JPH0312605A - 紫外・可視二波長反射多層膜ミラー - Google Patents
紫外・可視二波長反射多層膜ミラーInfo
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- JPH0312605A JPH0312605A JP1147421A JP14742189A JPH0312605A JP H0312605 A JPH0312605 A JP H0312605A JP 1147421 A JP1147421 A JP 1147421A JP 14742189 A JP14742189 A JP 14742189A JP H0312605 A JPH0312605 A JP H0312605A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、紫外波長域のビームと可視波長域のビームと
を反射させるが、熱線を反射させずに透過させる紫外・
可視二波長反射多層膜ミラーに関する。
を反射させるが、熱線を反射させずに透過させる紫外・
可視二波長反射多層膜ミラーに関する。
（従来の技術とその問題点）
現在、超ＬＳＩデバイスの加工には、フォ） ＩＪソグ
ラフィ、Ｘ線リングラフィ、電子線リングラフィ等が使
用されている。特に遠紫外露光法は従来のフォトリング
ラフィの延長上にある技術であって、この技術によれば
、波長２００乃至３００ｎｍの遠紫外線でフォトレジス
トを露光し、レチクルの１μ以下のパターンをシリコン
ウェハー上に転写することができる。フォトレジストの
焼付けにはＸ；ｅ−Ｈｇランプを光源とするミラー光学
系が用いられている。この照明系に使用されるミラーは
アルミニウムと弗化マグネシウムの保護膜を蒸着したも
ので、その分光反射特性を第５図に示す。
ラフィ、Ｘ線リングラフィ、電子線リングラフィ等が使
用されている。特に遠紫外露光法は従来のフォトリング
ラフィの延長上にある技術であって、この技術によれば
、波長２００乃至３００ｎｍの遠紫外線でフォトレジス
トを露光し、レチクルの１μ以下のパターンをシリコン
ウェハー上に転写することができる。フォトレジストの
焼付けにはＸ；ｅ−Ｈｇランプを光源とするミラー光学
系が用いられている。この照明系に使用されるミラーは
アルミニウムと弗化マグネシウムの保護膜を蒸着したも
ので、その分光反射特性を第５図に示す。
図示のように、ＭｇＦ２の保護膜つきのＡ１ミラーは、
紫外域では９０％程度の反射率を、そして可視近赤外域
では８０％程度の反射率を有している。
紫外域では９０％程度の反射率を、そして可視近赤外域
では８０％程度の反射率を有している。
従って、このミラーにより反射されるビーム中に含まれ
る熱線が、シリコンウェハーの温度上昇をもたらし、転
写パターンの精度が低下するという問題があった。また
、かかるミラーに使用されるアルミニウムなどの金属膜
は、誘電体膜に比し、レーデ−光中に含まれる紫外線の
照射に対して耐性が低いという欠点もある。
る熱線が、シリコンウェハーの温度上昇をもたらし、転
写パターンの精度が低下するという問題があった。また
、かかるミラーに使用されるアルミニウムなどの金属膜
は、誘電体膜に比し、レーデ−光中に含まれる紫外線の
照射に対して耐性が低いという欠点もある。
そこで、このような熱線を反射させず、しかも紫外線の
照射に対し耐性の高いミラーとして、誘電体の多層膜か
ら成るコールドミラー型の紫外域反射ミラーが種々提案
されている。
照射に対し耐性の高いミラーとして、誘電体の多層膜か
ら成るコールドミラー型の紫外域反射ミラーが種々提案
されている。
例えば、特許出願公告昭６０−３８６８１号公報には、
紫外域において吸収を有する高屈折率誘電体層と紫外域
で無吸収の高屈折率誘電体層及び低屈折率誘電体層とか
ら成る紫外用多層膜において、紫外波長域に現れる反射
帯域の巾を広めるには紫外域で吸収を有する高屈折率誘
電体を用いるのが有効であること、そしてこの高屈折率
誘電体層による吸収の悪影響を最少に抑えるためには、
紫外域で吸収を有する上記高屈折率誘電体層と紫外域で
無吸収の低屈折率１７＜Ｔｉ体層とから成る薄層群を基
板側に設けるのが効果的であることが指摘されている。
紫外域において吸収を有する高屈折率誘電体層と紫外域
で無吸収の高屈折率誘電体層及び低屈折率誘電体層とか
ら成る紫外用多層膜において、紫外波長域に現れる反射
帯域の巾を広めるには紫外域で吸収を有する高屈折率誘
電体を用いるのが有効であること、そしてこの高屈折率
誘電体層による吸収の悪影響を最少に抑えるためには、
紫外域で吸収を有する上記高屈折率誘電体層と紫外域で
無吸収の低屈折率１７＜Ｔｉ体層とから成る薄層群を基
板側に設けるのが効果的であることが指摘されている。
また、紫外域で吸収の無い高屈折率ＡＭ体層と低屈折率
誘電体層との交互層より成るコールドミラーの分光特性
を第６図及び第７図に例示する。
誘電体層との交互層より成るコールドミラーの分光特性
を第６図及び第７図に例示する。
第６図は、３６５ｒ＋＋ｎＯ１線を反射するように設計
されたコールドミラーの分光反射率曲線である。
されたコールドミラーの分光反射率曲線である。
第７図は、ＫｒＦエキシマレーデ−から発振される２４
９ｎｍの紫外線を反射するように設計されたコールドミ
ラーの分光反射率曲線である。これらは、次に示す構成
の誘電体多層膜ミラーについて、それぞれの反射率を計
算により求め反射率曲線を作成したものである。なお、
ミラーへの入射角は４５＠とし、反射率は反射光のＰ成
分とＳ成分の平均をとった。
９ｎｍの紫外線を反射するように設計されたコールドミ
ラーの分光反射率曲線である。これらは、次に示す構成
の誘電体多層膜ミラーについて、それぞれの反射率を計
算により求め反射率曲線を作成したものである。なお、
ミラーへの入射角は４５＠とし、反射率は反射光のＰ成
分とＳ成分の平均をとった。
第６図の分光特性を示す上記コールドミラーは、その構
成が（（Ｈ／２）Ｌ （Ｈ／２）］を基本周期層とし、
周期数が１２のロングパスフィルター型の周期的多層膜
を基板上に積層したものである。
成が（（Ｈ／２）Ｌ （Ｈ／２）］を基本周期層とし、
周期数が１２のロングパスフィルター型の周期的多層膜
を基板上に積層したものである。
このロングパスフィルターのストップバンド（不透過帯
）の中心波長をλ。とすれば、（Ｈ／２’）はλ。にお
いてλｃ／８の膜厚を有する、紫外域で吸収の無い高屈
折率誘電体の１つであるＺｒＯ２の薄膜である。Ｌはλ
。にふいてλｃ／４の膜厚を有する、紫外域で吸収の無
い低屈折率誘電体の１つであるＳｌＯ□の薄膜である。
）の中心波長をλ。とすれば、（Ｈ／２’）はλ。にお
いてλｃ／８の膜厚を有する、紫外域で吸収の無い高屈
折率誘電体の１つであるＺｒＯ２の薄膜である。Ｌはλ
。にふいてλｃ／４の膜厚を有する、紫外域で吸収の無
い低屈折率誘電体の１つであるＳｌＯ□の薄膜である。
なお、上記中心波長λ６は４００ｎｍに選ばれている。
第７図の分光特性を示す上記コールドミラーは、その構
成が（（Ｈ／２）Ｌ （Ｈ／２）］を基本周期層とし、
周期数が１５のロングパスフィルター型の周期的多層膜
を基板上に積層したものである。
成が（（Ｈ／２）Ｌ （Ｈ／２）］を基本周期層とし、
周期数が１５のロングパスフィルター型の周期的多層膜
を基板上に積層したものである。
このロングパスフィルターのストップバンドの中心波長
をλ。とすれば、（Ｈ／２）はλ。においてλｃ／８の
膜厚を有する、紫外域で吸収の無い高屈折率誘電体の１
つであるＹ２Ｏ，の薄膜である。Ｌはλ。に右いてλｃ
／４の膜厚を有する、紫外域で無吸収の低屈折率誘電体
の１つであるＭｇＦ、の薄膜である。なお、上記中心波
長λ。は２７５ｎｍに選ばれている。
をλ。とすれば、（Ｈ／２）はλ。においてλｃ／８の
膜厚を有する、紫外域で吸収の無い高屈折率誘電体の１
つであるＹ２Ｏ，の薄膜である。Ｌはλ。に右いてλｃ
／４の膜厚を有する、紫外域で無吸収の低屈折率誘電体
の１つであるＭｇＦ、の薄膜である。なお、上記中心波
長λ。は２７５ｎｍに選ばれている。
超ＬＳＩデバイスの加工に当りフォトレジストの露光が
紫外線を使用して行われることは既に述べた通りである
が、そのための光学系のアライメントには可視光を利用
するのが便利であり、事実このようにすることが多い。
紫外線を使用して行われることは既に述べた通りである
が、そのための光学系のアライメントには可視光を利用
するのが便利であり、事実このようにすることが多い。
しかしながら、引例の特許公報に記載の多層膜、及び第
６図と第７図に示した構成のコールドミラーは、何れも
可視光を反射させることが無いので、アライメント光と
して可視光を使用できないという欠点があった。
６図と第７図に示した構成のコールドミラーは、何れも
可視光を反射させることが無いので、アライメント光と
して可視光を使用できないという欠点があった。
（発明の目的）
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであって、そ
の目的とするところは、加工用波長の紫外線とアライメ
ント用波長の可視光線を効率よく反射させると共に、加
工に影響を及ぼす熱線を反射させずに透過させる紫外・
可視二波長反射多層膜ミラーを提供することにある。
の目的とするところは、加工用波長の紫外線とアライメ
ント用波長の可視光線を効率よく反射させると共に、加
工に影響を及ぼす熱線を反射させずに透過させる紫外・
可視二波長反射多層膜ミラーを提供することにある。
他の目的は、レーザー光の紫外線に対する耐性がＡβミ
ラーよりも高く、しかも反射効率が高い紫外・可視二波
長反射多層膜ミラーを誘電体多層膜で製作可能とするこ
とにある。
ラーよりも高く、しかも反射効率が高い紫外・可視二波
長反射多層膜ミラーを誘電体多層膜で製作可能とするこ
とにある。
さらに他の目的は、比較的少ない層数の多層膜を基板上
に積層することによって、アライメント用波長を含む可
視波長域の光の反射効率が高い、紫外・可視二波長多層
膜ミラーを実現可能とすることにある。
に積層することによって、アライメント用波長を含む可
視波長域の光の反射効率が高い、紫外・可視二波長多層
膜ミラーを実現可能とすることにある。
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するため、本発明の紫外・可視二波長反
射多層膜ミラーにおいては、基板側には紫外波長域で吸
収を有する高屈折率誘電体層と吸収の無い低屈折率誘電
体層とを交互に配した第１薄層群を、又該第１薄層群上
には紫外波長域で共に吸収の無い高屈折率誘電体層と低
屈折率誘電体層とを交互に配した第２薄層群を媒質（空
気）に接して設け、該第２薄層層群は加工用波長を含む
紫外波長域の光を反射させると共に、可視波長域から赤
外波長域に亘る光を透過させ、上記第１薄層群はアライ
メント波長を含む可視波長域の光を反射させると共に、
赤外波長域の光を透過させるように構成すればよい。
射多層膜ミラーにおいては、基板側には紫外波長域で吸
収を有する高屈折率誘電体層と吸収の無い低屈折率誘電
体層とを交互に配した第１薄層群を、又該第１薄層群上
には紫外波長域で共に吸収の無い高屈折率誘電体層と低
屈折率誘電体層とを交互に配した第２薄層群を媒質（空
気）に接して設け、該第２薄層層群は加工用波長を含む
紫外波長域の光を反射させると共に、可視波長域から赤
外波長域に亘る光を透過させ、上記第１薄層群はアライ
メント波長を含む可視波長域の光を反射させると共に、
赤外波長域の光を透過させるように構成すればよい。
また、比較的少ない層数から成り、アライメント用波長
を含む可視波長域の光に対して反射効率の高い紫外・可
視二波長反射多層膜ミラーを実現するために、上記第１
薄層群と上記第２薄層群の間に第３薄層群を介在させ、
該第３薄層群は紫外波長域において吸収を有する高屈折
率誘電体と吸収の無い低屈折率誘電体とを交互に配して
成り、しかも上記第３薄層群が加工波長を含む紫外波長
域の光を反射させると共に、可視波長域から赤外波長域
に亘る光を透過させるように構成する。
を含む可視波長域の光に対して反射効率の高い紫外・可
視二波長反射多層膜ミラーを実現するために、上記第１
薄層群と上記第２薄層群の間に第３薄層群を介在させ、
該第３薄層群は紫外波長域において吸収を有する高屈折
率誘電体と吸収の無い低屈折率誘電体とを交互に配して
成り、しかも上記第３薄層群が加工波長を含む紫外波長
域の光を反射させると共に、可視波長域から赤外波長域
に亘る光を透過させるように構成する。
（発明の原理）
本発明の紫外・可視二波長反射多層膜ミラーの基本構成
は、第１図に示すように、基板Ｓ側には第１薄層群１を
設け、該第１薄層群１上には第２薄層群２を媒質（空気
）■に接して設ける。
は、第１図に示すように、基板Ｓ側には第１薄層群１を
設け、該第１薄層群１上には第２薄層群２を媒質（空気
）■に接して設ける。
第２薄層群２は、その膜構成がＣ（Ｈ／２） Ｌ（Ｈ／
２）］ ”であり、Ｉ： （Ｈ／２）Ｌ （Ｈ／２）〕
を基本周期層とし、周期数がｎ′である、ロングパスフ
ィルター型の周期的多層膜である。
２）］ ”であり、Ｉ： （Ｈ／２）Ｌ （Ｈ／２）〕
を基本周期層とし、周期数がｎ′である、ロングパスフ
ィルター型の周期的多層膜である。
このロングパスフィルターのパスバンド（不透過帯）の
中心波長をλ。とすれば、（Ｈ／２）はλ。
中心波長をλ。とすれば、（Ｈ／２）はλ。
においてλｃ／８の膜厚を有する、紫外域で吸収の無い
高屈折率誘電体（例えば、八Ａ 、０３、Ｔｈ［］□、
Ｙ２Ｏ３，１ｉｆｅ、、Ｓｃ、０３など）の薄層ｎ８で
ある。Ｌはλ０においてλｃ／４の膜厚を有する、紫外
域で吸収の無い低屈折率誘電体（例えば、ＭｇＦ、、５
ｉｎ２、ＬｉＦ、 ＴｈＦ、など）の薄層ｎ１．である
。紫外波長域にある加工用波長λ。に近い波長が上記中
心波長λ。
高屈折率誘電体（例えば、八Ａ 、０３、Ｔｈ［］□、
Ｙ２Ｏ３，１ｉｆｅ、、Ｓｃ、０３など）の薄層ｎ８で
ある。Ｌはλ０においてλｃ／４の膜厚を有する、紫外
域で吸収の無い低屈折率誘電体（例えば、ＭｇＦ、、５
ｉｎ２、ＬｉＦ、 ＴｈＦ、など）の薄層ｎ１．である
。紫外波長域にある加工用波長λ。に近い波長が上記中
心波長λ。
とじて選定される。
第１薄層群１は、その膜構成が（（Ｈ’ ／２）Ｌ’
（Ｈ’ ／２）・〕０であり、Ｃ（Ｈ’ ／２）Ｌ’
（Ｈ’ ／２））を基本周期層とし、周期数がｎである
、ロングパスフィルター型の周期的多層膜である。この
ロングパスフィルターのストップバンド（不透過帯）の
中心波長をλ。′とすれば、（Ｈ’ ／２）はλ。′に
おいてλ。′／８の膜厚を有する、紫外域で吸収のある
高屈折率誘電体（例えば、Ｔｉｅ、、Ｔａ２０５、Ｚｎ
Ｓなど）の薄膜ｎＨ′である。Ｌ′はλ。′においてλ
。′／４の膜厚を有する、紫外域で吸収の無い低屈折率
誘電体（例えば、ＭｇＦ２、ｓｌｏ、、ＬｉＦ ５Ｔｈ
Ｆ、など）の薄層ｎＬである。
（Ｈ’ ／２）・〕０であり、Ｃ（Ｈ’ ／２）Ｌ’
（Ｈ’ ／２））を基本周期層とし、周期数がｎである
、ロングパスフィルター型の周期的多層膜である。この
ロングパスフィルターのストップバンド（不透過帯）の
中心波長をλ。′とすれば、（Ｈ’ ／２）はλ。′に
おいてλ。′／８の膜厚を有する、紫外域で吸収のある
高屈折率誘電体（例えば、Ｔｉｅ、、Ｔａ２０５、Ｚｎ
Ｓなど）の薄膜ｎＨ′である。Ｌ′はλ。′においてλ
。′／４の膜厚を有する、紫外域で吸収の無い低屈折率
誘電体（例えば、ＭｇＦ２、ｓｌｏ、、ＬｉＦ ５Ｔｈ
Ｆ、など）の薄層ｎＬである。
可視波長域にあるアライメント用波長λ。′が上記中心
波長λ。′として選定される。
波長λ。′として選定される。
ここで、第２薄層群の中心波長λ。である加工周波長λ
。と、第２薄層群の中心波長λ。であるアライメント用
波長λ。′との比をＭとする。
。と、第２薄層群の中心波長λ。であるアライメント用
波長λ。′との比をＭとする。
第２薄層群２は、λ。を不透過帯の中心波長として有す
るロングパスフィルターの分光特性により、光源からの
入射光のうち、上記中心波長λ。
るロングパスフィルターの分光特性により、光源からの
入射光のうち、上記中心波長λ。
に近い波長に選定された加工用波長λ。を含む紫外波長
域の光を第１図に示すようにＵＶ光として反射させると
共に、可視波長域から赤外波長域に亘る光を透過させる
。第２薄層群２を透過した上記光は第１薄層群１に入射
する。第１薄層群１は、λ。′を不透過帯の中心波長と
して有するロングパスフィルターの分光特性により、上
記入射光のうち、上記中心波長λ。′と一致する波長と
して選定されたアライメント用波長λ。′を含む可視波
長域の光を第１図に示すようにＶＩＳ光とじて反射させ
ると共に、熱線を含む赤外波長域の光を透過させる。従
って、第１図に示す多層膜ミラーは、加工用波長λ。と
アライメント用波長λ。′を反射させるが、熱線を含む
赤外波長域の光はこれを反射させずに透過させる。
域の光を第１図に示すようにＵＶ光として反射させると
共に、可視波長域から赤外波長域に亘る光を透過させる
。第２薄層群２を透過した上記光は第１薄層群１に入射
する。第１薄層群１は、λ。′を不透過帯の中心波長と
して有するロングパスフィルターの分光特性により、上
記入射光のうち、上記中心波長λ。′と一致する波長と
して選定されたアライメント用波長λ。′を含む可視波
長域の光を第１図に示すようにＶＩＳ光とじて反射させ
ると共に、熱線を含む赤外波長域の光を透過させる。従
って、第１図に示す多層膜ミラーは、加工用波長λ。と
アライメント用波長λ。′を反射させるが、熱線を含む
赤外波長域の光はこれを反射させずに透過させる。
第１図を参照して、光源からの入射光中に含まれる紫外
線は第２薄層群２の媒質（空気）■との境界面で充分よ
く反射されるので、第１薄層群１に侵入する紫外線は殆
んど無く、紫外線に対するレーデ−耐性が高くなる。と
ころで、ＡＩなどの金属膜のレーザー耐性が誘電体膜の
レーザー耐性よりも劣ることは既に述べた通りである。
線は第２薄層群２の媒質（空気）■との境界面で充分よ
く反射されるので、第１薄層群１に侵入する紫外線は殆
んど無く、紫外線に対するレーデ−耐性が高くなる。と
ころで、ＡＩなどの金属膜のレーザー耐性が誘電体膜の
レーザー耐性よりも劣ることは既に述べた通りである。
従って、第１図に図示の多層膜ミラーは、ｌなどの金属
ミラーに比し優れたレーザー耐性を有する。
ミラーに比し優れたレーザー耐性を有する。
以上述べた２つの事実から、第１図に示す基本構成の誘
電体多層膜により、レーザー光の紫外線に対する耐性が
へ２ミラーよりも高く、しかも反射効率が高い紫外・可
視二波長反射多層膜ミラーを実現することが可能である
ということが分かる。
電体多層膜により、レーザー光の紫外線に対する耐性が
へ２ミラーよりも高く、しかも反射効率が高い紫外・可
視二波長反射多層膜ミラーを実現することが可能である
ということが分かる。
（実施例）
第３図は、Ｓ／Ｍ ［： （Ｈ’ ／２）Ｌ’ （Ｈ
’ ／２））８ ［（）！／２）Ｌ （Ｈ／２＞ ）”
／Ｉなる構成を有する紫外・可視二波長反射多層膜ミラ
ーの分光反射率曲線を示す図である。ここで、Ｈ：Ｔｌ
Ｏ２、Ｈ：ＺｒＯ２、Ｌ’ ＝Ｌ ：５ｉＯ７、Ｍ；加
工波長λ。とアライメント波長λとの比＝１．７３であ
る。
’ ／２））８ ［（）！／２）Ｌ （Ｈ／２＞ ）”
／Ｉなる構成を有する紫外・可視二波長反射多層膜ミラ
ーの分光反射率曲線を示す図である。ここで、Ｈ：Ｔｌ
Ｏ２、Ｈ：ＺｒＯ２、Ｌ’ ＝Ｌ ：５ｉＯ７、Ｍ；加
工波長λ。とアライメント波長λとの比＝１．７３であ
る。
この曲線は、上記ミラーへの人′射角を４５°とし、反
射光のＰ成分とＳ成分の平均を反射率として計算し描い
たものである。上記構成において、Ｓは基板を、■は媒
質（空気）を、１．７３ ［（Ｈ’ ／２）Ｌ’ （
Ｈ’ ／２））’ は第１薄層群１の膜構成を、そして
（（Ｈ／２）Ｌ （Ｈ／２）） １２は第２薄層群２の
膜構成を表わす。
射光のＰ成分とＳ成分の平均を反射率として計算し描い
たものである。上記構成において、Ｓは基板を、■は媒
質（空気）を、１．７３ ［（Ｈ’ ／２）Ｌ’ （
Ｈ’ ／２））’ は第１薄層群１の膜構成を、そして
（（Ｈ／２）Ｌ （Ｈ／２）） １２は第２薄層群２の
膜構成を表わす。
第１薄層群１は、その膜構成がＣ（Ｈ’ ／２）Ｌ’
（Ｈ’ ／２）：ｌ ”であり、（（Ｈ’ ／２）Ｌ’
（Ｈ’ ／２）］を基本周期層とし、周期数が８である
、ロングパスフィルター型の周期的多層膜である。この
ロングパスフィルターのストップバンド（不透過帯）の
中心波長をλ。′とすると、（Ｈ’／２）はλ。′／８
の膜厚を有する、紫外波長域で吸収のある高屈折率誘電
体層ＴｉＯ□であり、Ｌはλ。′においてλ。′／４の
膜厚を有する、紫外域で吸収の無い低屈折率誘電体層Ｓ
ｌＯ□である。可視波長域にあるアライメント用波長λ
。
（Ｈ’ ／２）：ｌ ”であり、（（Ｈ’ ／２）Ｌ’
（Ｈ’ ／２）］を基本周期層とし、周期数が８である
、ロングパスフィルター型の周期的多層膜である。この
ロングパスフィルターのストップバンド（不透過帯）の
中心波長をλ。′とすると、（Ｈ’／２）はλ。′／８
の膜厚を有する、紫外波長域で吸収のある高屈折率誘電
体層ＴｉＯ□であり、Ｌはλ。′においてλ。′／４の
膜厚を有する、紫外域で吸収の無い低屈折率誘電体層Ｓ
ｌＯ□である。可視波長域にあるアライメント用波長λ
。
＝６３３ｎｍが上記中心波長λ。′として選定される。
第２薄層群２は、その膜構成がＣ（Ｈ／２） Ｌ（Ｈ／
２＞）”であり、（（Ｈ／ ２） Ｌ （Ｈ／ ２’）
〕を基本周期層とし、周期数が１２である、ロングパ
スフィルター型の周期的多層膜である。このロングパス
フィルターのストップバンド（不透過帯）の中心波長を
λ。とすると、（Ｈ／２）はλ。においてλｃ／８の膜
厚を有する、紫外域で吸収の無い高屈折率誘電体層２ｒ
Ｏ，であり、Ｌはλ。においてλｃ／４の膜厚を有する
、紫外域で吸収の無い低屈折率誘電体層Ｓ１０□である
。λ。＝３６５ｎｍに近い波長λ。＝４００ｎｍが上記
中心波長として選定される。
２＞）”であり、（（Ｈ／ ２） Ｌ （Ｈ／ ２’）
〕を基本周期層とし、周期数が１２である、ロングパ
スフィルター型の周期的多層膜である。このロングパス
フィルターのストップバンド（不透過帯）の中心波長を
λ。とすると、（Ｈ／２）はλ。においてλｃ／８の膜
厚を有する、紫外域で吸収の無い高屈折率誘電体層２ｒ
Ｏ，であり、Ｌはλ。においてλｃ／４の膜厚を有する
、紫外域で吸収の無い低屈折率誘電体層Ｓ１０□である
。λ。＝３６５ｎｍに近い波長λ。＝４００ｎｍが上記
中心波長として選定される。
第６図を参照すれば明らかなように、第３図に示す実施
例の第２薄層群２の膜構成は第６図に示すコールドミラ
ーの膜構成と同一である。従って、本実施例の紫外・可
視二波長反射多層膜ミラーは、基板Ｓ上にまず第１薄層
群１、［（Ｈ’ ／２）Ｌ’（Ｈ’ ／２）） ８を積
層した後に、第６図に示すコールドミラーの膜構成と同
一の構成を有する第２薄層群２、（（Ｈ／２）Ｌ （Ｈ
／２）Ｅ ′２を積層して得られたものであ ることが
分かる。
例の第２薄層群２の膜構成は第６図に示すコールドミラ
ーの膜構成と同一である。従って、本実施例の紫外・可
視二波長反射多層膜ミラーは、基板Ｓ上にまず第１薄層
群１、［（Ｈ’ ／２）Ｌ’（Ｈ’ ／２）） ８を積
層した後に、第６図に示すコールドミラーの膜構成と同
一の構成を有する第２薄層群２、（（Ｈ／２）Ｌ （Ｈ
／２）Ｅ ′２を積層して得られたものであ ることが
分かる。
このような膜構成Ｃ（Ｈ／２）Ｌ（Ｈ／２））”を有す
る第２薄層群２は、光源からの入射光のうち、加工用波
長λ。＝３６５１ｍを含む紫外波長域の光をＵＶ光とし
て反射させると共に、可視波長帯域から赤外波長帯域に
亘る光を透過させる。第２薄層群２を通過した上記光は
膜構成Ｃ（Ｈ’ ／２）Ｌ’ （Ｈ’ ／２））”を
有する第１薄層群１に入射するが、該第１薄層群１はア
ライメント用波長λ。 ＝６３３ｎｍを含む可視波長域
の光をＶＩＳ光として反射させると共に、熱線を含む赤
外波長域の光を透過させる。従って、基板Ｓ上に積層さ
れた第１薄層群１と第２薄層群２とから成る本実施例の
多層膜ミラーは、加工用波長λ。＝３６５ｎｍとアライ
メント用波長λ。 ＝６３３ｎｍを反射させるが、熱線
を含む赤外波長域の光はこれを反射させずに透過させる
。
る第２薄層群２は、光源からの入射光のうち、加工用波
長λ。＝３６５１ｍを含む紫外波長域の光をＵＶ光とし
て反射させると共に、可視波長帯域から赤外波長帯域に
亘る光を透過させる。第２薄層群２を通過した上記光は
膜構成Ｃ（Ｈ’ ／２）Ｌ’ （Ｈ’ ／２））”を
有する第１薄層群１に入射するが、該第１薄層群１はア
ライメント用波長λ。 ＝６３３ｎｍを含む可視波長域
の光をＶＩＳ光として反射させると共に、熱線を含む赤
外波長域の光を透過させる。従って、基板Ｓ上に積層さ
れた第１薄層群１と第２薄層群２とから成る本実施例の
多層膜ミラーは、加工用波長λ。＝３６５ｎｍとアライ
メント用波長λ。 ＝６３３ｎｍを反射させるが、熱線
を含む赤外波長域の光はこれを反射させずに透過させる
。
第４図は、Ｓ／２．５４ （（Ｈ’ ／２） Ｌ’
（Ｈ’／２） ］８（（Ｈ／２） Ｌ （Ｈ／２） 〕
＋５／Ｉなる構成を有する紫外・可視二波長反射多層膜
ミラーの分光反射率曲線を示す図である。この曲線は上
記ミラーへの入射角を４５°とし、反射光のＰ成分とＳ
成分の平均を反射率として計算し描いたものである。上
記構成において、Ｓは基板を、Ｉは媒質（空気）を、２
．５４ （（Ｈ’ ／２） Ｌ’（Ｈ’ ／２））”は
第１薄層群１の膜構成を、そして［： （Ｈ／２）Ｌ
（Ｈ／２） ］”は第第２薄群２の膜構成を表わす。
（Ｈ’／２） ］８（（Ｈ／２） Ｌ （Ｈ／２） 〕
＋５／Ｉなる構成を有する紫外・可視二波長反射多層膜
ミラーの分光反射率曲線を示す図である。この曲線は上
記ミラーへの入射角を４５°とし、反射光のＰ成分とＳ
成分の平均を反射率として計算し描いたものである。上
記構成において、Ｓは基板を、Ｉは媒質（空気）を、２
．５４ （（Ｈ’ ／２） Ｌ’（Ｈ’ ／２））”は
第１薄層群１の膜構成を、そして［： （Ｈ／２）Ｌ
（Ｈ／２） ］”は第第２薄群２の膜構成を表わす。
第１薄層群１は、その膜構成が（（Ｈ’ ／２）Ｌ’
（Ｈ’／２））”であり、（（Ｈ’ ／２）Ｌ’（Ｈ
’ ／２））を基本周期層とし、周期数が８である、ロ
ングパスフィルター型の周期的多層膜である。このロン
グパスフィルターのストップバンド（不透過帯）の中心
波長をλ、′とすると、（Ｈ’ ／２）はλ。′／８の
膜厚を有する、紫外波長域で吸収のある高屈折率誘電体
層ＴｌＯ２であり、Ｌ′はλ。′においてλ。′／４の
膜厚を有する、紫外域で吸収の無い低屈折率誘電体層Ｓ
ｌＯ□である。可視波長にあるアライメント用波長λ。
（Ｈ’／２））”であり、（（Ｈ’ ／２）Ｌ’（Ｈ
’ ／２））を基本周期層とし、周期数が８である、ロ
ングパスフィルター型の周期的多層膜である。このロン
グパスフィルターのストップバンド（不透過帯）の中心
波長をλ、′とすると、（Ｈ’ ／２）はλ。′／８の
膜厚を有する、紫外波長域で吸収のある高屈折率誘電体
層ＴｌＯ２であり、Ｌ′はλ。′においてλ。′／４の
膜厚を有する、紫外域で吸収の無い低屈折率誘電体層Ｓ
ｌＯ□である。可視波長にあるアライメント用波長λ。
′＝６３３ｎｍが上記中心波長λ。′として選定される
。
。
第２薄層群２は、その膜構成がＣ（Ｈ／２） Ｌ（Ｈ／
２） 〕” であり、Ｃ（Ｈ／２）Ｌ （Ｈ／２）〕
を基本周期層とし、周期数が１５である、ロングパスフ
ィルター型の周期的多層膜である。
２） 〕” であり、Ｃ（Ｈ／２）Ｌ （Ｈ／２）〕
を基本周期層とし、周期数が１５である、ロングパスフ
ィルター型の周期的多層膜である。
このロングパスフィルターのストップバンド（不透過帯
）の中心波長をλ。とすると、（Ｈ／ ２ ）はλ。に
おいてλｃ／８の膜厚を有する、紫外域で吸収の無い高
屈折率誘電体層Ｙ２Ｏ３であり、Ｌはλ。においてλｃ
／４の膜厚を有する、紫外域で吸収の無い低屈折率誘電
体層ＭｇＦ２である。λ０＝２４９ｒ＋＋ｎに近い波長
λ。＝２７５ｎｍが上記中心波長として選定される。
）の中心波長をλ。とすると、（Ｈ／ ２ ）はλ。に
おいてλｃ／８の膜厚を有する、紫外域で吸収の無い高
屈折率誘電体層Ｙ２Ｏ３であり、Ｌはλ。においてλｃ
／４の膜厚を有する、紫外域で吸収の無い低屈折率誘電
体層ＭｇＦ２である。λ０＝２４９ｒ＋＋ｎに近い波長
λ。＝２７５ｎｍが上記中心波長として選定される。
第７図を参照すれば明らかなように、第４図に示す実施
例の第２薄層群２の膜構成は第７図に示すコールドミラ
ーの膜構成と同一である。従って、本実施例の紫外・可
視三波長多層膜ミラーは、基板Ｓ上にまず第１薄層群１
．２．５４ Ｃ（Ｈ’ ／２）Ｌ’ （Ｈ’ ／２）
） ８を積層した後、第７図に示すコールドミラーの膜
構成と同一の膜構成を有する第２薄層群２、（（Ｈ／２
）Ｌ （Ｈ／２）］ １５を積層して得られたものであ
ることが分かる。
例の第２薄層群２の膜構成は第７図に示すコールドミラ
ーの膜構成と同一である。従って、本実施例の紫外・可
視三波長多層膜ミラーは、基板Ｓ上にまず第１薄層群１
．２．５４ Ｃ（Ｈ’ ／２）Ｌ’ （Ｈ’ ／２）
） ８を積層した後、第７図に示すコールドミラーの膜
構成と同一の膜構成を有する第２薄層群２、（（Ｈ／２
）Ｌ （Ｈ／２）］ １５を積層して得られたものであ
ることが分かる。
このような膜構成［： （Ｈ／２）Ｌ（Ｈ／２）） １
５を有する第２薄層群２は、光源からの入射光のうち、
加工用波長λ。＝２４９１ｍを含む紫外波長域の光をＵ
Ｖ光として反射させると共に、可視波長域から赤外波長
域に亘る光を透過させる。第２薄層群２を透過した上記
光は膜構成（（Ｈ’ ／２）Ｌ’ （Ｈ’／２））’
を有する第１薄層群ｌに入射するが、該第１薄層群１は
アライメント用波長λ、’＝６３３ｎｍを含む可視波長
域の光をｖＩＳ光として反射させると共に、熱線を含む
赤外波長域の光を透過させる。従って、基板Ｓ上に積層
された第１薄層群ｌと第２薄層群２とから成る本実施例
の多層膜ミラーは、加工用波長λ。＝２４９ｎｍとアラ
イメント用波長λ。’＝６３３ｎｍを反射させるが、熱
線を含む赤外波長域の光はこれを反射させずに透過させ
る。
５を有する第２薄層群２は、光源からの入射光のうち、
加工用波長λ。＝２４９１ｍを含む紫外波長域の光をＵ
Ｖ光として反射させると共に、可視波長域から赤外波長
域に亘る光を透過させる。第２薄層群２を透過した上記
光は膜構成（（Ｈ’ ／２）Ｌ’ （Ｈ’／２））’
を有する第１薄層群ｌに入射するが、該第１薄層群１は
アライメント用波長λ、’＝６３３ｎｍを含む可視波長
域の光をｖＩＳ光として反射させると共に、熱線を含む
赤外波長域の光を透過させる。従って、基板Ｓ上に積層
された第１薄層群ｌと第２薄層群２とから成る本実施例
の多層膜ミラーは、加工用波長λ。＝２４９ｎｍとアラ
イメント用波長λ。’＝６３３ｎｍを反射させるが、熱
線を含む赤外波長域の光はこれを反射させずに透過させ
る。
次に、第１実施例を変型した第２実施例について、第２
図、第８図、及び第９図を参照して説明する。
図、第８図、及び第９図を参照して説明する。
本発明の紫外・可視二波長反射多層膜ミラーの変形構成
は、第２図に示すように、第１薄層群Ｉと第２薄層群２
の間に第３薄層群３を介在させて成る。
は、第２図に示すように、第１薄層群Ｉと第２薄層群２
の間に第３薄層群３を介在させて成る。
第２実施例は、第１実施例に示した膜構成Ｓ／Ｍ （（
Ｈ’ ／２）Ｌ’ （Ｈ’ ／２））” （（Ｈ／２）
Ｌ（Ｈ／２）］ ” ／Ｉのうち第２薄層群〔（Ｈ／２
） Ｌ（Ｈ／２）） ”の一部を第３薄層群〔（Ｈ′／
２）Ｌ’ ／２））’と第１実施例で示す第２薄層群と
同じ構成で層数の少ないＣ（Ｈ／２） Ｌ （Ｈ／２）
）”で置き換えるものである。即ちその膜構成はＳ／Ｍ
Ｉ：（Ｈ’ ／２）Ｌ’ （Ｈ’ ／２）］ ”（（
）（’ ／２）Ｌ’ ／２＞） １〔（Ｈ／２）Ｌ
（Ｈ／２））ｌ”となる（ただしｎ’ ＞ｍ＋ｍ’ と
する）。ここで、第３薄層群Ｃ（Ｈ／２）Ｌ’ （Ｈ’
／２）：ｌ”は、（（Ｈ’ ／２）Ｌ’ （Ｈ’ ／
２）：１を基本構成とする周期型のロングパスフィルタ
ーである。ここで、（Ｈ’／２）はバンドパスの中心波
長λ。においてλｃ／８の膜厚を有し紫外域を吸収す高
屈折率誘電体（例えば、ＴｉＯ２、Ｔａ、Ｏｓ、ＺｎＳ
等）で、Ｌは前出と同様λ。′においてλ。
Ｈ’ ／２）Ｌ’ （Ｈ’ ／２））” （（Ｈ／２）
Ｌ（Ｈ／２）］ ” ／Ｉのうち第２薄層群〔（Ｈ／２
） Ｌ（Ｈ／２）） ”の一部を第３薄層群〔（Ｈ′／
２）Ｌ’ ／２））’と第１実施例で示す第２薄層群と
同じ構成で層数の少ないＣ（Ｈ／２） Ｌ （Ｈ／２）
）”で置き換えるものである。即ちその膜構成はＳ／Ｍ
Ｉ：（Ｈ’ ／２）Ｌ’ （Ｈ’ ／２）］ ”（（
）（’ ／２）Ｌ’ ／２＞） １〔（Ｈ／２）Ｌ
（Ｈ／２））ｌ”となる（ただしｎ’ ＞ｍ＋ｍ’ と
する）。ここで、第３薄層群Ｃ（Ｈ／２）Ｌ’ （Ｈ’
／２）：ｌ”は、（（Ｈ’ ／２）Ｌ’ （Ｈ’ ／
２）：１を基本構成とする周期型のロングパスフィルタ
ーである。ここで、（Ｈ’／２）はバンドパスの中心波
長λ。においてλｃ／８の膜厚を有し紫外域を吸収す高
屈折率誘電体（例えば、ＴｉＯ２、Ｔａ、Ｏｓ、ＺｎＳ
等）で、Ｌは前出と同様λ。′においてλ。
／４の膜厚を有する紫外域で吸収の無い低屈折率誘電体
である。
である。
このように構成すると、例えば、（Ｈ’／２）として、
ＴｉＯ２（ｎ＝２．３５）を（Ｈ’／２）の代表例であ
るＹ２Ｏ３（ｎ＝１．９０）とすることにより、第３薄
層群において屈折率差を大きくとれ、同様の紫外反射率
を得る場合に第１実施例において必要な薄層数より少な
い暦数で形成できる。
ＴｉＯ２（ｎ＝２．３５）を（Ｈ’／２）の代表例であ
るＹ２Ｏ３（ｎ＝１．９０）とすることにより、第３薄
層群において屈折率差を大きくとれ、同様の紫外反射率
を得る場合に第１実施例において必要な薄層数より少な
い暦数で形成できる。
第８図は第３図に示す第１実施例の変型に係るものでＳ
／１．７３ 〔（Ｈ’ ／２）Ｌ’ （Ｈ’ ／２））
’（Ｈ’ ／２）Ｌ’ （Ｈ’ ／２））’ （（
Ｈ／２）Ｌ （Ｈ／２）］ ’なる構成を有する紫外・
可視二波長反射多層膜ミラーの分光反射率曲線を示す図
である。この曲線は反射ミラーへの入射角を４５゜とし
、反射光のＰ成分とＳ成分との平均を反射率として計算
し描いたものである。加工用波長λ。
／１．７３ 〔（Ｈ’ ／２）Ｌ’ （Ｈ’ ／２））
’（Ｈ’ ／２）Ｌ’ （Ｈ’ ／２））’ （（
Ｈ／２）Ｌ （Ｈ／２）］ ’なる構成を有する紫外・
可視二波長反射多層膜ミラーの分光反射率曲線を示す図
である。この曲線は反射ミラーへの入射角を４５゜とし
、反射光のＰ成分とＳ成分との平均を反射率として計算
し描いたものである。加工用波長λ。
は、４００ｎｍとする。
第９図は、第４図に示す第１実施例の変型に係るもので
、Ｓ／２．５４ Ｃ（Ｈ’ ／２）Ｌ’ （Ｈ’／２
）’ Ｃ（Ｈ’ ／２）Ｌ’ （Ｈ’ ／２）］ ’
（（Ｈ／２＞Ｌ （Ｈ／２））’なる構成を有する紫外
・可視二波長反射多層膜ミラーの分光反射率曲線を示す
図である。この反射率曲線は第８図と同じ条件で描いで
ある。加工用波長λ。は２７５ｎｍとする。
、Ｓ／２．５４ Ｃ（Ｈ’ ／２）Ｌ’ （Ｈ’／２
）’ Ｃ（Ｈ’ ／２）Ｌ’ （Ｈ’ ／２）］ ’
（（Ｈ／２＞Ｌ （Ｈ／２））’なる構成を有する紫外
・可視二波長反射多層膜ミラーの分光反射率曲線を示す
図である。この反射率曲線は第８図と同じ条件で描いで
ある。加工用波長λ。は２７５ｎｍとする。
以上詳述した実施例では、基本構成、Ｓ ／ Ｍ（（Ｈ
’ ／２．）Ｌ’ （Ｈ’ ／２＞’ （（Ｈ／２
）Ｌ （Ｈ／２））” ／Ｉ、又は変形構成、Ｓ ／
ＭＣ（Ｈ’ ／２）Ｌ’ （Ｈ’ ／２）” ［（
Ｈ’ ／２）Ｌ’ （Ｈ’ ／２）］’ Ｃ（Ｈ／２）
Ｌ （Ｈ／２））”／■において、各薄層群がＣ（Ｈ／
２）Ｌ （Ｈ／２）〕なる基本周期層を有するロングパ
スフィルター型の多層膜ミラーとなるようにしたけれど
も、各薄層群がＣ（Ｈ／２）Ｌ （Ｈ／２））なる基本
周期層を有するショートパスフィルター型の多層膜ミラ
ーとなるようにすることも可能であり、あるいは又各薄
層群が（ＨＬ）なる基本周期層を有するλ／４型交互層
多層膜ミラーとなるようにすることも可能である。
’ ／２．）Ｌ’ （Ｈ’ ／２＞’ （（Ｈ／２
）Ｌ （Ｈ／２））” ／Ｉ、又は変形構成、Ｓ ／
ＭＣ（Ｈ’ ／２）Ｌ’ （Ｈ’ ／２）” ［（
Ｈ’ ／２）Ｌ’ （Ｈ’ ／２）］’ Ｃ（Ｈ／２）
Ｌ （Ｈ／２））”／■において、各薄層群がＣ（Ｈ／
２）Ｌ （Ｈ／２）〕なる基本周期層を有するロングパ
スフィルター型の多層膜ミラーとなるようにしたけれど
も、各薄層群がＣ（Ｈ／２）Ｌ （Ｈ／２））なる基本
周期層を有するショートパスフィルター型の多層膜ミラ
ーとなるようにすることも可能であり、あるいは又各薄
層群が（ＨＬ）なる基本周期層を有するλ／４型交互層
多層膜ミラーとなるようにすることも可能である。
また、レーザー耐性を向上させるため、最柊層の上に（
２Ｌ）の誘電体薄膜を積層してもよい。
２Ｌ）の誘電体薄膜を積層してもよい。
さらに又、誘電体多層膜ミラーを本実施例のように二波
長反射ミラーとして構成する代りに、基本周期層の周期
数ｎ′、あるいはｍ、ｍ’を適当に調節することによっ
て構成した誘電体多層膜ミラーが、紫外波長域では通常
のミラーとして働き、かつ可視波長域ではハーフミラ−
として働くようにすることも可能である。
長反射ミラーとして構成する代りに、基本周期層の周期
数ｎ′、あるいはｍ、ｍ’を適当に調節することによっ
て構成した誘電体多層膜ミラーが、紫外波長域では通常
のミラーとして働き、かつ可視波長域ではハーフミラ−
として働くようにすることも可能である。
（発明の効果）
本発明は、以上詳述したように構成されているので、熱
線を反射させずに加工用波長の紫外線とアライメント用
波長の可視光線を効率よく反射させることができる。従
って、熱作用によって試料の加工精度が損われる恐れの
ある超ＬＳＩやＬＳＩデバイスの加工、及び熱作用によ
って細胞が破壊される恐れのある生化学反応や眼科手術
などの応用に有効に使用することが可能である。
線を反射させずに加工用波長の紫外線とアライメント用
波長の可視光線を効率よく反射させることができる。従
って、熱作用によって試料の加工精度が損われる恐れの
ある超ＬＳＩやＬＳＩデバイスの加工、及び熱作用によ
って細胞が破壊される恐れのある生化学反応や眼科手術
などの応用に有効に使用することが可能である。
また、本発明によれば、レーザー光の紫外線に対する耐
性がＡｌなどの金属ミラーよりも高く、しかも反射効率
が高い紫外・可視二波長反射多層膜ミラーを製作するこ
とができる。
性がＡｌなどの金属ミラーよりも高く、しかも反射効率
が高い紫外・可視二波長反射多層膜ミラーを製作するこ
とができる。
さらに、本発明によれば、比較的少ない層数の誘電体多
層膜を基板上に積層することによってアライメント用波
長を含む可視波長域の光の反射率が高い、紫外・可視二
波長反射多層膜ミラーを実現することが可能になる。
層膜を基板上に積層することによってアライメント用波
長を含む可視波長域の光の反射率が高い、紫外・可視二
波長反射多層膜ミラーを実現することが可能になる。
第１図は本発明の多層膜ミラーの基本構成を示す図、第
２図は変形構成を示す図、第３図はｉ線（３６５ｎｍ）
とＨｅ−ＮｅガスＬ／−デーの発振光（６３３ｒ＋ｎ＋
）を反射させる二波長コールドミラーの分光特性を示す
図、第４図はＫｒＦエキシマレーザ−の発振光（２４９
ｎｍ）とＨｅ−Ｎｅガスレーデ−の発振光（６３３ｎｍ
）を反射させる二波長コールドミラーの分光特性を示す
図、第５図は紫外用ミラーとして従来使用されている保
護膜つきＡｌミラーの分光特性を示す図、第６図は従来
のｉ線（３６５ｎｍ）用コールドミラーの分光特性を示
す図、そして第７図は従来のＫｒＦエキシマレ−・デー
（２４９ｎｍ）用コールドミラーの分光特性を示す図、
第８図は第３図に示すものの変型例の分光特性を示す図
、第９図は第１実施例のうちの第４図に示すものの変型
例の分光特性を示す図である。 ■・・・・・・第１薄層群 ２・・・・・・第２薄層
群３・・・・・・第３薄層群 Ｓ・・・・・・基板Ｔ
・・・・・・媒質 ｎＨ′・・・・・・紫外域で吸収を有する高屈折率誘電
体層 ｎＬ・・・・・・紫外域で吸収の無い低屈折率誘電体層
ｎ、・・・・・・紫外域で吸収の無い高屈折率誘電体層
λ。・・・・・・加工用波長 λ。・・・・・・アライメント用波長 図面の浄書（内容に変更なし） 第１図 第２図 平成 年 月 日
２図は変形構成を示す図、第３図はｉ線（３６５ｎｍ）
とＨｅ−ＮｅガスＬ／−デーの発振光（６３３ｒ＋ｎ＋
）を反射させる二波長コールドミラーの分光特性を示す
図、第４図はＫｒＦエキシマレーザ−の発振光（２４９
ｎｍ）とＨｅ−Ｎｅガスレーデ−の発振光（６３３ｎｍ
）を反射させる二波長コールドミラーの分光特性を示す
図、第５図は紫外用ミラーとして従来使用されている保
護膜つきＡｌミラーの分光特性を示す図、第６図は従来
のｉ線（３６５ｎｍ）用コールドミラーの分光特性を示
す図、そして第７図は従来のＫｒＦエキシマレ−・デー
（２４９ｎｍ）用コールドミラーの分光特性を示す図、
第８図は第３図に示すものの変型例の分光特性を示す図
、第９図は第１実施例のうちの第４図に示すものの変型
例の分光特性を示す図である。 ■・・・・・・第１薄層群 ２・・・・・・第２薄層
群３・・・・・・第３薄層群 Ｓ・・・・・・基板Ｔ
・・・・・・媒質 ｎＨ′・・・・・・紫外域で吸収を有する高屈折率誘電
体層 ｎＬ・・・・・・紫外域で吸収の無い低屈折率誘電体層
ｎ、・・・・・・紫外域で吸収の無い高屈折率誘電体層
λ。・・・・・・加工用波長 λ。・・・・・・アライメント用波長 図面の浄書（内容に変更なし） 第１図 第２図 平成 年 月 日
Claims (2)
- （１）基板側には紫外波長域で吸収を有する高屈折率誘
電体層と吸収の無い低屈折率誘電体層とを交互に配した
第１薄層群を、又該第１薄層群上には紫外波長域で共に
吸収の無い高屈折率誘電体層と低屈折率誘電体層とを交
互に配した第２薄層群を媒質に接して設け、該第２薄膜
群は加工用波長を含む紫外波長域の光を反射させると共
に、可視波長域から赤外波長域に亘る光を透過させ、上
記第１薄層群はアライメント用波長を含む可視波長域の
光を反射させると共に赤外波長域の光を透過させるよう
に構成したことを特徴とする紫外・可視二波長反射多層
膜ミラー。 - （２）上記第１薄膜群と上記第２薄膜群との間に第３薄
層群を介在させ、該第３薄層群は紫外波長域において吸
収を有する高屈折率誘電体層と吸収の無い低屈折率誘電
体層とを交互に配して成り、かつ記第３薄層群が加工用
波長を含む紫外波長域の光を反射させると共に、可視波
長域から赤外波長域に亘る光を透過させるように構成し
た請求項（１）記載の紫外・可視二波長反射多層膜ミラ
ー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1147421A JPH0312605A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 紫外・可視二波長反射多層膜ミラー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1147421A JPH0312605A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 紫外・可視二波長反射多層膜ミラー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0312605A true JPH0312605A (ja) | 1991-01-21 |
Family
ID=15429934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1147421A Pending JPH0312605A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 紫外・可視二波長反射多層膜ミラー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0312605A (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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