JPH03128509A - 光受信回路 - Google Patents
光受信回路Info
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- JPH03128509A JPH03128509A JP1267552A JP26755289A JPH03128509A JP H03128509 A JPH03128509 A JP H03128509A JP 1267552 A JP1267552 A JP 1267552A JP 26755289 A JP26755289 A JP 26755289A JP H03128509 A JPH03128509 A JP H03128509A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/60—Receivers
- H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
- H04B10/69—Electrical arrangements in the receiver
- H04B10/691—Arrangements for optimizing the photodetector in the receiver
- H04B10/6911—Photodiode bias control, e.g. for compensating temperature variations
Landscapes
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- Electromagnetism (AREA)
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- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はホトダイオードとプリアンプとを組み合わせた
光受信モジュール等における光受信回路に関し、特にア
ンプを保護する回路を備えた光受信回路に関するもので
ある。
光受信モジュール等における光受信回路に関し、特にア
ンプを保護する回路を備えた光受信回路に関するもので
ある。
従来、この種の光受信回路は第８図に示される回路構成
になっている。アバランシェホトダイオード（ＡＰＤ）
１のカソードは図示しないバイアス電源に接続されてお
り、そのアノードはアンプ２の入力に接続されている。
になっている。アバランシェホトダイオード（ＡＰＤ）
１のカソードは図示しないバイアス電源に接続されてお
り、そのアノードはアンプ２の入力に接続されている。
このアンプ２には図示しない正電源および負ｒｉ源から
電源が供給されており、ＡＰＤ １に光が入射して生じ
る光出力電流はアンプ２により増幅されて出力される。
電源が供給されており、ＡＰＤ １に光が入射して生じ
る光出力電流はアンプ２により増幅されて出力される。
上記従来の光受信回路におけるＡＰＤＩへのバイアス電
源による供給電圧は、ＡＰＤＩがゲルマニウム（Ｇｅ）
を材料として構成される場合には約３０［Ｖ］である。
源による供給電圧は、ＡＰＤＩがゲルマニウム（Ｇｅ）
を材料として構成される場合には約３０［Ｖ］である。
また、ＡＰＤＩがインジウムガリウム砒素（Ｉ ｎＧａ
Ａｓ）を材料として構成される場合には約８０［Ｖ］で
ある。このようにＡＰＤ １への供給電圧は高いため、
次のような課題が生じる。
Ａｓ）を材料として構成される場合には約８０［Ｖ］で
ある。このようにＡＰＤ １への供給電圧は高いため、
次のような課題が生じる。
つまり、正電源および負電源によるアンプ２への電源供
給が開始されてからアンプ２の入力端子の電位が固定す
るまでの間に、バイアス電源によってＡＰＤＩへ電源供
給が開始されると、開始された瞬間にアンプ２の入力端
子の電位が高くなってアンプ２は破壊される場合がある
。これは以下のように説明される。つまり、ＡＰＤｌへ
の電源供給の開始時点では、ＡＰＤ １の端子間に生じ
る接合容量Ｃには電荷が充電されていないため、ＡＰＤ その端子間に生じる電位差は零になっている。このため
、バイアス電源から出力される高い供給電圧がアンプ２
の入力端子にそのまま伝達され、この結果、アンプ２が
破壊されてしまう。
給が開始されてからアンプ２の入力端子の電位が固定す
るまでの間に、バイアス電源によってＡＰＤＩへ電源供
給が開始されると、開始された瞬間にアンプ２の入力端
子の電位が高くなってアンプ２は破壊される場合がある
。これは以下のように説明される。つまり、ＡＰＤｌへ
の電源供給の開始時点では、ＡＰＤ １の端子間に生じ
る接合容量Ｃには電荷が充電されていないため、ＡＰＤ その端子間に生じる電位差は零になっている。このため
、バイアス電源から出力される高い供給電圧がアンプ２
の入力端子にそのまま伝達され、この結果、アンプ２が
破壊されてしまう。
本発明はこのような課題を解消するためになされたもの
で、電源回路にカソードが接続されアノードがホトダイ
オードのカソードに接続されたダイオードと、このダイ
オードに並列に接続された抵抗と、ダイオードのアノー
ドに一端が接続され他端が基準電位に接続された第１の
コンデンサとを備えて構成され、増幅器への電源供給の
時定数は、ホトダイオードへの電源供給の立ち上がり時
定数より小さく、かつ、ホトダイオードへの電源供給の
立ち下がり時定数よりも大きくなるように各回路素子の
定数が設定されたものである。
で、電源回路にカソードが接続されアノードがホトダイ
オードのカソードに接続されたダイオードと、このダイ
オードに並列に接続された抵抗と、ダイオードのアノー
ドに一端が接続され他端が基準電位に接続された第１の
コンデンサとを備えて構成され、増幅器への電源供給の
時定数は、ホトダイオードへの電源供給の立ち上がり時
定数より小さく、かつ、ホトダイオードへの電源供給の
立ち下がり時定数よりも大きくなるように各回路素子の
定数が設定されたものである。
電源回路から増幅器の入力端子に伝達される電圧は、電
源投入時には増幅器の電源電圧の確立よりも遅く立ち上
がり、電源消滅時には増幅器の電源電圧の消滅よりも早
く立ち下がる。
源投入時には増幅器の電源電圧の確立よりも遅く立ち上
がり、電源消滅時には増幅器の電源電圧の消滅よりも早
く立ち下がる。
第１図は本発明の一実施例の構成を示す回路図である。
光受信回路は、光信号を受信するＡＰＤ３と、ＡＰＤ３
に受信された信号を増幅するアンプ４と、このアンプ４
を保護する保護回路５とから構成されている。ＡＰＤ３
には電源回路６から電源が供給され、アンプ４には電源
回路７から正電源、電源回路８から負電源が供給されて
いる。さらに、電源回路７に並列にバイパス・コンデン
サ９．電源回路８に並列にバイパス・コンデンサ１０が
接続されており、各容量値は等しくＣ１に設定されてい
る。
に受信された信号を増幅するアンプ４と、このアンプ４
を保護する保護回路５とから構成されている。ＡＰＤ３
には電源回路６から電源が供給され、アンプ４には電源
回路７から正電源、電源回路８から負電源が供給されて
いる。さらに、電源回路７に並列にバイパス・コンデン
サ９．電源回路８に並列にバイパス・コンデンサ１０が
接続されており、各容量値は等しくＣ１に設定されてい
る。
保護回路５は、電源回路６にカソードが接続されアノー
ドがＡＰＤ３に接続されたダイオード１１と、このダイ
オード１１に並列に接続された抵抗値Ｒ１の抵抗１２と
、一端がダイオード１１のアノードに接続され他端が接
地された容量値Ｃ２のコンデンサ１３とから構成されて
いる。ダイオード１１の端子間には接合容ＱＣ，ＡＰＤ
３の端子間には接合容ＱＣが生じる。また、ＡＰＤ アンプ４の入力側には入万古”ＩＮが生じる。このアン
プ４の入力抵抗はＲＩＮである。
ドがＡＰＤ３に接続されたダイオード１１と、このダイ
オード１１に並列に接続された抵抗値Ｒ１の抵抗１２と
、一端がダイオード１１のアノードに接続され他端が接
地された容量値Ｃ２のコンデンサ１３とから構成されて
いる。ダイオード１１の端子間には接合容ＱＣ，ＡＰＤ
３の端子間には接合容ＱＣが生じる。また、ＡＰＤ アンプ４の入力側には入万古”ＩＮが生じる。このアン
プ４の入力抵抗はＲＩＮである。
電源回路６，７．８は供給源Ｖ 、Ｖ＾ＰＤ
ＤＤ’ Ｖ８８から電圧および電流を出力する。電源回路６はＡ
ＰＤ３に必要とされる約３０［Ｖ］の電圧を出力し、電
源回路７，８は＋５ ［Ｖ］ 、 −５［Ｖコの電圧
を出力する。電源回路６および７の供給源■ および
■ＤＤは図面では別個に表されているＡＰＤ が、実際には同一の装置によって構成されており、供給
源Ｖ は供給源Ｖ を分圧したものとなつＤＤ
ＡＰＤ ている。また、各電源回路６，７．８の各内部抵抗は等
しくｚ、である。
ＤＤ’ Ｖ８８から電圧および電流を出力する。電源回路６はＡ
ＰＤ３に必要とされる約３０［Ｖ］の電圧を出力し、電
源回路７，８は＋５ ［Ｖ］ 、 −５［Ｖコの電圧
を出力する。電源回路６および７の供給源■ および
■ＤＤは図面では別個に表されているＡＰＤ が、実際には同一の装置によって構成されており、供給
源Ｖ は供給源Ｖ を分圧したものとなつＤＤ
ＡＰＤ ている。また、各電源回路６，７．８の各内部抵抗は等
しくｚ、である。
また、実際の回路においては、抵抗１２の抵抗値Ｒ１は
電源回路６の内部抵抗Ｚ の値よりも十分太き（、また
、コンデンサ１３の容量値Ｃ２は接合容量Ｃ、接合容量
Ｃおよび入力容量Ｄ ＡＰＤ ＣＩＮよりも十分に大きい。また、アンプ４の入力抵抗
ＲＩＮは無限大に近似されるものとする。従って、ＡＰ
Ｄ３への電源供給の立ち上がり時定数Ｔ１はコンデンサ
１３と抵抗１２とでほぼ決定され、２πＸＣ２ＸＲ１に
なる。また、ＡＰＤ３への電源供給の立ち下がり時定数
Ｔ２は電源回路６の内部抵抗Ｚ およびダイオード１１
の順方向紙抗ＲＦの和とコンデンサー３とで決定され、
２πＸＣ２Ｘ（Ｚ ＋ＲＦ）１．：なる。また、アン
プ４への電源供給の立ち上がりおよび立ち下がりの各時
定数Ｔｏはコンデンサ９．１０と電源回路７゜８の内部
抵抗Ｚ とで決定され、２πｘＣ１ｘＺ になる。そし
て、各時定数の間に以下の条件式が満足されるように各
回路素子の定数は設定されている。
電源回路６の内部抵抗Ｚ の値よりも十分太き（、また
、コンデンサ１３の容量値Ｃ２は接合容量Ｃ、接合容量
Ｃおよび入力容量Ｄ ＡＰＤ ＣＩＮよりも十分に大きい。また、アンプ４の入力抵抗
ＲＩＮは無限大に近似されるものとする。従って、ＡＰ
Ｄ３への電源供給の立ち上がり時定数Ｔ１はコンデンサ
１３と抵抗１２とでほぼ決定され、２πＸＣ２ＸＲ１に
なる。また、ＡＰＤ３への電源供給の立ち下がり時定数
Ｔ２は電源回路６の内部抵抗Ｚ およびダイオード１１
の順方向紙抗ＲＦの和とコンデンサー３とで決定され、
２πＸＣ２Ｘ（Ｚ ＋ＲＦ）１．：なる。また、アン
プ４への電源供給の立ち上がりおよび立ち下がりの各時
定数Ｔｏはコンデンサ９．１０と電源回路７゜８の内部
抵抗Ｚ とで決定され、２πｘＣ１ｘＺ になる。そし
て、各時定数の間に以下の条件式が満足されるように各
回路素子の定数は設定されている。
Ｃ２Ｘ （Ｚ ＋ＲＦ）＜Ｃ１ｘＺ。
＜Ｃ２ＸＲ１
・・・ （１）
つまり、アンプ４への電源供給の立ち上がりおよび立ち
下がりの時定数Ｔ。は、ＡＰＤ３への電源供給の立ち上
がり時定数Ｔｔよりも小さく、かつ、ＡＰＤ３への電源
供給の立ち下がり時定数Ｔ２よりも大きくなっている。
下がりの時定数Ｔ。は、ＡＰＤ３への電源供給の立ち上
がり時定数Ｔｔよりも小さく、かつ、ＡＰＤ３への電源
供給の立ち下がり時定数Ｔ２よりも大きくなっている。
さて、上述したように、電源回路６および７は同時にそ
の電源電圧が確立する。また、アンプ４の入力端子につ
ながるＡ点の電位は、電源回路７および８からアンプ４
に供給される電源電圧が確立する以前においてはフロー
ティング状態である。
の電源電圧が確立する。また、アンプ４の入力端子につ
ながるＡ点の電位は、電源回路７および８からアンプ４
に供給される電源電圧が確立する以前においてはフロー
ティング状態である。
従って、保護回路５を備えていない従来の光受信回路に
あっては、電源回路６から出力される高い電圧が、アン
プ４の入力がフローティング状態の時にＡ点に伝達され
るため、アンプ４は破壊される可能性が非常に高い。し
かしながら、本実施例によれば以下に詳述するようにア
ンプ４は保護され、破壊されることはない。
あっては、電源回路６から出力される高い電圧が、アン
プ４の入力がフローティング状態の時にＡ点に伝達され
るため、アンプ４は破壊される可能性が非常に高い。し
かしながら、本実施例によれば以下に詳述するようにア
ンプ４は保護され、破壊されることはない。
第２図は第１図に示された光受信回路の等価回路図であ
る。なお、第１図と同一部分については同符号を用いる
。
る。なお、第１図と同一部分については同符号を用いる
。
電源回路６の供給源Ｖ から出力される電流ＰＤ
は内部抵抗２ を介して保護回路５の抵抗１２と接合容
量Ｃ８との並列回路に与えられる。第１図に示されるダ
イオード１１およびＡＰＤ３は電流の供給方向が逆方向
であるために無視され、この並列回路には一端が接地さ
れたコンデンサー３と接合容量Ｃとが接続された構成に
なる。ざら八ＰＤ に、接合容量Ｃにアンプ４の入力抵抗ＲＩＮおＡＰＤ よび入力容量ＣＩ Ｎが接続された構成になる。抵抗Ｒ
ＩＮと容量ｃ、Ｎとの接続点はアンプ４の入力端子につ
ながる第１図のＡ点に相当し、接合容量Ｃと抵抗１２と
の接続点はＡＰＤ３のカッ−＾ＰＤ ドにつながる第１図のＢ点に相当する。また、内部抵抗
２ と供給源Ｖ との接続点は第１図のＡＰＤ 接続点Ｃに相当する。
量Ｃ８との並列回路に与えられる。第１図に示されるダ
イオード１１およびＡＰＤ３は電流の供給方向が逆方向
であるために無視され、この並列回路には一端が接地さ
れたコンデンサー３と接合容量Ｃとが接続された構成に
なる。ざら八ＰＤ に、接合容量Ｃにアンプ４の入力抵抗ＲＩＮおＡＰＤ よび入力容量ＣＩ Ｎが接続された構成になる。抵抗Ｒ
ＩＮと容量ｃ、Ｎとの接続点はアンプ４の入力端子につ
ながる第１図のＡ点に相当し、接合容量Ｃと抵抗１２と
の接続点はＡＰＤ３のカッ−＾ＰＤ ドにつながる第１図のＢ点に相当する。また、内部抵抗
２ と供給源Ｖ との接続点は第１図のＡＰＤ 接続点Ｃに相当する。
次に、第２図に対応した第３図に示される回路を考え、
この回路を用いて各点における電圧変化のシミュレーシ
ョンを行う。ここで、第２図における接合容量Ｃおよび
Ｃの位置にダイオ−Ｄ ＡＰＤ ド１１およびＡＰＤ３を図示のように接続し、電源回路
６の内部抵抗２ を１［Ω］、抵抗１２の抵抗値Ｒ１を
５ ［ＫΩ］、コンデンサ１３の容量値Ｃ２を３３０
［ｐＦ］ 、アンプ４の入力抵抗ＲＩＮを１０［ＭΩ］
、入万古ｆｆ１ＣＩＮを０．５［ｐＦ］とする。また、
供給源Ｖ に相当するＡＰＤ シミュレーション用の電源１４は第４図に示される波形
の電圧を出力する。つまり、立ち上がり時間および立ち
下がり時間が共に１［μｓｅｃ ］であり、その波高値
は３０［Ｖ］である。
この回路を用いて各点における電圧変化のシミュレーシ
ョンを行う。ここで、第２図における接合容量Ｃおよび
Ｃの位置にダイオ−Ｄ ＡＰＤ ド１１およびＡＰＤ３を図示のように接続し、電源回路
６の内部抵抗２ を１［Ω］、抵抗１２の抵抗値Ｒ１を
５ ［ＫΩ］、コンデンサ１３の容量値Ｃ２を３３０
［ｐＦ］ 、アンプ４の入力抵抗ＲＩＮを１０［ＭΩ］
、入万古ｆｆ１ＣＩＮを０．５［ｐＦ］とする。また、
供給源Ｖ に相当するＡＰＤ シミュレーション用の電源１４は第４図に示される波形
の電圧を出力する。つまり、立ち上がり時間および立ち
下がり時間が共に１［μｓｅｃ ］であり、その波高値
は３０［Ｖ］である。
アンプ４の電源電圧の立ち上がり時における電源回路６
による各点の電圧変化のシミュレーション結果は第５図
のグラフに示される。グラフの横軸は時間［μｓｅｃ
］ ＋縦軸は電圧［Ｖ］を示し、曲線１５はＡ点の電圧
変化１曲線１６はＢ点の電圧変化２曲線１７は０点の電
圧変化を表す。Ｂ点における電圧変化の立ち上がり時間
は上述したようにほぼ時定数２πＸＣ２ＸＲ１によって
決定され、同グラフから理解されるように、Ｂ点の電圧
は時定数１０［μｓｅｃ ］で立ち上がっている。Ａ点
の電圧変化はこのＢ点の電圧変化よりもやや遅れている
ことが理解される。アンプ４の入力端子の電圧はアンプ
４の電源電圧の確立と共にフローティング状態から固定
電位に推移するが、この時定数２πＸＣＩＸＺ は前
述したようにＢ点における電圧の立ち上がりの時定数２
πＸＣ２ＸＲ１よりも小さく設定されているため、アン
プ４の電源電圧が確立してから、つまり、アンプ４の入
力端子の電圧が確定してからＡ点に電圧が印加されるこ
とになる。従って、？ＩＳ源の投入時において、アンプ
４は破壊されることがなくなる。
による各点の電圧変化のシミュレーション結果は第５図
のグラフに示される。グラフの横軸は時間［μｓｅｃ
］ ＋縦軸は電圧［Ｖ］を示し、曲線１５はＡ点の電圧
変化１曲線１６はＢ点の電圧変化２曲線１７は０点の電
圧変化を表す。Ｂ点における電圧変化の立ち上がり時間
は上述したようにほぼ時定数２πＸＣ２ＸＲ１によって
決定され、同グラフから理解されるように、Ｂ点の電圧
は時定数１０［μｓｅｃ ］で立ち上がっている。Ａ点
の電圧変化はこのＢ点の電圧変化よりもやや遅れている
ことが理解される。アンプ４の入力端子の電圧はアンプ
４の電源電圧の確立と共にフローティング状態から固定
電位に推移するが、この時定数２πＸＣＩＸＺ は前
述したようにＢ点における電圧の立ち上がりの時定数２
πＸＣ２ＸＲ１よりも小さく設定されているため、アン
プ４の電源電圧が確立してから、つまり、アンプ４の入
力端子の電圧が確定してからＡ点に電圧が印加されるこ
とになる。従って、？ＩＳ源の投入時において、アンプ
４は破壊されることがなくなる。
電源電圧が消滅する際のシミュレーション結果は第６図
のグラフに示される。グラフの横軸は時間［μｓｅｃ
］ 、縦軸は電圧［ＶＩを示し、曲線１８．１９はＢ点
および０点の電圧変化を示す。
のグラフに示される。グラフの横軸は時間［μｓｅｃ
］ 、縦軸は電圧［ＶＩを示し、曲線１８．１９はＢ点
および０点の電圧変化を示す。
この際、Ａ点の電圧は０［ＶＩに維持されているものと
仮定する。同グラフから理解されるように、電源電圧の
消滅の際にはＢ点および０点の各電圧変化はほぼ等しく
なる。これは、電源電圧の消滅の際にはダイオード１１
が順方向に機能するからである。従って、Ｂ点の電圧は
電源電圧の消滅と同時に低下し、この立ち下がりの時定
数２πＸＣ２Ｘ（Ｚ ＋ＲＦ）は前述したようにアン
プ４の電源電圧の立ち下がりの時定数２π×０１×Ｚ
よりも小さい。このため、Ａ点の電圧、っます、アンプ
４の入力端子の電圧は、Ｂ点の電圧が完全に立ち下がる
まではＯ［ＶＩに固定されているため、アンプ４は破壊
されることはない。
仮定する。同グラフから理解されるように、電源電圧の
消滅の際にはＢ点および０点の各電圧変化はほぼ等しく
なる。これは、電源電圧の消滅の際にはダイオード１１
が順方向に機能するからである。従って、Ｂ点の電圧は
電源電圧の消滅と同時に低下し、この立ち下がりの時定
数２πＸＣ２Ｘ（Ｚ ＋ＲＦ）は前述したようにアン
プ４の電源電圧の立ち下がりの時定数２π×０１×Ｚ
よりも小さい。このため、Ａ点の電圧、っます、アンプ
４の入力端子の電圧は、Ｂ点の電圧が完全に立ち下がる
まではＯ［ＶＩに固定されているため、アンプ４は破壊
されることはない。
従来の保護回路５がない回路においては、Ｂ点の電圧が
完全に立ち下がる以前にＡ点の状態がフローティング状
態になり、この場合の各点の電圧は第７図のように示さ
れる。同図の横軸は時間［μｓｅｅコ、縦軸は電圧［Ｖ
Ｉを示し、曲線２０゜２１．２２はＡ点、Ｂ点、０点の
電圧変化を示す。
完全に立ち下がる以前にＡ点の状態がフローティング状
態になり、この場合の各点の電圧は第７図のように示さ
れる。同図の横軸は時間［μｓｅｅコ、縦軸は電圧［Ｖ
Ｉを示し、曲線２０゜２１．２２はＡ点、Ｂ点、０点の
電圧変化を示す。
すなわち、アンプ４の入力端子の電圧はフローティング
状態にあるため、Ｂ点の電圧変化の影響を受けてＡ点の
電圧は負側に大きく低下し、これがサージ電圧となって
アンプ４が破壊されてしまう。
状態にあるため、Ｂ点の電圧変化の影響を受けてＡ点の
電圧は負側に大きく低下し、これがサージ電圧となって
アンプ４が破壊されてしまう。
しかしながら、上記の実施例によれば上述したようにこ
のようなことはなく、アンプ４は保護される。
のようなことはなく、アンプ４は保護される。
以上説明したように本発明によれば、電源回路から増幅
器の入力端子に伝達される電圧は、電源投入時には増幅
器の電源電圧の確立よりも遅く立ち上がり、電源消滅時
には増幅器の電源電圧の消滅よりも早く立ち下がる。こ
のため、ホトダイオードへ供給される電源電圧が電源投
入時に増幅器の入力端子に印加され、従来のように増幅
器が破壊されるといったことは無くなる。さらに、電源
電圧の消滅時においても増幅器の入力端子にサージ電圧
が入らなくなり、増幅器は保護される。
器の入力端子に伝達される電圧は、電源投入時には増幅
器の電源電圧の確立よりも遅く立ち上がり、電源消滅時
には増幅器の電源電圧の消滅よりも早く立ち下がる。こ
のため、ホトダイオードへ供給される電源電圧が電源投
入時に増幅器の入力端子に印加され、従来のように増幅
器が破壊されるといったことは無くなる。さらに、電源
電圧の消滅時においても増幅器の入力端子にサージ電圧
が入らなくなり、増幅器は保護される。
第８図は従来の回路図である。
３・・・アバランシェホトダイオード（Ａ Ｐ Ｄ）、
４・・・アンプ、５・−・・保護回路、６，７． ８・
・・電源回路、９，１０．１３・・・コンデンサ、１１
・・・ダイオード、１２・・・抵抗、Ｃ、Ｃ Ｄ ＡＰＤ”・・・接合容量、 ＣＩＮ・・・入力容量、ＲＩＮ・・・入力抵抗、Ｚｐ・
・・電源回路の内部抵抗、Ｖ、Ｖ、Ｖ、、、供給源。
４・・・アンプ、５・−・・保護回路、６，７． ８・
・・電源回路、９，１０．１３・・・コンデンサ、１１
・・・ダイオード、１２・・・抵抗、Ｃ、Ｃ Ｄ ＡＰＤ”・・・接合容量、 ＣＩＮ・・・入力容量、ＲＩＮ・・・入力抵抗、Ｚｐ・
・・電源回路の内部抵抗、Ｖ、Ｖ、Ｖ、、、供給源。
ＡＰＤ ＤＤ ＳＳ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 電源回路にカソードが接続されたダイオードと、この
ダイオードに並列に接続された抵抗と、前記ダイオード
のアノードに一端が接続され他端が基準電位に接続され
た第１のコンデンサと、前記ダイオードのアノードにカ
ソードが接続されたホトダイオードと、このホトダイオ
ードのアノードに接続され前記電源回路から電源供給さ
れる増幅器と、この増幅器の電源供給端子に一端が接続
され他端が基準電位に接続された第２のコンデンサとを
備えて構成され、 前記第２のコンデンサと前記電源回路の内部抵抗とで決
定される前記増幅器への電源供給の時定数は、前記第１
のコンデンサと前記抵抗とで決定される前記ホトダイオ
ードへの電源供給の立ち上がり時定数より小さく、かつ
、前記電源回路の内部抵抗および前記ダイオードの順方
向抵抗の和と前記第１のコンデンサとで決定される前記
ホトダイオードへの電源供給の立ち下がり時定数よりも
大きくなるように各回路素子の定数が設定されているこ
とを特徴とする光受信回路。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1267552A JPH03128509A (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | 光受信回路 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1267552A JPH03128509A (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | 光受信回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family
ID=17446401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP1267552A Pending JPH03128509A (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | 光受信回路 |
Country Status (4)
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| JP (1) | JPH03128509A (ja) |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0715387A (ja) * | 1993-06-15 | 1995-01-17 | Nec Corp | 光受信器 |
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Family Cites Families (5)
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| DE3114042A1 (de) * | 1981-04-07 | 1982-10-21 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Integrierbare halbleiterschaltung mit einem gegengekoppelten, nichtinvertierenden operationsverstaerker |
| GB2140643B (en) * | 1983-05-19 | 1986-09-24 | Standard Telephones Cables Ltd | Optical fibre system |
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- 1990-10-12 EP EP19900119610 patent/EP0422673A3/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0715387A (ja) * | 1993-06-15 | 1995-01-17 | Nec Corp | 光受信器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2027410A1 (en) | 1991-04-14 |
| EP0422673A3 (en) | 1992-06-03 |
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