JPH03122534U - - Google Patents
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- JPH03122534U JPH03122534U JP3217290U JP3217290U JPH03122534U JP H03122534 U JPH03122534 U JP H03122534U JP 3217290 U JP3217290 U JP 3217290U JP 3217290 U JP3217290 U JP 3217290U JP H03122534 U JPH03122534 U JP H03122534U
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- JP
- Japan
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- terminal
- temperature detection
- power
- semiconductor substrate
- semiconductor element
- Prior art date
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
第1図a,bはそれぞれ本考案の一実施例の電
力用電界効果トランジスタ及び電力用バイポーラ
トランジスタの等価回路図、第2図は本考案の一
実施例の縦断面図である。第3図a,bは他の実
施例の等価回路図、第4図はその縦断面図である
。第5図a,bは従来の電力用電界効果トランジ
スタ及び電力用バイポーラトランジスタの等価回
路図、第6図は従来の縦断面図である。 1…ペレツト温度検出用ダイオード、2…電力
用電界効果トランジスタ、3…電力用バイポーラ
トランジスタ、4…寄生ダイオード、5…カソー
ド端子、6…アノード端子、7…ゲート端子、8
…ドレイン端子、9…ソース端子、10…ベース
端子、11…コレクタ端子、12…エミツタ端子
、13…N型シリコン基板、14…N型不純物領
域、15…R型不純物領域、16…素子能動領域
、17…電極、18…ペレツト温度検出用抵抗、
19…温度検出用端子。
力用電界効果トランジスタ及び電力用バイポーラ
トランジスタの等価回路図、第2図は本考案の一
実施例の縦断面図である。第3図a,bは他の実
施例の等価回路図、第4図はその縦断面図である
。第5図a,bは従来の電力用電界効果トランジ
スタ及び電力用バイポーラトランジスタの等価回
路図、第6図は従来の縦断面図である。 1…ペレツト温度検出用ダイオード、2…電力
用電界効果トランジスタ、3…電力用バイポーラ
トランジスタ、4…寄生ダイオード、5…カソー
ド端子、6…アノード端子、7…ゲート端子、8
…ドレイン端子、9…ソース端子、10…ベース
端子、11…コレクタ端子、12…エミツタ端子
、13…N型シリコン基板、14…N型不純物領
域、15…R型不純物領域、16…素子能動領域
、17…電極、18…ペレツト温度検出用抵抗、
19…温度検出用端子。
Claims (1)
- 半導体基板からなる半導体素子において、前記
半導体基板のペレツト内に温度検出回路を有し、
外部に温度検出用端子を設けたことを特徴とする
電力用半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3217290U JPH03122534U (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3217290U JPH03122534U (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03122534U true JPH03122534U (ja) | 1991-12-13 |
Family
ID=31535090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3217290U Pending JPH03122534U (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03122534U (ja) |
-
1990
- 1990-03-28 JP JP3217290U patent/JPH03122534U/ja active Pending
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