JPH03120714A - X線露光装置 - Google Patents
X線露光装置Info
- Publication number
- JPH03120714A JPH03120714A JP1257732A JP25773289A JPH03120714A JP H03120714 A JPH03120714 A JP H03120714A JP 1257732 A JP1257732 A JP 1257732A JP 25773289 A JP25773289 A JP 25773289A JP H03120714 A JPH03120714 A JP H03120714A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- soft
- rays
- reflected
- radiated
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体集積回路の製造における霧光工程に用
いられるX線露光装置に関する。
いられるX線露光装置に関する。
(従来の技術)
21世世紀類に量産化が始まると予想されているIGビ
ット以降の超LSI半導体素子の最小線幅は、0,1〜
0.2μmであるため、現在使用されている紫外線露光
に代わる新たな微細パターン転写技術(リングラフィ)
として、X線すソダラフイが、解像度、生産性及び歩留
の点から最有力視されている。すなわち、このX線すソ
ダラフイは、波長が0.5〜lnmの軟X線を転写光と
するもので、0.1μmオーダの加工精度を容易に達成
できる。しかも、軟X線は、直進性と透過性に優nてい
るので、パターンの微細化に伴って要求されるレジスト
の高アスペクト比や有機物塵埃を転写しないことなどの
利点を有する。
ット以降の超LSI半導体素子の最小線幅は、0,1〜
0.2μmであるため、現在使用されている紫外線露光
に代わる新たな微細パターン転写技術(リングラフィ)
として、X線すソダラフイが、解像度、生産性及び歩留
の点から最有力視されている。すなわち、このX線すソ
ダラフイは、波長が0.5〜lnmの軟X線を転写光と
するもので、0.1μmオーダの加工精度を容易に達成
できる。しかも、軟X線は、直進性と透過性に優nてい
るので、パターンの微細化に伴って要求されるレジスト
の高アスペクト比や有機物塵埃を転写しないことなどの
利点を有する。
ところで、上記軟X線は、SO几(Synchrotr
onOrbital几adiation ; シンクロ
トロン軌道放射)軌道面に対して垂直な方向でほぼ均一
な強岸を持つ面が小さく、このままでは軟X線の照射面
積が小さい。
onOrbital几adiation ; シンクロ
トロン軌道放射)軌道面に対して垂直な方向でほぼ均一
な強岸を持つ面が小さく、このままでは軟X線の照射面
積が小さい。
(発明が解決しようとする課題)
そのため、従来のX線露光装置においては、軟X線の照
射面積を拡大するために1例えば振動ミラーなどを用い
ていた。このような振動ミラーは、高真空外部に複雑な
駆動機構を特設せねばならない。その結果、露光装置の
構造が複雑化したシ、設備費が高価となるなどの不具合
を惹起していた。
射面積を拡大するために1例えば振動ミラーなどを用い
ていた。このような振動ミラーは、高真空外部に複雑な
駆動機構を特設せねばならない。その結果、露光装置の
構造が複雑化したシ、設備費が高価となるなどの不具合
を惹起していた。
本発明は、上記事情を参酌してなされたもので、装置を
コンパクト化でき、しかも、X線の照射面積の拡大が可
能なX線露光装置を提供することを目的とする。
コンパクト化でき、しかも、X線の照射面積の拡大が可
能なX線露光装置を提供することを目的とする。
(課題を解決するための手段と作用)
X線を放射するX線源と、このX線源から放射されたX
線を入射して入射したX線の光束横断面積を拡大する放
物筒腕と、この放物筒腕からの反射X線をX線マスクを
介して照射される被露光体を保持する露光部とからなシ
、コンパクトな装置で、X線の照射面積の拡大をはかっ
たものである。
線を入射して入射したX線の光束横断面積を拡大する放
物筒腕と、この放物筒腕からの反射X線をX線マスクを
介して照射される被露光体を保持する露光部とからなシ
、コンパクトな装置で、X線の照射面積の拡大をはかっ
たものである。
(実施例)
以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳述する。
第1図は、この実施例のX線露光装置を示している。こ
の装置は、soiニー光である軟X線(1)を放射する
X線源(2)と、このX線源(2)から放出されたほぼ
平行光となっている軟X線(1)を入射して光束断面積
が拡大された軟X線(3)に変換する筒軸に直交する横
断面形状が放物線となる放物筒の一部をカットした形状
の放物筒腕(4)と、X線露光されるウェーハ(5)を
保持して軟X線(3)によυ露光させる露光部(6)と
からなっている。しかして、X線源(2)は、電子を加
速するシンクロトロン(図示せず。)と、このシンクロ
トロンからの電子を導入して円軌道に沿って加速し接線
方向に軟X線(1)を放出するSO1’Lリング(力と
を有している。この軟X線(1)は、スポット径と光強
度の均一なビームとなっていて、SORリング(力の特
定位置における接線方向に放出サレル。そして、軟X線
(1)のスペクトルは、赤外線からX#!まで連続した
分布で、X線領域にピーク値を有する。一方、放物筒腕
(4)は、第1図紙面垂直方向の焦線(8)を有してい
て、凸曲面をなすその反射WJ(9)は、焦線(8)に
直交する放物筒腕(4)の横断面輪郭である放物線α〔
の外側を向くように設けられている。さらに1放物筒鏡
(4)の軸面(4a)は、軟X線(1)の光路がのって
いる面に直交し、かつ、第2図に示す、軟X線(1)の
両側部(la)、 (Ib)が軸面(4a)と平行とな
るように設けられている。換言すれば、放物筒腕の筒軸
方向と第2図にて後述する幅W1方向とを一致させる。
の装置は、soiニー光である軟X線(1)を放射する
X線源(2)と、このX線源(2)から放出されたほぼ
平行光となっている軟X線(1)を入射して光束断面積
が拡大された軟X線(3)に変換する筒軸に直交する横
断面形状が放物線となる放物筒の一部をカットした形状
の放物筒腕(4)と、X線露光されるウェーハ(5)を
保持して軟X線(3)によυ露光させる露光部(6)と
からなっている。しかして、X線源(2)は、電子を加
速するシンクロトロン(図示せず。)と、このシンクロ
トロンからの電子を導入して円軌道に沿って加速し接線
方向に軟X線(1)を放出するSO1’Lリング(力と
を有している。この軟X線(1)は、スポット径と光強
度の均一なビームとなっていて、SORリング(力の特
定位置における接線方向に放出サレル。そして、軟X線
(1)のスペクトルは、赤外線からX#!まで連続した
分布で、X線領域にピーク値を有する。一方、放物筒腕
(4)は、第1図紙面垂直方向の焦線(8)を有してい
て、凸曲面をなすその反射WJ(9)は、焦線(8)に
直交する放物筒腕(4)の横断面輪郭である放物線α〔
の外側を向くように設けられている。さらに1放物筒鏡
(4)の軸面(4a)は、軟X線(1)の光路がのって
いる面に直交し、かつ、第2図に示す、軟X線(1)の
両側部(la)、 (Ib)が軸面(4a)と平行とな
るように設けられている。換言すれば、放物筒腕の筒軸
方向と第2図にて後述する幅W1方向とを一致させる。
なお、放物線←0)は、x −y座標系では、次式■の
ように表わされる。
ように表わされる。
y2=2pX ・・・・・・・−・・・・■し
たがって、焦線(8)上の1点の座標値は、(p/2゜
0)となる。まだ、放物線αCの準線(11)は、それ
ぞれ次式■で表わされる。
たがって、焦線(8)上の1点の座標値は、(p/2゜
0)となる。まだ、放物線αCの準線(11)は、それ
ぞれ次式■で表わされる。
x=−p/2 ・・・・・・・・・・・・・■よ
って、pの値を適宜選択することにより、軟X線(1)
の光束横断面積の拡大率を変更できる。ここで、反射面
(9)は、軟X線(1)を準線0])側から入射する位
置に設けられている。他方、露光部(6)は、所定のL
SIパターンが形成され光束断面積が拡大された軟X線
(3)を入射して選択的に軟X線(3)を透過させるX
線マスクdaと、このX線マスクa2を透過した軟X線
(3)を入射する位置にてウエーノ・(5)を支持する
ウェーハ支持手段α階とからなっている。
って、pの値を適宜選択することにより、軟X線(1)
の光束横断面積の拡大率を変更できる。ここで、反射面
(9)は、軟X線(1)を準線0])側から入射する位
置に設けられている。他方、露光部(6)は、所定のL
SIパターンが形成され光束断面積が拡大された軟X線
(3)を入射して選択的に軟X線(3)を透過させるX
線マスクdaと、このX線マスクa2を透過した軟X線
(3)を入射する位置にてウエーノ・(5)を支持する
ウェーハ支持手段α階とからなっている。
つぎに、上記構成のX線露光装置の作動について述べる
。
。
まず、X線源(2)から軟X線(1)を放射させ、この
軟X線(1)を放物筒腕(4)の反射面(9)に入射さ
せる。
軟X線(1)を放物筒腕(4)の反射面(9)に入射さ
せる。
ところで、この80R光である軟X線(1)は、シンク
ロトロン軌道面内方向には十分な均一強度を有する幅(
Wl)があるが、軌道面に対して垂直な方向には均一な
強度を持つ幅(W2)が小さい(第2図参照)。なお、
この幅W1は、前記両側部(la)、(lb)間の距離
である。その結果、軟X線(1)は、第2図中の点Ml
、 M2. M3. M4で囲まれる領域に入射する。
ロトロン軌道面内方向には十分な均一強度を有する幅(
Wl)があるが、軌道面に対して垂直な方向には均一な
強度を持つ幅(W2)が小さい(第2図参照)。なお、
この幅W1は、前記両側部(la)、(lb)間の距離
である。その結果、軟X線(1)は、第2図中の点Ml
、 M2. M3. M4で囲まれる領域に入射する。
すると、軟X線(1)は、あたかも焦線(8)から放射
されたときのような光路に沿って反射する。このとき反
射された軟X線(3)の光束横断面積Aは、軟X線t1
)の光束横断面積AOK比べて数倍以上拡大する。
されたときのような光路に沿って反射する。このとき反
射された軟X線(3)の光束横断面積Aは、軟X線t1
)の光束横断面積AOK比べて数倍以上拡大する。
とくに、反射後の軟X線(1)の幅(Wl)、 (W2
)は、幅(Wl)、 (Wl )がほとんど変化しない
のにくらべて幅(W2)’が顕著に増加することによシ
、はぼ等しくなる。つまシ、軌道面に対して垂直な方向
に均一な強度をもつ幅(W2)が幅(Wl)に比べて小
さいというSOR光特有の欠点が解消する。ついで、こ
の軟X線(3)は、X線マスクα乃を経由してウェーハ
(5)に照射され、所定のパターンが露光される。
)は、幅(Wl)、 (Wl )がほとんど変化しない
のにくらべて幅(W2)’が顕著に増加することによシ
、はぼ等しくなる。つまシ、軌道面に対して垂直な方向
に均一な強度をもつ幅(W2)が幅(Wl)に比べて小
さいというSOR光特有の欠点が解消する。ついで、こ
の軟X線(3)は、X線マスクα乃を経由してウェーハ
(5)に照射され、所定のパターンが露光される。
以上のように、この実施例のX線露光装置は、放物前腕
(4)によシ、軟X線(1)の光束横断面積AOを所望
の拡大率で拡径することができる。また、装置がコンパ
クト化し、振動ミラーを用いる場合に比べて、装置価格
が安い上に、X線の散乱がないので、X線強度の低減が
ない。
(4)によシ、軟X線(1)の光束横断面積AOを所望
の拡大率で拡径することができる。また、装置がコンパ
クト化し、振動ミラーを用いる場合に比べて、装置価格
が安い上に、X線の散乱がないので、X線強度の低減が
ない。
なお、上記実施例において、放物前腕(4)の反射面(
9)上に、多層膜部α荀を被着させてもよい(第3図参
照)。この多層膜部04)は、第4図に示すように、厚
さ(たとえば1.7.34A )、 dB(たとえば3
4.66A)の一対の膜(15)、atpからなる膜対
07)を繰返し積層してなり、人工格子を形成している
。この人工格子を形成する膜対(1′I)の材質として
は、回折面となる重元素(膜部)とスペーサとなる軽元
素(膜α0)の組合せが一般的である。たとえば、炭素
(C)、金(Au)と炭素等の組合せが好ましい。そう
して、膜対(17>の膜厚d (=d人−1−dB)は
、次式■で示されるブラック(Br、agg )条件を
満足するように設定されている。
9)上に、多層膜部α荀を被着させてもよい(第3図参
照)。この多層膜部04)は、第4図に示すように、厚
さ(たとえば1.7.34A )、 dB(たとえば3
4.66A)の一対の膜(15)、atpからなる膜対
07)を繰返し積層してなり、人工格子を形成している
。この人工格子を形成する膜対(1′I)の材質として
は、回折面となる重元素(膜部)とスペーサとなる軽元
素(膜α0)の組合せが一般的である。たとえば、炭素
(C)、金(Au)と炭素等の組合せが好ましい。そう
して、膜対(17>の膜厚d (=d人−1−dB)は
、次式■で示されるブラック(Br、agg )条件を
満足するように設定されている。
mλ二2dsinθm ・・・・・・・・・■ただし
、λは、軟X線(1)の波長2mは次数、θmは反射し
た軟X線(3)が最大となるときの入射角である。しか
して、このような多層膜部αaによυ、軟X線(1)を
入射して特定波長の軟X線(3)に変換することができ
るとともに、軟X線(3)の反射角度を急にして、反射
点からウェーハ(5)マでのビームラインを短くするこ
とができるので、装置のコンパクト化を一層促進するこ
とができる。
、λは、軟X線(1)の波長2mは次数、θmは反射し
た軟X線(3)が最大となるときの入射角である。しか
して、このような多層膜部αaによυ、軟X線(1)を
入射して特定波長の軟X線(3)に変換することができ
るとともに、軟X線(3)の反射角度を急にして、反射
点からウェーハ(5)マでのビームラインを短くするこ
とができるので、装置のコンパクト化を一層促進するこ
とができる。
本発明のX線露光装置は、露光用のX線を、X線強度の
低減を惹起することなく、所望の拡大率に調節すること
ができる。また、装置構成がコンパクト化するとともに
、保守が容易になる利点を有する。とくに、本発明を8
0R光如対して適用した場合、軌道面に対して垂直な方
向に均一な強度をもつ幅が小さいというSOR光特有の
欠点を是正することができる。
低減を惹起することなく、所望の拡大率に調節すること
ができる。また、装置構成がコンパクト化するとともに
、保守が容易になる利点を有する。とくに、本発明を8
0R光如対して適用した場合、軌道面に対して垂直な方
向に均一な強度をもつ幅が小さいというSOR光特有の
欠点を是正することができる。
第1図は本発明の一実施例のX線露光装置の構成図、第
2図は同じく要部拡大説明図、第3図及び第4図は本発
明の他の実施例の説明図である。 f2) : X線源。 (4);放物前腕。 (5)二ウェーハ(被露光体)。 (6):露光部。 (8):焦 点。 (9):反射面。
2図は同じく要部拡大説明図、第3図及び第4図は本発
明の他の実施例の説明図である。 f2) : X線源。 (4);放物前腕。 (5)二ウェーハ(被露光体)。 (6):露光部。 (8):焦 点。 (9):反射面。
Claims (2)
- (1)X線を放射するX線源と、このX線源から放射さ
れたX線を入射して入射したX線の光束横断面積を拡大
する放物筒鏡と、X線マスクを有し上記放物筒鏡にて反
射したX線を上記X線マスクを介して照射される被露光
体を保持する露光部とを具備することを特徴とするX線
露光装置。 - (2)X線源はシンクロトロンであることを特徴とする
請求項(1)記載のX線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1257732A JPH03120714A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | X線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1257732A JPH03120714A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | X線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03120714A true JPH03120714A (ja) | 1991-05-22 |
Family
ID=17310328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1257732A Pending JPH03120714A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | X線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03120714A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6947519B2 (en) | 2000-09-18 | 2005-09-20 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray exposure apparatus and method, semiconductor manufacturing apparatus, and microstructure |
| US6947518B2 (en) * | 1999-05-28 | 2005-09-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | X-ray exposure apparatus, X-ray exposure method, X-ray mask, X-ray mirror, synchrotron radiation apparatus, synchrotron radiation method and semiconductor device |
| KR20110125064A (ko) * | 2010-05-12 | 2011-11-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 어레이, 조명장치 및 백라이트 장치 |
-
1989
- 1989-10-04 JP JP1257732A patent/JPH03120714A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6947518B2 (en) * | 1999-05-28 | 2005-09-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | X-ray exposure apparatus, X-ray exposure method, X-ray mask, X-ray mirror, synchrotron radiation apparatus, synchrotron radiation method and semiconductor device |
| US6947519B2 (en) | 2000-09-18 | 2005-09-20 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray exposure apparatus and method, semiconductor manufacturing apparatus, and microstructure |
| KR20110125064A (ko) * | 2010-05-12 | 2011-11-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 어레이, 조명장치 및 백라이트 장치 |
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