JPH03127831A - 半導体基板処理装置のクリーニング方法 - Google Patents
半導体基板処理装置のクリーニング方法Info
- Publication number
- JPH03127831A JPH03127831A JP1266461A JP26646189A JPH03127831A JP H03127831 A JPH03127831 A JP H03127831A JP 1266461 A JP1266461 A JP 1266461A JP 26646189 A JP26646189 A JP 26646189A JP H03127831 A JPH03127831 A JP H03127831A
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- JP
- Japan
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- dust
- substrate
- semiconductor substrate
- processing equipment
- substrate processing
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体分野における半導体基板処理装置のクリ
ーニング方法に関するものである。
ーニング方法に関するものである。
従来の技術
半導体基板処理装置は多種多用のものがあり、特に前工
程処理用のＬＳＩ製造におけるウェハプロセス関係の装
置 例えばドライエツチング装置において、ウェハ搬送
系及び反応性ガスを導入してウェハを加工する反応室で
発生する塵埃がウェハ表面あるいは裏面に付着し 特に
表面の加工面が塵埃によってエツチングマスクとなり加
工不良を生じ歩留り低下の大きな要因となっている。よ
って塵埃はＬＳＩの大面積・高密度化により、更に深刻
な問題となる。そこで従来は搬送系のベルトも 反応室
の側壁の薬液によるこすりクリーニングを行なったり、
反応室のみの酸素プラズマ発生による側壁の有機系付着
物の除去を行なし＼ ウェハに付着する塵埃をクリーニ
ングしていｔう発明が解決しようとする課題 従来の塵埃をクリーニングする方法では 薬品を使用す
る為人体に有害であったり、また 反応室の真空をやぶ
ってクリーニングする為 装置を停止する時間が長くな
リウェハ処理効率が悪くなる。更にこすりクリーニング
では使用材料自身（一般的にはクラス１００程度の布〉
からの発塵で塵埃が再付着する問題玄 粒径の小さい浮
遊塵埃の除去は不可能であり微細ルールのＬＳＩになれ
ばなる毘 歩留りが低下する。
程処理用のＬＳＩ製造におけるウェハプロセス関係の装
置 例えばドライエツチング装置において、ウェハ搬送
系及び反応性ガスを導入してウェハを加工する反応室で
発生する塵埃がウェハ表面あるいは裏面に付着し 特に
表面の加工面が塵埃によってエツチングマスクとなり加
工不良を生じ歩留り低下の大きな要因となっている。よ
って塵埃はＬＳＩの大面積・高密度化により、更に深刻
な問題となる。そこで従来は搬送系のベルトも 反応室
の側壁の薬液によるこすりクリーニングを行なったり、
反応室のみの酸素プラズマ発生による側壁の有機系付着
物の除去を行なし＼ ウェハに付着する塵埃をクリーニ
ングしていｔう発明が解決しようとする課題 従来の塵埃をクリーニングする方法では 薬品を使用す
る為人体に有害であったり、また 反応室の真空をやぶ
ってクリーニングする為 装置を停止する時間が長くな
リウェハ処理効率が悪くなる。更にこすりクリーニング
では使用材料自身（一般的にはクラス１００程度の布〉
からの発塵で塵埃が再付着する問題玄 粒径の小さい浮
遊塵埃の除去は不可能であり微細ルールのＬＳＩになれ
ばなる毘 歩留りが低下する。
課題を解決するための手段
ウェハとほぼ同形状の基板を帯電させ、この帯型基板を
用いて、装置の搬送処理を行な八 そこで発生した塵埃
を帯電基板側に静電気力によって付着さすものである。
用いて、装置の搬送処理を行な八 そこで発生した塵埃
を帯電基板側に静電気力によって付着さすものである。
作用
本発明の方法によれば 浮遊塵埃として除去しにくい１
μｍ以下の小さな粒子でも静電気力によって強制的に帯
電基板に付着さすため塵埃除去能率が非常に高い。
μｍ以下の小さな粒子でも静電気力によって強制的に帯
電基板に付着さすため塵埃除去能率が非常に高い。
実施例
本発明の一実施例である第１図を用いて以下に説明する
。ここで帯電基板の材料（よ 例えば弗素樹脂ＰＦＡ
（四弗化エチレン・パーフロロアルキルビニルエーテル
共重合樹脂以下ＰＦＡと称す）を用い射出成形方法によ
り６インチＳｉウェハと同形状に成形する。帯電方法は
摩擦方式や電圧印加方式により静電気を帯電さす。第２
図は実験によって帯電電位の違いによる塵埃付着率を求
めた測定条件はプラス１００００の雰囲気で３０分間放
置し帯電電位は静電電位計で測定し付着数はレーザパー
ティクルカウンター（日立製ＨＬＤ３００Ｂ）で０．２
μｍφ粒径以上の塵埃数を測定しｔラ 帯電電位２０
ＫＶの付着数を１として規格化した 同図より１５ＫＶ
ぐらいより付着率は高くなる事が判る。例えば第１図に
示すドライエツチング装置内の塵埃を除去する場合、
６インチＳｉウェハと同形状に成形したＰＦＡ基板１を
数十ＫＶに帯電させキャリア２に数枚セットＬ １枚ず
つ搬送系３、エツチング反応室４、また搬送系３を経由
してキャリア２に戻すことにより、通常Ｓｉウェハが流
れる全ての経路で発生する塵埃を、ＰＦＡ基板１に強制
的に集塵することができる。更番ヘ エツチング反応
室４で通常処理するエツチング条件で、プラズマ発生す
れば電極５や側壁６に付着している反応物７等もＰＦＡ
基板に付着し 反応室４全体の塵埃除去に非常に有効で
ある。ここではドライエツチング装置の塵埃除去方法に
ついて述べたバ 他のウェハ処理装置にも適用できる。
。ここで帯電基板の材料（よ 例えば弗素樹脂ＰＦＡ
（四弗化エチレン・パーフロロアルキルビニルエーテル
共重合樹脂以下ＰＦＡと称す）を用い射出成形方法によ
り６インチＳｉウェハと同形状に成形する。帯電方法は
摩擦方式や電圧印加方式により静電気を帯電さす。第２
図は実験によって帯電電位の違いによる塵埃付着率を求
めた測定条件はプラス１００００の雰囲気で３０分間放
置し帯電電位は静電電位計で測定し付着数はレーザパー
ティクルカウンター（日立製ＨＬＤ３００Ｂ）で０．２
μｍφ粒径以上の塵埃数を測定しｔラ 帯電電位２０
ＫＶの付着数を１として規格化した 同図より１５ＫＶ
ぐらいより付着率は高くなる事が判る。例えば第１図に
示すドライエツチング装置内の塵埃を除去する場合、
６インチＳｉウェハと同形状に成形したＰＦＡ基板１を
数十ＫＶに帯電させキャリア２に数枚セットＬ １枚ず
つ搬送系３、エツチング反応室４、また搬送系３を経由
してキャリア２に戻すことにより、通常Ｓｉウェハが流
れる全ての経路で発生する塵埃を、ＰＦＡ基板１に強制
的に集塵することができる。更番ヘ エツチング反応
室４で通常処理するエツチング条件で、プラズマ発生す
れば電極５や側壁６に付着している反応物７等もＰＦＡ
基板に付着し 反応室４全体の塵埃除去に非常に有効で
ある。ここではドライエツチング装置の塵埃除去方法に
ついて述べたバ 他のウェハ処理装置にも適用できる。
またウェハキャリア２を収納するボックス（図示せず）
の内壁に付着している塵埃もＳｉウェハに付着する忍
帯電させたＰＦＡ基板をキャリア内に入れておくと、他
のＳｉウェハより多く帯電したＰＦＡ基板に塵埃が付着
ＬＳｉウェハを塵埃から防ぐ事もできる。帯電基板材料
として他に ＥＦＰ （四弗化エチレン・六弗化プロピ
レン共重合樹脂）、ＥＴＦＥ （四弗化エチレン・エチ
レン共重合樹脂）、ＥＣＴＦＥ （三弗化塩化エチレン
・エチレン共重合樹脂）、ＰＴＦＥ （四弗化エチレン
樹脂）、ＰＣＴＦＥ （三弗化塩化エチレン樹脂）、Ｐ
ＶｄＦ（弗化ビニリデン樹脂）、ＵＤＦ （弗化ビニル
樹脂〉等の弗素樹脂 その他不純物の少ない絶縁轍 半
絶縁物なら帯電効果があれば用いることができも 加工
も一体成形でなく別の基板を覆う事により表面全体を弗
素樹脂系にして帯電させてもよＬｌ 発明の効果 以上の説明から明らかなように 本発明によれば 静電
効果によって塵埃を強制的に集塵するＡウェハ処理装置
内に浮遊する小さな塵埃か板 ベルト等の搬送系や反応
室に付着した反応物等の大きな塵埃まで集めることがで
きる為 クリーニング効果が非常に高Ｌ１ その為Ｌ
ＳＩ歩留り向上が期待できる。さらに帯電電位が高い私
集塵能力が高い為 少ない枚数で集塵効果が期待でき
るたへ クリーニング時間が少なくすむなど、装置メン
テナンス性の高いクリーニング方法が提供でき、工業上
有益である。
の内壁に付着している塵埃もＳｉウェハに付着する忍
帯電させたＰＦＡ基板をキャリア内に入れておくと、他
のＳｉウェハより多く帯電したＰＦＡ基板に塵埃が付着
ＬＳｉウェハを塵埃から防ぐ事もできる。帯電基板材料
として他に ＥＦＰ （四弗化エチレン・六弗化プロピ
レン共重合樹脂）、ＥＴＦＥ （四弗化エチレン・エチ
レン共重合樹脂）、ＥＣＴＦＥ （三弗化塩化エチレン
・エチレン共重合樹脂）、ＰＴＦＥ （四弗化エチレン
樹脂）、ＰＣＴＦＥ （三弗化塩化エチレン樹脂）、Ｐ
ＶｄＦ（弗化ビニリデン樹脂）、ＵＤＦ （弗化ビニル
樹脂〉等の弗素樹脂 その他不純物の少ない絶縁轍 半
絶縁物なら帯電効果があれば用いることができも 加工
も一体成形でなく別の基板を覆う事により表面全体を弗
素樹脂系にして帯電させてもよＬｌ 発明の効果 以上の説明から明らかなように 本発明によれば 静電
効果によって塵埃を強制的に集塵するＡウェハ処理装置
内に浮遊する小さな塵埃か板 ベルト等の搬送系や反応
室に付着した反応物等の大きな塵埃まで集めることがで
きる為 クリーニング効果が非常に高Ｌ１ その為Ｌ
ＳＩ歩留り向上が期待できる。さらに帯電電位が高い私
集塵能力が高い為 少ない枚数で集塵効果が期待でき
るたへ クリーニング時間が少なくすむなど、装置メン
テナンス性の高いクリーニング方法が提供でき、工業上
有益である。
第１図は本発明の一実施例におけるドライエ・ンチング
装置のクリーニング方法を示す説明飄 第２図はＰＦＡ
基板による帯電電位と塵埃付着率を示すグラフである。 １・・・・ＰＦＡ基板 ２・・・・キャリア、 ３・・
・・搬送爪 ４・・・・エツチング反応室 ５・・・・
電ＷＩｈ６・・・・側壁 ７・・・・反応物
装置のクリーニング方法を示す説明飄 第２図はＰＦＡ
基板による帯電電位と塵埃付着率を示すグラフである。 １・・・・ＰＦＡ基板 ２・・・・キャリア、 ３・・
・・搬送爪 ４・・・・エツチング反応室 ５・・・・
電ＷＩｈ６・・・・側壁 ７・・・・反応物
Claims (1)
- 静電気を帯電した基板を半導体基板処理装置内に導入し
、取り出す工程と、続いて前記半導体基板処理装置内に
実処理基板を導入し処理する工程を備えた事を特徴とす
る半導体基板処理装置のクリーニング方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1266461A JPH03127831A (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | 半導体基板処理装置のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1266461A JPH03127831A (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | 半導体基板処理装置のクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03127831A true JPH03127831A (ja) | 1991-05-30 |
Family
ID=17431252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1266461A Pending JPH03127831A (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | 半導体基板処理装置のクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03127831A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100443523B1 (ko) * | 1997-12-11 | 2004-11-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 미립자제거장치 |
| JP2020092123A (ja) * | 2018-12-03 | 2020-06-11 | キヤノン株式会社 | 容器、処理装置、異物除去方法、および物品の製造方法 |
-
1989
- 1989-10-13 JP JP1266461A patent/JPH03127831A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100443523B1 (ko) * | 1997-12-11 | 2004-11-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 미립자제거장치 |
| JP2020092123A (ja) * | 2018-12-03 | 2020-06-11 | キヤノン株式会社 | 容器、処理装置、異物除去方法、および物品の製造方法 |
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