JPH03125338A - 光学式ヘッド装置 - Google Patents
光学式ヘッド装置Info
- Publication number
- JPH03125338A JPH03125338A JP1264158A JP26415889A JPH03125338A JP H03125338 A JPH03125338 A JP H03125338A JP 1264158 A JP1264158 A JP 1264158A JP 26415889 A JP26415889 A JP 26415889A JP H03125338 A JPH03125338 A JP H03125338A
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- Japan
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- laser
- thin film
- light
- dielectric thin
- waveguide layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、光学式ヘッド装置に関し、特に、光学式情
報記録媒体への情報の記録、再生に用いられる光学式ヘ
ッド装置に関する。
報記録媒体への情報の記録、再生に用いられる光学式ヘ
ッド装置に関する。
［従来の技術］
第２図は、従来から一般的に知られる光学式ヘッド装置
を示した概略図である。これらは、たとえば、特開昭６
１−２４８２４５号公報に開示されている。第２図を参
照して、光学式ヘッド装置は、基板１と、基板１上に形
成されたバッファ層２と、バッファ層２上に基板１より
屈折率が大きい素材の誘電体薄膜層にて形成される誘電
体薄膜導波路層３と、誘電体薄膜導波路層３の光入射面
１１に後述する反射防止膜１２を介して取付けられたレ
ーザ光を発振する半導体レーザダイオード（以下ＬＤと
いう）１３と、誘電体薄膜導波路層３上に光学素子とし
て形成され、上記ＬＤ１３にて発振されたレーザ光を（
［行光線束とするコリメートレンズ５と、誘電体薄膜導
波路層３上に光学素子として形成され、コリメートレン
ズ５から射出されたレーザ光を入射光として射出させ、
後述する記録媒体としての光ディスク９からの反射光を
反射させるビームスプリッタ６と、誘電体薄膜導波路層
３上に光学素子として形成され、ビームスプリッタ６か
ら射出されたレーザ光を外部空間の一点に集光させると
ともに、記録媒体としての光ディスク９面にて反射され
た上記−点に集光されたレーザ光を誘電体薄膜導波路層
３に導く集光グレーティングカプラ７と、集光グレーテ
ィングカプラ７にて導かれた反射光が入射され、この入
射光を電気信号に変換する光検出器８と、ＬＤｌＢのレ
ーザ光を発生させる面と誘電体薄膜導波路層３のレーザ
光の光入射面１１との間に形成され、誘電体薄膜導波路
層３のレーザ光の光入射面１１によるレーザ光の反射を
防止する反射防止膜１２とを含む。
を示した概略図である。これらは、たとえば、特開昭６
１−２４８２４５号公報に開示されている。第２図を参
照して、光学式ヘッド装置は、基板１と、基板１上に形
成されたバッファ層２と、バッファ層２上に基板１より
屈折率が大きい素材の誘電体薄膜層にて形成される誘電
体薄膜導波路層３と、誘電体薄膜導波路層３の光入射面
１１に後述する反射防止膜１２を介して取付けられたレ
ーザ光を発振する半導体レーザダイオード（以下ＬＤと
いう）１３と、誘電体薄膜導波路層３上に光学素子とし
て形成され、上記ＬＤ１３にて発振されたレーザ光を（
［行光線束とするコリメートレンズ５と、誘電体薄膜導
波路層３上に光学素子として形成され、コリメートレン
ズ５から射出されたレーザ光を入射光として射出させ、
後述する記録媒体としての光ディスク９からの反射光を
反射させるビームスプリッタ６と、誘電体薄膜導波路層
３上に光学素子として形成され、ビームスプリッタ６か
ら射出されたレーザ光を外部空間の一点に集光させると
ともに、記録媒体としての光ディスク９面にて反射され
た上記−点に集光されたレーザ光を誘電体薄膜導波路層
３に導く集光グレーティングカプラ７と、集光グレーテ
ィングカプラ７にて導かれた反射光が入射され、この入
射光を電気信号に変換する光検出器８と、ＬＤｌＢのレ
ーザ光を発生させる面と誘電体薄膜導波路層３のレーザ
光の光入射面１１との間に形成され、誘電体薄膜導波路
層３のレーザ光の光入射面１１によるレーザ光の反射を
防止する反射防止膜１２とを含む。
誘電体薄膜導波路層３は、半導体レーザダイオード１３
にて発振されたレーザ光が入射される光入射面１１を傷
のない平滑な面で形成し、この光入射面１１に反射防止
膜１２を介して半導体レーザダイオード１３をレーザ光
が直角に入射されるように取付けられて構成される。
にて発振されたレーザ光が入射される光入射面１１を傷
のない平滑な面で形成し、この光入射面１１に反射防止
膜１２を介して半導体レーザダイオード１３をレーザ光
が直角に入射されるように取付けられて構成される。
コリメートレンズ５．ビームスプリッタ６、集光グレー
ティングカプラ７は、誘電体薄膜導波路層３の誘電体薄
膜層上に設けられた別の誘電体層に電子ビーム露光など
を用いて作製される。
ティングカプラ７は、誘電体薄膜導波路層３の誘電体薄
膜層上に設けられた別の誘電体層に電子ビーム露光など
を用いて作製される。
次に、動作について説明する。まず、半導体レーザダイ
オード１３からレーザ光が発振され、このレーザ光が誘
電体薄膜導波路層３の側面の平滑に形成された光入射面
１１から入射される。この入射光はコリメートレンズ５
にて平行なレーザ光とされ、ビームスプリッタ６を通っ
て集光グレーティングカプラ７により光ディスク９上の
一点に集光して投射される。この光ディスク９上に投射
されたレーザ光は、光ディスク９の情報ピット１０によ
り情報レーザ光として反射される。この反射された情報
レーザ光が集光グレーティングカプラ７にて再び誘電体
薄膜導波路層３に導かれ、ビームスプリッタ６にて９０
°屈折される。この屈折光は、光検出器８に入射される
。このように、光検出器８で情報ビット１０の情報レー
ザ光を電気信号に変換している。
オード１３からレーザ光が発振され、このレーザ光が誘
電体薄膜導波路層３の側面の平滑に形成された光入射面
１１から入射される。この入射光はコリメートレンズ５
にて平行なレーザ光とされ、ビームスプリッタ６を通っ
て集光グレーティングカプラ７により光ディスク９上の
一点に集光して投射される。この光ディスク９上に投射
されたレーザ光は、光ディスク９の情報ピット１０によ
り情報レーザ光として反射される。この反射された情報
レーザ光が集光グレーティングカプラ７にて再び誘電体
薄膜導波路層３に導かれ、ビームスプリッタ６にて９０
°屈折される。この屈折光は、光検出器８に入射される
。このように、光検出器８で情報ビット１０の情報レー
ザ光を電気信号に変換している。
［発明が解決しようとする課題］
前述のように、従来の光学式へ・ンド装置では、ＬＤｌ
Ｂが誘電体薄膜導波路層３のレーザ光入射面に反射防止
膜１２を介して取付けられていた。
Ｂが誘電体薄膜導波路層３のレーザ光入射面に反射防止
膜１２を介して取付けられていた。
そして、このＬＤｌＢは、レーザ光の利用効率を高める
ために予め定められた取付位置に正確に取付ける必要が
ある。しかし、従来の光学式へ・ソド装置では、ＬＤｌ
Ｂを取付ける際の位置決め基準となるものがないので、
ＬＤｌＢを予め定められた取付位置に正確に取付けるこ
とができなかった。
ために予め定められた取付位置に正確に取付ける必要が
ある。しかし、従来の光学式へ・ソド装置では、ＬＤｌ
Ｂを取付ける際の位置決め基準となるものがないので、
ＬＤｌＢを予め定められた取付位置に正確に取付けるこ
とができなかった。
この結果、レーザ光の利用効率の向上を図ることが困難
であった。
であった。
また、従来の光学式ヘッド装置では、ＬＤｌＢが突出し
て取付けられているので外部機器と接触しやすかった。
て取付けられているので外部機器と接触しやすかった。
接触した場合には、ＬＤｌＢの取付位置がずれたり、Ｌ
ＤｌＢが破損するという問題点があった。
ＤｌＢが破損するという問題点があった。
さらに、従来の光学式ヘッド装置では、レーザノイズな
どが発生した場合に、除去できる機能がなかった。レー
ザノイズが発生すると、情報の正確な読取りが行なえな
くなるという問題点が生じる。また、たとえ、レーザノ
イズ除去を目的とした付属回路を設けるとしても、形状
が大きくなり光学式ヘッド装置内にコンパクトに集積化
できないという問題点があった。
どが発生した場合に、除去できる機能がなかった。レー
ザノイズが発生すると、情報の正確な読取りが行なえな
くなるという問題点が生じる。また、たとえ、レーザノ
イズ除去を目的とした付属回路を設けるとしても、形状
が大きくなり光学式ヘッド装置内にコンパクトに集積化
できないという問題点があった。
つまり、従来の光学式ヘッド装置では、半導体レーザダ
イオードを予め定められた取付位置に正確に取付けるこ
とが困難であったため、レーザ光の利用効率の向上が図
れないとともに半導体レーザダイオードが破損しやすく
、さらに、レーザノイズ除去のための回路を光学式ヘッ
ド装置内にコンパクトに集積化できなかった。
イオードを予め定められた取付位置に正確に取付けるこ
とが困難であったため、レーザ光の利用効率の向上が図
れないとともに半導体レーザダイオードが破損しやすく
、さらに、レーザノイズ除去のための回路を光学式ヘッ
ド装置内にコンパクトに集積化できなかった。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされ
たもので、レーザ光の利用効率の向上が図られるととも
にレーザ光発生手段の破損を防止でき、かつ、レーザノ
イズ除去手段を光学式ヘッド装置内に容易に集積化する
とかできる光学的ヘッド装置を提供することを目的とす
る。
たもので、レーザ光の利用効率の向上が図られるととも
にレーザ光発生手段の破損を防止でき、かつ、レーザノ
イズ除去手段を光学式ヘッド装置内に容易に集積化する
とかできる光学的ヘッド装置を提供することを目的とす
る。
［課題を解決するための手段］
この発明における光学式ヘッド装置は、基板と、基板の
主表面上に設置され、レーザ光を発生するレーザ光発生
手段およびレーザ光に含まれるレーザノイズを除去する
レーザノイズ除去手段が一体的に形成された光集積回路
と、基板の主表面上にバッファ層を介して形成され、光
集積回路から発生されたレーザ光を導波する誘電体薄膜
導波路層と、誘電体薄膜導波路層のレーザ光が入射する
面と光集積回路のレーザ光を発生する面との間に形成さ
れたレーザ光の反射を防止するための反射防止膜と、誘
電体薄膜導波路層に形成され、レーザ光発生手段により
誘電体薄膜導波路層に入射されたレーザ光を平行光束に
する平行光束手段と、誘電体薄膜導波路層に形成され、
＼μ行光束手段により平行光束にされたレーザ光を入射
光として射出させ、光ディスク上の情報ビットからの反
射光を反射させるビームスプリッタと、誘電体薄膜導波
路層に形成され、ビームスプリッタから射出されたレー
ザ光を光ディスク上の一点に集光させるとともに、光デ
ィスク面にて反射されたレーザ光を誘電体薄膜導波路層
に導く集光グレーティングカブラと、集光グレーティン
グカブラにて誘電体薄膜導波路層に導かれ、ビームスプ
リッタにより反射されたレーザ光を入射させて電気信号
に変換する光検出器とを含むことを特徴とする。
主表面上に設置され、レーザ光を発生するレーザ光発生
手段およびレーザ光に含まれるレーザノイズを除去する
レーザノイズ除去手段が一体的に形成された光集積回路
と、基板の主表面上にバッファ層を介して形成され、光
集積回路から発生されたレーザ光を導波する誘電体薄膜
導波路層と、誘電体薄膜導波路層のレーザ光が入射する
面と光集積回路のレーザ光を発生する面との間に形成さ
れたレーザ光の反射を防止するための反射防止膜と、誘
電体薄膜導波路層に形成され、レーザ光発生手段により
誘電体薄膜導波路層に入射されたレーザ光を平行光束に
する平行光束手段と、誘電体薄膜導波路層に形成され、
＼μ行光束手段により平行光束にされたレーザ光を入射
光として射出させ、光ディスク上の情報ビットからの反
射光を反射させるビームスプリッタと、誘電体薄膜導波
路層に形成され、ビームスプリッタから射出されたレー
ザ光を光ディスク上の一点に集光させるとともに、光デ
ィスク面にて反射されたレーザ光を誘電体薄膜導波路層
に導く集光グレーティングカブラと、集光グレーティン
グカブラにて誘電体薄膜導波路層に導かれ、ビームスプ
リッタにより反射されたレーザ光を入射させて電気信号
に変換する光検出器とを含むことを特徴とする。
［作用］
この発明に係る光学式ヘッド装置では、基板の主表面上
にレーザ光を発生するレーザ光発生手段およびレーザ光
に含まれるレーザノイズを除去するレーザノイズ除去手
段が一体的に形成された光集積回路が設置され、基板の
主表面上にバッファ層を介して光集積回路から発生され
たレーザ光を導波する誘電体薄膜導波路層が形成され、
レーザ光の反射を防１卜するための反射防＋Ｌ膜が誘電
体薄膜導波路層のレーザ光が入射する面と光集積回路の
レーザ光を発生する面との間に形成され、レーザ光発生
手段により誘電体薄膜導波路層に入射されたレーザ光を
平行光束にする平行光束手段が誘電体薄膜導波路層に形
成され、平行光束手段により平行光束にされたレーザ光
を入射光として射出させ光ディスク上の情報ピットから
の反射光を反射させるビームスプリッタが誘電体薄膜導
波路層に形成され、ビームスプリッタから射出されたレ
ーザ光を光ディスク上に一点に集光させるとともに先デ
ィスク面にて反射されたレーザ光を誘電体薄膜導波路層
に導く集光グレーティングカブラが誘電体薄膜導波路層
に形成され、集光グレーティングカブラにて誘電体薄膜
導波路層に導かれ、ビームスプリッタにより反射された
レーザ光を入射させて電気信号に変換する光検出器が誘
電体薄膜導波路層の側面に取付けられている。つまり、
レーザ光発生手段およびレーザノイズ除去手段が一体的
に形成された光集積回路が基板の主表面上に設置される
ので、光集積回路が主表面を基準として予め定められた
取付位置に正確に取付けられるとともに光集積回路が基
板により保護され、かつ、レーザノイズ除去手段が光学
式ヘッド装置内に容易に集積化される。
にレーザ光を発生するレーザ光発生手段およびレーザ光
に含まれるレーザノイズを除去するレーザノイズ除去手
段が一体的に形成された光集積回路が設置され、基板の
主表面上にバッファ層を介して光集積回路から発生され
たレーザ光を導波する誘電体薄膜導波路層が形成され、
レーザ光の反射を防１卜するための反射防＋Ｌ膜が誘電
体薄膜導波路層のレーザ光が入射する面と光集積回路の
レーザ光を発生する面との間に形成され、レーザ光発生
手段により誘電体薄膜導波路層に入射されたレーザ光を
平行光束にする平行光束手段が誘電体薄膜導波路層に形
成され、平行光束手段により平行光束にされたレーザ光
を入射光として射出させ光ディスク上の情報ピットから
の反射光を反射させるビームスプリッタが誘電体薄膜導
波路層に形成され、ビームスプリッタから射出されたレ
ーザ光を光ディスク上に一点に集光させるとともに先デ
ィスク面にて反射されたレーザ光を誘電体薄膜導波路層
に導く集光グレーティングカブラが誘電体薄膜導波路層
に形成され、集光グレーティングカブラにて誘電体薄膜
導波路層に導かれ、ビームスプリッタにより反射された
レーザ光を入射させて電気信号に変換する光検出器が誘
電体薄膜導波路層の側面に取付けられている。つまり、
レーザ光発生手段およびレーザノイズ除去手段が一体的
に形成された光集積回路が基板の主表面上に設置される
ので、光集積回路が主表面を基準として予め定められた
取付位置に正確に取付けられるとともに光集積回路が基
板により保護され、かつ、レーザノイズ除去手段が光学
式ヘッド装置内に容易に集積化される。
［発明の実施例〕
第１図は、本発明の一実施例を示した光学式ヘッド装置
の概略図である。第１図を参照して、光挙式ヘッド装置
は、基板１と、基板１上に形成されたバッファ層２と、
バッファ層２上に基板１より屈折率が大きい素材の誘電
体薄膜層にて形成される誘電体薄膜導波路層３と、基板
１上および誘電体薄膜導波路層３の光入射面１１に取付
けられ、レーザ光を発振するＬＤおよびレーザノイズを
除去する高周波重畳回路が一体的に集積化された光集積
回路４と、誘電体薄膜導波路層３上に光学素子として形
成され、光集積回路４にて発振されたレーザ光を平行光
線束とするコリメートレンズ５と、誘電体薄膜導波路層
３上に光学素子として形成され、コリメートレンズ５か
ら射出されたレーザ光を入射光として射出させ、後述す
る記憶媒体としての光ディスク９からの反射光を反射さ
せるビームスプリッタ６と、誘電体薄膜導波路層３上に
光学素子として形成され、ビームスプリッタ６から射出
されたレーザ光を外部空間の一点に集光させるとともに
、記録媒体としての光ディスク９面にて反射された上記
−点に集光したレーザ光を誘電体薄膜導波路層３に導く
集光グレーティングカプラ７と、集光グレーティングカ
プラ７にて導かれた反射光が入射され、この入射光を電
気信号に変換する光検出器９と、光集積回路４のレーザ
光を発生させる面と誘電体薄膜導波路層３のレーザ光を
入射する面との間に形成され、誘電体薄膜導波路層３の
レーザ光を入射する面によるレーザ光の反射を防止する
反射防止膜１２とを含む。
の概略図である。第１図を参照して、光挙式ヘッド装置
は、基板１と、基板１上に形成されたバッファ層２と、
バッファ層２上に基板１より屈折率が大きい素材の誘電
体薄膜層にて形成される誘電体薄膜導波路層３と、基板
１上および誘電体薄膜導波路層３の光入射面１１に取付
けられ、レーザ光を発振するＬＤおよびレーザノイズを
除去する高周波重畳回路が一体的に集積化された光集積
回路４と、誘電体薄膜導波路層３上に光学素子として形
成され、光集積回路４にて発振されたレーザ光を平行光
線束とするコリメートレンズ５と、誘電体薄膜導波路層
３上に光学素子として形成され、コリメートレンズ５か
ら射出されたレーザ光を入射光として射出させ、後述す
る記憶媒体としての光ディスク９からの反射光を反射さ
せるビームスプリッタ６と、誘電体薄膜導波路層３上に
光学素子として形成され、ビームスプリッタ６から射出
されたレーザ光を外部空間の一点に集光させるとともに
、記録媒体としての光ディスク９面にて反射された上記
−点に集光したレーザ光を誘電体薄膜導波路層３に導く
集光グレーティングカプラ７と、集光グレーティングカ
プラ７にて導かれた反射光が入射され、この入射光を電
気信号に変換する光検出器９と、光集積回路４のレーザ
光を発生させる面と誘電体薄膜導波路層３のレーザ光を
入射する面との間に形成され、誘電体薄膜導波路層３の
レーザ光を入射する面によるレーザ光の反射を防止する
反射防止膜１２とを含む。
誘電体薄膜導波路層３は、光集積回路４により発振され
たレーザ光が入射される光入射面１１を傷のない平滑な
面で形成し、この光入射面１１に反射防止膜１２を介し
て光集積回路４をレーザ光か直角に入射されるように取
付けられて構成される。
たレーザ光が入射される光入射面１１を傷のない平滑な
面で形成し、この光入射面１１に反射防止膜１２を介し
て光集積回路４をレーザ光か直角に入射されるように取
付けられて構成される。
コリメートレンズ５．ビームスプリッタ６、集光グレー
ティングカプラ７は、誘電体薄膜導波路層３の誘電体薄
膜層上に設けられた別の誘電体層に電子ビーム露光など
を用いて作製される。
ティングカプラ７は、誘電体薄膜導波路層３の誘電体薄
膜層上に設けられた別の誘電体層に電子ビーム露光など
を用いて作製される。
次に、動作について説明する。まず光集積回路４からレ
ーザ光が発振され、このレーザ光が誘電体薄膜導波路層
３の側面の平滑に形成された光入射面１１から入射され
る。コリメートレンズ５にて平行なレーザ光とされ、ビ
ームスプリッタ６を通って集光グレーティングカプラ７
により光ディスク９上の一点に集束して投射される。こ
の光ディスク９上に投射されたレーザ光は、光ディスク
９の情報ビット１０により情報レーザ光とて反射される
。この反射された情報レーザ光が集光グレーティングカ
プラ７にて再び誘電体薄膜導波路層３に導かれる。ビー
ムスプリッタ６にて９０＠屈折されて光検出器８で情報
ピット１０の情報レーザ光を電気信号に変換している。
ーザ光が発振され、このレーザ光が誘電体薄膜導波路層
３の側面の平滑に形成された光入射面１１から入射され
る。コリメートレンズ５にて平行なレーザ光とされ、ビ
ームスプリッタ６を通って集光グレーティングカプラ７
により光ディスク９上の一点に集束して投射される。こ
の光ディスク９上に投射されたレーザ光は、光ディスク
９の情報ビット１０により情報レーザ光とて反射される
。この反射された情報レーザ光が集光グレーティングカ
プラ７にて再び誘電体薄膜導波路層３に導かれる。ビー
ムスプリッタ６にて９０＠屈折されて光検出器８で情報
ピット１０の情報レーザ光を電気信号に変換している。
ここまでの動作は、従来の光学式ヘッド装置と同様であ
る。
る。
一方、光集積回路４から発生されたレーザ光が光ディス
ク９上の一点に集光される。この集束光と光集積回路４
のレーザ光の発光点とが共役点となり、光ディスク９上
の集光点からの戻り光がレーザ光発光点からのレーザ光
と共振を起こす場合がある。共振を起こすと、レーザノ
イズが発生するが、この場合に高周波重畳回路を動作さ
せてレーザノイズを除去する。
ク９上の一点に集光される。この集束光と光集積回路４
のレーザ光の発光点とが共役点となり、光ディスク９上
の集光点からの戻り光がレーザ光発光点からのレーザ光
と共振を起こす場合がある。共振を起こすと、レーザノ
イズが発生するが、この場合に高周波重畳回路を動作さ
せてレーザノイズを除去する。
上記のように、本実施例では、基板１上および誘電体薄
膜導波路層３の光入射面１１に、レーザ光を発振するＬ
Ｄおよびレーザノイズを除去する高周波重畳回路が一体
的に集積化された光集積回路４が取付けられている。こ
こで、基板１は、光集積回路４の取付位置の位置決め基
準となるとともに、光集積回路４を保護して破損するの
を防止する効果がある。また、ＬＤとレーザノイズ除去
のための高周波重畳回路とが光集積回路に一体的に’Ｊ
ＡＮ化されているので、レーザノイズ除去のための形状
の大きな補助回路を別に独立して設ける必要がなく、光
学式ヘッド装置内に半導体レーザダイオードとレーザノ
イズ除去のための高周波重畳回路がコンパクトに集積化
できる。
膜導波路層３の光入射面１１に、レーザ光を発振するＬ
Ｄおよびレーザノイズを除去する高周波重畳回路が一体
的に集積化された光集積回路４が取付けられている。こ
こで、基板１は、光集積回路４の取付位置の位置決め基
準となるとともに、光集積回路４を保護して破損するの
を防止する効果がある。また、ＬＤとレーザノイズ除去
のための高周波重畳回路とが光集積回路に一体的に’Ｊ
ＡＮ化されているので、レーザノイズ除去のための形状
の大きな補助回路を別に独立して設ける必要がなく、光
学式ヘッド装置内に半導体レーザダイオードとレーザノ
イズ除去のための高周波重畳回路がコンパクトに集積化
できる。
なお、本実施例では、光集積回路４を光ＩＣ化された光
学式ヘッド装置に取付けて使用する方式を示したが、光
ＩＣ化された光学式ヘッド装置を作製するプロセス中に
光集積回路４をも同時に作製し、モノリシック集積化し
て使用する方式であってもよい。
学式ヘッド装置に取付けて使用する方式を示したが、光
ＩＣ化された光学式ヘッド装置を作製するプロセス中に
光集積回路４をも同時に作製し、モノリシック集積化し
て使用する方式であってもよい。
第３図は、本発明の一実施例を示した光集積回路の断面
構造図である。第３図を参照して、光集積回路は、半絶
縁性ＧａＡｓ基板１０１と、半絶縁性ＧａＡｓ１板１０
１上に形成された半導体レーザダイオード（以下ＬＤと
いう）部２０１と高周波重畳回路２０２とを含む。高周
波重畳回路２０２の上部には、パッシベーション膜２０
３，２０４が形成されている。ＬＤ部２０１と高周波重
畳回路とはアルミ配線２０５により配線されている。
構造図である。第３図を参照して、光集積回路は、半絶
縁性ＧａＡｓ基板１０１と、半絶縁性ＧａＡｓ１板１０
１上に形成された半導体レーザダイオード（以下ＬＤと
いう）部２０１と高周波重畳回路２０２とを含む。高周
波重畳回路２０２の上部には、パッシベーション膜２０
３，２０４が形成されている。ＬＤ部２０１と高周波重
畳回路とはアルミ配線２０５により配線されている。
第４Ａ図ないし第４Ｇ図は、第３図に示した光集積回路
の製造プロセスを説明するための断面構造図である。第
４Ａ図ないし第４Ｇ図を参照して、製造プロセスについ
て説明する。まず、半絶縁性ＧａＡｓ基板１０１上に基
板エツチング用およびＬＤの第１エピタキシャル層形成
用のＳｉｎ、、よりなるマスク１０２を形成し、化学エ
ツチング法により半絶縁性ＧａＡｓ基板１０１にＬＤ形
成用溝を形成する。次に液相エピタキシャル法を用いて
第１エピタキシャル層であるＰ−ＧａＡｓ層１０３およ
びＮ−ＧａＡｓブロック層１０４を連続して先に形成し
たＬＤ形成用溝内にエピタキシャル成長させる。
の製造プロセスを説明するための断面構造図である。第
４Ａ図ないし第４Ｇ図を参照して、製造プロセスについ
て説明する。まず、半絶縁性ＧａＡｓ基板１０１上に基
板エツチング用およびＬＤの第１エピタキシャル層形成
用のＳｉｎ、、よりなるマスク１０２を形成し、化学エ
ツチング法により半絶縁性ＧａＡｓ基板１０１にＬＤ形
成用溝を形成する。次に液相エピタキシャル法を用いて
第１エピタキシャル層であるＰ−ＧａＡｓ層１０３およ
びＮ−ＧａＡｓブロック層１０４を連続して先に形成し
たＬＤ形成用溝内にエピタキシャル成長させる。
次に、マスク１０２を除去した後、ＬＤの内部ストライ
プ１０５を第１エピタキシャル層に写真製版法および化
学エツチング法を用いて形成する。
プ１０５を第１エピタキシャル層に写真製版法および化
学エツチング法を用いて形成する。
第２エピタキシャル層形成用のＳｉＯ２よりなるマスク
１０６を形成する。液相エピタキシャル法を用いて第２
のエピタキシャル層であるＰ−ＧａＡＱＡｓクラッド層
１０７、Ｐ−ＧａＡＱＡｓ活性層１０８．Ｎ−ＧａＡｓ
クラッド層１０９゜Ｎ−ＧａＡｓキャップ層１１０を内
部ストライブを形成した第１エピタキシャル層上に連続
してエピタキシャル成長させる。上記の工程により、Ｌ
Ｄ部の形成が完了する。
１０６を形成する。液相エピタキシャル法を用いて第２
のエピタキシャル層であるＰ−ＧａＡＱＡｓクラッド層
１０７、Ｐ−ＧａＡＱＡｓ活性層１０８．Ｎ−ＧａＡｓ
クラッド層１０９゜Ｎ−ＧａＡｓキャップ層１１０を内
部ストライブを形成した第１エピタキシャル層上に連続
してエピタキシャル成長させる。上記の工程により、Ｌ
Ｄ部の形成が完了する。
ＬＤ部の形成を終えた後、高周波重畳回路部の形成を行
なう。高周波重畳回路部はＧａＡｓ ＭＥＳ−ＦＥＴ
を用いたリングオシレータとＬＤドライバ用ＦＥＴによ
り構成されている。この回路で用いるＦＥＴはすべて同
一のプロセスにて形成されるので、１つのＦＥＴ形成プ
ロセスについて説明する。
なう。高周波重畳回路部はＧａＡｓ ＭＥＳ−ＦＥＴ
を用いたリングオシレータとＬＤドライバ用ＦＥＴによ
り構成されている。この回路で用いるＦＥＴはすべて同
一のプロセスにて形成されるので、１つのＦＥＴ形成プ
ロセスについて説明する。
ＬＤ部の形成が完了した半絶縁性ＧａＡｓ基板１０１に
５ｉ０２よりなるマスク１１１を用いてイオン注入方に
よりＳｉ＋をドーピングし、高濃度のＮ型領域１１２．
１１３を形成する。次に、第４Ｅ図に示すように、ＦＥ
Ｔチャネル領域に対応するマスク１１１の一部を除去し
た後、イオン注入法により、Ｓｉ＋をドーピングし低濃
度のＮ型チャネル領域１１４を形成する。次に、第４Ｆ
図に示すように、マスク１１１を除去した後、ＬＤ２０
１およびＦＥＴのソース１１２．ドレイン１１３のオー
ミック電極１１７，１１８を形成し、パッシベーション
膜としての５ｉ０２膜２０３および２０４を形成する。
５ｉ０２よりなるマスク１１１を用いてイオン注入方に
よりＳｉ＋をドーピングし、高濃度のＮ型領域１１２．
１１３を形成する。次に、第４Ｅ図に示すように、ＦＥ
Ｔチャネル領域に対応するマスク１１１の一部を除去し
た後、イオン注入法により、Ｓｉ＋をドーピングし低濃
度のＮ型チャネル領域１１４を形成する。次に、第４Ｆ
図に示すように、マスク１１１を除去した後、ＬＤ２０
１およびＦＥＴのソース１１２．ドレイン１１３のオー
ミック電極１１７，１１８を形成し、パッシベーション
膜としての５ｉ０２膜２０３および２０４を形成する。
その後、ＦＥＴのゲート１１９を形成する。この工程に
て、ＦＥＴの形成プロセスが完了する。最後に、上記プ
ロセスにより形成されたＬＤとＦＥＴをアルミ配線２０
５により配線する。このように、ＬＤと高周波重畳回路
とを同一基板上に形成した後、同一基板上にコリメート
レンズ、ビームスプリッタ、集光グレーティングカブラ
などの光学素子を形成することも可能である。
て、ＦＥＴの形成プロセスが完了する。最後に、上記プ
ロセスにより形成されたＬＤとＦＥＴをアルミ配線２０
５により配線する。このように、ＬＤと高周波重畳回路
とを同一基板上に形成した後、同一基板上にコリメート
レンズ、ビームスプリッタ、集光グレーティングカブラ
などの光学素子を形成することも可能である。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば、レーザ光を発生する
レーザ光発生手段およびレーザ光に含まれるレーザノイ
ズを除去するレーザノイズ除去手段か一体的に形成され
た光集積回路を基板の主表面上に設置することにより、
光集積回路が主要面を基準として予め定められた取付位
置に正確に取付けられるので、レーザ光の利用効率の向
上を図ることができ、また、光集積回路が基板により保
護されるので、光集積回路の破損を防止でき、さらに、
レーザノイズ除去手段を光学式ヘッド装置内に容易に集
積化することができる。
レーザ光発生手段およびレーザ光に含まれるレーザノイ
ズを除去するレーザノイズ除去手段か一体的に形成され
た光集積回路を基板の主表面上に設置することにより、
光集積回路が主要面を基準として予め定められた取付位
置に正確に取付けられるので、レーザ光の利用効率の向
上を図ることができ、また、光集積回路が基板により保
護されるので、光集積回路の破損を防止でき、さらに、
レーザノイズ除去手段を光学式ヘッド装置内に容易に集
積化することができる。
第１図は本発明の一実施例を示した光学式ヘッド装置の
概略図、第２図は従来の光学式ヘッド装置を示した概略
図、第３図は本発明の一実施例を示した光集積回路の断
面構造図、第４八図ないし第４Ｇ図は第３図に示し光集
積回路の製造プロセスを説明するための断面構造図であ
る。 図において、１は基板、２はバッファ層、３は誘電体薄
膜導波路層、４は光集積回路、５はコリメートレンズ、
６はビームスプリッタ、７は集光グレーティングカブラ
、８は光検出器、９は光ディスク、１０は情報ピット、
１１は光入射面、１２は反射防止膜である。 なお図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
概略図、第２図は従来の光学式ヘッド装置を示した概略
図、第３図は本発明の一実施例を示した光集積回路の断
面構造図、第４八図ないし第４Ｇ図は第３図に示し光集
積回路の製造プロセスを説明するための断面構造図であ
る。 図において、１は基板、２はバッファ層、３は誘電体薄
膜導波路層、４は光集積回路、５はコリメートレンズ、
６はビームスプリッタ、７は集光グレーティングカブラ
、８は光検出器、９は光ディスク、１０は情報ピット、
１１は光入射面、１２は反射防止膜である。 なお図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 光学式情報記録媒体への情報の記録、再生に用いられる
光学式ヘッド装置であって、 基板と、 前記基板の主表面上に設置されレーザ光を発生するレー
ザ光発生手段および前記レーザ光に含まれるレーザノイ
ズを除去するレーザノイズ除去手段が一体的に形成され
た光集積回路と、 前記基板の主表面上にバッファ層を介して形成され、前
記光集積回路から発生された前記レーザ光を導波する誘
電体薄膜導波路層と、 前記誘電体薄膜導波路層の前記レーザ光が入射する面と
前記光集積回路のレーザ光を発生する面との間に形成さ
れたレーザ光の反射を防止するための反射防止膜と、 前記誘電体薄膜導波路層上に形成され、前記レーザ光発
生手段により前記誘電体薄膜導波路層に入射されたレー
ザ光を平行光束にする平行光束手段と、 前記誘電体薄膜導波路層に形成され、前記平行光束手段
により平行光束にされたレーザ光を入射光として射出さ
せ、光ディスク上の情報ピットからの反射光を反射させ
るビームスプリッタと、前記誘電体薄膜導波路層に形成
され、前記ビームスプリッタから射出された前記レーザ
光を前記光ディスク上の一点に集光させるとともに、前
記光ディスク面にて反射されたレーザ光を前記誘電体薄
膜導波路層に導く集光グレーティングカプラと、 前記集光グレーティングカプラにて前記誘電体薄膜導波
路層に導かれ、前記ビームスプリッタにより反射された
レーザ光を入射させて電気信号に変換する光検出器とを
含むことを特徴とする、光学式光ヘッド装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1264158A JPH03125338A (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 光学式ヘッド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1264158A JPH03125338A (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 光学式ヘッド装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03125338A true JPH03125338A (ja) | 1991-05-28 |
Family
ID=17399269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1264158A Pending JPH03125338A (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 光学式ヘッド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03125338A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0563779A3 (ja) * | 1992-03-28 | 1994-02-09 | Sony Corp |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58196630A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-16 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS60631A (ja) * | 1983-06-15 | 1985-01-05 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザからの発生ノイズ軽減装置 |
| JPS6192439A (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-10 | Mitsubishi Electric Corp | 光学式情報記録再生装置 |
| JPS61248245A (ja) * | 1985-04-25 | 1986-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 光学式ヘツド装置 |
| JPH01119931A (ja) * | 1987-11-02 | 1989-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光集積回路 |
-
1989
- 1989-10-11 JP JP1264158A patent/JPH03125338A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58196630A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-16 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS60631A (ja) * | 1983-06-15 | 1985-01-05 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザからの発生ノイズ軽減装置 |
| JPS6192439A (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-10 | Mitsubishi Electric Corp | 光学式情報記録再生装置 |
| JPS61248245A (ja) * | 1985-04-25 | 1986-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 光学式ヘツド装置 |
| JPH01119931A (ja) * | 1987-11-02 | 1989-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光集積回路 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0563779A3 (ja) * | 1992-03-28 | 1994-02-09 | Sony Corp |
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