JPH0312895A - 光メモリ制御装置 - Google Patents
光メモリ制御装置Info
- Publication number
- JPH0312895A JPH0312895A JP1146592A JP14659289A JPH0312895A JP H0312895 A JPH0312895 A JP H0312895A JP 1146592 A JP1146592 A JP 1146592A JP 14659289 A JP14659289 A JP 14659289A JP H0312895 A JPH0312895 A JP H0312895A
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- Japan
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- light
- wavelength
- oscillation
- semiconductor laser
- bistable semiconductor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
光時間スイッチや光バッファメモリ等を構成する光メモ
リを制御する光メモリ制御方式に関し、光のみにより双
安定半導体レーザを制御して、光メモリ作用を行わせる
ことを目的とし、光時間スイッチ、光バッファメモリ等
を構成する光メモリに於いて、入力光の波長によって発
振開始或いは発振停止となる双安定半導体レーザと、入
力情報光を、前記双安定半導体レーザの発振開始波長の
光と、発振停止波長のりセントパルス光として出力する
波長変換部と、前記発振停止波長のリセットパルス光を
所定時間遅延させる光遅延部とを備え、前記入力情報光
により前記双安定半導体レーザの発振を開始させ、前記
光遅延部による遅延時間後の前記リセットパルス光によ
り前記双安定半導体レーザの発振を停止させるまでの間
、前記入力情報光の記憶出力光を送出させるように構成
した。
リを制御する光メモリ制御方式に関し、光のみにより双
安定半導体レーザを制御して、光メモリ作用を行わせる
ことを目的とし、光時間スイッチ、光バッファメモリ等
を構成する光メモリに於いて、入力光の波長によって発
振開始或いは発振停止となる双安定半導体レーザと、入
力情報光を、前記双安定半導体レーザの発振開始波長の
光と、発振停止波長のりセントパルス光として出力する
波長変換部と、前記発振停止波長のリセットパルス光を
所定時間遅延させる光遅延部とを備え、前記入力情報光
により前記双安定半導体レーザの発振を開始させ、前記
光遅延部による遅延時間後の前記リセットパルス光によ
り前記双安定半導体レーザの発振を停止させるまでの間
、前記入力情報光の記憶出力光を送出させるように構成
した。
本発明は、光時間スイッチや光へソファメモリ等を構成
する光メモリを制御する光メモリ制御方式に関するもの
である。
する光メモリを制御する光メモリ制御方式に関するもの
である。
光信号を用いた光交換システムや光信号処理システムに
於いては、光信号の状態で記憶する光メモリが用いられ
ており、このような光メモリを効率良く制御することが
要望されている。
於いては、光信号の状態で記憶する光メモリが用いられ
ており、このような光メモリを効率良く制御することが
要望されている。
従来例の光メモリを制御する構成は、例えば、第４図に
示すように、入力情報光を分岐回路４１により２分岐し
、一方の入力情報光は双安定半導体レーザ等からなる光
メモリ４２に入力して出力光を生じさせ、他方の入力情
報光は光電変換回路４３により電気信号に変換して、同
軸遅延線やＣＲ遅延回路等の遅延回路４４により所定時
間遅延させ、リセット回路４５から光メモリ４２にリセ
ット信号を加えて、出力光を停止させるものである。
示すように、入力情報光を分岐回路４１により２分岐し
、一方の入力情報光は双安定半導体レーザ等からなる光
メモリ４２に入力して出力光を生じさせ、他方の入力情
報光は光電変換回路４３により電気信号に変換して、同
軸遅延線やＣＲ遅延回路等の遅延回路４４により所定時
間遅延させ、リセット回路４５から光メモリ４２にリセ
ット信号を加えて、出力光を停止させるものである。
光メモリ４２を構成する前述の双安定半導体レーザは、
例えば、ＴｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓＰ活性層を形成し
、励起電流と制御電流とを供給する二つの電流注入領域
と、それらの間の可飽和吸収領域とを形成して、光入力
によって発振を開始するように、励起電流と制御電流と
を調整することにより、光入力がなくなっても発振を継
続して光を出力するものである。そして、発振を停止さ
せるには、励起電流として負の電流パルスを供給するも
のである。
例えば、ＴｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓＰ活性層を形成し
、励起電流と制御電流とを供給する二つの電流注入領域
と、それらの間の可飽和吸収領域とを形成して、光入力
によって発振を開始するように、励起電流と制御電流と
を調整することにより、光入力がなくなっても発振を継
続して光を出力するものである。そして、発振を停止さ
せるには、励起電流として負の電流パルスを供給するも
のである。
このような特性を有する光メモリ４２に入力情報光を入
力して出力光を生じさせ、入力情報光がなくなっても、
それを記憶した状態の出力光を継続して発生させ、リセ
ット回路４５から所定時間後に、負の電流パルスを供給
して光メモリ４２のリセットを行わせるものである。
力して出力光を生じさせ、入力情報光がなくなっても、
それを記憶した状態の出力光を継続して発生させ、リセ
ット回路４５から所定時間後に、負の電流パルスを供給
して光メモリ４２のリセットを行わせるものである。
前述のように、双安定半導体レーザを用いて光メモリ４
２を構成した場合に、リセット回路４５から負の電流パ
ルスを供給してリセットするものであるから、入力情報
光の一部を電気信号に変換する光電変換回路４３や、比
較的大きい負の電流パルスを発生させるリセット回路４
５等を必要とし、回路規模が大きくなる欠点がある。又
光メモリの動作速度が、電気回路部分の動作速度によっ
て制約される欠点がある。
２を構成した場合に、リセット回路４５から負の電流パ
ルスを供給してリセットするものであるから、入力情報
光の一部を電気信号に変換する光電変換回路４３や、比
較的大きい負の電流パルスを発生させるリセット回路４
５等を必要とし、回路規模が大きくなる欠点がある。又
光メモリの動作速度が、電気回路部分の動作速度によっ
て制約される欠点がある。
本発明は、光のみにより双安定半導体レーザを制御して
、光メモリ作用を行わせることを目的とするものである
。
、光メモリ作用を行わせることを目的とするものである
。
本発明の光メモリ制御方式は、双安定半導体レーザの波
長による特性を利用したものであり、第１図を参照して
説明する。
長による特性を利用したものであり、第１図を参照して
説明する。
入力光の波長によって発振開始或いは発振停止となる双
安定半導体レーザ１と、入力情報光を、双安定半導体レ
ーザ１の発振開始波長の光と、発振停止波長のりセント
パルス光として出力する波長変換部２と、リセットパル
ス光を所定時間遅延させる光遅延部３とを備えて、入力
情報光により双安定半導体レーザ１の発振を開始させ、
光遅延部３による遅延時間後のリセットパルス光により
双安定半導体レーザ１の発振を停止させ、その間に入力
情報光の記憶出力光を送出させるものである。
安定半導体レーザ１と、入力情報光を、双安定半導体レ
ーザ１の発振開始波長の光と、発振停止波長のりセント
パルス光として出力する波長変換部２と、リセットパル
ス光を所定時間遅延させる光遅延部３とを備えて、入力
情報光により双安定半導体レーザ１の発振を開始させ、
光遅延部３による遅延時間後のリセットパルス光により
双安定半導体レーザ１の発振を停止させ、その間に入力
情報光の記憶出力光を送出させるものである。
光メモリを構成する双安定半導体レーザ１は、成る波長
の入力光によって発振を開始し、それと異なる他の波長
の入力光によって発振を停止する特性を有し、波長変換
部２は、入力情報光とその波長を変換した光とを出力す
ることができるものであり、従って、入力情報光を双安
定半導体レーザ１に入力して発振を開始させ、波長変換
された光を光遅延部３により所定時間遅延させてリセッ
トパルス光とし、このリセットパルス光を双安定半導体
レーザ１に入力することにより、発振を停止させること
ができる。即ち、入力情報光をリセットパルス光が加え
られるまで、記憶出力する光メモリ作用を行わせること
ができる。
の入力光によって発振を開始し、それと異なる他の波長
の入力光によって発振を停止する特性を有し、波長変換
部２は、入力情報光とその波長を変換した光とを出力す
ることができるものであり、従って、入力情報光を双安
定半導体レーザ１に入力して発振を開始させ、波長変換
された光を光遅延部３により所定時間遅延させてリセッ
トパルス光とし、このリセットパルス光を双安定半導体
レーザ１に入力することにより、発振を停止させること
ができる。即ち、入力情報光をリセットパルス光が加え
られるまで、記憶出力する光メモリ作用を行わせること
ができる。
以下図面を参照して本発明の実施例について詳細に説明
する。
する。
第２図は本発明の実施例のブロック図であり、１１は光
メモリを構成する双安定半導体レーザ、１２は波長変換
部、１３は光遅延部、１４は波長変換素子、１５は分波
器である。
メモリを構成する双安定半導体レーザ、１２は波長変換
部、１３は光遅延部、１４は波長変換素子、１５は分波
器である。
波長変換部１２の波長変換素子１４は、双安定半導体レ
ーザと類似した構成を有し、入力光と、その波長を変換
した光とを出力することができ、その変換波長は注入電
流により制御可能のものであり、又入力光と同一波長の
光も増幅出力されるものとなる。従って、入力情報光の
波長をＡ１とすると、この波長λ１の光と、波長λ２の
変換光とを出力することになり、分波器１５により波長
λ１．λ２の光が分波されて、入力情報光と同一の波長
λ、の光は双安定半導体レーザ１１に加えられ、波長λ
２の変換光は光遅延部１３に加えられる。
ーザと類似した構成を有し、入力光と、その波長を変換
した光とを出力することができ、その変換波長は注入電
流により制御可能のものであり、又入力光と同一波長の
光も増幅出力されるものとなる。従って、入力情報光の
波長をＡ１とすると、この波長λ１の光と、波長λ２の
変換光とを出力することになり、分波器１５により波長
λ１．λ２の光が分波されて、入力情報光と同一の波長
λ、の光は双安定半導体レーザ１１に加えられ、波長λ
２の変換光は光遅延部１３に加えられる。
双安定半導体レーザ１１は、例えば、波長λ１の入力光
で発振を開始してリセットされるまで継続して光を発生
し、波長λ１と異なる波長λ２の入力光により発振を停
止する特性を有するものである。例えば、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ／ＴｎＰ系のタンデム電極型構成を有し、波長１．３
０４４μｍのパルス幅２０ｎｓの人力光により発振を開
始し、波長１．３１５４μｍのパルス幅２５ｎｓの入力
光により発振が停止した。
で発振を開始してリセットされるまで継続して光を発生
し、波長λ１と異なる波長λ２の入力光により発振を停
止する特性を有するものである。例えば、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ／ＴｎＰ系のタンデム電極型構成を有し、波長１．３
０４４μｍのパルス幅２０ｎｓの人力光により発振を開
始し、波長１．３１５４μｍのパルス幅２５ｎｓの入力
光により発振が停止した。
従って、双安定半導体レーザ１１は、前述の分波器１５
からの波長λ１の光によって発振を開始して波長λ１の
光を出力し、光遅延部１３により遅延された・波長λ２
の光によって発振が停止する。この波長λ２の光をリセ
ットパルス光とするものであり、入力情報光が加えられ
てから、リセットパルス光が加えられるまでの間、双安
定半導体レーザ１１は、入力情報光を記憶した出力光を
送出することになる。
からの波長λ１の光によって発振を開始して波長λ１の
光を出力し、光遅延部１３により遅延された・波長λ２
の光によって発振が停止する。この波長λ２の光をリセ
ットパルス光とするものであり、入力情報光が加えられ
てから、リセットパルス光が加えられるまでの間、双安
定半導体レーザ１１は、入力情報光を記憶した出力光を
送出することになる。
第３図は本発明の動作説明図であり、ｔａ＋は入力情報
光、（ｂ）は波長変換素子１４の出力光、（Ｃ１，（ｄ
）は分波器１５の出力光、ｔｅｌはりセットパルス光、
（ｆ）は双安定半導体レーザ１１の出力光を示す。
光、（ｂ）は波長変換素子１４の出力光、（Ｃ１，（ｄ
）は分波器１５の出力光、ｔｅｌはりセットパルス光、
（ｆ）は双安定半導体レーザ１１の出力光を示す。
波長λ１の入力情報光Ａ＋ 、Ａ２に対応して、波長変
換素子１４から（ｂ）に示すように、波長λ１、Ａ２の
光ＡＩ、Ａ２が出力され、分波器１５により、（Ｃ１，
（ｄ＋に示すように、それぞれ波長λλ２の光に分波さ
れ、ｆｅｌに示す波長λ、の光は双安定半導体レーザ１
１に入力されるから、双安定半導体レーザ１１は発振を
開始して、（ｆｌに示すように、波長λ、の光が出力さ
れる。
換素子１４から（ｂ）に示すように、波長λ１、Ａ２の
光ＡＩ、Ａ２が出力され、分波器１５により、（Ｃ１，
（ｄ＋に示すように、それぞれ波長λλ２の光に分波さ
れ、ｆｅｌに示す波長λ、の光は双安定半導体レーザ１
１に入力されるから、双安定半導体レーザ１１は発振を
開始して、（ｆｌに示すように、波長λ、の光が出力さ
れる。
又分波された＋ｄ）に示す波長λ２の光は、（ｅ）に示
すように光遅延部１３によりτだけ遅延されてリセット
パルス光となるから、それによって双安定半導体レーザ
１１の発振は停止し、（ｆ）に示すように、波長λ１の
出力光は停止される。従って、双安定半導体レーザ１１
は、入力情報光をτの時間だけ記憶して出力光を送出す
ることになる。
すように光遅延部１３によりτだけ遅延されてリセット
パルス光となるから、それによって双安定半導体レーザ
１１の発振は停止し、（ｆ）に示すように、波長λ１の
出力光は停止される。従って、双安定半導体レーザ１１
は、入力情報光をτの時間だけ記憶して出力光を送出す
ることになる。
以上説明したように、本発明は、入力光の波長によって
発振開始或いは発振停止となる双安定半導体レーザ１と
、入力情報光から発振停止波長となる光に変換する波長
変換部２と、光遅延部３とを備え、入力情報光に従って
双安定半導体レーザ１の発振を開始させ、波長変換部２
によって波長変換された発振停止波長の光を光遅延部３
により所定時間遅延させてリセットパルス光とし、この
リセットパルス光を双安定半導体レーザ１に入力して発
振を停止させるものであり、光メモリを構成する双安定
半導体レーザ１を、光によってリセットすることができ
るので、小型化を図ることができると共に、高速動作が
可能となり、高速且つ大容量の光時間スイッチや光バッ
ファメモリ等を容易に構成できる利点がある。
発振開始或いは発振停止となる双安定半導体レーザ１と
、入力情報光から発振停止波長となる光に変換する波長
変換部２と、光遅延部３とを備え、入力情報光に従って
双安定半導体レーザ１の発振を開始させ、波長変換部２
によって波長変換された発振停止波長の光を光遅延部３
により所定時間遅延させてリセットパルス光とし、この
リセットパルス光を双安定半導体レーザ１に入力して発
振を停止させるものであり、光メモリを構成する双安定
半導体レーザ１を、光によってリセットすることができ
るので、小型化を図ることができると共に、高速動作が
可能となり、高速且つ大容量の光時間スイッチや光バッ
ファメモリ等を容易に構成できる利点がある。
第１図は本発明の原理説明図、第２図は本発明の実施例
のブロック図、第３図は本発明の動作説明図、第４図は
従来例のブロック図である。 １は双安定半導体レーザ、２ば波長変換部、３は光遅延
部である。
のブロック図、第３図は本発明の動作説明図、第４図は
従来例のブロック図である。 １は双安定半導体レーザ、２ば波長変換部、３は光遅延
部である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 光時間スイッチ、光バッファメモリ等を構成する光メ
モリに於いて、 入力光の波長によって発振開始或いは発振停止となる双
安定半導体レーザ（１）と、 入力情報光を、前記双安定半導体レーザ（１）の発振開
始波長の光と、発振停止波長のリセットパルス光として
出力する波長変換部（２）と、前記発振停止波長のリセ
ットパルス光を所定時間遅延させる光遅延部（３）とを
備え、 前記入力情報光により前記双安定半導体レーザ（１）の
発振を開始させ、前記光遅延部（３）による遅延時間後
の前記リセットパルス光により前記双安定半導体レーザ
（１）の発振を停止させるまでの間、前記入力情報光の
記憶出力光を送出させる ことを特徴とする光メモリ制御方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1146592A JP2736682B2 (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 光メモリ制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1146592A JP2736682B2 (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 光メモリ制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0312895A true JPH0312895A (ja) | 1991-01-21 |
| JP2736682B2 JP2736682B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=15411205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1146592A Expired - Lifetime JP2736682B2 (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 光メモリ制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2736682B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101888414B1 (ko) * | 2017-02-15 | 2018-08-16 | 광주과학기술원 | 전광 메모리 소자 |
-
1989
- 1989-06-12 JP JP1146592A patent/JP2736682B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101888414B1 (ko) * | 2017-02-15 | 2018-08-16 | 광주과학기술원 | 전광 메모리 소자 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2736682B2 (ja) | 1998-04-02 |
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