JPH03130775A - 低圧水銀共鳴光源 - Google Patents
低圧水銀共鳴光源Info
- Publication number
- JPH03130775A JPH03130775A JP2163400A JP16340090A JPH03130775A JP H03130775 A JPH03130775 A JP H03130775A JP 2163400 A JP2163400 A JP 2163400A JP 16340090 A JP16340090 A JP 16340090A JP H03130775 A JPH03130775 A JP H03130775A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- discharge
- mercury
- light
- chamber
- resonance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70016—Production of exposure light, i.e. light sources by discharge lamps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/38—Devices for influencing the colour or wavelength of the light
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/70—Lamps with low-pressure unconstricted discharge having a cold pressure < 400 Torr
- H01J61/72—Lamps with low-pressure unconstricted discharge having a cold pressure < 400 Torr having a main light-emitting filling of easily vaporisable metal vapour, e.g. mercury
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分FF)
本発明は、材Flの光学的加]二、例えば、半導体製造
におけるリソグラフィに使用される単色光源に関し、特
に水銀原子共鳴線を列用し7た低圧水銀共鳴光源に関す
る。
におけるリソグラフィに使用される単色光源に関し、特
に水銀原子共鳴線を列用し7た低圧水銀共鳴光源に関す
る。
(従来の技術及び発明が解決しようとする課題)111
色光源としては、近年エキシマレーザが注目されている
。分子物理学においてエキシマとは、励起状態の原子ま
たは分子と基底状態の原子又は分子によって作られる二
量体(2個の原子または分子が重合してできる分子)を
意味し、特に希ガスとハロゲンの混合ガスを電Tビーム
や放電等で励起すると、励起状態のエキシマが基底状態
にもどるときに狭シ:7域光(単色光)が放出される。
色光源としては、近年エキシマレーザが注目されている
。分子物理学においてエキシマとは、励起状態の原子ま
たは分子と基底状態の原子又は分子によって作られる二
量体(2個の原子または分子が重合してできる分子)を
意味し、特に希ガスとハロゲンの混合ガスを電Tビーム
や放電等で励起すると、励起状態のエキシマが基底状態
にもどるときに狭シ:7域光(単色光)が放出される。
例えば、クリプトン(Kr)とフッ素(F)とを組合わ
せたエキシマレーザ(以下rKrFレーザ」という)は
、中心波長=248nmの狭帯域光を出力する。
せたエキシマレーザ(以下rKrFレーザ」という)は
、中心波長=248nmの狭帯域光を出力する。
理想的なりソグラフイ用光源としては、光源から光を受
は入れ、出射する光学レンズ系における色収差の影響を
受けないようにするために、出射光のエネルギー半値幅
を非2N+に狭くする必要があり、波長= 248nm
においてはエネルギー半イ直幅0.003nm程度とし
なければならないが、前記KrFレーザではいままでの
どころこれは実現されていない。
は入れ、出射する光学レンズ系における色収差の影響を
受けないようにするために、出射光のエネルギー半値幅
を非2N+に狭くする必要があり、波長= 248nm
においてはエネルギー半イ直幅0.003nm程度とし
なければならないが、前記KrFレーザではいままでの
どころこれは実現されていない。
また、エキシマレーザにおける励起状態の寿命は数ナノ
秒と非常に短いため、レーザ光はコンデンサを介した放
電を一定周波数(例えば20011z)で繰り返すこと
により、パルス光として出力される。従って、例えば?
mD光物光物−ジストを適切に感光するためには、個々
のレーザビームパルスの制御及びパルスの繰返し性の制
御が必要であり、露光装置の複雑化をHl ’<ととも
に、レーザを発生させるパルスが電磁波となって出力レ
ーザパルス制御装FtとIi!/、働する機藩に悪影響
を与え易くなるという問題がある。
秒と非常に短いため、レーザ光はコンデンサを介した放
電を一定周波数(例えば20011z)で繰り返すこと
により、パルス光として出力される。従って、例えば?
mD光物光物−ジストを適切に感光するためには、個々
のレーザビームパルスの制御及びパルスの繰返し性の制
御が必要であり、露光装置の複雑化をHl ’<ととも
に、レーザを発生させるパルスが電磁波となって出力レ
ーザパルス制御装FtとIi!/、働する機藩に悪影響
を与え易くなるという問題がある。
l11−色光を得るための他の手法としては、例えば水
銀−キセノンランプ、キセノンランプあるいは低圧水銀
ランプ等から出力される複数のスペクトルを有する光源
をフィルタすることも可能であるが、フィルタすること
によるエネルギー損失が大きくなり、効率が悪いという
問題がある。
銀−キセノンランプ、キセノンランプあるいは低圧水銀
ランプ等から出力される複数のスペクトルを有する光源
をフィルタすることも可能であるが、フィルタすること
によるエネルギー損失が大きくなり、効率が悪いという
問題がある。
また、本発明の発明者は、水銀共鳴線を用いる単色光源
を既に提案している(量子エレクトロニクス研究会資料
QE67−11 (1967−07) )。この単色光
源は、水銀−アルゴン放電ランプと水銀共鳴室とを一体
とした構造を採用し、この単色光源によれば、放電ラン
プにおいて広帯域放電光を連続的に発生させるとともに
、その放電光を共鳴室に導くことにより、共鳴室におい
て放電光が選択的に吸収され、狭41+i域光として再
放射され、波長が253.7nm付近の紫外光が選択的
に出力される。
を既に提案している(量子エレクトロニクス研究会資料
QE67−11 (1967−07) )。この単色光
源は、水銀−アルゴン放電ランプと水銀共鳴室とを一体
とした構造を採用し、この単色光源によれば、放電ラン
プにおいて広帯域放電光を連続的に発生させるとともに
、その放電光を共鳴室に導くことにより、共鳴室におい
て放電光が選択的に吸収され、狭41+i域光として再
放射され、波長が253.7nm付近の紫外光が選択的
に出力される。
上記提案の紫外光源は、放電ランプ内の水銀蒸気圧を制
御することができないため、不要なアーク放電がしばし
ば発生し、電極の1n粍や出力光強度の安定度の而で改
善の余地が残されていた。
御することができないため、不要なアーク放電がしばし
ば発生し、電極の1n粍や出力光強度の安定度の而で改
善の余地が残されていた。
また、上泥提案の1111色光源は、共鳴室の上側に放
電ランプを配する構造であるため、放電光が効率よく共
IQ室に入射せず、光源のエネルギー効率の而でも改善
の余地が残されていた。
電ランプを配する構造であるため、放電光が効率よく共
IQ室に入射せず、光源のエネルギー効率の而でも改善
の余地が残されていた。
本発明は上述の点に鑑みなされたものであり、放電ラン
プにおける放電を適切に制御し、?lL極の用粍を抑え
るとともに出力光の強度をより安定化させ、更にエネル
ギー効率の改善をも図ることができる低圧水銀ノ(鳴光
源を提供することを目的とする。
プにおける放電を適切に制御し、?lL極の用粍を抑え
るとともに出力光の強度をより安定化させ、更にエネル
ギー効率の改善をも図ることができる低圧水銀ノ(鳴光
源を提供することを目的とする。
(課題を解決するための手段)
上記目的を達成するため本発明は、水銀蒸気を包含し、
放電によって水銀蒸気から広帯域光を出射する放電ラン
プと、水銀蒸気を包含し、前記広−117域先が入射さ
れ、水銀の狭イ17域共鳴線光を出射する共鳴室であっ
て、nf記放電ランプに隣接して配された共鳴室と、該
共鳴室内の水銀蒸気圧を第1の所定圧に制御する第1の
圧力制御手段とから代る低圧水銀共鳴光源において、前
記放電ランプ内の水銀蒸気圧を第2の所定圧に制御する
第2のj主力制御手段を設けるようにしたものである。
放電によって水銀蒸気から広帯域光を出射する放電ラン
プと、水銀蒸気を包含し、前記広−117域先が入射さ
れ、水銀の狭イ17域共鳴線光を出射する共鳴室であっ
て、nf記放電ランプに隣接して配された共鳴室と、該
共鳴室内の水銀蒸気圧を第1の所定圧に制御する第1の
圧力制御手段とから代る低圧水銀共鳴光源において、前
記放電ランプ内の水銀蒸気圧を第2の所定圧に制御する
第2のj主力制御手段を設けるようにしたものである。
また、前記第1の圧力制御手段は、前記共鳴室内に設け
た第1の水銀溜りと、該第1の水銀溜りの温度を制御す
る第1の温度制御手段とから成り、6(1記第2の圧力
制御手段は、前記放電ランプに連通する側管と、該側管
に設けた第2の水銀溜りと、該第2の水銀溜りの温度を
制御する第2の温度制御手段とから成るようにすること
が望ましい。
た第1の水銀溜りと、該第1の水銀溜りの温度を制御す
る第1の温度制御手段とから成り、6(1記第2の圧力
制御手段は、前記放電ランプに連通する側管と、該側管
に設けた第2の水銀溜りと、該第2の水銀溜りの温度を
制御する第2の温度制御手段とから成るようにすること
が望ましい。
また、前記共鳴室は略円筒状の形状を有し、前記第1の
所定圧は、該円筒形状の直径に応じて設定することが望
ましい。
所定圧は、該円筒形状の直径に応じて設定することが望
ましい。
また、nIj記第1の所定圧は10−3〜I O−’T
orrとし、iff記第2の所定圧は10−2〜10−
3Torrとすることが望ましい。
orrとし、iff記第2の所定圧は10−2〜10−
3Torrとすることが望ましい。
また、前記共鳴室内の水銀蒸気は質量数200の水銀原
子と質量数202の水銀原子とから成るようにすること
が望ましい。
子と質量数202の水銀原子とから成るようにすること
が望ましい。
更に本発明は、中心部に孔を有し、互いに対向する2つ
のカソードブレー1・と、該カソードプレー1〜の孔に
嵌装され、第1の所定圧の水銀蒸気を包含する共鳴室を
画成するパイプと、1;j記2つのカソードブレート間
に該カソードプレートから絶縁されて介装され、1);
j記パイプを距離を隔てて取り囲むアノードであって、
第2の所定圧の水銀蒸気を包含する放電室を、前記2つ
のカソードプレート及び前記パイプとともに画成するア
ノードと、前記カソードプレートとアノードとの間に電
圧を印加する電源とから低圧水銀共鳴光源を構成するよ
うにしたものである。
のカソードブレー1・と、該カソードプレー1〜の孔に
嵌装され、第1の所定圧の水銀蒸気を包含する共鳴室を
画成するパイプと、1;j記2つのカソードブレート間
に該カソードプレートから絶縁されて介装され、1);
j記パイプを距離を隔てて取り囲むアノードであって、
第2の所定圧の水銀蒸気を包含する放電室を、前記2つ
のカソードプレート及び前記パイプとともに画成するア
ノードと、前記カソードプレートとアノードとの間に電
圧を印加する電源とから低圧水銀共鳴光源を構成するよ
うにしたものである。
また、前記共鳴室に第1の水銀溜りを設けるとともに、
前記放電室に第2の水銀溜りを有する側管を連通させ、
前記第1及び第2の水銀溜りの温度をそれぞれ制御する
第1及び第2の温度1!IIJ 911手段を設けるこ
とが望ましい。
前記放電室に第2の水銀溜りを有する側管を連通させ、
前記第1及び第2の水銀溜りの温度をそれぞれ制御する
第1及び第2の温度1!IIJ 911手段を設けるこ
とが望ましい。
また、前記アノードの周囲に冷却水管を配することが望
ましい。
ましい。
また、前記パイプの外表面のうち、1);1記放電室を
画成する部分と、8;j記一方のカソードプレー1・の
孔に対応し、放射光が出射される部分と、前記2つのカ
ソードプレートに接する部分とを除く部分に遮光塗料を
塗イ11することが望ましい。
画成する部分と、8;j記一方のカソードプレー1・の
孔に対応し、放射光が出射される部分と、前記2つのカ
ソードプレートに接する部分とを除く部分に遮光塗料を
塗イ11することが望ましい。
(作用)
第2の圧力制御手段によって放電室内の水銀蒸気圧が第
2の所定圧となるように制御され、放電電流が安定化さ
れる。
2の所定圧となるように制御され、放電電流が安定化さ
れる。
また、放電室が共鳴室をとり囲むように配設されるので
、放電室から出射された放電光が共鳴室の周囲から効率
よく共鳴室に入射される。
、放電室から出射された放電光が共鳴室の周囲から効率
よく共鳴室に入射される。
(実施例)
以下本発明の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
第1図は本発明の低圧水銀共鳴光源の要部断面図を含む
全体構成図、第2図は第1図の■−■線断面図である。
全体構成図、第2図は第1図の■−■線断面図である。
符号lは共鳴室2を画成する石英管であり、該石英管1
は共鳴室2の一部として水銀(l1g)溜り2aを有す
る。
は共鳴室2の一部として水銀(l1g)溜り2aを有す
る。
対向する2つのカソードプレート(例えば5US304
ステンレス鋼製の)3は、孔3a、3bを有し、該孔3
a、3bに前記石英管lが嵌装されている。
ステンレス鋼製の)3は、孔3a、3bを有し、該孔3
a、3bに前記石英管lが嵌装されている。
2つのカソード3の間には環状絶縁体4(例えば材質は
AQ2(h、厚さ9mm)を介してrq篩筒状アノード
5(例えばステンレス鋼製(7) (SUS30/l、
S[JS312.5US316*) ) カ介装され、
前記石英管11カソードブレート3、絶縁体4及びアノ
ード5により放電室6が画成される。放電室6には水銀
溜り6bを有する側管6aが連通ずるとともに、管19
及び弁20を介してデフユージョンボンブ21a及びロ
ータリポンプ21bが接続され、更に管22及び弁23
を介してアルゴンガスボンベ24が接続されている。ま
たアノード5の周囲には光源全体(主に放電室)を冷却
するための冷却水管(例えば、5US304. Cu製
の)7が配されていており、該冷却水v7は、その上流
側及び下流側で絶縁されている。更に、石英管1とカソ
ードプレート3とが接する部分、絶縁体4とカソードプ
レート3とが接する部分、及びアノード5と絶縁体4と
が接する部分には、放電室6を気密にすべくO−リング
8が挟着されている。
AQ2(h、厚さ9mm)を介してrq篩筒状アノード
5(例えばステンレス鋼製(7) (SUS30/l、
S[JS312.5US316*) ) カ介装され、
前記石英管11カソードブレート3、絶縁体4及びアノ
ード5により放電室6が画成される。放電室6には水銀
溜り6bを有する側管6aが連通ずるとともに、管19
及び弁20を介してデフユージョンボンブ21a及びロ
ータリポンプ21bが接続され、更に管22及び弁23
を介してアルゴンガスボンベ24が接続されている。ま
たアノード5の周囲には光源全体(主に放電室)を冷却
するための冷却水管(例えば、5US304. Cu製
の)7が配されていており、該冷却水v7は、その上流
側及び下流側で絶縁されている。更に、石英管1とカソ
ードプレート3とが接する部分、絶縁体4とカソードプ
レート3とが接する部分、及びアノード5と絶縁体4と
が接する部分には、放電室6を気密にすべくO−リング
8が挟着されている。
カソードプレート3はアース又は高電圧電源9のマイナ
ス出力に接続され、ア゛ノード5は高電圧電源9のプラ
ス出力に接続されている。ここで電源9の出力電圧は例
えば5KVととし、出力電流は2〜3Aの範囲で可変さ
れる。
ス出力に接続され、ア゛ノード5は高電圧電源9のプラ
ス出力に接続されている。ここで電源9の出力電圧は例
えば5KVととし、出力電流は2〜3Aの範囲で可変さ
れる。
i;I記水鉗溜り2a及び6bの温度を調整すべく、熱
媒体ηIJ又はSiオイルで満たされたオイルバス10
.11が設けられている。これらのオイルバス]、0.
11には、それぞれ熱交換器13.14及び温度センサ
15,16が設けられ、該温度センサ15,16はその
検出信号を温度調節器17゜18に供給する。温度調節
器17.18の出力側はそれぞれ熱交換器13.14に
接続され、オイルバス10.11内のオイル、従って水
銀溜り2a、6bの水銀が設定温度となるようにPID
制御を行う。
媒体ηIJ又はSiオイルで満たされたオイルバス10
.11が設けられている。これらのオイルバス]、0.
11には、それぞれ熱交換器13.14及び温度センサ
15,16が設けられ、該温度センサ15,16はその
検出信号を温度調節器17゜18に供給する。温度調節
器17.18の出力側はそれぞれ熱交換器13.14に
接続され、オイルバス10.11内のオイル、従って水
銀溜り2a、6bの水銀が設定温度となるようにPID
制御を行う。
尚、石英管1の外部表面のうち、放電室6を画成する部
分(以下「入射窓」という)と、カソードプレート3の
孔3aに対応する部分(以下「出射窓Jという)と、カ
ソードプレート3に接する部分とを除く部分、即ち第1
図においてカソードプレート3(右側)の孔3bより右
側の部分には、共鳴室2への入射光及び共鳴室2からの
出射光を遮断すべく遮光塗料1aが塗布されている。
分(以下「入射窓」という)と、カソードプレート3の
孔3aに対応する部分(以下「出射窓Jという)と、カ
ソードプレート3に接する部分とを除く部分、即ち第1
図においてカソードプレート3(右側)の孔3bより右
側の部分には、共鳴室2への入射光及び共鳴室2からの
出射光を遮断すべく遮光塗料1aが塗布されている。
上述のように構成される低圧水銀共鳴光源における発光
プロセスの概要は以下のとおりである。
プロセスの概要は以下のとおりである。
■ アノード5とカソードプレート3との間に数KV(
例えば5KV)の電圧を印加する。
例えば5KV)の電圧を印加する。
■ 放電室6には第2の温度調節器18の設定温度T2
に応じた飽和蒸気圧の水銀蒸気及び所定圧のアルゴンガ
スが満たされており、電圧印加により放電室6内でプラ
ズマ放電が発生する。
に応じた飽和蒸気圧の水銀蒸気及び所定圧のアルゴンガ
スが満たされており、電圧印加により放電室6内でプラ
ズマ放電が発生する。
■ この放電により、水銀蒸気の253,7nmの共鳴
線を含む種々の波長の放電光が石英管lの前記入射窓を
通じて共鳴室2内に入射される。
線を含む種々の波長の放電光が石英管lの前記入射窓を
通じて共鳴室2内に入射される。
■ 共鳴室2内には、第1の温度調節器17の設定温度
TIに応じた飽和蒸気圧の水銀蒸気が満たされており、
253,7nmの共鳴線の放電光のみが吸収、放射され
、同じ波長の放射光が、石英管1の611記出射窓より
出力される。
TIに応じた飽和蒸気圧の水銀蒸気が満たされており、
253,7nmの共鳴線の放電光のみが吸収、放射され
、同じ波長の放射光が、石英管1の611記出射窓より
出力される。
■ 出力放射光は、光学レンズ等を含む光学系(図示せ
ず)を介して露光装置等へ出力される。
ず)を介して露光装置等へ出力される。
上述のように、共鳴室2を放電室6によってとり囲む構
逍としたことにより、放電光が放電室6から共鳴室2に
効率よく入射し、光源のエネルギー効率を向」ニさせる
ことができる。
逍としたことにより、放電光が放電室6から共鳴室2に
効率よく入射し、光源のエネルギー効率を向」ニさせる
ことができる。
第3図は、放電室6内で発生する放電によって流れる放
電電流Iとffi極(アノード−カソード)間の印加電
圧Vとの関係を示す図である。放電を開始すると電圧V
は急激に低下し、更に電流Iを増加させても電圧はほと
んど変化しない(同図A、正幇グロー放i11!領域)
。更に電流■を増加させると電圧Vは急激に」1昇し、
下降する(同図B、異常グロー放電領域)。更に電流I
を増加させると、アーク放電が発生する(同図C1アー
ク放電領域)。
電電流Iとffi極(アノード−カソード)間の印加電
圧Vとの関係を示す図である。放電を開始すると電圧V
は急激に低下し、更に電流Iを増加させても電圧はほと
んど変化しない(同図A、正幇グロー放i11!領域)
。更に電流■を増加させると電圧Vは急激に」1昇し、
下降する(同図B、異常グロー放電領域)。更に電流I
を増加させると、アーク放電が発生する(同図C1アー
ク放電領域)。
本実施例では、第3図Bの異常グロー放電領域に放電電
流Iを制御するようにしているが、それは以下の理由に
よる。一般に放m電流lが大きいほど、水銀原子中の電
子が励起され、エネルギー(光)を放射して、ik底状
態にもどる頻度が高くなり、放射光エネルギーが増加す
る。ところが、前記アーク放電Ki域では電圧が極端に
低下するので、電流Iの電子密度は高いが電子の移動速
度が低下した状態となり、放射光のエネルギーも減少す
ることとなる。また、電極温度が上昇するので、カソー
ド材料の蒸発(スパッタ)が進み、放電光のスペクトル
に電極材>1の蒸発による付加的な放電光が入るといっ
た問題も発生する。そのため、アーク放電が起きない領
域A及びBに放電電流■を注意深く制御するようにして
いる。また、最も望ましい放電光は、放電電流■を異常
グロー放電領域Bに限定したときに得られる。
流Iを制御するようにしているが、それは以下の理由に
よる。一般に放m電流lが大きいほど、水銀原子中の電
子が励起され、エネルギー(光)を放射して、ik底状
態にもどる頻度が高くなり、放射光エネルギーが増加す
る。ところが、前記アーク放電Ki域では電圧が極端に
低下するので、電流Iの電子密度は高いが電子の移動速
度が低下した状態となり、放射光のエネルギーも減少す
ることとなる。また、電極温度が上昇するので、カソー
ド材料の蒸発(スパッタ)が進み、放電光のスペクトル
に電極材>1の蒸発による付加的な放電光が入るといっ
た問題も発生する。そのため、アーク放電が起きない領
域A及びBに放電電流■を注意深く制御するようにして
いる。また、最も望ましい放電光は、放電電流■を異常
グロー放電領域Bに限定したときに得られる。
第4図は水銀温度と水銀飽和蒸気圧との実験的に確認さ
れた関係を示す図であり、例えば水銀温度を一5°〜+
20℃の範囲に設定すれば、水銀蒸気圧は10−4〜I
0−3Torrとなる。放電室6内の水銀蒸気圧の制
御はこの第4図の関係に基づいて行われ、放電室6内の
水銀蒸気圧及びアルゴンガス圧は以下のように設定され
る。
れた関係を示す図であり、例えば水銀温度を一5°〜+
20℃の範囲に設定すれば、水銀蒸気圧は10−4〜I
0−3Torrとなる。放電室6内の水銀蒸気圧の制
御はこの第4図の関係に基づいて行われ、放電室6内の
水銀蒸気圧及びアルゴンガス圧は以下のように設定され
る。
■ ロータリーポンプ21bにより放電室6内の圧力を
10−4〜I 0−3l−orrとする。このとき第2
の温度調節器18の設定温度T2を−10℃以下とし、
水銀蒸気圧を10−→Torr以下とする。
10−4〜I 0−3l−orrとする。このとき第2
の温度調節器18の設定温度T2を−10℃以下とし、
水銀蒸気圧を10−→Torr以下とする。
■ アルゴン−水銀放電を発生させるためにアルゴンガ
スを放電室6内に導入し、放電室6内の全圧力を10−
3〜I 0−2Torrとする。
スを放電室6内に導入し、放電室6内の全圧力を10−
3〜I 0−2Torrとする。
■ 第2の温度調fIliW1gの設定温度T2を20
°〜50℃の範囲に設定し、水銀蒸気圧が第2の所定圧
(例えば10−’ 〜l 0−2Torr)となるよう
にする。このような圧力制御は、水銀蒸気圧がI 0−
2Torrより高い場合には、水銀共1!1)線以外の
放射スペクトルが相対的に大きくなり、共鳴光源の効率
が低下する一方、IO″3TOrrより低い場合には放
電が開始されない可能性が高く、また放電が開始された
としても、共鳴線強度が低下することを考慮したもので
ある。
°〜50℃の範囲に設定し、水銀蒸気圧が第2の所定圧
(例えば10−’ 〜l 0−2Torr)となるよう
にする。このような圧力制御は、水銀蒸気圧がI 0−
2Torrより高い場合には、水銀共1!1)線以外の
放射スペクトルが相対的に大きくなり、共鳴光源の効率
が低下する一方、IO″3TOrrより低い場合には放
電が開始されない可能性が高く、また放電が開始された
としても、共鳴線強度が低下することを考慮したもので
ある。
以上の手順により、放電室6内の水銀蒸気圧は10−3
〜I 0−2Torrに設定される。このように放電室
6内の水銀蒸気圧を第2の所定圧に制御することにより
、放電電流を安定させてアーク放電が発生することを防
止することができる。その結果、?!!極の摩粍を防止
し、放電光のスペクトルに電極(オ料の蒸発によるスペ
クトルの放電光が入ることを回避することが可能となる
。
〜I 0−2Torrに設定される。このように放電室
6内の水銀蒸気圧を第2の所定圧に制御することにより
、放電電流を安定させてアーク放電が発生することを防
止することができる。その結果、?!!極の摩粍を防止
し、放電光のスペクトルに電極(オ料の蒸発によるスペ
クトルの放電光が入ることを回避することが可能となる
。
また、放電によって放電室6及び共鳴室2の温度が上昇
するので、冷却水管7により放電室周辺を冷却して、温
度」1昇による水銀蒸気圧の変動及びそれに起因する放
電状態や放射強度の変動を防止し、光源の安定化を図っ
ている。
するので、冷却水管7により放電室周辺を冷却して、温
度」1昇による水銀蒸気圧の変動及びそれに起因する放
電状態や放射強度の変動を防止し、光源の安定化を図っ
ている。
次に共鳴室2内の水銀蒸気圧の選定について述べる。共
鳴室2内では、253.7am及び184]nmの共鳴
線の放電光のみが水銀蒸気によって強力に吸収され、再
び同じ波長の放射光が出力される(励起された電子が基
底状態にもどる)。ここで共鳴室2内の水銀蒸気圧をl
0−2Torr以上とすると、主として共鳴室2の周
辺部、即ち放電室6に近い部分でのみ吸収−放射が行わ
れるようになり、放電光の強度が中心部で低fする一方
、水銀蒸気圧をl O−’Torrより低くすると、は
とんど吸収が行われず、従って放射も行われないことと
なる。
鳴室2内では、253.7am及び184]nmの共鳴
線の放電光のみが水銀蒸気によって強力に吸収され、再
び同じ波長の放射光が出力される(励起された電子が基
底状態にもどる)。ここで共鳴室2内の水銀蒸気圧をl
0−2Torr以上とすると、主として共鳴室2の周
辺部、即ち放電室6に近い部分でのみ吸収−放射が行わ
れるようになり、放電光の強度が中心部で低fする一方
、水銀蒸気圧をl O−’Torrより低くすると、は
とんど吸収が行われず、従って放射も行われないことと
なる。
そこで、本実施例では共鳴室2内の水銀蒸気圧10−1
〜] 0−3Torr (第1の所定圧)とするように
している。これにより、放射光の強度を均一化するとと
もに、全体としての放射出力を大きくすることができる
。共鳴室2内の水銀蒸気化は、第1の温度調節異17の
設定温度′1゛】を−5°〜20℃とする(第4図参照
)ことにより、Mij記第1の所定圧となるように制御
される。
〜] 0−3Torr (第1の所定圧)とするように
している。これにより、放射光の強度を均一化するとと
もに、全体としての放射出力を大きくすることができる
。共鳴室2内の水銀蒸気化は、第1の温度調節異17の
設定温度′1゛】を−5°〜20℃とする(第4図参照
)ことにより、Mij記第1の所定圧となるように制御
される。
第5図は、波長253.7am近傍における共鳴線の超
微細構造を示しており(尚、184.9r+mの共鳴線
についても以下に述べる点と同様のことがいえる)、横
軸のOが253.7amに、また+I+、5.−10.
4等は(253,7+I1.5X I O″′4) n
m、 (253,7−10,4X10−4) nmの
波長にそれぞれ対応する。縦軸はそれぞれの波長におけ
る放射光の相対強度を示しており、またII g200
. II g202等は水銀の同位元素(200,20
2等は質量数である)を示す。例えば1−1g200は
253.7amの共鳴線を、また11 g 202は(
253,7+lI、5X I O−’) ramの共鳴
線を有し、これらの共鳴線の相対強度の和は53.04
χ(図示した全同位元素の散開エネルギーの和を100
%とする)となる。従って、本実施例では、共鳴室2の
水銀溜り2aには11g200と11g202とを入れ
るようにして高輝度・高IJj色性(高解像度)の光源
を実現している。もちろん11g200又は11g20
2のみを用いればより高いIit色性の、即ちより精密
な光学計gtIJ等に使用可能な光源が得られるが、放
射光の強度は約半分に減少する。
微細構造を示しており(尚、184.9r+mの共鳴線
についても以下に述べる点と同様のことがいえる)、横
軸のOが253.7amに、また+I+、5.−10.
4等は(253,7+I1.5X I O″′4) n
m、 (253,7−10,4X10−4) nmの
波長にそれぞれ対応する。縦軸はそれぞれの波長におけ
る放射光の相対強度を示しており、またII g200
. II g202等は水銀の同位元素(200,20
2等は質量数である)を示す。例えば1−1g200は
253.7amの共鳴線を、また11 g 202は(
253,7+lI、5X I O−’) ramの共鳴
線を有し、これらの共鳴線の相対強度の和は53.04
χ(図示した全同位元素の散開エネルギーの和を100
%とする)となる。従って、本実施例では、共鳴室2の
水銀溜り2aには11g200と11g202とを入れ
るようにして高輝度・高IJj色性(高解像度)の光源
を実現している。もちろん11g200又は11g20
2のみを用いればより高いIit色性の、即ちより精密
な光学計gtIJ等に使用可能な光源が得られるが、放
射光の強度は約半分に減少する。
これに対し、11g200及び11g2o2を用いた場
合には、それぞれの共鳴線が有する±5 X I 0−
4r+m程度の拡がりを考慮しても合成スペクトルは2
1.5(” 5 +11.5+5) X I O−’n
mの範囲内に収まり、この狭4j?域放射先は、光学レ
ンズ系における色収差を実用上問題ないレベルとするた
めに通市要求される水r115、即ち30 X I O
−’nmを十分満足する高い中1色性を有する。また同
時に放射光の強度もいずれか一方のみのときより略倍増
するので、高強度・高車色性の光源を得ることができる
。
合には、それぞれの共鳴線が有する±5 X I 0−
4r+m程度の拡がりを考慮しても合成スペクトルは2
1.5(” 5 +11.5+5) X I O−’n
mの範囲内に収まり、この狭4j?域放射先は、光学レ
ンズ系における色収差を実用上問題ないレベルとするた
めに通市要求される水r115、即ち30 X I O
−’nmを十分満足する高い中1色性を有する。また同
時に放射光の強度もいずれか一方のみのときより略倍増
するので、高強度・高車色性の光源を得ることができる
。
また、石英管1の管径りは、下記式に基づいて算出した
値としている。
値としている。
D=l/ko ・・・(1)ここ
にkoはガスの吸光係数、ΔVoはドツプラー暢(定数
)、λ0は共鳴線中心波長、gll g2はそれぞれ基
底状態、励起状態の統ai的重み、Nは単位体稍当りの
水銀原子数(水銀蒸気圧Pに比例する)、τは水銀原子
の励起状態の平均が命である。
にkoはガスの吸光係数、ΔVoはドツプラー暢(定数
)、λ0は共鳴線中心波長、gll g2はそれぞれ基
底状態、励起状態の統ai的重み、Nは単位体稍当りの
水銀原子数(水銀蒸気圧Pに比例する)、τは水銀原子
の励起状態の平均が命である。
式(2)からkOは水銀原子数N、従って水銀蒸気圧P
に比例するので、管径りは水銀蒸気圧Pに反比例するよ
うに決定するとよい。換言すれば水銀蒸気圧Pと、管径
りとが上記(1)、 (2)式の関係を満足するよう
に両者の値を決定すべきである。これによって、石英管
lの中心部における放射強度が大きな径の管を用いた場
合のように低下することなく、半径方向の位置に対して
より均一な放射光を得ることができる。
に比例するので、管径りは水銀蒸気圧Pに反比例するよ
うに決定するとよい。換言すれば水銀蒸気圧Pと、管径
りとが上記(1)、 (2)式の関係を満足するよう
に両者の値を決定すべきである。これによって、石英管
lの中心部における放射強度が大きな径の管を用いた場
合のように低下することなく、半径方向の位置に対して
より均一な放射光を得ることができる。
尚、本実施例では253.7nt*の共鳴線を利用して
いるが、放射光を大気中を通過させることなく真空中あ
るいは不活性ガス中で使用する場合には、184.9a
mの共鳴線(この波長の放射光は大気中の酸素により吸
収される)を利用するようにしてもよい。
いるが、放射光を大気中を通過させることなく真空中あ
るいは不活性ガス中で使用する場合には、184.9a
mの共鳴線(この波長の放射光は大気中の酸素により吸
収される)を利用するようにしてもよい。
以上のように本実施例によれば、放射強度が安定化され
、且つ高い単色FI:を有する光源を得ることができる
。即ち、例えば波長が250nm程度の共鳴光のスペク
1ヘル幅(エネルギー半値l1iI)を約0.003n
o+以下とし、光学系における色収差を無視でき−る程
度とすることができる。その結果、特に高解像度が要求
されるリソグラフィに適した光源を得ることができる。
、且つ高い単色FI:を有する光源を得ることができる
。即ち、例えば波長が250nm程度の共鳴光のスペク
1ヘル幅(エネルギー半値l1iI)を約0.003n
o+以下とし、光学系における色収差を無視でき−る程
度とすることができる。その結果、特に高解像度が要求
されるリソグラフィに適した光源を得ることができる。
(発明の効果)
以上詳述したように本発明の低圧水銀共鳴光源によれば
、第2の圧力制御手段によって放電室内の水銀蒸気圧が
第2の所定圧となるように制御され、放電電流が安定化
されるので、アーク放電の発生を防止することができる
。その結果、ft1llの摩耗を防止し、放電光のスペ
クトルにms材料の蒸発によるスペクトルの放電光が入
ることを回避することができる。
、第2の圧力制御手段によって放電室内の水銀蒸気圧が
第2の所定圧となるように制御され、放電電流が安定化
されるので、アーク放電の発生を防止することができる
。その結果、ft1llの摩耗を防止し、放電光のスペ
クトルにms材料の蒸発によるスペクトルの放電光が入
ることを回避することができる。
また、共鳴室の゛1″、径方向の位置に対して放射強度
がより均一な放射光を得ることができる。
がより均一な放射光を得ることができる。
また、波長が近接した2つのへ鳴線を利用できるので、
高単色性かつ高強度の放射光を得ることができる。
高単色性かつ高強度の放射光を得ることができる。
また、共鳴室が放電室によってとり囲まれた構造を有す
るので、放電光が放電室から共、1室に効率よく入射し
、光源のエネルギー効率を向ヒさせることができる。
るので、放電光が放電室から共、1室に効率よく入射し
、光源のエネルギー効率を向ヒさせることができる。
4゜
また、光源、特に放電室の温度を適正に維持し、放電状
態や放射Qj1度の変動を防止して光源の安定化を図る
ことができる。
態や放射Qj1度の変動を防止して光源の安定化を図る
ことができる。
第1図は本発明の低圧水銀共鳴光源の要部断面図を含む
全体構成図、第2図は第1図のIi −IJ線断面図、
第3図は放電電流lと電極間電圧Vの関係を示す図、第
4図は水銀温度と水銀飽和蒸気圧との関係を示す図、第
5図は水銀共鳴線(253,7nn+)の超微細構造を
示す図である。 l・・・石英管、2・・・共鳴室、2a・・・水銀溜り
、3・・・カソードブレーI・、4・・・絶縁体、5・
・・アノード、6・・・放電室、6a・・・側管、6b
・・・水銀溜り、10゜11・・・オイルバス、13.
14・・・熱交換恭、15゜16・・温度センサ、17
.18・・・温度調@1)3゜出頼人 日木稍工株式会
社
全体構成図、第2図は第1図のIi −IJ線断面図、
第3図は放電電流lと電極間電圧Vの関係を示す図、第
4図は水銀温度と水銀飽和蒸気圧との関係を示す図、第
5図は水銀共鳴線(253,7nn+)の超微細構造を
示す図である。 l・・・石英管、2・・・共鳴室、2a・・・水銀溜り
、3・・・カソードブレーI・、4・・・絶縁体、5・
・・アノード、6・・・放電室、6a・・・側管、6b
・・・水銀溜り、10゜11・・・オイルバス、13.
14・・・熱交換恭、15゜16・・温度センサ、17
.18・・・温度調@1)3゜出頼人 日木稍工株式会
社
Claims (1)
- 1、水銀蒸気を包含し、放電によって水銀蒸気から広帯
域光を出射する放電ランプと、水銀蒸気を包含し、前記
広帯域光が入射され、水銀の狭帯域共鳴線光を出射する
共鳴室であって、前記放電ランプに隣接して配された共
鳴室と、該共鳴室内の水銀蒸気圧を第1の所定圧に制御
する第1の圧力制御手段とから成る低圧水銀共鳴光源に
おいて、前記放電ランプ内の水銀蒸気圧を第2の所定圧
に制御する第2の圧力制御手段を設けたことを特徴とす
る低圧水銀共鳴光源。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/421,992 US4974227A (en) | 1989-10-16 | 1989-10-16 | Low-pressure mercury resonance radiation source |
| US421,992 | 1989-10-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03130775A true JPH03130775A (ja) | 1991-06-04 |
Family
ID=23672940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2163400A Pending JPH03130775A (ja) | 1989-10-16 | 1990-06-21 | 低圧水銀共鳴光源 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4974227A (ja) |
| JP (1) | JPH03130775A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| HU217160B (hu) * | 1990-10-25 | 1999-11-29 | Fusion Lighting Inc. | Gázkisülő lámpa, továbbá eljárás gázkisülő lámpa készítésére, valamint annak működtetésére |
| US5851725A (en) * | 1993-01-26 | 1998-12-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Exposure of lithographic resists by metastable rare gas atoms |
| US6129807A (en) * | 1997-10-06 | 2000-10-10 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for monitoring processing of a substrate |
| JP2009510698A (ja) * | 2005-09-30 | 2009-03-12 | エナジェティック・テクノロジー・インコーポレーテッド | 誘導駆動型プラズマ光源 |
| CN109584688B (zh) * | 2018-12-28 | 2020-11-17 | 陕西师范大学 | 饱和蒸汽压与温度关系的可视化演示装置 |
-
1989
- 1989-10-16 US US07/421,992 patent/US4974227A/en not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-06-21 JP JP2163400A patent/JPH03130775A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4974227A (en) | 1990-11-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7435982B2 (en) | Laser-driven light source | |
| Elliott | Ultraviolet laser technology and applications | |
| US7307375B2 (en) | Inductively-driven plasma light source | |
| Borisov et al. | EUV sources using Xe and Sn discharge plasmas | |
| US7729403B2 (en) | High-order harmonic generation in a capillary discharge | |
| Gaudiosi et al. | High-order harmonic generation from ions in a capillary discharge | |
| Altucci et al. | Tunable soft-x-ray radiation by high-order harmonic generation | |
| KR101396158B1 (ko) | Euv 램프 및 연질 x-선 램프의 전환 효율을 증가시키는 방법, 및 euv 방사선 및 연질 x-선을 생성하는 장치 | |
| Sosnin et al. | Apokamps produced by repetitive discharges in air | |
| JPH03130775A (ja) | 低圧水銀共鳴光源 | |
| TWI807814B (zh) | 深紫外線(duv)光源及相關的放電室及陽極、操作放電室之方法、及用於雷射源中之電極 | |
| Uhlenbusch et al. | Hβ-line profile measurements in optical discharges | |
| US3798568A (en) | Atmospheric pressure induction plasma laser source | |
| Kumar et al. | Development of a 1 J short pulse tunable TEA CO2 laser with high energy stability | |
| US20240194454A1 (en) | Inductively Coupled Plasma Light Source with Direct Gas Injection | |
| RU2761182C1 (ru) | Способ повышения кпд газоразрядной лампы и управления спектром ее излучения | |
| USH66H (en) | Pulsed plasma generation of extreme ultraviolet radiation | |
| US7199384B2 (en) | Inductively-driven light source for lithography | |
| US20070132408A1 (en) | High frequency driven high pressure micro discharge | |
| Borisov et al. | Recent advances in the development of coherent and incoherent UV and EUV discharge sources | |
| Aliev et al. | Optical homogeneity of the active medium of a pulsed electron-beam-controlled CO laser | |
| Jamelot | Progress in X-ray laser research | |
| Vodchits et al. | Recent advances in the development of coherent and incoherent UV and EUV discharge sources. | |
| US20080130700A1 (en) | Apparatus for generating laser radiation | |
| Kozakov et al. | Determination of the neutral gas density by VUV absorption measurements |