JPH03122999A - 偏向電磁石およびそれを用いた円形加速器の荷電粒子加速方法 - Google Patents
偏向電磁石およびそれを用いた円形加速器の荷電粒子加速方法Info
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- JPH03122999A JPH03122999A JP26150989A JP26150989A JPH03122999A JP H03122999 A JPH03122999 A JP H03122999A JP 26150989 A JP26150989 A JP 26150989A JP 26150989 A JP26150989 A JP 26150989A JP H03122999 A JPH03122999 A JP H03122999A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、荷電粒子を偏向させるための偏向電磁石、お
よび、これを使用した円形加速器における荷電粒子加速
方法に関する。
よび、これを使用した円形加速器における荷電粒子加速
方法に関する。
[従来の技術]
従来の円形加速器の例を第7図に示す、荷電粒子は、入
射器1より入射し、偏向電磁石2、四極収束f1!磁石
3及び四極非収束電磁石4の作用により、加速器内を安
定に周回する。荷電粒子の加速は、高周波加速空胴5に
より荷電粒子にエネルギーを与え、かつ、偏向電磁石2
および四極電磁石3.4の磁場強度を連携させ増加させ
ていくことにより行なわれる。加速後は、荷電粒子を偏
向させる時に発生するシンクロトロン放射光を物理実験
に使用したり、あるいは、荷電粒子を加速器から取り出
し物理実験等に使用するのが従来一般であった。
射器1より入射し、偏向電磁石2、四極収束f1!磁石
3及び四極非収束電磁石4の作用により、加速器内を安
定に周回する。荷電粒子の加速は、高周波加速空胴5に
より荷電粒子にエネルギーを与え、かつ、偏向電磁石2
および四極電磁石3.4の磁場強度を連携させ増加させ
ていくことにより行なわれる。加速後は、荷電粒子を偏
向させる時に発生するシンクロトロン放射光を物理実験
に使用したり、あるいは、荷電粒子を加速器から取り出
し物理実験等に使用するのが従来一般であった。
而して、近年、上記のシンクロトロン・放射光や加速後
の荷電粒子を工業用や医療用に使用するため1円形加速
器を小型化する必要が生じており、そのため、偏向電磁
石を小型化する必要性が生じてきた。荷電粒子の運動量
P (kg+o)は偏向電磁石の磁場をB (T) 、
曲率半径をρ(m)とし、粒子の電気量をq (C)と
すると、 P=qI3ρ ・・・(1)と表わせる。従
って、荷電粒子の加速後の運動量Pを同一とする条件下
でρを小さくして偏向電磁石を小型化するためには磁場
強度Bを高くする必要があり、そのため、コイルに超電
導線を用いた偏向m磁石が用いられるようになってきた
。
の荷電粒子を工業用や医療用に使用するため1円形加速
器を小型化する必要が生じており、そのため、偏向電磁
石を小型化する必要性が生じてきた。荷電粒子の運動量
P (kg+o)は偏向電磁石の磁場をB (T) 、
曲率半径をρ(m)とし、粒子の電気量をq (C)と
すると、 P=qI3ρ ・・・(1)と表わせる。従
って、荷電粒子の加速後の運動量Pを同一とする条件下
でρを小さくして偏向電磁石を小型化するためには磁場
強度Bを高くする必要があり、そのため、コイルに超電
導線を用いた偏向m磁石が用いられるようになってきた
。
超電導コイルを用いた偏向電磁石の従来例の断面を第8
図に示す、この偏向電磁石は曲率半径ρが1.0m、偏
向角が90′であり、電子を50HeVから1000H
eVまで加速し蓄積する電子円形加速器に使用される。
図に示す、この偏向電磁石は曲率半径ρが1.0m、偏
向角が90′であり、電子を50HeVから1000H
eVまで加速し蓄積する電子円形加速器に使用される。
超電導コイル6をヘリウム容器7に収納し、液体ヘリウ
ム8により冷却した状態で電流を流し、電子が走る真空
ダクト9を横切る−様な垂直方向磁界を鉄心12のギャ
ップ11中に発生させる。超電導コイル6は全て250
ターンずつ巻かれており、超電導コイルの自己インダク
タンスは1.OHである。
ム8により冷却した状態で電流を流し、電子が走る真空
ダクト9を横切る−様な垂直方向磁界を鉄心12のギャ
ップ11中に発生させる。超電導コイル6は全て250
ターンずつ巻かれており、超電導コイルの自己インダク
タンスは1.OHである。
この偏向電磁石を用いた円形加速器において。
エネルギーが50HeVの電子を入射した場合には、超
電導コイル6には120Aの電流を流し、真空ダクト9
を横切る0、17Tの磁場を発生させる。1!子を加速
して行く過程では、超電導コイルに流す電流値を増やし
、偏向磁場強度Bを増加させていくため、超電導コイル
の両端に数100V程度の電圧を印加する。f!!子を
1000HeVまで加速し。
電導コイル6には120Aの電流を流し、真空ダクト9
を横切る0、17Tの磁場を発生させる。1!子を加速
して行く過程では、超電導コイルに流す電流値を増やし
、偏向磁場強度Bを増加させていくため、超電導コイル
の両端に数100V程度の電圧を印加する。f!!子を
1000HeVまで加速し。
周回させるには、偏向磁場Bを3.3Tとする必要があ
り、超電導コイル6に流す電流を電子のエネルギーが5
0HeVの時の12OAから240OAに徐々に増加さ
せる。
り、超電導コイル6に流す電流を電子のエネルギーが5
0HeVの時の12OAから240OAに徐々に増加さ
せる。
[発明が解決しようとする課題]
ところで、円形加速器内を周回する荷電粒子は。
周回方向に垂直な方向にベータトロン振動し、かつ1周
囲の同種の荷電粒子から反発力(クーロン力)を受ける
。荷電粒子が低エネルギーである程ベータトロン振動の
減衰時間は長く、荷電粒子の損失確率が増加する。また
、クーロン力に起因する荷電粒子の寿命は、およそエネ
ルギーが100HeV程度のとき最小値(およそ10秒
)となり、エネルギーを100MaV以上に増加させて
いくと寿命は大幅に増加する。
囲の同種の荷電粒子から反発力(クーロン力)を受ける
。荷電粒子が低エネルギーである程ベータトロン振動の
減衰時間は長く、荷電粒子の損失確率が増加する。また
、クーロン力に起因する荷電粒子の寿命は、およそエネ
ルギーが100HeV程度のとき最小値(およそ10秒
)となり、エネルギーを100MaV以上に増加させて
いくと寿命は大幅に増加する。
従って、円形加速器で荷電粒子を失うことなく加速する
ためには、高エネルギーまでできるだけ短時間で加速す
る必要がある。
ためには、高エネルギーまでできるだけ短時間で加速す
る必要がある。
しかし、超電導コイルを使用した従来の偏向電磁石では
、強磁場を発生させるために超電導コイルの巻数が多く
なり、その結果、自己インダクタンスが大きくなるため
、短時間でコイル電流を増加させるためには、該コイル
のための電源電圧を高くする必要がある0例えば、第8
図の従来の偏向電磁石を用いて電子を50HeVから2
00MaVまで0.2秒で加速し、その後、10010
0Oまでおよそ10秒で加速する場合、電流を12OA
から48 OA ニ0.2秒間で増加させ、さらニ48
0 Aから240OAに9.8秒で増加させる必要があ
り、電源電圧は1.8kV、 [源容量は900kVA
必要となる、このように従来の超電導偏向電磁石では、
加速時の電流(荷電粒子電流)の損失を防ぐための短時
間の加速を行う場合、大きな電源容量を必要とし、ひい
ては、電源に給電するために送電線より受電する設備の
受電容量を予め大きく確保しておく必要があり、実際上
、前記の電流(荷電粒子電流)の損失を抑える加速を行
うことが困難であった。
、強磁場を発生させるために超電導コイルの巻数が多く
なり、その結果、自己インダクタンスが大きくなるため
、短時間でコイル電流を増加させるためには、該コイル
のための電源電圧を高くする必要がある0例えば、第8
図の従来の偏向電磁石を用いて電子を50HeVから2
00MaVまで0.2秒で加速し、その後、10010
0Oまでおよそ10秒で加速する場合、電流を12OA
から48 OA ニ0.2秒間で増加させ、さらニ48
0 Aから240OAに9.8秒で増加させる必要があ
り、電源電圧は1.8kV、 [源容量は900kVA
必要となる、このように従来の超電導偏向電磁石では、
加速時の電流(荷電粒子電流)の損失を防ぐための短時
間の加速を行う場合、大きな電源容量を必要とし、ひい
ては、電源に給電するために送電線より受電する設備の
受電容量を予め大きく確保しておく必要があり、実際上
、前記の電流(荷電粒子電流)の損失を抑える加速を行
うことが困難であった。
本発明の目的は、上記従来の欠点をなくシ、大きな受電
容量や電源容量を必要とせず、短時間で荷電粒子を損失
なく加速することが可能な小型偏向電磁石及びこれを用
いた円形加速器の荷電粒子加速方法を提供することにあ
る。
容量や電源容量を必要とせず、短時間で荷電粒子を損失
なく加速することが可能な小型偏向電磁石及びこれを用
いた円形加速器の荷電粒子加速方法を提供することにあ
る。
[課題を解決するための手段]
本発明による、偏向電磁石は特許請求の範囲の請求項1
,2又は3記載の構成を有し、この偏向電磁石を用いた
円形加速器における本発明による荷電粒子の加速方法は
請求項4,5又は6記載の構成を有する。
,2又は3記載の構成を有し、この偏向電磁石を用いた
円形加速器における本発明による荷電粒子の加速方法は
請求項4,5又は6記載の構成を有する。
[作 用コ
本発明の偏向電磁石は、第1種のコイルに流れる電流に
よる磁場と、第2種のコイルに流れる電流による磁場と
の重畳で偏向磁場を発生させることができる。
よる磁場と、第2種のコイルに流れる電流による磁場と
の重畳で偏向磁場を発生させることができる。
この偏向電磁石を用いた円形加速器における荷電粒子の
加速方法として、本発明では荷電粒子の加速に必要な偏
向磁場の増加を主に自己インダクタンスの小さな第2種
の偏向コイルにより行ない、目標到達エネルギーに近い
エネルギーで必要となる高い偏向磁場強度は主に第1種
の偏向コイルにより発生させる。
加速方法として、本発明では荷電粒子の加速に必要な偏
向磁場の増加を主に自己インダクタンスの小さな第2種
の偏向コイルにより行ない、目標到達エネルギーに近い
エネルギーで必要となる高い偏向磁場強度は主に第1種
の偏向コイルにより発生させる。
自己インダクタンスの小さな第2種のコイルを用いるこ
とにより、相対的に低エネルギー時に必要となる短時間
の加速を大きな電源容量を用いずに実現できる。また、
強磁場発生が可能な第1種のコイルを用いることにより
、高エネルギーまで粒子を加速し周回させることが可能
であり9円形加速器の小型化を損なうことなく1.また
1粒子ビーム電流を損失することなく、目標エネルギー
まで荷電粒子を加速できる。
とにより、相対的に低エネルギー時に必要となる短時間
の加速を大きな電源容量を用いずに実現できる。また、
強磁場発生が可能な第1種のコイルを用いることにより
、高エネルギーまで粒子を加速し周回させることが可能
であり9円形加速器の小型化を損なうことなく1.また
1粒子ビーム電流を損失することなく、目標エネルギー
まで荷電粒子を加速できる。
本発明による荷電粒子加速方法についてより具体的に説
明する。
明する。
即ち、荷電粒子の加速前後のエネルギーの差で表わす加
速エネルギー幅が小さい場合には、加速に必要な磁場上
昇を自己インダクタンスの小さな第2種の偏向コイルに
よる磁場を急激に増加させることにより行う、この場合
、加速を開始する際の荷電粒子エネルギーが高く、必要
な偏向磁場強度が高い場合には、高エネルギーを保持す
るために強磁場発生が可能な第1種の偏向コイルを励磁
して発生させる磁場と、加速用の前記の自己インダクタ
ンスが小さな第2種のコイルからの磁場を重畳して偏向
磁場を得るようにする。この場合の加速開始後の時間と
偏向磁場強度の関係を第3図に示す、あるいは、第4図
に示すように、強磁場発生が可能な第1種のコイルによ
る磁場強度を加速後の最終エネルギーに必要な強度にあ
らかじめ設定しておき、自己インダクタンスの小さな第
2種の偏向コイルによる偏向磁場を上記第1種の偏向コ
イルによる磁場の方向と反対になるように設定して、加
速開始と共に自己インダクタンスの小さな第2種の偏向
コイルによる′IJi場強度裂強度に減少させる方法も
可能である。
速エネルギー幅が小さい場合には、加速に必要な磁場上
昇を自己インダクタンスの小さな第2種の偏向コイルに
よる磁場を急激に増加させることにより行う、この場合
、加速を開始する際の荷電粒子エネルギーが高く、必要
な偏向磁場強度が高い場合には、高エネルギーを保持す
るために強磁場発生が可能な第1種の偏向コイルを励磁
して発生させる磁場と、加速用の前記の自己インダクタ
ンスが小さな第2種のコイルからの磁場を重畳して偏向
磁場を得るようにする。この場合の加速開始後の時間と
偏向磁場強度の関係を第3図に示す、あるいは、第4図
に示すように、強磁場発生が可能な第1種のコイルによ
る磁場強度を加速後の最終エネルギーに必要な強度にあ
らかじめ設定しておき、自己インダクタンスの小さな第
2種の偏向コイルによる偏向磁場を上記第1種の偏向コ
イルによる磁場の方向と反対になるように設定して、加
速開始と共に自己インダクタンスの小さな第2種の偏向
コイルによる′IJi場強度裂強度に減少させる方法も
可能である。
また、加速エネルギー幅が大きい場合については、第5
図に示すように、エネルギーが相対的に低い加速初期に
は、主に、自己インダクタンスが小さい第2種の偏向コ
イルの電流を急峻に増加させて磁場を上昇させる。その
後、エネルギーが高くなった後の加速については、主に
、強磁場発生が可能な第1種のコイルを用い、相対的に
小さな速度で偏向磁場を増加させる。この場合について
も、第6図に示すように、まず、強磁場発生が可能な第
1種のコイルを励磁しておくと共に、自己インダクタン
スの小さな第2種の偏向コイルにより第1種のコイルに
よる初期磁場と反対方向の磁場を励磁し、自己インダク
タンスの小さな第2′N1の偏向コイルによる磁場を急
峻に減少させることにより加速することもできる。
図に示すように、エネルギーが相対的に低い加速初期に
は、主に、自己インダクタンスが小さい第2種の偏向コ
イルの電流を急峻に増加させて磁場を上昇させる。その
後、エネルギーが高くなった後の加速については、主に
、強磁場発生が可能な第1種のコイルを用い、相対的に
小さな速度で偏向磁場を増加させる。この場合について
も、第6図に示すように、まず、強磁場発生が可能な第
1種のコイルを励磁しておくと共に、自己インダクタン
スの小さな第2種の偏向コイルにより第1種のコイルに
よる初期磁場と反対方向の磁場を励磁し、自己インダク
タンスの小さな第2′N1の偏向コイルによる磁場を急
峻に減少させることにより加速することもできる。
なお、第3図〜第6図では強磁場発生用の第1種のコイ
ルを加速当初から励磁する方法を示しているが、第1種
のコイルの励磁を加速途中から開始するようにしても荷
電粒子を短時間で加速することが可能である。
ルを加速当初から励磁する方法を示しているが、第1種
のコイルの励磁を加速途中から開始するようにしても荷
電粒子を短時間で加速することが可能である。
[実 施 例]
以下1本発明の実施例を詳細に説明する。
尖廠M上
第2図は、本発明に係る円形電子加速器の例を示し、入
射器1よりエネルギーが50にeVの電子を入射し10
0100Oまで加速する。3と4は、夫々、四極収束電
磁石と四極非収束電磁石である。
射器1よりエネルギーが50にeVの電子を入射し10
0100Oまで加速する。3と4は、夫々、四極収束電
磁石と四極非収束電磁石である。
5は高周波加速空胴であり、電子にエネルギーを与える
。2は本発明による偏向電磁石であって、その曲率半径
すなわち電子の軌道半径は1mであり、電子の軌道を9
0″偏向するものくすなわち偏向角が90’)である。
。2は本発明による偏向電磁石であって、その曲率半径
すなわち電子の軌道半径は1mであり、電子の軌道を9
0″偏向するものくすなわち偏向角が90’)である。
第2図の位置A−Aにおける偏向電磁石2の断面図を第
1図に示す、6は強磁場発生用の超電導コイルであって
1巻数は240ターンであり、自己インダクタンスは0
.9Hとなっている。超電導コイル6はヘリウム容器7
に収納され、ヘリウム容器7の中には超電導コイル6を
極低温に保つための液体ヘリウムを充填しておく。他方
、9は常電導コイルであって、巻数は全部で20ターン
。
1図に示す、6は強磁場発生用の超電導コイルであって
1巻数は240ターンであり、自己インダクタンスは0
.9Hとなっている。超電導コイル6はヘリウム容器7
に収納され、ヘリウム容器7の中には超電導コイル6を
極低温に保つための液体ヘリウムを充填しておく。他方
、9は常電導コイルであって、巻数は全部で20ターン
。
自己インダクタンスは10m1(、コイルの抵抗は5m
Ωである。常電導コイル9を励磁するときには、該g電
導コイルで発生する熱を除去するためコイル導体の中心
部に水を流し冷却する。10は中を電子が走る真空ダク
トであり、鉄心12のギャップ11の中央部に設置する
。これらの超電導コイル6と常電導コイル9及び真空ダ
クト10等は鉄心12で囲まれている。鉄心12は、加
速時に偏向磁場の強度を増加させる際に渦電流が流れる
ことを最小限に抑えるために、硅素鋼板を積層したもの
を使用する。
Ωである。常電導コイル9を励磁するときには、該g電
導コイルで発生する熱を除去するためコイル導体の中心
部に水を流し冷却する。10は中を電子が走る真空ダク
トであり、鉄心12のギャップ11の中央部に設置する
。これらの超電導コイル6と常電導コイル9及び真空ダ
クト10等は鉄心12で囲まれている。鉄心12は、加
速時に偏向磁場の強度を増加させる際に渦電流が流れる
ことを最小限に抑えるために、硅素鋼板を積層したもの
を使用する。
次に、第1図に示した偏向電磁石2を有する第2図の円
形加速器での粒子加速方法について説明する。入射器1
よりエネルギーが50MeVの電子を入射した段階では
、第1図の常導電コイル9には、第1図の真空ダクト1
0の部分に垂直方向の上から下へと0.17Tの磁場を
発生させるよう170Aの電流を流しておく、加速する
際には。
形加速器での粒子加速方法について説明する。入射器1
よりエネルギーが50MeVの電子を入射した段階では
、第1図の常導電コイル9には、第1図の真空ダクト1
0の部分に垂直方向の上から下へと0.17Tの磁場を
発生させるよう170Aの電流を流しておく、加速する
際には。
第9図のように、常電導コイル9の両端に40Vの電圧
を印加すると、常電導コイル9の電流はQ、2秒で直線
的に68OAまで増加し、第1図の真空ダクト10の部
分での偏向磁場は0.7Tまで直線的に上昇する。この
過程で、高周波加速空胴5から高周波を継続して印加し
ておくことにより、0.2秒間に電子のエネルギーは5
0MeVから200MaVに上昇する。第1図の真空ダ
クト10の部分での偏向磁場が0.7T以上になった後
は、常電導コイル9に流す電流を一定に保ちながら。
を印加すると、常電導コイル9の電流はQ、2秒で直線
的に68OAまで増加し、第1図の真空ダクト10の部
分での偏向磁場は0.7Tまで直線的に上昇する。この
過程で、高周波加速空胴5から高周波を継続して印加し
ておくことにより、0.2秒間に電子のエネルギーは5
0MeVから200MaVに上昇する。第1図の真空ダ
クト10の部分での偏向磁場が0.7T以上になった後
は、常電導コイル9に流す電流を一定に保ちながら。
強磁場発生用の超電導コイル6の両端に150vの電圧
をかける。これにより、超電導コイル6の電流は150
A/秒の割合で増加し、その結果、偏向磁場も第9図の
ように直線的に増加し3.3Tに達する。この偏向磁場
の増加により、電子を100100Oまでおよそ10秒
で加速できる。
をかける。これにより、超電導コイル6の電流は150
A/秒の割合で増加し、その結果、偏向磁場も第9図の
ように直線的に増加し3.3Tに達する。この偏向磁場
の増加により、電子を100100Oまでおよそ10秒
で加速できる。
このように、電子を200MaVまで0.2秒で加速し
、その後、100100Oまでおよそ10秒で加速する
場合に200MaV以下での加速を速くしたことにより
、50MaVから1000MeVまでおよそ12秒で一
定の加速速さで加速した場合に比べて、荷電粒子電流の
損失を減らすことができ、加速・蓄積する粒子電流を2
倍以上にすることができる。
、その後、100100Oまでおよそ10秒で加速する
場合に200MaV以下での加速を速くしたことにより
、50MaVから1000MeVまでおよそ12秒で一
定の加速速さで加速した場合に比べて、荷電粒子電流の
損失を減らすことができ、加速・蓄積する粒子電流を2
倍以上にすることができる。
また、第9図に示す1本発明に基づく短時間の加速では
、偏向電磁石1台あたりの電源容量が、常電導コイルに
ついて30kVA、超電導コイルについて230kVA
必要であるが、これは自己インダクタンスの大きな従来
の強磁場発生用の超電導コイルのみを用いる場合のおよ
そ1/4に低減されている。
、偏向電磁石1台あたりの電源容量が、常電導コイルに
ついて30kVA、超電導コイルについて230kVA
必要であるが、これは自己インダクタンスの大きな従来
の強磁場発生用の超電導コイルのみを用いる場合のおよ
そ1/4に低減されている。
ス]1阿」ユ
円形加速器及び偏向電磁石は、それぞれ第2図、第1図
と同一のものを使用し、第1図の常電導コイルによる磁
場を減少させることによって偏向磁場を増加させ、′R
子を加速する実施例について説明する。
と同一のものを使用し、第1図の常電導コイルによる磁
場を減少させることによって偏向磁場を増加させ、′R
子を加速する実施例について説明する。
本実施例2において超電導コイル6と常電導コイル9に
印加する電圧、電流、及び、第1図の真空ダクト1oの
位置での磁場強度を第10図に示す、超電導コイル6に
は、加速初期から38OAの電流を流し、200MoV
の電子を周回させるのに必要な磁場0.7Tを発生させ
ておく、一方、常電導コイル9には、加速開始時に超電
導コイル6による磁場を打ち消す方向の磁場を発生させ
る電流を50OA流し、真空ダクト1oの位置での磁場
(常電導コイルによる磁場と超電導コイルによる磁場と
の重畳磁場)が下向きに0.17T (電子のエネルギ
ー50MaVに対応)となるようにしておく、この状況
で50MeVのエネルギーの電子を入射し、常電導コイ
ル9の電流の絶対値を減らすと共に超電導コイル6に一
定の電流が流れるように調整すると、常電導コイルによ
る磁場の減少に伴って偏向磁場は増大し、電子はおよそ
0.2秒で200MaVに加速される。この後、超電導
コイルの電流を増加させて行き、電子を100100O
まで加速する。 本実施例2の加速で必要な電源容量は
実施例1と同一である。
印加する電圧、電流、及び、第1図の真空ダクト1oの
位置での磁場強度を第10図に示す、超電導コイル6に
は、加速初期から38OAの電流を流し、200MoV
の電子を周回させるのに必要な磁場0.7Tを発生させ
ておく、一方、常電導コイル9には、加速開始時に超電
導コイル6による磁場を打ち消す方向の磁場を発生させ
る電流を50OA流し、真空ダクト1oの位置での磁場
(常電導コイルによる磁場と超電導コイルによる磁場と
の重畳磁場)が下向きに0.17T (電子のエネルギ
ー50MaVに対応)となるようにしておく、この状況
で50MeVのエネルギーの電子を入射し、常電導コイ
ル9の電流の絶対値を減らすと共に超電導コイル6に一
定の電流が流れるように調整すると、常電導コイルによ
る磁場の減少に伴って偏向磁場は増大し、電子はおよそ
0.2秒で200MaVに加速される。この後、超電導
コイルの電流を増加させて行き、電子を100100O
まで加速する。 本実施例2の加速で必要な電源容量は
実施例1と同一である。
去JJLジ
本実施例3では、第2図と同一の磁石配列において、第
11図に断面を示す偏向電磁石2を使用し、高周波加速
空胴5から高周波を印加し、電子を50MaVから10
0100Oまで加速する。第11図の偏向電磁石2は、
軌道の曲率半径が1mであり、偏向磁場発生用コイルと
しては2種類の超電導コイル13及び14を使用する。
11図に断面を示す偏向電磁石2を使用し、高周波加速
空胴5から高周波を印加し、電子を50MaVから10
0100Oまで加速する。第11図の偏向電磁石2は、
軌道の曲率半径が1mであり、偏向磁場発生用コイルと
しては2種類の超電導コイル13及び14を使用する。
超電導コイル13は1巻数が30ターンで自己インダク
タンスが25allであり、超電導コイル14は巻数が
250ターンで自己インダクタンスがIHである。
タンスが25allであり、超電導コイル14は巻数が
250ターンで自己インダクタンスがIHである。
このうち、相対的に自己インダクタンスの小さい超電導
コイル13を用いて電子を50MeVから150MeV
まで加速する。電子を150MeVまで加速するには、
偏向磁場を0.51Tに上昇させる必要があり、第12
図のように、超電導コイル13に電圧150vを印加し
、0.2秒テ0.51Tまで偏向磁場強度を増加する。
コイル13を用いて電子を50MeVから150MeV
まで加速する。電子を150MeVまで加速するには、
偏向磁場を0.51Tに上昇させる必要があり、第12
図のように、超電導コイル13に電圧150vを印加し
、0.2秒テ0.51Tまで偏向磁場強度を増加する。
コイル13は超電導コイルではあるが、発生磁場を小さ
く抑え巻線数を少くしであることにより、その自己イン
ダクタンスが小さいので、短時間でのその電流増加に必
要な電圧は小さくて足りる。150MaVまで加速後は
。
く抑え巻線数を少くしであることにより、その自己イン
ダクタンスが小さいので、短時間でのその電流増加に必
要な電圧は小さくて足りる。150MaVまで加速後は
。
相対的にインダクタンスの大きな超電導コイル14の励
磁量を増加させ、偏向磁場の強度を3.3Tにすること
により電子を100100Oまで加速する。この場合、
超電導コイル14には150Vの電圧を印加し、100
100Oまテ10秒で加速する。
磁量を増加させ、偏向磁場の強度を3.3Tにすること
により電子を100100Oまで加速する。この場合、
超電導コイル14には150Vの電圧を印加し、100
100Oまテ10秒で加速する。
本実施例では、加速に必要な電源容量は270kVAで
あり、従来の超電導コイル利用小型偏向電磁石で電子を
短時間に加速する場合に必要であった電源容量900k
VAの1/4に抑えられている。
あり、従来の超電導コイル利用小型偏向電磁石で電子を
短時間に加速する場合に必要であった電源容量900k
VAの1/4に抑えられている。
[発明の効果]
本発明によれば、荷電粒子を短時間で加速することがで
きるため、従来の超電導偏向磁石を用いた円形加速器に
比べ、粒子電流の損失を例えば173以下にでき、加速
電流を例えば2倍以上に増加することができる。
きるため、従来の超電導偏向磁石を用いた円形加速器に
比べ、粒子電流の損失を例えば173以下にでき、加速
電流を例えば2倍以上に増加することができる。
また、従来の超電導偏向磁石では、電流損失を少くする
ようにするためには、大きな電源容量を必要としたが1
本発明では従来の超電導偏向磁石が必要とした電源容量
の例えば1/4以下で足りる効果がある。
ようにするためには、大きな電源容量を必要としたが1
本発明では従来の超電導偏向磁石が必要とした電源容量
の例えば1/4以下で足りる効果がある。
第1図は本発明の偏向電磁石の実施例の断面図。
第2図はそれを用いた円形加速器の概要配置図、第3図
ないし第6図は本発明による加速方法を夫々説明するた
めの図、第7図および第8図は夫々従来の円形加速器の
概要配置図および従来の偏向電磁石の断面図、第9図お
よび第10図は前記第1図の偏向電磁石を用いた円形加
速器の本発明による粒子加速方法の異なる実施例の説明
図、第。 11図は本発明の偏向電磁石の他の実施例の断面図、第
12図は第11図の偏向電磁石を用いた本発明による円
形加速器の粒子加速方法の実施例の説明図である。 1・・・入射器 3.4・・・四極電磁石 6・・・超電導コイル 2・・・偏向電磁石 5・・・高周波加速空胴 7・・・ヘリウム容器 9・・・常電導コイル 10・・・真空ダクト 11ギヤツプ 12・・・鉄心 13・・・超電導コイル(自己インダクタンス小)14
・・・超電導コイル(自己インダクタンス大)(他1名
) 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 7 図 第 図 12・・・鉄心 第 0 図 第 図 加速開始後時間(秒) 加速開始後時間(秒) 加速開始後時間(秒) 第 1 図
ないし第6図は本発明による加速方法を夫々説明するた
めの図、第7図および第8図は夫々従来の円形加速器の
概要配置図および従来の偏向電磁石の断面図、第9図お
よび第10図は前記第1図の偏向電磁石を用いた円形加
速器の本発明による粒子加速方法の異なる実施例の説明
図、第。 11図は本発明の偏向電磁石の他の実施例の断面図、第
12図は第11図の偏向電磁石を用いた本発明による円
形加速器の粒子加速方法の実施例の説明図である。 1・・・入射器 3.4・・・四極電磁石 6・・・超電導コイル 2・・・偏向電磁石 5・・・高周波加速空胴 7・・・ヘリウム容器 9・・・常電導コイル 10・・・真空ダクト 11ギヤツプ 12・・・鉄心 13・・・超電導コイル(自己インダクタンス小)14
・・・超電導コイル(自己インダクタンス大)(他1名
) 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 7 図 第 図 12・・・鉄心 第 0 図 第 図 加速開始後時間(秒) 加速開始後時間(秒) 加速開始後時間(秒) 第 1 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 円形加速器における荷電粒子の軌道を偏向させるた
めの偏向電磁石において、偏向磁場発生用コイルを、相
対的に大電流を流すことが可能で且つ自己インダクタン
スの大きい第1種のコイルと、相対的に小電流を流すこ
とが可能で且つ自己インダクタンスの小さい第2種のコ
イルとの組合せで構成したことを特徴とする偏向電磁石
。 2 第1種のコイルが超電導コイルであり、第2種のコ
イルが常電導コイルである請求項1記載の偏向電磁石。 3 第1種のコイルおよび第2種のコイルがいずれも超
電導コイルであって、後者は前者よりも巻数が少い請求
項1記載の偏向電磁石。 4 請求項1、2又は3記載の偏向電磁石を具備した円
形加速器において、偏向電磁石の偏向磁場を前記第1種
のコイルおよび第2のコイルの励磁による磁場の重畳磁
場として発生せしめ、荷電粒子の加速に必要な偏向磁場
強度の増加を、荷電粒子のエネルギーが相対的に低い加
速初期には主として前記第2種のコイルによる磁場強度
を変化させることにより行ない、荷電粒子のエネルギー
が相対的に高い加速後期には前記第1種のコイルによる
磁場強度を変化させることにより行なうことを特徴とす
る、円形加速器の荷電粒子加速方法。 5 前記第2種のコイルによる磁場を第1種のコイルに
よる磁場の向きと同じ向きに発生させる請求項4記載の
円形加速器の荷電粒子加速方法。 6 前記第2種のコイルによる磁場を第1種のコイルに
よる磁場の向きと反対向きに発生させる請求項4記載の
円形加速器の荷電粒子加速方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26150989A JPH03122999A (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 偏向電磁石およびそれを用いた円形加速器の荷電粒子加速方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26150989A JPH03122999A (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 偏向電磁石およびそれを用いた円形加速器の荷電粒子加速方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03122999A true JPH03122999A (ja) | 1991-05-24 |
Family
ID=17362894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26150989A Pending JPH03122999A (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 偏向電磁石およびそれを用いた円形加速器の荷電粒子加速方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03122999A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003031399A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-01-31 | Japan Science & Technology Corp | 永久磁石組込型高磁場発生装置 |
| JP5112571B1 (ja) * | 2012-02-13 | 2013-01-09 | 三菱電機株式会社 | セプタム電磁石および粒子線治療装置 |
| KR20190057315A (ko) * | 2016-10-06 | 2019-05-28 | 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 | 입자가속기 |
-
1989
- 1989-10-06 JP JP26150989A patent/JPH03122999A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003031399A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-01-31 | Japan Science & Technology Corp | 永久磁石組込型高磁場発生装置 |
| JP5112571B1 (ja) * | 2012-02-13 | 2013-01-09 | 三菱電機株式会社 | セプタム電磁石および粒子線治療装置 |
| KR20190057315A (ko) * | 2016-10-06 | 2019-05-28 | 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 | 입자가속기 |
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