JPH0311756A - 半導体表面保護用樹脂組成物 - Google Patents
半導体表面保護用樹脂組成物Info
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- JPH0311756A JPH0311756A JP14548489A JP14548489A JPH0311756A JP H0311756 A JPH0311756 A JP H0311756A JP 14548489 A JP14548489 A JP 14548489A JP 14548489 A JP14548489 A JP 14548489A JP H0311756 A JPH0311756 A JP H0311756A
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野1
本発明は、半導体集積回路を封止する前の工程における
半導体表面保護膜形成に使用する樹脂組成物に関する。
半導体表面保護膜形成に使用する樹脂組成物に関する。
[従来の技術]
基板ヘボンディングされたトランジスターrc、LSI
等半導体素子(チップ)を水分、熱、温度、衝撃、その
他の外部的要因から、物理的、化学的に保護し、チップ
の特性劣化を防ぐため封止(パッケージング)が行われ
る。
等半導体素子(チップ)を水分、熱、温度、衝撃、その
他の外部的要因から、物理的、化学的に保護し、チップ
の特性劣化を防ぐため封止(パッケージング)が行われ
る。
封止方法には、大別して二つの方法がとられており、そ
の一つはセラミックス、金属で封止される気密封止であ
り、他の一つは主としてトランスファー成形による樹脂
封止である。
の一つはセラミックス、金属で封止される気密封止であ
り、他の一つは主としてトランスファー成形による樹脂
封止である。
最近は、生産性の高さと低コストのため樹脂封止が主流
となっている。
となっている。
一方、半導体素子の表面は雰囲気の湿度や不純物に非常
に敏感で、活性であるため半導体素子の表面をシリコン
酸化膜やシリコンナイトライド膜等の無機パッシベーシ
ョン膜で半導体表面の不活性化を図っている。
に敏感で、活性であるため半導体素子の表面をシリコン
酸化膜やシリコンナイトライド膜等の無機パッシベーシ
ョン膜で半導体表面の不活性化を図っている。
しかし、近年、半導体素子の集積度の向上とチップサイ
ズの大型化、そしてパッケージの小型化等の影響で、半
導体表面をさらに保護する膜形成の要求が高まってきた
。このため、有機材料であるポリイミド等で無機パッシ
ベーション膜の上にさらに保護する有機パッシベーショ
ン膜を形成し、信頼性を向上させる試みがなされている
。
ズの大型化、そしてパッケージの小型化等の影響で、半
導体表面をさらに保護する膜形成の要求が高まってきた
。このため、有機材料であるポリイミド等で無機パッシ
ベーション膜の上にさらに保護する有機パッシベーショ
ン膜を形成し、信頼性を向上させる試みがなされている
。
これらの工程の後、前述の封止材により、パッケージを
形成することが一般化してきている。
形成することが一般化してきている。
[発明が解決しようとする課題1
本発明は、上記の有機パブシベーション膜を形成する樹
脂組成物に関するものであるが、従来は特開昭58−2
18127に開示されている様に無機質充填材を含有し
ていないため、この場合、樹脂硬化時の収縮応力が問題
となり、下層の無機パッシベーション膜および、上層の
封止層との密着性や応力による素子へ悪影響を及ぼすこ
とがあった。
脂組成物に関するものであるが、従来は特開昭58−2
18127に開示されている様に無機質充填材を含有し
ていないため、この場合、樹脂硬化時の収縮応力が問題
となり、下層の無機パッシベーション膜および、上層の
封止層との密着性や応力による素子へ悪影響を及ぼすこ
とがあった。
とはいっても、特開昭50−10340に開示されてい
る様な従来の封止用樹脂組成物、すなわち粉砕石英ガラ
ス扮、ジルコン扮、アルミナ粉を含有する樹脂組成物を
使用した場合、半導体素子、無機パッシベーション膜の
表面に破砕粉末の角により傷をつけ、そこに応力が集中
し、クラックを発生させ、本来要求される高信頼性に反
するものになったりする。
る様な従来の封止用樹脂組成物、すなわち粉砕石英ガラ
ス扮、ジルコン扮、アルミナ粉を含有する樹脂組成物を
使用した場合、半導体素子、無機パッシベーション膜の
表面に破砕粉末の角により傷をつけ、そこに応力が集中
し、クラックを発生させ、本来要求される高信頼性に反
するものになったりする。
また、特開昭60−115641に開示されている溶融
シリカを含有したものや、特開昭62−87409や特
平昭1−126215に開示されている粒径が粗く、粒
度分布が広い合成シリカを含有する封止用樹脂組成物を
使用した場合、樹脂組成物のレオロジーをコントロール
することは不可能である。
シリカを含有したものや、特開昭62−87409や特
平昭1−126215に開示されている粒径が粗く、粒
度分布が広い合成シリカを含有する封止用樹脂組成物を
使用した場合、樹脂組成物のレオロジーをコントロール
することは不可能である。
これらの組成物の充填材を現在の分級技術により分級し
ても粒度分布を厳密に整えることはできず、樹脂組成物
の粘度、チクソ性の再現性を得ることはできない。
ても粒度分布を厳密に整えることはできず、樹脂組成物
の粘度、チクソ性の再現性を得ることはできない。
従来の充填材を含有していない有機パッシベーション膜
用樹脂組成物では、均一でしかも厚い膜の形成は困難で
、膜の周辺部のたれ、成膜上のピンホールの発生があり
、これらをなくすための膜形成時の粘度、チクソ性の限
定や制限、さらに硬化収縮時の応力発生のため膜厚とし
て、5〜1OJj Illが限界であり、それ以上の膜
厚を形成することは困難であった。
用樹脂組成物では、均一でしかも厚い膜の形成は困難で
、膜の周辺部のたれ、成膜上のピンホールの発生があり
、これらをなくすための膜形成時の粘度、チクソ性の限
定や制限、さらに硬化収縮時の応力発生のため膜厚とし
て、5〜1OJj Illが限界であり、それ以上の膜
厚を形成することは困難であった。
[課題を解決するための手段1
本発明者は、上記の問題点を解決すべく、有機パッシベ
ーション膜を形成する樹脂組成物を検討した結果1粒径
0.01−10μmの高純度球状シリカ微粒子と樹脂と
からなる半導体表面保護膜用樹脂組成物を見出した。
ーション膜を形成する樹脂組成物を検討した結果1粒径
0.01−10μmの高純度球状シリカ微粒子と樹脂と
からなる半導体表面保護膜用樹脂組成物を見出した。
本発明の樹脂組成物内に入れ使用される高純度球状シリ
カは次の様なゾルゲル法にて造られる。
カは次の様なゾルゲル法にて造られる。
すなわち、
Si (OR1,又はfR013Si[QSifOR’
)zl、、05tfOR”13(R,R’、R” :ア
ルキル基、n = 0.1. 、l!+++−1で表わ
されるアルキルシリケート、特にアルキルシリケートの
反応性、工業規模での人手の容易さ等からアルキル基の
炭素数は1〜3のアルキルシリケー ト、すなわちメチ
ルシリケート、エチルシリケート、プロピルシリケート
等を有機溶剤に溶解させた後、それを温度一定条件下に
て撹拌しながら、アンモニア水、アンモニウム塩、有機
アミン類等を触媒にして加水分解し、ゾル状態を経てゲ
ル体が形成されるものである。この際、アルキルシリケ
ートを溶解させる有機溶剤はアルキルシリケートを溶解
するものであれば良(、脂肪族炭化水素および芳香族炭
化水素のほとんどの化合物が使用できる。そのうちでも
更に好ましくは、水と任意の混合割合でも溶解し合う有
機溶剤で炭素数1〜5のアルキルアルコールおよびケト
ン類で、メタノール、エタノール、プロパツール等のア
ルコールおよびアセトン等である。
)zl、、05tfOR”13(R,R’、R” :ア
ルキル基、n = 0.1. 、l!+++−1で表わ
されるアルキルシリケート、特にアルキルシリケートの
反応性、工業規模での人手の容易さ等からアルキル基の
炭素数は1〜3のアルキルシリケー ト、すなわちメチ
ルシリケート、エチルシリケート、プロピルシリケート
等を有機溶剤に溶解させた後、それを温度一定条件下に
て撹拌しながら、アンモニア水、アンモニウム塩、有機
アミン類等を触媒にして加水分解し、ゾル状態を経てゲ
ル体が形成されるものである。この際、アルキルシリケ
ートを溶解させる有機溶剤はアルキルシリケートを溶解
するものであれば良(、脂肪族炭化水素および芳香族炭
化水素のほとんどの化合物が使用できる。そのうちでも
更に好ましくは、水と任意の混合割合でも溶解し合う有
機溶剤で炭素数1〜5のアルキルアルコールおよびケト
ン類で、メタノール、エタノール、プロパツール等のア
ルコールおよびアセトン等である。
アルキルシリケートに対するアンモニア水の添加混合割
合は、目的の球状シリカ粒子の大きさ、あるいはその他
の加水分解条件によって変わりつるが、単分散性の良好
な球状シリカ粒子が得られるのは、アルキルシリケート
に対し、アンモニア水に含まれる水が加水分解に必要な
化学量論の等量以上混合される様にする。
合は、目的の球状シリカ粒子の大きさ、あるいはその他
の加水分解条件によって変わりつるが、単分散性の良好
な球状シリカ粒子が得られるのは、アルキルシリケート
に対し、アンモニア水に含まれる水が加水分解に必要な
化学量論の等量以上混合される様にする。
この様にゾルゲル法にて造られる高純度球状シリカは、
粒子径が揃っているのが特徴で、粒子径の変動係数(G
/ d so) X 100は20%以下で、いわ
ゆる単分散性の優れた球状シリカである。
粒子径が揃っているのが特徴で、粒子径の変動係数(G
/ d so) X 100は20%以下で、いわ
ゆる単分散性の優れた球状シリカである。
また、加水分解条件により、粒度分布を持つ球状シリカ
も造れるが、この様な多分散の球状シリカも本発明には
使用することができる。しかし。
も造れるが、この様な多分散の球状シリカも本発明には
使用することができる。しかし。
単分散性の優れた球状シリカの方が樹脂に含有された組
成物の粘度やチクソ性を再現よく調整することがより容
易にできるため、有機パッシベーション膜用の樹脂組成
物に含有されて充填材の粒度分布を持たす場合、いくつ
かの粒径の単分散球状シリカを混合して、その結果とし
て粒度分布を持たす方がよい。
成物の粘度やチクソ性を再現よく調整することがより容
易にできるため、有機パッシベーション膜用の樹脂組成
物に含有されて充填材の粒度分布を持たす場合、いくつ
かの粒径の単分散球状シリカを混合して、その結果とし
て粒度分布を持たす方がよい。
アルキルシリケートの加水分解後のゲル体の高純度球状
シリカを分離、乾燥し、本発明の樹脂組成物の充填材と
して供してもよいし、シリカ表面の水または水酸基を軽
減するために、500〜1400℃程度で加熱処理した
ものを充填材として使用してもよい。また、充填材の使
用状況により、有機シラン系等の表面処理を施して充填
材として使用してもよい。
シリカを分離、乾燥し、本発明の樹脂組成物の充填材と
して供してもよいし、シリカ表面の水または水酸基を軽
減するために、500〜1400℃程度で加熱処理した
ものを充填材として使用してもよい。また、充填材の使
用状況により、有機シラン系等の表面処理を施して充填
材として使用してもよい。
この様にして造られたゲル状態、および仮焼後の球状シ
リカは、真球度が高く、そのため、その粒子の大きさが
微細であるにもかかわらず、各粒子は一次粒子状態で存
在し、凝集状態をほとんど呈さないで単独粒として安定
に樹脂内に均一に良好に分散する。
リカは、真球度が高く、そのため、その粒子の大きさが
微細であるにもかかわらず、各粒子は一次粒子状態で存
在し、凝集状態をほとんど呈さないで単独粒として安定
に樹脂内に均一に良好に分散する。
そして、有機パッシベーション膜用の樹脂組成物の粘性
や流動性に関係する粘度やチクソ性の制御が容易となり
、半導体の表面保護に良好な結果をもたらす。
や流動性に関係する粘度やチクソ性の制御が容易となり
、半導体の表面保護に良好な結果をもたらす。
また、市販のアルキルシリケートを原料として使用する
か、さらに純化することにより、ソフトエラーの原因と
なるα線発生源であるウラン、トリウムの含有量をそれ
ぞれ十分に0.1ppb以下を確保できるとともに、N
a等のアルカリ金属の含有量も1 ppm以下にするこ
とが可能であり、半導体表面保護用の樹脂組成物の充填
材として良材料である。
か、さらに純化することにより、ソフトエラーの原因と
なるα線発生源であるウラン、トリウムの含有量をそれ
ぞれ十分に0.1ppb以下を確保できるとともに、N
a等のアルカリ金属の含有量も1 ppm以下にするこ
とが可能であり、半導体表面保護用の樹脂組成物の充填
材として良材料である。
次に本発明に用いられる樹脂としては、高純度で耐熱性
、耐湿性及び接着性に優れた樹脂が好ましく、エポキシ
樹脂、ポリイミド樹脂、ポリイミド変性エポキシ樹脂あ
るいはシリコーン樹脂が用いられるが特にこれらに限定
するものではない。
、耐湿性及び接着性に優れた樹脂が好ましく、エポキシ
樹脂、ポリイミド樹脂、ポリイミド変性エポキシ樹脂あ
るいはシリコーン樹脂が用いられるが特にこれらに限定
するものではない。
また、これらの樹脂に感光性を持たせ、例えば感光性ポ
リイミド樹脂を用いてもよい。
リイミド樹脂を用いてもよい。
本発明の有機パッシベーション膜用樹脂組成物は、ボン
ディングされたICチップおよびウェハー状の半導体表
面に使用する。
ディングされたICチップおよびウェハー状の半導体表
面に使用する。
チップの場合にはT A B (Tape Autor
aatedBonding)でボンディングされたチッ
プの表面には印刷法により、またTAB若しくはワイヤ
ーボンディングされたチップの表面にはボッティング法
により有機保護膜を形成する。
aatedBonding)でボンディングされたチッ
プの表面には印刷法により、またTAB若しくはワイヤ
ーボンディングされたチップの表面にはボッティング法
により有機保護膜を形成する。
また、ウェハーの場合には、印刷法若しくはスピンコー
ド法によって膜形成を行なう。
ド法によって膜形成を行なう。
印刷法による場合は、球状シリカの含有量をlO〜70
vo1%とし、粘度を1万〜30万CPにした樹脂組
成物を使用し、乾燥硬化後の膜厚は10〜100μmの
範囲であることが好ましい。
vo1%とし、粘度を1万〜30万CPにした樹脂組
成物を使用し、乾燥硬化後の膜厚は10〜100μmの
範囲であることが好ましい。
次に、ボッティング法による場合は、球状シリカの含有
量を3〜20 vo1%とし、粘度を1千〜数万CPに
した樹脂組成物を使用し、乾燥硬化後の膜厚は数百LL
11程度にすることが好ましい。また、スピンコード法
の場合には、球状シリカの含有量を10 vo1%以下
で、粘度を百〜数千6Pにした樹脂組成物を使用し、乾
燥硬化後の膜厚は1〜10μm程度にすることが好まし
い。
量を3〜20 vo1%とし、粘度を1千〜数万CPに
した樹脂組成物を使用し、乾燥硬化後の膜厚は数百LL
11程度にすることが好ましい。また、スピンコード法
の場合には、球状シリカの含有量を10 vo1%以下
で、粘度を百〜数千6Pにした樹脂組成物を使用し、乾
燥硬化後の膜厚は1〜10μm程度にすることが好まし
い。
これらの成膜方法で球状シリカの含有量の範囲は異なる
が上記の数値未満の場合には、有機パッシベーション膜
の所定の膜厚を得ることは困難となり、また、含有量範
囲の上限の数値を越えると成膜時の作業性に困難をきた
す。
が上記の数値未満の場合には、有機パッシベーション膜
の所定の膜厚を得ることは困難となり、また、含有量範
囲の上限の数値を越えると成膜時の作業性に困難をきた
す。
本発明の有機パッシベーション膜用樹脂組成物に含有さ
れる高純度球状シリカ微粒子の粒径は0.0l−1oμ
Iの範囲で最大径lOμlのものが使用され、さらに望
ましい粒径としては0.O1〜5μIの範囲で最大径5
μ■でなければならない。
れる高純度球状シリカ微粒子の粒径は0.0l−1oμ
Iの範囲で最大径lOμlのものが使用され、さらに望
ましい粒径としては0.O1〜5μIの範囲で最大径5
μ■でなければならない。
0.01um未満の粒径の球状シリカでは、樹脂混合状
態での分散性が劣り、樹脂組成物の粘度やチクソ性の再
現性の良好な調整は困難である。
態での分散性が劣り、樹脂組成物の粘度やチクソ性の再
現性の良好な調整は困難である。
また、粒径が10μmを越えるとスピンコード法には適
した膜厚からして使用することができず、印刷法による
場合にも、レオロジーのコントロールが困難となり、成
膜された膜の解像度を使用に耐える性能にするためにも
、球状シリカの粒径は10μmを越えてはならず、より
望ましい粒径としては5μ■以下である。
した膜厚からして使用することができず、印刷法による
場合にも、レオロジーのコントロールが困難となり、成
膜された膜の解像度を使用に耐える性能にするためにも
、球状シリカの粒径は10μmを越えてはならず、より
望ましい粒径としては5μ■以下である。
球状シリカ微粒子と樹脂との混合の方法としては、撹拌
機、ディスパーザ−によるほか、ボールミル法がある。
機、ディスパーザ−によるほか、ボールミル法がある。
本発明の樹脂組成物は、印刷法による封止にも使用する
ことができるものである。
ことができるものである。
次に、本発明に使用する球状シリカの分散性が優れてい
ることについて、不規則形状シリカと比較して述べる。
ることについて、不規則形状シリカと比較して述べる。
特願昭63−329975の実施例1に開示された高純
度球状シリカは、SEMによる粒度測定の結果、平均粒
子径d so” 0.55g m 、単分散性a1=1
+(a / d so) = 1.04であるが、これ
を水に0.002豐t%の濃度で分散させ、それをマイ
クロトラック粒度測定器により分散性を調べた結果、d
、o:1.32μs 、 dso=3.13μmおよ
びd*o=7.89μmであった。
度球状シリカは、SEMによる粒度測定の結果、平均粒
子径d so” 0.55g m 、単分散性a1=1
+(a / d so) = 1.04であるが、これ
を水に0.002豐t%の濃度で分散させ、それをマイ
クロトラック粒度測定器により分散性を調べた結果、d
、o:1.32μs 、 dso=3.13μmおよ
びd*o=7.89μmであった。
この球状シリカに対し、同程度の粒度で形状が球状でな
く、不規則な形状のシリカを下記の様に造り分散性を比
較した。不規則形状シリカの造り方としては、35.1
gのエチルシリケート40をアセトン50 m2と
25Orpmにて撹拌し、均一混合した。15℃にてこ
の混合液に28%アンモニア水152.7gを投入し加
水分解を行なった。反応時間は1時間とし、得られたス
ラリーを遠心分離処理し、80℃にて24時間乾燥し、
不規則形状のシリカ微粉末を得た。この微粉末のSEX
による粒度測定の結果、平均粒子径d so= 0.3
0u Illであった。これを実施例1と同様に水に濃
度口、 002wt%で分散され、マイクロトラック粒
度測定器にて分散性を調べた結果、d +o=2.88
gm 、 dso=7.07u m %d 9G= 1
6.11μraであった。
く、不規則な形状のシリカを下記の様に造り分散性を比
較した。不規則形状シリカの造り方としては、35.1
gのエチルシリケート40をアセトン50 m2と
25Orpmにて撹拌し、均一混合した。15℃にてこ
の混合液に28%アンモニア水152.7gを投入し加
水分解を行なった。反応時間は1時間とし、得られたス
ラリーを遠心分離処理し、80℃にて24時間乾燥し、
不規則形状のシリカ微粉末を得た。この微粉末のSEX
による粒度測定の結果、平均粒子径d so= 0.3
0u Illであった。これを実施例1と同様に水に濃
度口、 002wt%で分散され、マイクロトラック粒
度測定器にて分散性を調べた結果、d +o=2.88
gm 、 dso=7.07u m %d 9G= 1
6.11μraであった。
前述の球状シリカの結果と比較して一次粒子径としては
粒度が粗い球状シリカの方が、分散性としては数段優れ
ていることがわかる。このことは、樹脂中でも球状シリ
カの方が分散性が優れていることを物語っている。
粒度が粗い球状シリカの方が、分散性としては数段優れ
ていることがわかる。このことは、樹脂中でも球状シリ
カの方が分散性が優れていることを物語っている。
E実施例〕
以下、本発明を実施例にて詳しく説明する。
実施例1〜2、比較例1〜2
d so” 0−55u re 、 a x = 1.
04の球状シリカA(前述) 、d5o=2.02um
、 ax =L16の球状シワ力Bおよび前述のd5
゜=Q、304zn+の不規則形状シリカ並びにd、。
04の球状シリカA(前述) 、d5o=2.02um
、 ax =L16の球状シワ力Bおよび前述のd5
゜=Q、304zn+の不規則形状シリカ並びにd、。
=3.0μmの溶融シリカの粉砕、分級品の4種類につ
きそれぞれ65wt%の充填材濃度になる様に 表・l 型の分子量2.2万のポリアミド酸のN−メチル−2ピ
ロリドン溶液(樹脂:溶剤= 9 : 30)に配合し
た。
きそれぞれ65wt%の充填材濃度になる様に 表・l 型の分子量2.2万のポリアミド酸のN−メチル−2ピ
ロリドン溶液(樹脂:溶剤= 9 : 30)に配合し
た。
この4種の樹脂組成物につき、流動性をチッソ性をもっ
て評価した。
て評価した。
チッソ性の測定法は、回転粘度計にて0.5rpmと1
.Orp■の時の粘度を測定しその値の比をもってチッ
ソ性とした。
.Orp■の時の粘度を測定しその値の比をもってチッ
ソ性とした。
チッソ性の測定結果を表・lに示す。
このチッソ性は膜形成時における膜の断面形状および解
像度に関係し、このチッソ性の値が大きい程、膜の端部
が流れにくく、均一な厚さの膜を得ることが容易となる
。
像度に関係し、このチッソ性の値が大きい程、膜の端部
が流れにくく、均一な厚さの膜を得ることが容易となる
。
(以下余白)
実施例3、比較例3
実施例Iに示した基本構造をもつポリアミド酸のN−メ
チル−2−ピロリドン溶液(t#4脂:溶剤=9:30
)に対し、平均粒径が同じ球状シリカ粉末および不規則
形状シリカ粉末の各3Lotにつき混合比率を3水準変
えたときの樹脂組成物の粘度のバラツキを図・lに示す
。
チル−2−ピロリドン溶液(t#4脂:溶剤=9:30
)に対し、平均粒径が同じ球状シリカ粉末および不規則
形状シリカ粉末の各3Lotにつき混合比率を3水準変
えたときの樹脂組成物の粘度のバラツキを図・lに示す
。
球状シリカ粉末は平均粒径d So= 0.55μl、
単分散性a x = 1.04の特性を有する3 Lo
t及び不規則形状シリカ粉末は平均粒径d6゜=0.3
0LLmの3Lotを樹脂溶液に配合した。
単分散性a x = 1.04の特性を有する3 Lo
t及び不規則形状シリカ粉末は平均粒径d6゜=0.3
0LLmの3Lotを樹脂溶液に配合した。
図・lかられかる様に粉末特性として同じLot品であ
っても球状シリカの方が粘度のバラツキが少なく、シリ
カ粉末含有量の1%の差も再現性よく粘度の差として表
われ、有機パッシベーション膜用の樹脂組成物の粘度の
調整が容易であることがわかる。
っても球状シリカの方が粘度のバラツキが少なく、シリ
カ粉末含有量の1%の差も再現性よく粘度の差として表
われ、有機パッシベーション膜用の樹脂組成物の粘度の
調整が容易であることがわかる。
粘度の再現性がよいことは樹脂組成物のレオロジーの管
理上優位な点の一つであるとともに、所定の樹脂組成物
の粘度を得るために、球状シリカ粉末の含有量、粒径に
よって任意に再現性よく、樹脂組成物としての配合を設
定できることになる。
理上優位な点の一つであるとともに、所定の樹脂組成物
の粘度を得るために、球状シリカ粉末の含有量、粒径に
よって任意に再現性よく、樹脂組成物としての配合を設
定できることになる。
実施例4
実施例3に示したポリアミド酸の溶液に対し、平均粒径
1.3μm 、 a、 =1.05の球状シリカを含有
1163wt%になる様に配合した。この混合液の粘度
は192,0OOCPで、チクソ性はlゴであった。
1.3μm 、 a、 =1.05の球状シリカを含有
1163wt%になる様に配合した。この混合液の粘度
は192,0OOCPで、チクソ性はlゴであった。
スクリーンマスクの開口率70%、スクリーン厚さ 1
20μ眉にて膜厚70μmになる様にSiウェハー上に
スクリーン印刷した。
20μ眉にて膜厚70μmになる様にSiウェハー上に
スクリーン印刷した。
膜形成後、遠赤外オーブンにて、 120℃で30分間
乾燥し、300℃で1時間焼成を行ない硬化した。
乾燥し、300℃で1時間焼成を行ない硬化した。
その膜のSiウェハーに対し断面としてなす角は50°
であり、スクリーン印刷法での膜形状としては驚異的な
値で印刷膜のたれが少ないことを示す。
であり、スクリーン印刷法での膜形状としては驚異的な
値で印刷膜のたれが少ないことを示す。
また、膜の表面粗さは±7μmであった。
更に印刷による解像度を調べた結果、50μm幅のファ
インラインの印刷ができた。
インラインの印刷ができた。
[発明の効果]
本発明の半導体表面保護用樹脂組成物により従来得られ
なかった厚い膜厚で残留応力のない有機パッシベーショ
ン膜を再現性よく得られるものである。
なかった厚い膜厚で残留応力のない有機パッシベーショ
ン膜を再現性よく得られるものである。
図・1は、平均粒径が同じ球状シリカ粉末および不規則
形状シリカ粉末の各3 Lotにつき、混合比率を3水
準変えたときの樹脂組成物の粘度のバラツキを示す。
形状シリカ粉末の各3 Lotにつき、混合比率を3水
準変えたときの樹脂組成物の粘度のバラツキを示す。
Claims (1)
- 粒径0.01〜10μmの高純度球状シリカ微粒子と樹
脂とからなる半導体表面保護用樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14548489A JPH0311756A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 半導体表面保護用樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14548489A JPH0311756A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 半導体表面保護用樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0311756A true JPH0311756A (ja) | 1991-01-21 |
Family
ID=15386328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14548489A Pending JPH0311756A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 半導体表面保護用樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0311756A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001057374A (ja) * | 1999-07-06 | 2001-02-27 | Motorola Inc | 応力補償組成および応力補償組成を利用して形成された半導体部品 |
| JP2020004896A (ja) * | 2018-06-29 | 2020-01-09 | 株式会社コバヤシ | 半導体製造用離型フィルム |
-
1989
- 1989-06-09 JP JP14548489A patent/JPH0311756A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001057374A (ja) * | 1999-07-06 | 2001-02-27 | Motorola Inc | 応力補償組成および応力補償組成を利用して形成された半導体部品 |
| JP2020004896A (ja) * | 2018-06-29 | 2020-01-09 | 株式会社コバヤシ | 半導体製造用離型フィルム |
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