JPH03126335A - 光受信回路 - Google Patents

光受信回路

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JPH03126335A
JPH03126335A JP1265535A JP26553589A JPH03126335A JP H03126335 A JPH03126335 A JP H03126335A JP 1265535 A JP1265535 A JP 1265535A JP 26553589 A JP26553589 A JP 26553589A JP H03126335 A JPH03126335 A JP H03126335A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
control signal
apd
optical
photocurrent
Prior art date
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Pending
Application number
JP1265535A
Other languages
English (en)
Inventor
Makoto Hatakeyama
畠山 眞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は受光素子としてAPDを用いた光受信回路に関
する。
〔従来の技術〕
従来、この種の光受信回路は、光電流制限回路にAPD
バイアス印加回路を有しておらず受光電力が大きい場合
、過大な光電流が流れる可能性があった。第3図は従来
の光受信回路の一例のブロック図である。
第3図において、1はAPD、2は前置増幅回路、3は
AGC増幅回路、4は主増幅回路、5はAGC制御回路
、6は制御信号選択回路、7はDC−DCコンバータ、
11は光信号、12は主増幅回路出力、13.15.1
8.19は制御信号、16はDC−DCコンバータの出
力、17は光−電気変換信号である。
次に、動作について説明する。入力光信号11は、AP
Dlにより光電変換された後、前置増幅器2のAGC増
幅器3と主増幅器4とで増幅され信号12として出力さ
れる。AGC制御回路5は信号12を入力し、制御信号
13と19とを出力する。制御信号19はAGC増幅器
3の利得を制御する。制御信号選択回路6は制御信号1
3と18とを選択する回路であり、制御信号13と18
の何れかを選択し制御信号15として出力する。DC−
DCコンバータ7は制御信号15に応じてAPDバイア
ス電圧16を出力する。光信号レベル11が小さい領域
では、AGC増幅器3は最大利得となっており、11→
1→17→2→3→4→12→5→13→6→15→7
→16のループが動作状態となっており光信号レベル1
1.が変化すると制御信号13及び制御信号15が変化
し、制御信号15に応じてバイアス電圧16が変化しA
PD 1のM(増・調率)が変化しAPDlの光電流が
所定値となる様に動作する。光信号レベル11が大きく
なるにつれAPD 1のMは小さくなる。Mはある所定
の値に保持される。このとき、制御信号18が制御信号
選択回路6により選択され制御信号15として出力され
DC−DCコンバータ7の出力であるバイアス電圧16
は所定値となる。又このとき、光信号レベル11の変化
に対して制御信号19によりAGC増幅器3の利得を変
化させ出力振幅12を所定値にしている。
第4図は従来例のAPDバイアス印加回路のブロック図
である。R1は抵抗器、23′は光電流であり、入力光
信号11が過大時には制御信号選択回路により制御信号
18(固定電圧)が選択され制御信号15としてD(、
−DCコンバータ7に入力され固定バイアス電圧16が
出力され、APDIのMは所定値となり23′の光電流
は11の交信号入力の増加に比例し、増加し続ける。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の従来の光受信回路において、入力光信号
が大きな領域ではAPDのバイアス電圧は所定値に保た
れているため、過大な光信号が入力された場合APDの
光電流が過大となりAPDが破壊されるという欠点があ
る。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の光受信回路は、受光素子としてAPDを用いた
光受信回路において、過大な光信号入力を検出したとき
前記APDの光電流を制限する充電流制限回路を有する
APDバイアス印加回路を有している。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例のブロック図であり、第3図
に示した従来の光受信回路の構成に加えて充電流制限回
路8を有しており、従来回路の動作に加えて光信号人力
11の過大時に充電流制限回路8により光電流を検出し
制御信号14を出力する。制御信号選択回路6はこのと
き制御信号14を選択し制御信号15として出力する。
DC−DCコンバータ7はこの制御信号15に応じたバ
イアス電圧を出力しAPDIの光電流が所定値となるよ
うに回路は動作する。
第2図は本実施例の充電流制限回路の詳細ブロック図で
ある。
第2図において、21はホトカブラ、22はオボアンプ
、R1、R2は抵抗器、VCCは基準電圧、23は光電
流である。光信号人力11の増大時、光電流23をホト
カブラ21により検出し光電流に比例した電圧をオペア
ンプ22に入力し制御信号14を出力する。このとき、
制御信号選択回路6は制御信号14を選択し制御信号1
5としてDC−DCコンバータ7に入力し制御信号に応
じたバイアス電圧16を出力する。このとき8→14→
6→15→7→16のループにより光信号11の増加に
対し光電流23は所定値となり、APDlに過大な光電
流は流れない。このようにすると、第5図に入力光信号
と光電流との相関図に示すように、■の領域では入力光
信号に応じてADPのMが変化している領域(AGC増
幅器は最大利得)であり光電流は所定値となっている。
■の領域はAPDのMは一定値(APDのバイアス電圧
は固定)であり、入力光信号の変化に対しAGC増幅器
の利得が変化し、APDの光電流は入力光信号の増加に
比例して増加する。■の領域は入力光信号の過大入力領
域であり従来回路では■の領域と同じ動作であり入力光
信号の増加に比例して光電流は増加する(23′の破線
)、本発明の回路では入力光信号の増加に対し光電流は
一定値に制限され過大な光電流は流れない。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、受光素子としてAPDを
用いた光受信回路において、充電流制限回路を有するA
PDバイアス印加回路を用いることにより、入力光信号
が過大となった場合にAPDに過大な光電流が流れるこ
とはなく、過大な光電流によるAPDの破壊を防止でき
るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のブロック図、第2図は本実
施例の充電流制限回路の詳細ブロック図、第3図は従来
の光受信回路の一例のブロック図、第4図は従来例のA
DPバイアス印加回路のブロック図、第5図は光受信回
路の入力光信号と光電流との相関図である。 1・・・APD、2・・・前値増幅回路、3・・・AG
C増幅回路、4・・・主増幅回路、5・・・AGC制御
回路、6・・・制御信号選択回路、7・・・DC−DC
コンバータ、8・・・充電流制限回路、11・・・光信
号、12・・・主増幅回路出力、13,14.15,1
8.19・・・制御信号、16・・・DC−DCコンバ
ータ出力、17・・・光−電気変換信号、21・・・ホ
トカプラ、22・・・オペアンプ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 受光素子としてAPDを用いた光受信回路において、過
    大な光信号入力を検出したとき前記APDの光電流を制
    限する光電流制限回路を有するAPDバイアス印加回路
    を有することを特徴とする光受信回路。
JP1265535A 1989-10-11 1989-10-11 光受信回路 Pending JPH03126335A (ja)

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JP1265535A JPH03126335A (ja) 1989-10-11 1989-10-11 光受信回路

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2400505A (en) * 2003-04-03 2004-10-13 Texas Instruments Ltd Photo detector protected bias circuit

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2400505A (en) * 2003-04-03 2004-10-13 Texas Instruments Ltd Photo detector protected bias circuit
GB2400505B (en) * 2003-04-03 2006-08-30 Texas Instruments Ltd Improvements in or relating to photodetection

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