JPH03120846A - 半導体素子の特性測定法 - Google Patents

半導体素子の特性測定法

Info

Publication number
JPH03120846A
JPH03120846A JP26045689A JP26045689A JPH03120846A JP H03120846 A JPH03120846 A JP H03120846A JP 26045689 A JP26045689 A JP 26045689A JP 26045689 A JP26045689 A JP 26045689A JP H03120846 A JPH03120846 A JP H03120846A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrical characteristics
film
state
package
semiconductor wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP26045689A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinichi Kunieda
国枝 伸一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP26045689A priority Critical patent/JPH03120846A/ja
Publication of JPH03120846A publication Critical patent/JPH03120846A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体素子製造法に関し、特にウェハー状態に
おける電気的特性の測定法に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の電気的特性の評価は、図2に示すように
、半導体素子の保護を目的とした保護膜3をつけた状態
で行なわれており、この保護膜はパッケージに組立た後
の電気的状態を再現する目的で、電気的特性がパッケー
ジの電気的特性と類似するものは用いられていない。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のウェハー状態にある半導体素子の電気的
特性評価法では、パッケージに組立だ後の電気的状態が
再現されていない為、ウェハー状態での電気的特性の測
定結果と、組立だ後の電気的特性の測定結果とが一致し
ないという欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のウェハー状態での電気的特性の測定法は、第1
図の膜4を半導体素子の保護膜3の上に有している。こ
の4膜を選ぶに際してその電気的特性が、パッケージ材
料の電気的特性と類似するようにしなくてはならない。
〔実施例〕
次に、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。第
1図は本発明の実施例の断面図である。
1は半導体素子の構成要素を内蔵する半導体基板と、そ
の上に構成される加工成形された各種導電性膜や絶縁性
膜である。2はこの導電性膜のうち最上部におかれた加
工成形された金属膜を特にとり出して示している。3は
半導体素子の保護膜である。4は、前述のとうり、電気
的特性がパッケージの材料と類似するように選ばれた物
質による膜である。
この半導体素子をモールド樹脂中に封止するタイプのパ
ッケージの場合で実施例を説明する。
モールド樹脂の比誘電率は6〜10なので、4の材料と
しては、保護膜3に開口部5をあける際に用いるフォト
レジスト膜(比誘電率lO〜12)を用いることができ
る。こうすれば、電気的特性測定時に、半導体素子を動
作させることによって生じる金属膜2の隣接部間に生じ
る電気力線が、膜4がないときは比誘電率が1である空
気中を通る為、モールド樹脂中に封止されている場合と
比較して、金属膜2の隣接部間に生じる電気的寄生容量
が異なってしまう。この為、容量差を検出して動作する
ような回路の場合は誤動作することがあり、又動作スピ
ードが問題となる回路の場合は、スピードが異なる。と
ころが、膜4が存在するときは、電気力線が通るところ
の比誘電率が、モールド樹脂の比誘電率に近い為、金属
膜2の隣接部間に生じる電気的寄生容量に大きな差が生
じない。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明を実施することにより、ウェ
ハー状態での電気的特性の測定結果と、パッケージに組
み込んだ後の電気的特性の測定結果が等しくできるとい
う効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の断面図、第2図は従来の場合の断面図
である。■は半導体素子の構成要素を内蔵する半導体基
板と、その上に構成される加工成形された各種導電性膜
や、絶縁性膜である。2はこの導電性膜のうち、最上部
にある加工成形された金属膜を特にとり出して示してい
る。3は半導体素子の保護膜である。5は電気的特性の
測定時や、パッケージに組み込んだ時にパッケージのピ
ンと電気的に接続する為に必要に開口部である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子を有する半導体ウェハーの電気的特性を測定
    する際において、個別パッケージに組立てた後の状態を
    再現させる目的で、電気的な特性が類似した膜を半導体
    ウェハー上に塗布した状態で、半導体素子の電気的特性
    を測定することを特徴とする電気的特性測定法。
JP26045689A 1989-10-04 1989-10-04 半導体素子の特性測定法 Pending JPH03120846A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26045689A JPH03120846A (ja) 1989-10-04 1989-10-04 半導体素子の特性測定法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26045689A JPH03120846A (ja) 1989-10-04 1989-10-04 半導体素子の特性測定法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03120846A true JPH03120846A (ja) 1991-05-23

Family

ID=17348200

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP26045689A Pending JPH03120846A (ja) 1989-10-04 1989-10-04 半導体素子の特性測定法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03120846A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008521456A (ja) * 2004-11-30 2008-06-26 リネット スポル.エスアール.オー. 可動式手すりおよびこの可動式手すりを装備するベッド

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008521456A (ja) * 2004-11-30 2008-06-26 リネット スポル.エスアール.オー. 可動式手すりおよびこの可動式手すりを装備するベッド

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100351574B1 (ko) 전자장치용봉입체
US9013890B2 (en) Semiconductor packages and methods for producing the same
US5399903A (en) Semiconductor device having an universal die size inner lead layout
US5864062A (en) Semiconductor acceleration sensor
US8729885B2 (en) Sensor package and method for producing a sensor package
US4837184A (en) Process of making an electronic device package with peripheral carrier structure of low-cost plastic
US20060255458A1 (en) Semiconductor module provided with contacts extending through the package
JPS59123248A (ja) 半導体容器
GB2274351A (en) I.C.Chip carriers
JPS6394645A (ja) 電子装置
JPH03120846A (ja) 半導体素子の特性測定法
JP4326609B2 (ja) 半導体素子を製造する方法
JPH01198351A (ja) 電子素子とそのコンタクトを基板上に固定する方法
CN217404385U (zh) 电流检测装置及其封装结构
US20080197481A1 (en) Semiconductor sensor having flat mounting plate
JPH07112028B2 (ja) 半導体チップの実装方法
US5693884A (en) Semiconductor acceleration sensor
US20110204501A1 (en) Integrated circuit packaging system including non-leaded package
US20030090361A1 (en) Leadframe resistance device and process for the same
KR20240139102A (ko) 파워 모듈 구조 및 파워 모듈 제조 방법
EP0586163A2 (en) Method and configuration for reducing electrical noise in integrated circuit devices
KR100193139B1 (ko) 반도체 세라믹 패키지
JP3360182B2 (ja) 半導体装置
JPH11274596A (ja) 磁気抵抗素子およびそれを用いた磁気検出器
JPH0338757B2 (ja)