JPH0312390A - 分子線結晶成長装置 - Google Patents
分子線結晶成長装置Info
- Publication number
- JPH0312390A JPH0312390A JP1144167A JP14416789A JPH0312390A JP H0312390 A JPH0312390 A JP H0312390A JP 1144167 A JP1144167 A JP 1144167A JP 14416789 A JP14416789 A JP 14416789A JP H0312390 A JPH0312390 A JP H0312390A
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- JP
- Japan
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- molecular beam
- substrate
- beam source
- crystal growth
- deposits
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
分子線結晶成長装置に関し。
分子線結晶成長装置内部の付着物が分子線源セルに落下
するのを防止する機構を有する分子線結晶成長装置を目
的とし 水平に保持された基板と、該基板の下方に配置され且つ
該基板を通る鉛直軸の周りに回転するとお互いに重なる
位置に配置された複数の分子線源セルと、該基板と該複
数の分子線源セルの間に配置され上方から見た時少なく
とも該複数の分子線源セルの開口部を覆う中抜き円板と
、該中抜き円板を鉛直軸の周りに回転させる回転機構と
、該中抜き円板の下面に圧接し且つ該中抜き円板の回転
につれて該下面を摺動して該下面の付着物を剥ぎとる刃
物を持つクリーニング機構とを含む分子線結晶成長装置
により構成する。
するのを防止する機構を有する分子線結晶成長装置を目
的とし 水平に保持された基板と、該基板の下方に配置され且つ
該基板を通る鉛直軸の周りに回転するとお互いに重なる
位置に配置された複数の分子線源セルと、該基板と該複
数の分子線源セルの間に配置され上方から見た時少なく
とも該複数の分子線源セルの開口部を覆う中抜き円板と
、該中抜き円板を鉛直軸の周りに回転させる回転機構と
、該中抜き円板の下面に圧接し且つ該中抜き円板の回転
につれて該下面を摺動して該下面の付着物を剥ぎとる刃
物を持つクリーニング機構とを含む分子線結晶成長装置
により構成する。
本発明は分子線結晶成長装置に関する。
半導体デバイス用結晶の成長に分子線結晶成長装置を用
いるに際し、結晶成長のスルーブツトを向上させるため
に、基板搬送機構が簡単で、且つ分子線源セルに多量の
蒸発材料が入れられる縦型配置の分子線結晶成長装置が
用いられている。
いるに際し、結晶成長のスルーブツトを向上させるため
に、基板搬送機構が簡単で、且つ分子線源セルに多量の
蒸発材料が入れられる縦型配置の分子線結晶成長装置が
用いられている。
かかる分子線結晶成長装置には、高品質の結晶を安定に
成長することが要求される。
成長することが要求される。
第２図に縦型配置の従来の分子線結晶成長装置の構造を
、横から見た構成図で示す。
、横から見た構成図で示す。
真空壁８に囲まれた容器の中央上方に基板加熱機構１２
を設け、その下に基板ホルダ１１により保持された基板
１を配置する。成長する結晶の構成元素の蒸発材料２１
０．２２０を別々に入れた分子線源セル２１．２２を、
鉛直軸の周りに回転する特電なる位置に配置する。また
、基板加熱機構１２や分子線源セル２１．２２は液体窒
素シュラウド６に囲まれている。分子線源セル２１．２
２間にはセル相互間の分子線の汚染を防ぐため遮蔽板７
が設けられる。
を設け、その下に基板ホルダ１１により保持された基板
１を配置する。成長する結晶の構成元素の蒸発材料２１
０．２２０を別々に入れた分子線源セル２１．２２を、
鉛直軸の周りに回転する特電なる位置に配置する。また
、基板加熱機構１２や分子線源セル２１．２２は液体窒
素シュラウド６に囲まれている。分子線源セル２１．２
２間にはセル相互間の分子線の汚染を防ぐため遮蔽板７
が設けられる。
ところで、液体窒素シュラウド６の壁面は分子線源セル
２１．２２より発生した蒸発物が多量に付着しており、
これが剥げて落下し分子線源セル２１゜２２に入ると、
蒸発材料２１０．２２０が他のセルからの蒸発材料で汚
染されてしまう。
２１．２２より発生した蒸発物が多量に付着しており、
これが剥げて落下し分子線源セル２１゜２２に入ると、
蒸発材料２１０．２２０が他のセルからの蒸発材料で汚
染されてしまう。
そこで９分子線源セル２１．２２の開口部の上方に落下
物を受は止めるためのリング状の庇板９が設けられてい
る。この庇板９の下面にはそれぞれの分子線源セルから
発生した分子線のみが当たり。
物を受は止めるためのリング状の庇板９が設けられてい
る。この庇板９の下面にはそれぞれの分子線源セルから
発生した分子線のみが当たり。
付着物となっている。しかし、この成分以外に■−Ｖ族
化合物の結晶成長を行っている場合は１例えば、砒素（
Ａｓ）のような蒸気圧の高いＶ族元素が付着したり、０
□、 Ｃｏ、 Ｈ２Ｏ等の不純物ガスが吸着している可
能性があるので、これが落下して分子線源セルに入った
場合は、やはり蒸発材料が汚染され、成長する結晶に不
純物が混入することになる。特に、結晶成長を長期間に
わたり行うと。
化合物の結晶成長を行っている場合は１例えば、砒素（
Ａｓ）のような蒸気圧の高いＶ族元素が付着したり、０
□、 Ｃｏ、 Ｈ２Ｏ等の不純物ガスが吸着している可
能性があるので、これが落下して分子線源セルに入った
場合は、やはり蒸発材料が汚染され、成長する結晶に不
純物が混入することになる。特に、結晶成長を長期間に
わたり行うと。
付着物の量が多（なり、これが落下する可能性が高くな
る。
る。
従って、従来の分子線結晶成長装置では結晶成長を長期
間にわたり行うと、成長結晶の品質がだんだんと劣化す
るという問題を生じる。
間にわたり行うと、成長結晶の品質がだんだんと劣化す
るという問題を生じる。
本発明は１分子線結晶成長装置内部の付着物が分子線源
セルに落下するのを防止し、長期間にわたり結晶成長を
続けても、成長結晶を高品質に保つことができる機構を
有する分子線結晶成長装置を提供することを目的とする
。
セルに落下するのを防止し、長期間にわたり結晶成長を
続けても、成長結晶を高品質に保つことができる機構を
有する分子線結晶成長装置を提供することを目的とする
。
板１の下方に配置され且つ該基板１を通る鉛直軸の周り
に回転するとお互いに重なる位置に配置された複数の分
子線源セル２１乃至２５と、該基板ｌと該複数の分子線
源セル２１乃至２５の間に配置され上方から見た持歩な
くとも該複数の分子線源セル２１乃至２５の開口部を覆
う中抜き円板３と、該中抜き円板３を鉛直軸の周りに回
転させる回転機構４と。
に回転するとお互いに重なる位置に配置された複数の分
子線源セル２１乃至２５と、該基板ｌと該複数の分子線
源セル２１乃至２５の間に配置され上方から見た持歩な
くとも該複数の分子線源セル２１乃至２５の開口部を覆
う中抜き円板３と、該中抜き円板３を鉛直軸の周りに回
転させる回転機構４と。
咳中抜き円板３の下面に圧接し且つ咳中抜き円板３の回
転につれて該下面を摺動して該下面の付着物を剥ぎとる
刃物５１を持つクリーニング機構５とを含む分子線結晶
成長装置によって解決される。
転につれて該下面を摺動して該下面の付着物を剥ぎとる
刃物５１を持つクリーニング機構５とを含む分子線結晶
成長装置によって解決される。
第１図は本発明の分子、線結晶成長装置の構造であり、
第１図（ａ）は横から見た構成図、第１図（ｂ）は上方
から見た構成図を示すものである。
第１図（ａ）は横から見た構成図、第１図（ｂ）は上方
から見た構成図を示すものである。
第１図（ａ）、（ｂ）及び図中の符号を参照しながら上
記課題を解決するための手段について説明する。
記課題を解決するための手段について説明する。
上記課題は、水平に保持された基板１と、該基〔作用〕
本発明の分子線結晶成長装置では、中抜き円板３の下面
につく付着物が増加して分子線源セルに落下する前に、
この中抜き円板３を回転機構４により回転させクリーニ
ング機構５を通過させることにより、中抜き円板３の下
面の付着物を剥がすことができる。数周の回転を行った
後では、付着物のない状態で再び成長を繰り返すことが
できる。
につく付着物が増加して分子線源セルに落下する前に、
この中抜き円板３を回転機構４により回転させクリーニ
ング機構５を通過させることにより、中抜き円板３の下
面の付着物を剥がすことができる。数周の回転を行った
後では、付着物のない状態で再び成長を繰り返すことが
できる。
このクリーニングは、結晶成長と次の結晶成長の合間に
真空を破らずに行うことができる。
真空を破らずに行うことができる。
また、中抜き円板３は上方から見た待受なくとも分子線
源セルの開口部を覆っているので、液体シュラウド６壁
についた付着物が剥げて落下した時分子綿源セルに入る
こともない。
源セルの開口部を覆っているので、液体シュラウド６壁
についた付着物が剥げて落下した時分子綿源セルに入る
こともない。
かくして、長期間にわたり高品質の結晶成長を行うこと
ができる。
ができる。
［実施例］
以下１本発明の実施例について説明する。
第１図は本発明の分子線結晶成長装置の構造であり、第
１図（ａ）は横から見た構成図、第１図（ｂ）は上方か
ら見た構成図を示すものである。
１図（ａ）は横から見た構成図、第１図（ｂ）は上方か
ら見た構成図を示すものである。
第１図（ａ）及び（ｂ）において、１は基板。
１１は基板ホルダ、１２は基板加熱機構、２１乃至２５
は分子線源セル、 ２１０．２２０．２３０は蒸発材料
、３は中抜き円板、３１はローラ、４は回転機構、４１
はかさ歯車、４２は回転導入器、５はクリーニング機構
。
は分子線源セル、 ２１０．２２０．２３０は蒸発材料
、３は中抜き円板、３１はローラ、４は回転機構、４１
はかさ歯車、４２は回転導入器、５はクリーニング機構
。
５１は刃物、５２は板ばね、５３はカバー、６は液体窒
素シュラウド、７は遮蔽板、８は真空壁を表す。
素シュラウド、７は遮蔽板、８は真空壁を表す。
基板１の下方に基板１のほぼ中心を通る鉛直軸の周りに
回転するとお互いに重なる位置に分子線源セル２１乃至
２５が配置されている。
回転するとお互いに重なる位置に分子線源セル２１乃至
２５が配置されている。
中抜き円板３は基板１と分子線源セル２１乃至２５の間
に設けられ、容易に鉛直軸の周りに回転できるようにそ
の周囲をローラ３１によって支えられ。
に設けられ、容易に鉛直軸の周りに回転できるようにそ
の周囲をローラ３１によって支えられ。
その上面の外周近くにかさ歯車が切られている。
この中抜き円板３を回転する回転機構４が設けられる。
中抜き円板３のかさ歯車に噛み合うかさ歯車４１があり
、それを回転導入器４２により回転することにより中抜
き円板３に回転力を伝え、中抜き円板３を回転する。
、それを回転導入器４２により回転することにより中抜
き円板３に回転力を伝え、中抜き円板３を回転する。
中抜き円板３の下方に、中抜き円板３の下面の付着物を
除去するためのクリーニング機構５が設けられる。中抜
き円板３が回転する時、その下面に圧接し摺動して付着
物を剥ぎ取る金属製あるいはセラミック製の刃物５１が
ある。この刃物５１を圧接させるために板ばね５２があ
り、さらに剥ぎ取られた付着物が散乱しないようにカバ
ー５３が設けられる。
除去するためのクリーニング機構５が設けられる。中抜
き円板３が回転する時、その下面に圧接し摺動して付着
物を剥ぎ取る金属製あるいはセラミック製の刃物５１が
ある。この刃物５１を圧接させるために板ばね５２があ
り、さらに剥ぎ取られた付着物が散乱しないようにカバ
ー５３が設けられる。
遮蔽板７は分子線源セル相互間の汚染を防止するために
設けている。
設けている。
通常２分子線源セルの蒸発材料を使いきるまで真空を破
らないが、中抜き円板３に付着物が過度に溜まらないう
ちに２回転機構４及びクリーニング機構５によりその付
着物を除去する。
らないが、中抜き円板３に付着物が過度に溜まらないう
ちに２回転機構４及びクリーニング機構５によりその付
着物を除去する。
［発明の効果］
以上説明した様に１本発明によれば、装置内部についた
付着物が分子線源セルに落下するのを防止することがで
き、長期間にわたり、高品質の結晶成長を安定して行う
ことができる。
付着物が分子線源セルに落下するのを防止することがで
き、長期間にわたり、高品質の結晶成長を安定して行う
ことができる。
第１図は本発明の分子線結晶成長装置の構造で。
第１図（ａ）は横から見た構成図、第１図（ｂ）は上方
から見た構成図。 第２図は従来の分子線結晶成長装置の構造である。図に
おいて。 ■は基板。 １１は基板ホルダ。 １２は基板加熱機構。 ２１乃至２５は分子線源セル ２１０、２２０．２３０は蒸発材料。 ３は中抜き円板 ３１はローラ。 ４は回転機構。 ４１はかさ歯車。 ４２は回転導入器。 ５はクリーニング機構 ５１は刃物。 ５２は板ばね。 ５３はカバー。 ６は液体窒素シュラウド ７は遮蔽板。 ８は真空壁。 ９は庇板 を表す。
から見た構成図。 第２図は従来の分子線結晶成長装置の構造である。図に
おいて。 ■は基板。 １１は基板ホルダ。 １２は基板加熱機構。 ２１乃至２５は分子線源セル ２１０、２２０．２３０は蒸発材料。 ３は中抜き円板 ３１はローラ。 ４は回転機構。 ４１はかさ歯車。 ４２は回転導入器。 ５はクリーニング機構 ５１は刃物。 ５２は板ばね。 ５３はカバー。 ６は液体窒素シュラウド ７は遮蔽板。 ８は真空壁。 ９は庇板 を表す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 水平に保持された基板（１）と、 該基板（１）の下方に配置され且つ該基板 （１）を通る鉛直軸の周りに回転するとお互いに重なる
位置に配置された複数の分子線源セル（２１乃至２５）
と、 該基板（１）と該複数の分子線源セル（２１乃至２５）
の間に配置され上方から見た時少なくとも該複数の分子
線源セル（２１乃至２５）の開口部を覆う中抜き円板（
３）と、 該中抜き円板（３）を鉛直軸の周りに回転させる回転機
構（４）と、 該中抜き円板（３）の下面に圧接し且つ該中抜き円板（
３）の回転につれて該下面を摺動して該下面の付着物を
剥ぎとる刃物（５１）を持つクリーニング機構（５）と を含むことを特徴とする分子線結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1144167A JPH0312390A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 分子線結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1144167A JPH0312390A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 分子線結晶成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0312390A true JPH0312390A (ja) | 1991-01-21 |
| JPH0519517B2 JPH0519517B2 (ja) | 1993-03-16 |
Family
ID=15355760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1144167A Granted JPH0312390A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 分子線結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0312390A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5327417A (en) * | 1991-09-27 | 1994-07-05 | Nsk Ltd. | Optical disk drive and read/write apparatus |
| US5656091A (en) * | 1995-11-02 | 1997-08-12 | Vacuum Plating Technology Corporation | Electric arc vapor deposition apparatus and method |
-
1989
- 1989-06-08 JP JP1144167A patent/JPH0312390A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5327417A (en) * | 1991-09-27 | 1994-07-05 | Nsk Ltd. | Optical disk drive and read/write apparatus |
| US5656091A (en) * | 1995-11-02 | 1997-08-12 | Vacuum Plating Technology Corporation | Electric arc vapor deposition apparatus and method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0519517B2 (ja) | 1993-03-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |