例えばテープ
レコーダー、ポータブルVTR等）では、バツテ
リーの電圧が低下すると機器が誤動作したり、全
く動作しなくなる等の不都合が生ずる為、バツテ
リーの電圧を監視して機器の使用が不可能である
こと、又は使用は可能であるが電圧が低下してい
ることを警告する手段が必要である。
検出し、表示する電圧検出回路に関する。バツテ
リーを電源とする携帯用電子機器（例えばテープ
レコーダー、ポータブルVTR等）では、バツテ
リーの電圧が低下すると機器が誤動作したり、全
く動作しなくなる等の不都合が生ずる為、バツテ
リーの電圧を監視して機器の使用が不可能である
こと、又は使用は可能であるが電圧が低下してい
ることを警告する手段が必要である。
この為従来では第１図の如き回路が使用されて
いた。この回路は基本的に、バツテリーの電圧
（＋Ｂ）と基準電圧VSを比較する電圧比較回路１
とこの電圧比較回路１により動作を制御される自
走マルチバイブレータ２と発光ダイオードD2で
構成されている。電圧比較回路１の出力（電圧比
較器Cmの出力Ｃ）は、バツテリーの電圧（＋
Ｂ）に関連する電圧（比較電圧）が基準電圧VS
よりも低い場合のみハイレベルとなる。従つてバ
ツテリーの電圧がある値にまで低下すると、出力
Ｃがハイレベルとなり、トランジスタQ1がオン
し、自走マルチバイブレータ２へ電源が供給さ
れ、発光ダイオードD2が点滅する。尚、発光ダ
イオードD2は出力がロウレベルの場合すなわち
バツテリーの電圧が低下していない時には常時点
灯している。しかしながらこの回路は簡単な動作
にもかかわらず、構成が複雑で部品点数が多くコ
スト的に不利であるという欠点を否めない。
いた。この回路は基本的に、バツテリーの電圧
（＋Ｂ）と基準電圧VSを比較する電圧比較回路１
とこの電圧比較回路１により動作を制御される自
走マルチバイブレータ２と発光ダイオードD2で
構成されている。電圧比較回路１の出力（電圧比
較器Cmの出力Ｃ）は、バツテリーの電圧（＋
Ｂ）に関連する電圧（比較電圧）が基準電圧VS
よりも低い場合のみハイレベルとなる。従つてバ
ツテリーの電圧がある値にまで低下すると、出力
Ｃがハイレベルとなり、トランジスタQ1がオン
し、自走マルチバイブレータ２へ電源が供給さ
れ、発光ダイオードD2が点滅する。尚、発光ダ
イオードD2は出力がロウレベルの場合すなわち
バツテリーの電圧が低下していない時には常時点
灯している。しかしながらこの回路は簡単な動作
にもかかわらず、構成が複雑で部品点数が多くコ
スト的に不利であるという欠点を否めない。
本考案は上記の点に鑑みてなされたものであ
り、構成が簡単で部品点数の少ない電圧検出回路
を提案するものである。
り、構成が簡単で部品点数の少ない電圧検出回路
を提案するものである。
以下本考案の実施例を示す第２図に従い説明す
る。尚、本実施例では、発光ダイオードD2点灯
の為の電源、電圧比較器Cmの電源、基準電圧作
成の為の電源を、バツテリーでまかなつている
が、これらは別途設けても良い。電圧比較器Cm
の比較電圧入力Ａには抵抗R2，R3の分圧回路に
より、バツテリーの電圧に関連した電圧が印加さ
れる。基準電圧入力Ｂには、ツエナーダイオード
D1による基準電圧VSが抵抗R11を介して印加され
る。発光ダイオードD2はそのアノードが抵抗R9
を経てバツテリー（図示せず）と接続され、カソ
ードが電圧比較器Cmの出力Ｃに接続されてい
て、出力Ｃがロウレベルの時に点灯する。電圧比
較器Cmの出力Ｃと基準電圧入力Ｂ間には抵抗
R12が接続されている。従つて抵抗R11，R12によ
り、帰還回路が形成される。また、出力Ｃは抵抗
R13とコンデンサC1による積分回路３に接続さ
れ、積分回路３の出力電圧VC1はツエナーダイオ
ードD4を経て、トランジスタQ1のベースへ印加
されている。トランジスタQ1は、積分回路３の
出力VC1に応じてコレクタ−エミツタ間のインピ
ーダンスが変化する可変インピーダンス素子とし
て用いられており、エミツタが接地されコレクタ
は基準電圧入力Ｂへ接続されている。
る。尚、本実施例では、発光ダイオードD2点灯
の為の電源、電圧比較器Cmの電源、基準電圧作
成の為の電源を、バツテリーでまかなつている
が、これらは別途設けても良い。電圧比較器Cm
の比較電圧入力Ａには抵抗R2，R3の分圧回路に
より、バツテリーの電圧に関連した電圧が印加さ
れる。基準電圧入力Ｂには、ツエナーダイオード
D1による基準電圧VSが抵抗R11を介して印加され
る。発光ダイオードD2はそのアノードが抵抗R9
を経てバツテリー（図示せず）と接続され、カソ
ードが電圧比較器Cmの出力Ｃに接続されてい
て、出力Ｃがロウレベルの時に点灯する。電圧比
較器Cmの出力Ｃと基準電圧入力Ｂ間には抵抗
R12が接続されている。従つて抵抗R11，R12によ
り、帰還回路が形成される。また、出力Ｃは抵抗
R13とコンデンサC1による積分回路３に接続さ
れ、積分回路３の出力電圧VC1はツエナーダイオ
ードD4を経て、トランジスタQ1のベースへ印加
されている。トランジスタQ1は、積分回路３の
出力VC1に応じてコレクタ−エミツタ間のインピ
ーダンスが変化する可変インピーダンス素子とし
て用いられており、エミツタが接地されコレクタ
は基準電圧入力Ｂへ接続されている。
次に第２図の回路動作を第３図の波形図を参照
しつつ説明する。バツテリーの電圧が充分高い場
合には、比較電圧VR3は基準電圧VSより大きく
電圧比較器出力Ｃがローレベルとなり、発光ダイ
オードD2は常時点灯している。尚、基準電圧入
力Ｂの電圧VBは、抵抗R11，R12により帰還回路
が形成されている為に、比較器Cmの出力により
異なる。すなわち電圧比較器Cmにヒステリシス
特性があり、出力がローレベルの時VSL、ハイレ
ベルの時VSHとするとVSL＜VSHである。
しつつ説明する。バツテリーの電圧が充分高い場
合には、比較電圧VR3は基準電圧VSより大きく
電圧比較器出力Ｃがローレベルとなり、発光ダイ
オードD2は常時点灯している。尚、基準電圧入
力Ｂの電圧VBは、抵抗R11，R12により帰還回路
が形成されている為に、比較器Cmの出力により
異なる。すなわち電圧比較器Cmにヒステリシス
特性があり、出力がローレベルの時VSL、ハイレ
ベルの時VSHとするとVSL＜VSHである。
ここでバツテリーの電圧が低下してゆき、従つ
て入力Ａに印加される電圧VAも低下した結果比
較電圧＜基準電圧という状態になると、電圧比較
器Cmの出力Ｃはハイレベルとなり、発光ダイオ
ードが消える。出力Ｃがハイレベルとなつている
ので基準電圧入力には高い方の基準電圧VSHが印
加される。この時、電圧比較器Cmの出力電圧は
積分回路３により積分され、コンデンサーC1の
電圧VC1（積分回路３の出力）は上昇することに
なる。コンデンサーC1の電圧VC1が略ツエナーダ
イオードD4で決まる電圧よりも高くなると、ト
ランジスタQ1のベースに電流が流れ、エミツタ
−コレクタ内のインピーダンスが低下する。従つ
て基準電圧入力Ｂへ加わる電圧VBは第３図に示
す様に、積分回路３の出力電圧VC1の変化に応じ
て減少して行く。
て入力Ａに印加される電圧VAも低下した結果比
較電圧＜基準電圧という状態になると、電圧比較
器Cmの出力Ｃはハイレベルとなり、発光ダイオ
ードが消える。出力Ｃがハイレベルとなつている
ので基準電圧入力には高い方の基準電圧VSHが印
加される。この時、電圧比較器Cmの出力電圧は
積分回路３により積分され、コンデンサーC1の
電圧VC1（積分回路３の出力）は上昇することに
なる。コンデンサーC1の電圧VC1が略ツエナーダ
イオードD4で決まる電圧よりも高くなると、ト
ランジスタQ1のベースに電流が流れ、エミツタ
−コレクタ内のインピーダンスが低下する。従つ
て基準電圧入力Ｂへ加わる電圧VBは第３図に示
す様に、積分回路３の出力電圧VC1の変化に応じ
て減少して行く。
基準電圧入力Ｂへ印加される電圧VBの低下が
続き、比較電圧VAよりも低くなると、再び電圧
比較器Cmの出力Ｃがローレベルとなる。従つ
て、基準電圧入力Ｂへは、トランジスタQ1のコ
レクタ−エミツタ間に電流が流れている為に、電
圧VSLよりさらに低い電圧VSL′が加わることにな
る。（第３図参照）。同時に出力Ｃがローレベルと
なるのでコンデンサーC1の放電が始まり電圧VC1
は第３図の如く低下してゆく。これに対応して基
準電圧入力Ｂへ印加される電圧が上昇して、これ
が比較電圧より大となると、再び電圧比較器Cm
の出力Ｃが反転してハイレベルとなる。
続き、比較電圧VAよりも低くなると、再び電圧
比較器Cmの出力Ｃがローレベルとなる。従つ
て、基準電圧入力Ｂへは、トランジスタQ1のコ
レクタ−エミツタ間に電流が流れている為に、電
圧VSLよりさらに低い電圧VSL′が加わることにな
る。（第３図参照）。同時に出力Ｃがローレベルと
なるのでコンデンサーC1の放電が始まり電圧VC1
は第３図の如く低下してゆく。これに対応して基
準電圧入力Ｂへ印加される電圧が上昇して、これ
が比較電圧より大となると、再び電圧比較器Cm
の出力Ｃが反転してハイレベルとなる。
上記の様に、比較電圧が所定値より小さくなる
と比較器Cmの出力Ｃが第３図の如くハイレベ
ル、ローレベル間を振動し、発光ダイオードD2
が点滅する。従つてこの発振出力を電圧低下信号
として利用できる。発振周期は発振時のバツテリ
ー電圧、積分回路の充放電の時定数、ツエナーダ
イオードD4のツエナー電圧、電圧比較器Cmの帰
還抵抗R11，R12により略決定される。第２図の
回路で抵抗R11を10KΩ、R12を100KΩ、R13を
82KΩ、コンデンサーC1を10μF、ツエナーダイ
オードD4のツエナー電圧を6V、発振時のバツテ
リー電圧を10V程度とすると、発振周期はおよそ
１〜1.5秒となる。尚、第３図は発振が定常状態
となつた時の概略波形図である。
と比較器Cmの出力Ｃが第３図の如くハイレベ
ル、ローレベル間を振動し、発光ダイオードD2
が点滅する。従つてこの発振出力を電圧低下信号
として利用できる。発振周期は発振時のバツテリ
ー電圧、積分回路の充放電の時定数、ツエナーダ
イオードD4のツエナー電圧、電圧比較器Cmの帰
還抵抗R11，R12により略決定される。第２図の
回路で抵抗R11を10KΩ、R12を100KΩ、R13を
82KΩ、コンデンサーC1を10μF、ツエナーダイ
オードD4のツエナー電圧を6V、発振時のバツテ
リー電圧を10V程度とすると、発振周期はおよそ
１〜1.5秒となる。尚、第３図は発振が定常状態
となつた時の概略波形図である。
以上の様に本考案によればバツテリー等の電圧
が低下したことを検出し、発光ダイオードの点滅
により表示する電圧検出回路が、従来例に比し、
簡単な構成、少ない部品点数で実現でき有用であ
る。
が低下したことを検出し、発光ダイオードの点滅
により表示する電圧検出回路が、従来例に比し、
簡単な構成、少ない部品点数で実現でき有用であ
る。
第１図は従来の電圧検出回路の回路図、第２図
は本考案の一実施例を示す回路図であり、第３図
は第２図回路の動作説明の為の概略波形図であ
る。 主な図番の説明、Cm……電圧比較器、R11，
R12……抵抗（帰還回路）、Q1……トランジスタ
（可変インピーダンス素子）、D2…発光ダイオー
ド、R13，C1……抵抗及びコンデンサー（積分回
路）。
は本考案の一実施例を示す回路図であり、第３図
は第２図回路の動作説明の為の概略波形図であ
る。 主な図番の説明、Cm……電圧比較器、R11，
R12……抵抗（帰還回路）、Q1……トランジスタ
（可変インピーダンス素子）、D2…発光ダイオー
ド、R13，C1……抵抗及びコンデンサー（積分回
路）。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 基準電圧入力と比較電圧入力と出力を備え、基
準電圧が比較電圧より大のときに前記出力がハイ
レベルとなる電圧比較器と、 前記出力を前記基準電圧入力に電圧帰還する帰
還回路と、 前記出力に接続された表示手段と、 前記出力の電圧を積分する積分回路と、 該積分回路の出力電圧上昇に応じてインピーダ
ンスの低下する可変インピーダンス手段とであつ
て、前記基準電圧入力を側路する可変インピーダ
ンス素子とを備え、 前記比較入力には、監視されるバツテリーの電
圧が供給され、 前記比較器出力の振動を電圧低下信号として利
用する電圧検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3851282U JPS58140475U (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 電圧検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3851282U JPS58140475U (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 電圧検出回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58140475U JPS58140475U (ja) | 1983-09-21 |
| JPH0311744Y2 true JPH0311744Y2 (ja) | 1991-03-20 |
Family
ID=30049846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3851282U Granted JPS58140475U (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 電圧検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58140475U (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5124860A (ja) * | 1974-08-24 | 1976-02-28 | Nippon Denso Co | |
| JPS568334U (ja) * | 1979-06-29 | 1981-01-24 |
-
1982
- 1982-03-17 JP JP3851282U patent/JPS58140475U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58140475U (ja) | 1983-09-21 |
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