JPH03118546A - フォトレジスト処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体装置を製造するとき、所望の膜または
基板表面のパターニングを行うホトリソグラフィー工程
において用いられるフォトレジスト処理装置に関する。

〔従来の技術］ 半導体装置の製造工程においては、半導体ウェハ表面を
所定のパターンにエツチングするのに、フォトレジスト
を被エツチング面上に塗布し、該フォトレジスト膜をフ
ォトリソグラフィー技術により露光、現像してパターニ
ングした後、このフォトレジスト膜をマスクとして被エ
ツチング面を所定のパターンにエツチングする。

従来のポジ型フォトレジストの現像装置は、現像部と、
その下流側に設けられ、フォトレジストの耐ドライエツ
チ耐性を向上させるためのボストベーク部を有する。な
お、フォトレジストのｍｌ・１ドライエツチ耐性を向上
させ、高温ベークによるフォトレジストのダレを防止し
、寸法精度を安定させるために、紫外線照射を行うＵＶ
キュア部を設けたものもある。

なお、この種の装置については、工業調査会発行、電子
材料・別冊、超Ｔ、、　Ｓ　１製造・試験ガイドブック
、１９８９年版、８９〜９４頁に記載されている。

［発明が解決しようとする課題］ 従来は、フォトリソグラフィー工程およびエッて配慮さ
れていなかった。すなわち、フォトレジストを剥離する
には、プラズマを用いたアッシャ−あるいは専用の剥離
液を用いた工程が必要であり、装置が大型化するという
問題があった。また、これらの工程を経ると被加工物に
ダメージが生じ易い問題があった。

本発明の目的は、フォトレジストの剥離を容易に行うこ
とができ、またフォトレジストの剥離による被加工物の
ダメージを低減できるフォトレジスト処理装置を提供す
ることにある。

また、本発明の別の目的は、フォトレジストの塗布・露
光・現像、被加工物のエツチング、フォトレジストの剥
離まで一貫して行うことのできる小型で安価なフォトレ
ジスト−員処理装置を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 上記の課題を解決するために、本発明のフォトレジスト
処理装置は、ポジ型フォトレジストのパターン用現像部
の下流側に、上記ポジ型フォトレジストの剥離用露光部
を設けたことを特徴とする。

また、上記ポジ型フォトレジストの塗布部、露光部、現
像部、被加工物のエツチング部を一体的に備えたことを
特徴とする。

〔作用〕

本発明のフォトレジスト処理装置では、ポジ型フォトレ
ジストを露光・現像によりパターニングした後、フォト
レジストをさらに露光するので、その後現像部において
現像することによりポジ型フォトレジストが容易に剥離
される。また、現像によりフォトレジストを剥離するの
で、被加工物にダメージが生じにくい。

また、ポジ型フォトレジストの塗布部、露光部、現像部
、被加工物のエツチング部を一体的に設けることにより
、フォトレジストの塗布から被加工物のエツチング、フ
ォトレジストの剥離まで一貫して行うことのできる小型
で安価なフォトレジスト−員処理装置を提供できる。

〔実施例〕

第１図は、本発明の第１の実施例のフォトレジスト処理
装置の構成を示す概略上面図である。

１はセンダ、２は塗布部、３はプリベーク部、４は露光
部、５は第１現像部（フォトレジストパターニング部）
、６は全面露光部（剥離用露光部）、７は第１ボストベ
ーグ部、８はエツチング部、９は第２現像部（フォトレ
ジスト剥離部）、１０は第２ポストベーク部、１１はレ
シーバである。

センダｌから出た被加工物（半導体ウェハ）は、塗布部
２でポジ型フォトレジストが塗布され、プリベーク部３
でフォトレジストがプリベークされ、露光部４でマスク
を用いてフォトレジストが所定のパターンに感光される
。次に、被加工物は第１現像部５に搬送され、フォトレ
ジストがパターニングされる。次に、全面露光部６でマ
スクを用いないでフォトレジストがすべて感光される。

次に、第１ボストベーク部７でフォトレジストの耐ドラ
イエッチ耐性を向上させるためにポストベークされる。

次に、エツチング部８でパターニングされたフォトレジ
ストをマスクとして被加工物がエツチングされる。次に
、第２現像部９と第２ボストベーク１０によりフォトレ
ジストが剥離され、レシーバ１１に入る。

第２図は、全面露光部６を示す概略側面図である。１２
は露光機、１３は被加工物、１４は被加工物の加熱手段
であるベークプレートである。第１現像部５を出た被加
工物１３は、ベークプレートＩ４上に固定され、露光機
１２により感光される。

本実施例のフォトレジスト処理装置では、ポジ型フォト
レジストを露光部４および第１現像部５により露光・現
像してパターニングした後、全面露光部６によりフォト
レジストをさらに全面露光するので、その後第２現像部
９において現像することによりポジ型フォトレジストが
容易に剥離できる。また、現像によりフォトレジストを
剥離するので、被加工物にダメージが生じにくい。

また、本実施例の装置では、ポジ型フォトレジストの塗
布部、露光部、現像部、被加工物のエツチング部が一体
的に設けられているので、フォトレジストの塗布から被
加工物のエツチング、フォトレジストの剥離まで一貫し
て行うことができ、生産性が向上する。また、この装置
は、プラズマを用いたアッシャ−あるいは専用の剥離液
を用いず、大型の装置を必要としないので、装置が小型
で省スペース、安価である。

さらに、第２図に示すように、露光中の被加工物１３を
加熱、昇温するベークプレート１４を有するので、フォ
トレジストの感光に要する時間を短縮できる。

第３図は、本発明の第２の実施例のフォトレジスト処理
装置の構成を示す概略上面図である。

１５はローダ、１６は塗布部、１７はプリベーク部、１
８はバッファ、１９は露光部、２０は第１　ＪＪＪ像部
（フォトレジストパターニング部）、２１は全面露光部
（剥離用露光部）、２２は第１ポストベーク部、２３は
エツチング部、２４は第２現像部（フォトレジスト剥離
部）、２５は第２ボストベーク部、２６はアンローダで
ある。

ローダ１５にセットされた被加工物（半導体ウェハ）は
、塗布部１６でポジ型フォトレジストが塗布され、プリ
ベーク部１７でフォトレジストがプリベークされ、バッ
ファ１８を通って露光部１９でフォトレジストが所定の
パタｊンに感光される。次に、被加工物は第１現像部２
０に搬送され、フォトレジストがパターニングされる。

次に、全面露光部２１でフォトレジストがすべて感光さ
れる６次に、第１ボストベーク部２２でフォトレジスト
がポストベークされる。次に、エツチング部２３でパタ
ーニングされたフォトレジストをマスクとして被加工物
がエツチングされる。次に、第２現像部２４と第２ボス
トベーク２５によりフォトレジストが剥離され、アンロ
ーダ２６にセットされる。

本実施例の装置も第１の実施例の装置と同様の効果を有
する。

以上、本発明の実施例を具体的に説明したが、本発明は
上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱
しない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明のフォトレジスト処理装置
では、現像によりフォトレジストを剥離するので、被加
工物にダメージを与えずにフォトレジストを容易に除去
でき、かつ装置を小型化することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の第１の実施例のフォトレジスト処理
装置の構成を示す概略上面図、第２図は、第１図の全面
露光部を示す概略側面図、第３図は、本発明の第２の実
施例のフォトレジスト処理装置の構成を示す概略上面図
である。 ｌ・・・センダ ２・・・塗布部 ３・・・プリベーク部 ４・・・露光部 ５・・・第１　ｔｌ像部（フォトレジストパターニング
部） ６・・・全面露光部（剥離用露光部） ７・・・第１ボストベーク部 ８・・・エツチング部 ９・・・第２現像部（フォトレジスト剥離部）０・・・
第２ポストベーク部 ｌ・二・レシーバ ２・・・露光機 ３・・・被加工物 ４・・・ベークプレート ５・・・ローダ ６・・・塗布部 ７・・・プリベーク部 ８・・・バッファ ９・・・露光部 ０・・・第１現像部（フォトレジストパターニング部） ｌ・・・全面露光部（剥離用露光部） ２・・・第１ボストベーク部 ３・・・エツチング部 ４・・・第２現像部（フォトレジスト剥離部）５・・・
第２ボストベーク部 ６・・・アンローダ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ポジ型フォトレジストのパターニング用現像部の下
   流側に、上記ポジ型フォトレジストの剥離用露光部を設
   けたことを特徴とするフォトレジスト処理装置。 ２、上記ポジ型フォトレジストの塗布部、露光部、現像
   部、被加工物のエッチング部を備えたことを特徴とする
   請求項１記載のフォトレジスト処理装置。