JPH03120376A

JPH03120376A - 電気鋼用酸化マグネシウム被膜及び被覆方法

Info

Publication number: JPH03120376A
Application number: JP2235992A
Authority: JP
Inventors: Wade S Wright; ウェイド・エス・ライト; Robin A Murphy; ロビン・エイ・マーフィー
Original assignee: Armco Inc
Current assignee: Armco Inc
Priority date: 1989-09-08
Filing date: 1990-09-07
Publication date: 1991-05-22
Anticipated expiration: 2012-12-08
Also published as: EP0416420A3; DE69015060D1; JP2686455B2; KR910006518A; EP0416420B1; KR0173781B1; EP0416420A2; CA2024226A1; BR9004444A; DE69015060T2; CA2024226C

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】発明の背景本発明は良好な絶縁性を与え且つ仕上げ高温焼鈍中に方
向性電気鋼に焼鈍セパレーターとして作用する被覆組成
物に関する。マグネシアは冷間圧延後の電気鋼の高温焼
鈍用のセパレーターとして広く使用されている。被膜は
通常脱炭後に塗布され、仕上げ高温焼鈍中にガラス被膜
を形成する。

従来技術の記載主として酸化マグネシウム及び水酸化マグネシラムより
なるマグネシア被膜がコイルラップの焼着を予防するた
めに高温焼鈍中電気鋼上にセパレーター被膜として広く
使用されている。ガラス被膜は鋼表面とマグネシアの間
の反応から形成される。マグネシア波膜は所定の物理的
特性を所持しなければならず、丈な、電気鋼の磁気特性
を全体的に向上しなければならない、これらの特性を全
て提供するために、従来から当業者は基本的なマグネシ
ア組成物の変成を広く行ってきた。

酸化マグネシウムは水が存在すると短期間に水酸化マグ
ネシウムへ水和できる。水和の程度はマグネシアスラリ
ーの粘度及び被膜を塗布するための操作の制御に大きく
影響する。被膜中の水の量はガラス被膜形成に悪影響を
及ぼす、水和を制御するために、従来から当業者はマグ
ネシア粒子の寸法と分布とを変化させてきた。マグネシ
ア粒子の寸法と分布の変化はマグネシア製造のための焼
成温度を調節することにより行ってきた。この研究は米
国特許下４，１６８，１８９号明細書［ハセルコーン（
ｌｌａｓｅｌｋｏｒｎ）］に記載されている。

ガラス被膜の形成を向上するために多くの研究がマグネ
シアの添加剤について行われてきた。薄い絶縁性ガラス
被膜は脱炭後の珪素鋼の表面上の酸化物被膜とマグネシ
アの間の昇温下での反応を必要とする。種々のシリカ及
びシリケート化合物を添加して前記反応を向上させてい
る。チタン、クロム及びマンガンの酸化物を添加して粘
着性及びガラス被膜を向上させている。燐酸塩添加剤は
被膜中で結合剤として作用し且つ吸湿性を向上すること
が教示されている０種々の被膜添加剤を使用して高温焼
鈍中に製造されるガラス被膜の外観、厚さ、耐酸化性及
び他の特性を改善されている。

また、マグネシアの組成を調節することにより珪素鋼の
磁気特性を向上させるための多くの研究が行われている
。マグネシアは大気相互作用及び結晶寸法制御に関する
表面反応に大きな影響を及ぼす、米国特許下３，６２７
，５９４号明細書では二酸化チタン及び酸化マンガンを
添加している。米国特許下３，６７６．２２７号明細書
ではマグネシアへ硼素化合物を添加している。

過去に、塩化物類が他の化合物と併用してマグネシアへ
添加されていた。米１１ｉ１特許第４，５４３，１３４
号明細害ではＳｂ、Ｓｒ、ＴｉまたはＺｒの塩化物をＳ
　ｂ　２（Ｓ　Ｏ４）３のようなアンチモン化合物と共
に添加して鋼帯表面をシールし且つ大気と母材金属との
反応を防止している。塩化物類を使用して鋼帯表面上に
形成されるシリカを増加し且つＦｅＯ含量を低減させる
。マグネシアのシール機能は抑制剤元素の除去及び吸着
を防止するアンチモン化合物によるものである。被膜中
の塩素レベルは０．００２５〜０．４％の範囲である。

米国特許下３，８４１，９２５号明細書ではマグネシア
へ塩素寄与剤とメタ珪酸ナトリウムを添加して水和に対
する抵抗力を与え且つ無気孔絶縁性被膜を形成する。こ
れらの添加剤の臨界的なバランスは水和を遅延し且つ被
膜により長い滞留時間を提供する塩化ナトリウムと珪酸
マグネシウムをマグネシア中に生ずることになる。マグ
ネシアはマグネシアの重量を基準として通常的０，２２
〜３．４％の高レベルの塩素を含有する。

米国特許下４，２８７，００６号明細書の第１図には、
マグネシアの水和を制御するために１３００℃以上の焼
成温度を必要とすることにより塩素を除去する重要性を
明確に示すものである。米国特許下４．２８７，００６
号明細書の第７欄第２７行には塩化マグネシウムや硫酸
マグネシウムがガラス被膜の形成を阻害するために塩化
マグネシウムやｖｉ酸マグネシウムが焼鈍セパレーター
に含まれてはならないことが記載されている。

米国特許下３，９５６，０２９号明＃ｌＩ書には、塩素
が母材金属を侵食し且つ粗い表面を生ずる腐食性ガスを
形成するために、塩素はマグネシア被膜中に０．０４％
以下でなければならないことが記載されている。不規則
な被膜厚が生ずると、弱いガラス被膜を生ずることにな
り、結果としてピーリングの問題が生ずる。

米国特許下３，９４１，６２３号明Ｍ書は、仕上げ高温
焼鈍中に酸化マグネシウムを水和しないで残っで−いる
水分の制御方法を教示している。この特許は水分を消費
させ且つ露点を低下させるために焼鈍中に酸化物へ転化
される金属窒化物を使用するものである。これはｆＩ４
Ｉ４酸化物域少し、且つ改善されたガラス被膜と（１１
０）［００１］方向への結晶成長制御を提供する。

１１００℃と１３００℃の間の温度での仕上げ焼鈍中に
電気謳を処理する際に焼鈍セパレーターとして使用され
る酸化マグネシウムは多くの方法により変成されている
。水和制御、ガラス被膜−金属表面反応、表面での不純
物除去及びガラス被膜と母材金属中の優れた磁気特性の
問題は部分的に改善されたのに過ぎない、また、過去に
おける、マグネシアへの添加は他の添加剤との相互作用
のために非常に複雑であった。

本発明は危険な作業環境を生ずることなく且つ安価に使
用できる焼鈍セパレーターに使用されるマグネシア添加
剤を提供することにある。マグネシア成分との相互作用
は余り複雑ではなく、高品質ガラス被膜及び磁気特性に
対する優れた改善の所望の利点を更に提供するものであ
る。添加剤を臨界的限度内で注意深く制御して所望の組
み合わせの特性を提供する。

発明の概要本発明は金属塩化物（Ｍｇ、Ｎａ、Ｋ及びＣａから選択
された金属塩化物）をマグネシアへ添加すれば、メタ珪
酸ナトリウムまたは硫酸アンチモンを併用しなくても改
善された方向性及び磁気品質を提供できるとの知見に基
づくものである。前記塩化物添加から由来する０、０１
〜０．２％の範囲内の塩素レベルは先行技術マグネシア
に匹敵する優れたガラス被膜品質及び磁気特性向上をア
ンチモンの環境的問題なしに得られることを見出した。

本発明の塩化物の添加はガラス被膜形成温度を低下し、
低温で表面をシールする。塩素と反応する他の添加剤を
必要とせずに塩化物を使用する被膜の気孔度の制御は塩
化物を用いる先行技術では予想できないものである。塩
化物の添加は拡散及び表面相互作用を制限することによ
り最終的な結晶の配向性及び結晶寸法の改善された制御
を提供する。また、塩素の供給源を提供するためのＭｇ
、Ｃａ、Ｎａ及び／またはＫの使用はガラス被膜の品質
及び電気鋼鋼帯の磁気特性に臨界的なものである。マグ
ネシア中の塩素の合計量は添加される金属塩化物の量を
最適化するように考慮しなければならないことに注意す
ることが重要である。マグネシア製品は元来若干量塩素
を含有することがありうるから、この塩素も金属塩化物
の添加と組み合わせて調節される。

また、本発明のマグネシアは水性サスベンジョ４ンを安
定化し且つガラス被膜の品質及び電気鋼鋼帯の磁気特性
を改善するために二酸化チタンを添加してもよい。また
、硼素、クロム、シリカ及び燐酸カルシウム添加剤は本
発明の被膜組成物の任意成分である。また、本発明のマ
グネシアは普通の結晶配向または高透磁性結晶配向につ
いての利点を！＆辿化するために変成することができる
。

また、本発明は仕上げ高温焼鈍前に粘着性絶縁性被膜で
珪素含有電気鋼帯鋼を被膜する方法を提供することにあ
る。マグネシアの水性スラリーを脱炭済鋼帯へ従来通り
塗布し、加熱して水を除去し、被膜を乾燥し、約１００
０℃以上で焼鈍してガラス被膜を形成し且つ所望の磁気
特性を発現させる。

発明の詳細な記載本発明の焼鈍用セパレーターは水性スラリーの慣用の処
理により塗布することができるように制御されたレベル
の水和状心にあるマグネシアである。マグネシアスラリ
ー中のマグネシアはある程度の水和水をもつから、この
ことは高温焼鈍中に水和水を除去することが必要となる
。乾燥後に水が残存すると最終ガラス被膜に気孔を生ず
る。制御された水和状態を有するマグネシアスラリーを
提供するために、主要量の粒子は２００以下、好ましく
は１００以下のクエン酸活性（ＣＡＡ）をもつものでな
ければならない。ＣＡＡは所定量のヒドロキシルイオン
が所定重量のクエン酸を中和するために必要とする時間
により決定されるマグネシアの活性の尺度である。試験
方法は米国特許筒３．８４１，９２５号明細書の第４欄
第２２〜４６行に詳細に記載されている。また、本発明
のマグネシアは２００より上、通常的５００〜５０００
のＣＡＡをもつ不活性マグネシアを約４５％まで含んで
いてもよい。不活性マグネシアは比較的ゆっくり水和す
るために水和を制御する傾向にあり、また、安価である
。有効に使用することができる不活性マグネシアの量は
ガラス被膜の品質及び被膜の気孔度の制御に関（系する
。

本発明のマグネシアは方向性電気鋼における良好なガラ
ス被膜形成性及び改善された磁気特性を提供するために
０．０１〜０．２０重量％の臨界範囲内の塩素添加を必
要とする。必要とする塩素レベルはマグネシア製品によ
り部分的に提供でき、少なくとも０．０１％の金属塩化
物と併用される。

存在する塩素の合計量は０．０１〜０．２０％の範囲内
に制御しなければならない。

Ｍ８、Ｎａ、Ｋ及びＣａよりなる群から選択された金ぶ
化合物中の塩素はマグネシアに最初に存在する塩素のレ
ベルに依存してＭｇＯの重量を基準として０．０１〜０
．２ＣＩＪ！％の量でマグネシアへ添加される。塩化物
として使用される金属顕は安全面、コスト及びガラス被
膜にいかなる悪影響を及ぼすことなしに改善された磁気
特性を提供するように選択され、単独で使用しても、２
種以上を併用してもよい０本発明のマグネシアは主要量
の粒子が２００以下のクエン酸活性をもつ、また、マグ
ネシアは２００以上、通常５００〜５０００のクエン酸
活性をもつ不活性マグネシア粒子を約４５％まで含有し
ていてもよい。

本発明のマグネシア被膜は仕上げ高温焼鈍前に電気鋼の
冷間圧延済鋼帯へ塗布される。電気鋼鋼帯は通常４％ま
での珪素、０．０８％までの炭素及びＡｌＮ、ＭｎＳ、
ＭｎＳｅ、ＢＮ他のような既知の結晶成長抑制剤を含有
する方向性珪素鋼である。

高透磁性珪素鋼は通常７９６　Ａ　／　ｍで約１８８０
以上の透磁率を所持するものとみなされ、約０．０１〜
０．０６５％のアルミニウムを添加する結果として窒化
アルミニウム抑制剤系を含有する。

米国特許筒３，６７６．２２７号明細書はこの技術の代
表的なものである。鋼帯の脱炭処理は約０．００３％以
下の炭素レベル及び仕上げ高温焼鈍中にマグネシアと反
応してフォルステライトのガラス被膜を形成する表面酸
化物を生ずる。脱炭処理中に形成される酸化物被膜は基
本的には鉄カンラン石及びＳ　ｉ　Ｏ２であり、若干の
酸１ヒ鉄が存在する。

本発明の塩化物添加は表面反応を変成し、従って塩化物
の添加レベルは注意深く制御しなければならない、０．
２０％より多い合計塩素レベルは許容できる品質では高
過ぎるレベルの鉄を含むガラス被膜を形成する。過剰レ
ベルの塩素は表面の鉄＆−１により貧弱な耐酸化性及び
表面抵抗率を生ずる。また、ガラス被膜とけ材金戊の間
の界面は高レベルの塩素のために粗くなりすぎる。塩素
は約０，１５％以下のレベル、より好ましくは約０．１
２％以下のレベルで添加することが好ましい、電気鋼に
磁気特性の向上を付与するために、０．０１％の最低レ
ベルの塩素が存在しなければならない０本発明において
、金属塩化物として添加される好Ｎ最最小量塩素は約０
．０１５％（より好ましくは０．０２％）であり、ガラ
ス被膜の改善及び母材金属の磁気特性の間の最適なバラ
ンスを提供する。

本発明において、塩化物は焼鈍中に表面をシールする作
用をして結晶成長抑制剤を制御する。これは２次結晶成
長の安定性に主要な役割を演する。

米国特許筒３，８４１，９２５号明細書のようなマグネ
シアへの従来の塩化物の添加においては、無気孔被膜の
形成は塩化物と化学量論的に釣り合ったメタ珪酸ナトリ
ウムのような化合物との反応によって提供されていた。

該反応は気孔のない被膜を形成し且つ水和を制御する珪
酸マグネシウムと塩化ナトリウムを生じた。本発明の範
囲内の塩化マグネシウムを用いた例は被膜には不適当で
あることが示されていた（粘度が低く、スラリーが薄過
ぎ、過度の気孔が生ずる）、この特許において行われた
研究は塩化マグネシウムと反応する化学量論量より少な
い量の珪酸ナトリウムが絶縁特性が不足し且つ多孔質で
ある被膜を生ずることを明確に示すものである０本発明
は臨界的な低レベルの塩素は珪酸ナトリウムの添加を必
要としないことを見出した。

興味ある他の従来の研究は米国特許第４．５４３，１３４号明ａｔ書におけるＳｂ、Ｓ（Ｔｉ
またはＺ「の塩化物と硫酸アンチモンの添加であった。

塩素は０．００２５〜０．４％の量で選択された。

０．０５％以下の硫酸アンチモンを用いる場合には、こ
の特許では磁気特性が向上しない旨教示されている０本
発明は、この特許に教示された硫酸アンチモンを必要と
せずに同様の改善を提供することにある。また、本発明
は塩素の添加するために前記特許の塩化物とは異なる金
属を使用するものである。

慣用の手段により本発明のマグネシアを塗布するために
、マグネシアの水和を制御して作業可能な範囲で且つ手
頃な範囲の操作を提供するに十分安定な範囲の粘度をも
つスラリーを提供しなければならない、これはマグネシ
アスラリーの温度、マグネシアの粒子寸法及び種々の添
加剤の使用を制御することにより得られる。

マグネシアの温度は凍結する温度以上で約２５℃（７５
°Ｆ）以下、好適には約０〜７℃（３２〜４５°Ｆ）に
制御される。これはガラス被膜の品質や珪素鋼の磁気特
性に悪影響を及ぼす水相制御のための付加的な添加剤の
必要性を削除する。スラリーの温度範囲を維持するため
に、マグネシアは冷却用コイルを備える断熱性容器中に
保持される。

マグネシアは冷水と混合されるが、長期間にわたり貯蔵
してはならない。マグネシアのこの冷却状態での保持に
より、スラリーは被膜の厚さまたはガラス被膜の均一性
に影響を及ぼすほど顕著に水和することはない、マグネ
シアの温度と、水和が被膜の塗布に悪影響を及ぼすよう
になるまでのスラリーの貯蔵寿命との関係は普通の関係
である。

温度か高ければ、より素早くスラリーを使用しなければ
ならない。

高透磁性珪素鋼用のマグネシアの粒子寸法及びクエン酸
はガラス被膜の品質に重要な役割を演する０粒子の主要
量は２００以下、好ましくは１００以下のＣＡＡをもつ
、マグネシアは２００より上、通常５００〜５０００の
ＣＡＡをもつ不活性マグネシアを約４５％まで含むこと
ができる。

普通の方向性珪素鋼にはより大きな粒子寸法のマグネシ
アを使用することができ、より不活性なマグネシアを含
有することができる。大気との相互反応及び鋼上での表
面反応を調節する乾燥したマグネシア被膜の嵩密度すな
わち充填係数は粒子寸法分布及びＣＡＡに依存する。ま
た、水和の程度は乾燥中にマグネシア粒子に影響を及ぼ
す、水和水の量は粒子が大きくなる程減少する０粒子が
粗過ぎると、スラリーが沈降する傾向にあり、仕上げ焼
鈍中にシリカとの反応を受けなくなる。過度の水和のな
めに被膜が多孔質になるのを回避し且つ浸漬、吹付また
は計量ロールにより水性スラリーとして塗布することが
できるマグネシアであるためには、上記の変数を全て制
御しなければならない０本発明のマグネシア被膜は上述
の条件下で良好なガラス被膜を生じ、且つ従来の被膜に
必要な硫酸塩及び珪酸塩添加の必要性を削除することが
できる。

塩化物の添加は従来技術では扱われなかった他の重要な
ｒｆｉＭをもつ、磁区ｍ細化のためにレーザーけがき処
理が高透磁性方向性珪素鋼について必要となってきたこ
とである０表面被膜の性質はガラス被膜を通過するレー
ザーからのエネルギーのＩ及び磁区微細化中にガラス被
膜に生ずる損傷量に顕著な影響を及ぼす９本発明の塩化
物添加により開発された本発明のガラス被膜を制御して
表面損傷なしにレーザー処理できるガラス被膜を提供す
る。米国特許筒４，４５６，８１２号明細書に教示され
ているようなレーザー処理はガラス被膜へ損傷なしに磁
区微細化するために極めて有益であることが見出された
。

本発明の化合物を使用する塩素添加を行ったマグネシア
から製造されたガラス被膜の特性を評価するために、一
連の実験を行った。ＡｌＮ抑制剤系を含有する高透磁性
珪素鋼の冷間圧延鋼帯に種々の量のＭｇＣｌ２を含有す
るマグネシアを被覆した。結果を米国特許筒４，５４３
，１３４号明４Ｉｓに記載するような硫酸アンチモンを
添加したマグネシアと比較し、第１表に示す、該鋼帯は
厚さ０．２３＋１転幅７６ｍａ＋及び長さ３０５ＩＩ１
１であった。結果は５％のＴ　ｉ　Ｏ２を含むタテホ（
Ｔａｔｅｈｏ）＾１１２０マグネシアで被覆した１０個
のサンプルの平均である。

サンプルは４℃露点をもつ２５％窒素−７５％水素雰囲
気中１２００℃まで加熱した。サンプルを１００％Ｈ、
中で１５時間にわたり１２００℃で均熱処理し、仕上げ
焼鈍が完了した後、サンプルをけがき処理し、応力除去
焼鈍を行った。使用するマグネシアは０．０２重量％の
塩素レベルのも策−よ−嚢なし　　　　　　　　０．０２　　　　０．３９７　　
０．５８６　　１９２５Ｓｂ２（ＳＱ、）、＋ＳｂＣム
　　０．０３５　　　０．３９２　　０．５４９　　１
９３８Ｓｂｚ（ＳＯＪｚ÷５ｂＣ１，０，０６５０，３
８９０，５３１１９３９Ｓｂｚ（ＳＯ＜）ｚ＋５ｂｃ１
＊　　　０．０９５　　　０゜３９６　　０．５６１　
　１９３１なし　　　　　　　０．０２　　　　０．３
９７　　０．５６６　　１９２５ＨｇＣＴｏ　　　　　
　　　Ｏ，０３５０，３９２０，５４８１９２７ＨｇＣ
Ｔｏ　　　　　　　Ｏ，０６５０，３９８０，５４７１
９４０ＨｇＣ１ｘ　　　　　　　　Ｏ，０９５０，３９
３０，５３３１９４１マグネシアへの２種の添加剤の間
の磁気特性の比較は約０．０１５〜０．０７５％の塩素
を添加した塩化マグネシウムの添加が約０．０３〜０．
１０％の合計塩素範囲内で同様量の塩化物添加と共に硫
酸アンチモンを添加したものと同様かまたはより良好な
磁気特性を生ずることを示す、０．２０％までの塩素レ
ベルは０．１０％レベルまでの傾向に基づいて本発明の
塩化マグネシウム添加によるより良好な磁気特性を生ず
ることを明確に示唆するものである。塩素レベルが高い
ほど、塩化アンチモン添加剤より塩化マグネシウムが好
適である。

また、実験の一部として、他のサンプルで、ガラス被膜
の二次被膜密着性、耐酸化性及びフランクリン抵抗の測
定における比較評価を使用してガラス被膜品質を評価し
た。

北じしＬガラス被膜の物理的性質０．０１１　　　良好　　　　　　普通　　　　　　　
　０．５０６０．０３１　　非常に良好　　非常に良好
　　　　　　０．５８７０．０６１　　　普通　　　　
非常に良好　　　　　　０．６６５０．１１１　　　悪
い　　　　　　良好　　　　　　　　０．７５５塩化物
添加剤は全てＭ　ｇ　Ｃ１２であり、ＭｇＯは０．０１
１％の０１を含有する。

被膜の重量は全て０．２３ＬＬ１ｍの高透磁性珪素鋼側
回当たり約６．４ｇ／論２である。

合計塩素の好適レベルは約０．０１５〜０．１５％であ
ることが測定された。塩素のより好適なレベルは磁気特
性の向上と良好な物理特性をもつガラス被膜の良好なバ
ランスを提供する約０．０１５〜０．１２％である。Ｒ
適合計塩素レベルは０．０２〜０．１０％であることが
明らかである。

また、得られたガラス被膜は被膜損傷なしにレーザーけ
がき処理が可能でなければならない、米国特許筒４，４
５６，８１２号明Ｋ１書記載のレーザーけがき処理は本
発明のガラス被膜により改善された磁区微細化を行い且
つ被膜損傷を回避する１本発明のマグネシア組成物はレ
ーザー処理に対して改善された光学特性を提供する。Ｍ
ｇ、Ｃａ、ＫまたはＮａの群から選択される金属を単独
で、または併用することができるが、Ｍ、またはＮａの
使用が好適である。ＴｉＯ２を添加する場合には、マグ
ネシアは１５重量％まで、好適には約５〜１０重量％の
Ｔ　ｉ　Ｏｔを含有することができる。また、１０ｆｆ
ｉ量％までの量でコロイドシリカを添加することができ
る。高透磁性方向性珪素鋼について、シリカのレベルは
約３〜７％が好適であり、硼素は約０．０５〜０．１５
％が好適である。また、クロムを適宜１５重量％まで添
加することができる。クロムを添加する場合には、好適
なレベルは約２．５〜５％に制限される。

また、本発明のマグネシアは普通の方向性電気鋼用の絶
縁性被膜として使用することもできる。

これらのマグネシアはわずかに変化させることができ、
約２０％までの燐酸塩添加剤好ましくは４〜１５％の範
囲内のｆｌＪ酸カルシウム添加剤、１５％まで、好まし
くは２〜１０％のクロム添加剤、１０％まで、好ましく
は約３〜７％のシリカ及び０．１５％まで、好ましくは
最高０．１０％の硼素を含有することができる。

マグネシアから形成されるガラス被膜は被膜表面上に塗
布される絶縁性被膜をもつことができ、二次被膜は良好
な密着性を有する。

本発明の金属塩化物の添加は米国特許箱３．９４１，６
２２号明細書に特許請求されるような珪酸塩溶液との沈
澱反応を必要としない、マグネシア−シリカ錯化合物は
本発明においては塗布されない、以下の第３表はマグネ
シウム、カルシウム及びナトリウムについての本発明の
範囲内の金属塩化物添加の影響を示すものである。透磁
性及び鉄損は第３表に記載のレベルの塩化物の添加によ
りよ著に改善される。また、マグネシウムやナトリウム
についてのより好適なレベルへカルシウムを増加しても
、付加的な利点は何ら提供されず、事実、特性の僅かな
劣化が生ずることもある。カリウムについてのデータは
記載しなかったが、カリウムはナトリウムと同様な利点
を得るために必要なレベルでナトリウムと同様に挙動す
るものと思われる。ナトリウムとカリウムは金属界面を
平滑にする傾向にある。マグネシウムはこの点に関して
より中立的な傾向にある。カルシウムはガラス被膜の密
着性を改善することは明らかである。本発明の金属塩化
物添加剤は全て鋼帯表面を粗くする塩素レベルを提供す
る。上述のように、塩素はガラス被膜形成温度を低下す
る。マグネシアは第３表の第１行目の例に記載のように
もともと０．０１１％のような固有レベルの塩素をもつ
ことに留意することが重要である。この塩素レベルは系
において反応する塩素の合計レベルに寄与するものとし
て考慮しなければならない、ｏ、ｏｉ％の塩素を提供す
る最低金属塩化物の添加はマグネシアの塩素含量に拘わ
らず堅持しなければならない、好適なより高い塩素含量
の一部はマグネシアからの塩素を包含し、金属塩化物を
併用する。

なし　　０．０１１　　０．９０１　１．２５８　１．
９１４　０．８３５ＭｇＣ１ｚ　　Ｏ，０４１０，８８
１１，２３１１，９２５０，８０２ＭｇＣ１ｚ　　Ｏ，
０７１０，８７２１，２１８１，９２７０，７９３Ｎａ
Ｃ１Ｏ，０４１０，８７４１，２２５１，９２３０，８
０ＯＮａＣ１Ｏ，０７１０，８７４１，２０３１，９３
２０，７８６ＣａＣ１’ｚ　　Ｏ，０４１０，８８１１
，２３１１，９２３０，８０２Ｃａ（Ｊ、　　０．０７
１　　０．８９４　１．２４２　１．９２７　０．８０
４応力除去焼鈍は８２９℃（１５２５°Ｆ）で、９５％
Ｎ２−５％Ｈ２中で行った。

１．１４１ｉ、ｏｓｔ１．０フ０１．０８４１．０４８１．０８４１．０７９２時間ガラス被膜及び磁気特性を改善するために必要な金属塩
化物のレベルは選択する金属に依存して僅かに変化する
ことが判る。塩化カルシウムによる塩素の好適な最高レ
ベルは塩化マグネシウム、塩化ナトリウムまたは塩化カ
リウム添加剤による塩素レベルよりも低いことが判る。

この差異の理由は完全には理解できないが、改善された
特性は約０．０１５〜０．０７％の好適なカルシウム添
加により生ずる１本発明の他の金属塩化物添加による好
適なレベルは約０．０１５〜０．１０％である。

これらの添加レベルを調節してマグネシア中に存在する
塩素レベルを補うことができる。

本発明を特定の実施態様を参照することにより説明した
が、本発明の範囲を逸脱せずに多くの改変を行うことが
できる。従属する特許請求の範囲の記載は本発明の精神
及び範囲内にあるような同等の改変を全て網羅すること
を意図するものである。

Claims

【特許請求の範囲】

１．仕上げ高温焼鈍前に冷間圧延方向性珪素鋼を被覆す
るための２５℃以下に維持されたマグネシアスラリーで
あって、ａ）主要量のマグネシア粒子のクエン酸活性が２００以
下のマグネシア；ｂ）Ｍｇ、Ｃａ、Ｎａ及び／またはＫからなる群から選
択された金属塩化物からの少なくとも０．０１重量％の
塩素によるものであるマグネシアの重量を基準として０
．０１〜０．２０重量％のマグネシア中の合計塩素レベ
ル；ｃ）１５％までのＴｉＯ＿２；ｄ）１０％までのＳｉＯ＿２；ｅ）１５％までのＣｒ；及びｃ）０．３％までの硼素より実質上なることを特徴とす
るマグネシアスラリー。
２．ＴｉＯ＿２の添加量が５〜１０重量％である請求項
１記載のマグネシアスラリー。
３．マグネシアスラリーが０〜１５℃に維持されてなる
請求項１記載のマグネシアスラリー。
４．合計塩素量が０．０１〜０．１５重量％である請求
項１記載のマグネシアスラリー。
５．金属塩化物の添加量が０．０１５〜０．１２％の塩
素レベルを生ずる量である請求項１記載のマグネシアス
ラリー。
６．金属塩化物の添加量が０．０２〜０．１０％の塩素
レベルを生ずる量である請求項１記載のマグネシアスラ
リー。
７．金属塩化物がＭｇ、Ｎａ及び／またはＫの群から選
択され、０．０１５〜０．１０％の合計塩素レベルを生
ずる量で添加されてなる請求項１記載のマグネシアスラ
リー。
８．金属塩化物がＣａであり、０．０１５〜０．０７％
の合計塩素レベルを生ずる量で添加されてなる請求項１
記載のマグネシアスラリー。
９．冷間圧延方向性珪素鋼がＡｌＮ抑制剤系を含む高透
磁性珪素鋼であり、且つ３〜７％のＳｉＯ＿２及び０．
０５〜０．１５％の硼素がマグネシアへ添加されている
請求項１記載のマグネシアスラリー。
１０．Ｃｒの添加量が２．５〜５％である請求項１記載
のマグネシアスラリー。
１１．冷間圧延方向性珪素鋼が普通の方向性珪素鋼であ
り、マグネシアが２０％までの燐酸塩添加剤と０．１５
％までの硼素を含む請求項１記載のマグネシアスラリー
。
１２．燐酸塩添加剤が４〜１５％の量の燐酸カルシウム
であり、ＳｉＯ＿２が３〜７％であり、Ｃｒが２〜１０
％であり、硼素が０．１０％までである請求項１１記載
のマグネシアスラリー。
１３．方向性珪素鋼上へ絶縁性被膜を製造する方法にお
いて、ａ）前記珪素鋼を鋼帯へ冷間圧延し；ｂ）脱炭焼鈍を施して前記鋼帯中の炭素レベルを０．０
０３％以下に低減し；ｃ）凝固点以上２５℃までの温度にマグネシア浴を維持
し；ｄ）少なくとも０．０１％がＭｇ、Ｃａ、Ｎａ及び／ま
たはＫの群から選択された金属塩化物添加剤によるもの
である０．０１〜０．２０重量％の合計塩素を含み且つ
主要量のマグネシア粒子のクエン酸活性が２００以下の
マグネシア被膜を塗布し；ｅ）マグネシアを乾燥して過
剰の水を除去し；且つｆ）仕上げ高温焼鈍を施してガラ
ス被膜を形成し且つ改善された磁気特性を発現させるこ
とを特徴とする方向性珪素鋼上へ絶縁性被膜を製造する
方法。
１４．仕上げ高温焼鈍後に磁区微細化工程を行う請求項
１３記載の方法。
１５．Ｍｇ，Ｎａ、Ｃａ及び／またはＫの群から選択さ
れる金属塩化物として０．０１５〜０．１５％の塩素を
添加する請求項１３記載の方法。
１６．鋼帯上に被覆する前にマグネシアを０〜１５℃に
維持する請求項１３記載の方法。
１７．マグネシアがクエン酸活性２００より上の不活性
マグネシア粒子を４５％まで含有する請求項１３記載の
方法。
１８．マグネシアがクエン酸活性５００〜５０００をもつ粒子を４５％まで含有する請求項１３記
載の方法。
１９．金属塩化物とマグネシア中に存在する塩素レベル
とを合わせて０．０１５〜０．１２％の合計塩素レベル
を提供する請求項１３記載の方法。
２０．金属塩化物とマグネシア中に存在する塩素レベル
とを合わせて０．０２〜０．１０％の合計塩素レベルを
提供する請求項１３記載の方法。
２１．合計塩素が０．０１５〜０．１０％であり、金属
塩化物がＭｇ、Ｎａ及び／またはＫの群から選択される
請求項１３記載の方法。
２２．金属塩化物がＣａであり、０．０１５〜０．０７
％の塩素レベルを生ずる量で添加される請求項１３記載
の方法。
２３．マグネシアがａ）１５％までのＴｉＯ＿２；ｂ）１０％までのＳｉＯ＿２；ｃ）１５％までのＣｒ；及びｄ）０．３％までのＢを含有する請求項１３記載の方法。
２４．方向性珪素鋼が普通の方向性珪素鋼であり、マグ
ネシアが２０％までの燐酸塩及び０．１５％までのＢを
含有する請求項２３記載の方法。
２５．マグネシアが４〜１５％の燐酸カルシウム、２〜
１０％のＣｒ、０．１０％までのＢ及び３〜７％のＳｉ
Ｏ＿２を含有する請求項２４記載の方法。
２６．方向性珪素鋼が高透磁性方向性珪素鋼であり、マ
グネシアが５〜１０％のＴｉＯ＿２、３〜７％のＳｉＯ
＿２、２．５〜５％のＣｒ及び０．０５〜０．１５％の
Ｂを含有する請求項２３記載の方法。