JPH03122905A - 誘電体ペースト - Google Patents
誘電体ペーストInfo
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- JPH03122905A JPH03122905A JP26147589A JP26147589A JPH03122905A JP H03122905 A JPH03122905 A JP H03122905A JP 26147589 A JP26147589 A JP 26147589A JP 26147589 A JP26147589 A JP 26147589A JP H03122905 A JPH03122905 A JP H03122905A
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Landscapes
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
この発明は厚膜IC部品およびチューナ等の印刷コンデ
ンサ等に用いられる誘電体ペーストに関するものである
。
ンサ等に用いられる誘電体ペーストに関するものである
。
[従来の技術]
近年、電子部品の高集積化を目的として、アルミナ等の
セラミックス基板上に、電極、抵抗、コンデンサをスク
リーン印刷にて形成し、500〜1000℃の高温で焼
成することにより、厚膜ハイブリッドICを製造するこ
とが行なわれている。
セラミックス基板上に、電極、抵抗、コンデンサをスク
リーン印刷にて形成し、500〜1000℃の高温で焼
成することにより、厚膜ハイブリッドICを製造するこ
とが行なわれている。
これらの厚膜ハイブリッドICを構成する素子としてコ
ンデンサおよび抵抗がある。このうちIC中にて大きな
面積を占めるのはコンデンサであり、特にバイパス用の
大容量コンデンサの単位面積当たりの容量によって基板
の大きさが左右され、高集積化を計るうえで基板面積の
低減が望まれている。
ンデンサおよび抵抗がある。このうちIC中にて大きな
面積を占めるのはコンデンサであり、特にバイパス用の
大容量コンデンサの単位面積当たりの容量によって基板
の大きさが左右され、高集積化を計るうえで基板面積の
低減が望まれている。
このため強誘電体粉末をペーストとして使用し、印刷に
より大容量のコンデンサを得ることが検討されている。
より大容量のコンデンサを得ることが検討されている。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながらBaTiOs系、タングステンブロンズ型
や複合ペロブスカイト型の従来の強誘電体はその焼結温
度がいずれも1000℃以上であるので、電極材料は耐
熱性の高いものでなければならず、高価なパラジウムや
白金等を使用しなければならないという不都合があった
・ このため誘電体粉末の焼結温度の低下を計る目的で、ガ
ラスフリットを混入してなる印刷コンデンサ用の誘電体
ペーストが開発されている。
や複合ペロブスカイト型の従来の強誘電体はその焼結温
度がいずれも1000℃以上であるので、電極材料は耐
熱性の高いものでなければならず、高価なパラジウムや
白金等を使用しなければならないという不都合があった
・ このため誘電体粉末の焼結温度の低下を計る目的で、ガ
ラスフリットを混入してなる印刷コンデンサ用の誘電体
ペーストが開発されている。
このようなガラスフリット混合誘電体ペーストとしては
、たとえばP b(M g+yxN bty3)03と
Pb(Z n+73N byza)03とガラスフリッ
トとを混合したもの、B aT i OxとB a(Z
rT i)03とガラスフリットとを混合したしの、
強誘電体とZ no 、 F etOs 、 N i
O、T iOt 、 Cu O等の添加剤とバインダガ
ラスとを混合したものなどが提案されている。
、たとえばP b(M g+yxN bty3)03と
Pb(Z n+73N byza)03とガラスフリッ
トとを混合したもの、B aT i OxとB a(Z
rT i)03とガラスフリットとを混合したしの、
強誘電体とZ no 、 F etOs 、 N i
O、T iOt 、 Cu O等の添加剤とバインダガ
ラスとを混合したものなどが提案されている。
ところがガラスフリットを混入した誘電体ペーストは、
低温焼成に必要なガラスフリットの誘電率が低く、強誘
電体粉末と混合できる濃度範囲が狭いという欠点があっ
た。
低温焼成に必要なガラスフリットの誘電率が低く、強誘
電体粉末と混合できる濃度範囲が狭いという欠点があっ
た。
すなわちガラスフリットの混合比率が低いと誘電体ペー
ストの焼成が不十分となり、コンデンサが未焼結状態と
なるので誘電体層の機械的強度が小さくなるばかりでな
く、その電気特性も低下し、コンデンサ容量が小さく、
誘電損失係数(tanδ)が大きくなり、実用に供する
ことができない。
ストの焼成が不十分となり、コンデンサが未焼結状態と
なるので誘電体層の機械的強度が小さくなるばかりでな
く、その電気特性も低下し、コンデンサ容量が小さく、
誘電損失係数(tanδ)が大きくなり、実用に供する
ことができない。
またこの逆にガラスフリットの混入比率を増加させると
コンデンサの機械的強度は向上するものの強誘電体粉末
の含有量が減少するためにコンデンサの比誘電率はto
oo〜1800程度と低下し、コンデンサの単位面積あ
たりの容量も200〜4QOpP程度となるという不都
合があった。
コンデンサの機械的強度は向上するものの強誘電体粉末
の含有量が減少するためにコンデンサの比誘電率はto
oo〜1800程度と低下し、コンデンサの単位面積あ
たりの容量も200〜4QOpP程度となるという不都
合があった。
この発明は上記課題を解決するためになされたものであ
って、高い比誘電率と低い誘電損失の印刷コンデンサを
低温焼成にて製造可能とする誘電体ペーストを提供する
ことを目的としている。
って、高い比誘電率と低い誘電損失の印刷コンデンサを
低温焼成にて製造可能とする誘電体ペーストを提供する
ことを目的としている。
[課題を解決するための手段]
この発明の誘電体ペーストはP b(M g+/3N
b、/3)03−0.66〜0.70モル、P b(N
i l/3 N byza) 030.04〜0.1
6モル、P bT io s 0.20〜0.24モ
ルの誘電体原料に対し、CuO2,O〜5.0重量部と
Bix0sO,3〜1.0重量部とSrTiO31.O
〜4.0重量部を添加して得られる組成物を焼成して粉
砕した粉末をビヒクル中に分散させてなることを解決手
段とした。
b、/3)03−0.66〜0.70モル、P b(N
i l/3 N byza) 030.04〜0.1
6モル、P bT io s 0.20〜0.24モ
ルの誘電体原料に対し、CuO2,O〜5.0重量部と
Bix0sO,3〜1.0重量部とSrTiO31.O
〜4.0重量部を添加して得られる組成物を焼成して粉
砕した粉末をビヒクル中に分散させてなることを解決手
段とした。
[作用 ]
P b(Mg1/zN byza)O* 0.66
〜0.70モルP b(N i+7*N b*73)O
s O,04〜0.16モル六bTios
O,20〜0.24モルの誘電体原料を焼結
すると、高い比誘電率と低い誘電損失を示すコンデンサ
として好適な強誘電体が得られる。
〜0.70モルP b(N i+7*N b*73)O
s O,04〜0.16モル六bTios
O,20〜0.24モルの誘電体原料を焼結
すると、高い比誘電率と低い誘電損失を示すコンデンサ
として好適な強誘電体が得られる。
上記誘電体原料に2.0〜5.ON量部のCuOと0.
3〜1.0重量部のBitOiと1.θ〜4,0重量部
の5rTiOsからなる添加剤を加えることにより誘電
体原料の低温焼成を可能とするとともに、上記誘電体原
料を焼成して形成された誘電体層の基板への密着性を向
上させることができる。
3〜1.0重量部のBitOiと1.θ〜4,0重量部
の5rTiOsからなる添加剤を加えることにより誘電
体原料の低温焼成を可能とするとともに、上記誘電体原
料を焼成して形成された誘電体層の基板への密着性を向
上させることができる。
特にS rT io zの添加により誘電体層の温度に
よる容量変化率を小さくすることができる。
よる容量変化率を小さくすることができる。
以下、この発明をさらに詳細に説明する。
この発明の誘電体ペーストは、0.66〜0.70モル
のP b(Mg1/zN byza)03と、0.04
〜0.16モルのpb(N i+/sN byza)0
3と0.20〜0.24モルのPbTiOsとからなる
誘電体原料に対して、添加剤として、2.0〜5.0重
量部のCuOと0.3〜1.0重量部のB i t O
3と1.0〜4.0重竜部のS rT io *を混合
してビヒクル中に分散させてなるものηあって、好まし
くはP b(Mg+7sN b*/3)Oz 0 、
68モル、P b(N i1/sN byza)03
0 、10モル、PbTiO30,22モルとからなる
誘電体原料に対して、添加剤として3重量部のCuOと
0.5重量部のBi*Osと1.0〜4.0重量部のS
r’r’+03を混合し仮焼した後、粉砕した粉末をビ
ヒクル中に分散させてなるものである。
のP b(Mg1/zN byza)03と、0.04
〜0.16モルのpb(N i+/sN byza)0
3と0.20〜0.24モルのPbTiOsとからなる
誘電体原料に対して、添加剤として、2.0〜5.0重
量部のCuOと0.3〜1.0重量部のB i t O
3と1.0〜4.0重竜部のS rT io *を混合
してビヒクル中に分散させてなるものηあって、好まし
くはP b(Mg+7sN b*/3)Oz 0 、
68モル、P b(N i1/sN byza)03
0 、10モル、PbTiO30,22モルとからなる
誘電体原料に対して、添加剤として3重量部のCuOと
0.5重量部のBi*Osと1.0〜4.0重量部のS
r’r’+03を混合し仮焼した後、粉砕した粉末をビ
ヒクル中に分散させてなるものである。
ここで0.66〜0,70モルのP b(Mg+7tN
bt7s)Osと0.04〜0.16モルのP b(N
i1/aN btzs)03と0,20〜0.24モ
ルのP bT i Osとからなる誘電体原料は比誘電
率の高い誘電体層を形成するためのものであり、上記組
成比をはずれると、誘電体層のキュリー温度が変化し、
容量変化率が大きくなり実用に適さなくなる。
bt7s)Osと0.04〜0.16モルのP b(N
i1/aN btzs)03と0,20〜0.24モ
ルのP bT i Osとからなる誘電体原料は比誘電
率の高い誘電体層を形成するためのものであり、上記組
成比をはずれると、誘電体層のキュリー温度が変化し、
容量変化率が大きくなり実用に適さなくなる。
また、2.0〜5.0重量部のCuOと、0.3〜1.
0重量部のB LO3と、1.0〜4.0重量部のSr
TiO3からなる添加剤は上記誘電体原料を、950℃
以下の低温で焼結可能とするとともに、電極および基板
上に誘電体層を密着させるためのものであり、上記添加
濃度の範囲をはずれると、誘電体ペーストの焼結性が悪
化し、誘電体コンデンサの電気特性が低下したり、製造
された誘電体層の比誘電率(εr)の低下と誘電損失係
数(tanδ)の増大が生じ、実用に供することができ
なくなる。
0重量部のB LO3と、1.0〜4.0重量部のSr
TiO3からなる添加剤は上記誘電体原料を、950℃
以下の低温で焼結可能とするとともに、電極および基板
上に誘電体層を密着させるためのものであり、上記添加
濃度の範囲をはずれると、誘電体ペーストの焼結性が悪
化し、誘電体コンデンサの電気特性が低下したり、製造
された誘電体層の比誘電率(εr)の低下と誘電損失係
数(tanδ)の増大が生じ、実用に供することができ
なくなる。
この発明の誘電体ペーストは樹脂を高沸点の有機溶剤に
溶解してなるビヒクルに上記誘電体成分と添加剤成分を
混合、仮焼し、粉砕した誘電体板焼粉を所定濃度で分散
させて使用される。
溶解してなるビヒクルに上記誘電体成分と添加剤成分を
混合、仮焼し、粉砕した誘電体板焼粉を所定濃度で分散
させて使用される。
ビヒクルには、樹脂粘結体としてアクリル樹脂、エチル
セルロース、ニトロセルロースのうちの少なくと61種
以上の樹脂を、高沸点有機溶剤としてブチルカルピトー
ル、ブチルカルピトールアセテート、ターピネオール等
のうちの少なくとも1種以上の溶剤を用いるのが好適で
ある。
セルロース、ニトロセルロースのうちの少なくと61種
以上の樹脂を、高沸点有機溶剤としてブチルカルピトー
ル、ブチルカルピトールアセテート、ターピネオール等
のうちの少なくとも1種以上の溶剤を用いるのが好適で
ある。
上記高沸点有機溶剤への樹脂粘結体の混合比率は5〜3
0vt%が好ましく、また上記誘電体原料と添加剤とか
らなる粉末成分のビヒクル中への混合比率は、10〜2
0wt%か好ましい。
0vt%が好ましく、また上記誘電体原料と添加剤とか
らなる粉末成分のビヒクル中への混合比率は、10〜2
0wt%か好ましい。
次にこの発明の誘電体ペー、ストの製造方法の一例を以
下に示す。
下に示す。
まず酸化鉛(P bo )、酸化マグネシウム(MgO
)、酸化ニオブ(Nb、O,)、酸化ニッケル(Nip
)、酸化チタン(TiOz)とを、P b(Mg+/3
N by/3)O5O666〜0.70モル、P b(
N i1/*N bt7s)03 0.04〜0.16
モル、P bT to 30.20〜0.24モルとな
るような比率にて配合し、さらに添加剤としてCuOと
Bj*Osと5rTiOaを配合する。これらをボール
ミルポット等の粉砕装置に投入し、ジルコニアボールま
たはそれに代わる材質のボールと、水またはアルコール
、アセトン等の有機溶剤とともに24時間混合して、上
記原料を充分に粉砕、混合する。ついでこれらをボール
ミルポットから取り出し、水または有機溶剤を濾過、乾
燥することにより除去する。充分に乾燥された混合粉末
を50メツシユでふるい分けし、顆粒状としたものをア
ルミナボットに入れて750℃、5時間仮焼成して誘電
体板焼物を得る。
)、酸化ニオブ(Nb、O,)、酸化ニッケル(Nip
)、酸化チタン(TiOz)とを、P b(Mg+/3
N by/3)O5O666〜0.70モル、P b(
N i1/*N bt7s)03 0.04〜0.16
モル、P bT to 30.20〜0.24モルとな
るような比率にて配合し、さらに添加剤としてCuOと
Bj*Osと5rTiOaを配合する。これらをボール
ミルポット等の粉砕装置に投入し、ジルコニアボールま
たはそれに代わる材質のボールと、水またはアルコール
、アセトン等の有機溶剤とともに24時間混合して、上
記原料を充分に粉砕、混合する。ついでこれらをボール
ミルポットから取り出し、水または有機溶剤を濾過、乾
燥することにより除去する。充分に乾燥された混合粉末
を50メツシユでふるい分けし、顆粒状としたものをア
ルミナボットに入れて750℃、5時間仮焼成して誘電
体板焼物を得る。
この仮焼成の後、この仮焼物を上記工程と全く同様にボ
ールミルポットにて96時間、粉砕を行う。この粉砕の
後、濾過または乾燥により、誘電体仮焼粉末を得る。こ
の時に誘電体板焼粉に吸着した水および有機溶剤を完全
に除去するために、120〜150℃で真空乾燥を行う
。
ールミルポットにて96時間、粉砕を行う。この粉砕の
後、濾過または乾燥により、誘電体仮焼粉末を得る。こ
の時に誘電体板焼粉に吸着した水および有機溶剤を完全
に除去するために、120〜150℃で真空乾燥を行う
。
このようにして充分に乾燥された誘電体板焼粉とビヒク
ルとを混合、混練する。
ルとを混合、混練する。
誘電体板焼粉とビヒクルとの混合は、少量であれば乳鉢
等、多量であればライカイ機、万能混合撹拌機等の混合
機で良く粗練りをし、さらに三本ロールで良、く混練し
、粉末の粒径を整えた後、印刷に必要な粘度を保持する
ために高沸点有機溶剤を加えて粘度調整を行い、この発
明の誘電体ペーストとし、スクリーン印刷に供する。
等、多量であればライカイ機、万能混合撹拌機等の混合
機で良く粗練りをし、さらに三本ロールで良、く混練し
、粉末の粒径を整えた後、印刷に必要な粘度を保持する
ために高沸点有機溶剤を加えて粘度調整を行い、この発
明の誘電体ペーストとし、スクリーン印刷に供する。
この発明の誘電体ペーストを用いれば、比誘電率が高く
かつ単位面積あたりの容量が従来のものと比較して2〜
3倍も大きなコンデンサを低温焼結により製造すること
かできる。
かつ単位面積あたりの容量が従来のものと比較して2〜
3倍も大きなコンデンサを低温焼結により製造すること
かできる。
この発明の誘電体ペーストを用いて製造した印刷コンデ
ンサの一例を第1図および第2図に示した。
ンサの一例を第1図および第2図に示した。
この印刷コンデンサは、アルミナ等の基板l上に下部電
極2と誘電体層3と上部電極4とを順次積層してなるも
のである。このような印刷コンデンサは以下の工程によ
り製造することができる。
極2と誘電体層3と上部電極4とを順次積層してなるも
のである。このような印刷コンデンサは以下の工程によ
り製造することができる。
まず基板1上に銀糸等の導電ペーストを印刷し、850
℃で10分間加熱して下部電極2を形成した後、この下
部電極2上にこの発明の誘電体ペーストを印刷、乾燥し
、さらにこの上に上部電極3となる導電ペーストを印刷
、乾燥した後、850℃で10分間焼成することにより
約30〜60μ重の膜厚の誘電体層3を有する印刷コン
デンサを製造することができる。
℃で10分間加熱して下部電極2を形成した後、この下
部電極2上にこの発明の誘電体ペーストを印刷、乾燥し
、さらにこの上に上部電極3となる導電ペーストを印刷
、乾燥した後、850℃で10分間焼成することにより
約30〜60μ重の膜厚の誘電体層3を有する印刷コン
デンサを製造することができる。
[実施例]
Pb(Mg+/5Nbt/5)Os −0,68モル、
P b(N i=/3N btza)Os 0 、1
0モル、PbTiOs 0.22モルの組成になるよ
うに酸化鉛、酸化マグネシラム、酸化ニオブ、酸化ニッ
ケル、酸化チタンの各粉末を配合し、仮焼した。上記各
粉末を仮焼した後、得られる誘電体原料に3.0重量部
のCuOと0.5重量部のBi20aと、0〜4.5重
量部のS rT i Osを加えて粉砕、混合し、75
0℃で5時間仮焼成した。ついでこの仮焼成した粉末を
粉砕した後、充分に乾燥させて誘電体板焼粉とした。
P b(N i=/3N btza)Os 0 、1
0モル、PbTiOs 0.22モルの組成になるよ
うに酸化鉛、酸化マグネシラム、酸化ニオブ、酸化ニッ
ケル、酸化チタンの各粉末を配合し、仮焼した。上記各
粉末を仮焼した後、得られる誘電体原料に3.0重量部
のCuOと0.5重量部のBi20aと、0〜4.5重
量部のS rT i Osを加えて粉砕、混合し、75
0℃で5時間仮焼成した。ついでこの仮焼成した粉末を
粉砕した後、充分に乾燥させて誘電体板焼粉とした。
なおS rT io 3は、S r CO3とT i
O3とをそれぞれ1.0モルづつボールミルを用いて均
一組成になるようにして充分混合したものを固相反応に
より反応させてS rT io 3としたものを用いた
。
O3とをそれぞれ1.0モルづつボールミルを用いて均
一組成になるようにして充分混合したものを固相反応に
より反応させてS rT io 3としたものを用いた
。
ここでビヒクルは熱可塑性アクリル樹脂をブチルカルピ
トールに24vt%になるように溶解してなるものを用
いた。上記誘電体原料と添加剤とからなる混合物とビヒ
クルとの重量比率が、100:17となるように配合し
、これらを乳鉢で混合した後、三本ロールで充分に混練
して誘電体ペーストとした。
トールに24vt%になるように溶解してなるものを用
いた。上記誘電体原料と添加剤とからなる混合物とビヒ
クルとの重量比率が、100:17となるように配合し
、これらを乳鉢で混合した後、三本ロールで充分に混練
して誘電体ペーストとした。
このようにして得られた誘電体ペーストを用いて印刷コ
ンデンサを製造したところ、850℃での低温焼結が可
能となった。またこのようにして製造された印刷コンデ
ンサの比誘電率と誘電損失と絶縁抵抗と温度による容量
変化率を調べ、結果を第1表と第3図にそれぞれ示した
。
ンデンサを製造したところ、850℃での低温焼結が可
能となった。またこのようにして製造された印刷コンデ
ンサの比誘電率と誘電損失と絶縁抵抗と温度による容量
変化率を調べ、結果を第1表と第3図にそれぞれ示した
。
なお第3図中、実線は比誘電率を示し、破線は温度によ
る誘電損失を示す。
る誘電損失を示す。
第1表
上記第1表の結果より、S rT io 3の添加によ
る効果が認められたのは1.0〜40重量部であった。
る効果が認められたのは1.0〜40重量部であった。
5rTiOaの添加量が4.0重量部を越えると、温度
による容量変化率が低下するものの比誘電率が低下し、
単位面積当たりのコンデンサ容量が小さくなり集積度が
低下するので好ましくない。またS rT io sの
添加量が1.0重量部未満であると、容量変化率の低減
効果が充分ではないためである。
による容量変化率が低下するものの比誘電率が低下し、
単位面積当たりのコンデンサ容量が小さくなり集積度が
低下するので好ましくない。またS rT io sの
添加量が1.0重量部未満であると、容量変化率の低減
効果が充分ではないためである。
[発明の効果コ
以上説明したようにこの発明の誘電体ペーストは0.6
6〜0.70モルのP b(M g+ysN byz3
)03と0,04〜0.16モルのP b(N i I
/3 N bt/3) Osと0.20〜0.24モル
のf’ bT i 03とに、2.0〜5.0重量部の
CuOと0.3〜1.0重量部のBLOsと1.0〜4
.0重量部の5rTiO*とを添加して得られる組成物
を焼成して、粉砕した粉末をビヒクル中に分散させてな
るものであるので、850℃での低温焼結が可能である
とともに、高い比誘電率を有する誘電体層の形成が可能
である。
6〜0.70モルのP b(M g+ysN byz3
)03と0,04〜0.16モルのP b(N i I
/3 N bt/3) Osと0.20〜0.24モル
のf’ bT i 03とに、2.0〜5.0重量部の
CuOと0.3〜1.0重量部のBLOsと1.0〜4
.0重量部の5rTiO*とを添加して得られる組成物
を焼成して、粉砕した粉末をビヒクル中に分散させてな
るものであるので、850℃での低温焼結が可能である
とともに、高い比誘電率を有する誘電体層の形成が可能
である。
よってこの発明の誘電体ペーストを用いて製造された印
刷コンデンサの単位面積あたりの容量は従来の誘電体ペ
ーストを用いて製造されたコンデンサの容量の2〜3倍
となるので、同一容量の印刷回路基板を設計する場合に
は基板面積を1/2〜1/3に減少させることができ、
高集積化が可能となる。
刷コンデンサの単位面積あたりの容量は従来の誘電体ペ
ーストを用いて製造されたコンデンサの容量の2〜3倍
となるので、同一容量の印刷回路基板を設計する場合に
は基板面積を1/2〜1/3に減少させることができ、
高集積化が可能となる。
またこの発明の誘電体ペーストは、9 rT iOsの
添加により温度による容量変化を低減させたものである
ので、安定した素子、を得ることができる。
添加により温度による容量変化を低減させたものである
ので、安定した素子、を得ることができる。
さらにこの発明の誘電体ペーストは850℃での低温焼
結が可能であるので、高価なパラジウムや白金を電極材
料として使用する必要がなくなるので、集積度の高い素
子を低コストで製造することができる。またこの誘電体
ペーストを用いて製造されたコンデンサは、基板面積が
小さく高集積化が可能であるので、小型化要求の大きな
ハンディタイプの電気製品の電子素子として好適である
。
結が可能であるので、高価なパラジウムや白金を電極材
料として使用する必要がなくなるので、集積度の高い素
子を低コストで製造することができる。またこの誘電体
ペーストを用いて製造されたコンデンサは、基板面積が
小さく高集積化が可能であるので、小型化要求の大きな
ハンディタイプの電気製品の電子素子として好適である
。
第1図はこの発明の誘電体ペーストを用いて製造した厚
膜印刷コンデンサの平面図、第2図は第1図に示した厚
膜印刷コンデンサの1−1線矢視図、第3図はこの発明
の誘電体ペーストの比誘電率と誘電損失の温度特性を示
したグラフである。 3・・・誘電体層。 第 1 図 第2 図 第 図 温 度 [°C]
膜印刷コンデンサの平面図、第2図は第1図に示した厚
膜印刷コンデンサの1−1線矢視図、第3図はこの発明
の誘電体ペーストの比誘電率と誘電損失の温度特性を示
したグラフである。 3・・・誘電体層。 第 1 図 第2 図 第 図 温 度 [°C]
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Pb(Mg_1_/_3Nb_2_/_3)O_30.
66〜0.70モルPb(Ni_1_/_3Nb_2_
/_3)O_30.04〜0.16モルPbTiO_3
0.20〜0.24モル の誘電体原料に対し、 CuO2.0〜5.0重量部 Bi_2O_30.3〜1.0重量部 SrTiO_31.0〜4.0重量部 を添加して得られる組成物を焼成して粉砕した粉末をビ
ヒクル中に分散させてなることを特徴とする誘電体ペー
スト
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26147589A JP2622292B2 (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 誘電体ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26147589A JP2622292B2 (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 誘電体ペースト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03122905A true JPH03122905A (ja) | 1991-05-24 |
| JP2622292B2 JP2622292B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=17362420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26147589A Expired - Lifetime JP2622292B2 (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 誘電体ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2622292B2 (ja) |
-
1989
- 1989-10-06 JP JP26147589A patent/JP2622292B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2622292B2 (ja) | 1997-06-18 |
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