JPH03131079A - レーザ源 - Google Patents

レーザ源

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JPH03131079A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、レーザ源、特に希土類ドープファイバ、例え
ばエルビウムドープファイバを組み込んだレーザ源に係
る。
発明の概要 本発明によれば、半導体ダイオード増幅器チップ（１）
及びある長さの希土類ドープ単モード光ファイバ（２）
と、リングの一部を形成するチッブ（１）内の光路及び
該ファイバ（２）からなるリングの他部分とよりなり、
ファイバ（２）がチップ（１）用の分布利得を有する外
部空調を提供することを特徴とするハイブリットレーザ
源が提供される。
実施例 以下図面と共に本発明による実施例を説明する。
ファイバ増幅器としてエルビウムドープファイバを用い
ることが以前より提案されてきた。ある長さのエルビウ
ムドープファイバの一端に入力する光信号はその通過中
に増幅されうる。
英国特許出願第８９０８６７１．３号（ケー・シイ−・
バイロンーダブリュ・シベット３８−３）において、か
かる長さのファイバを用いる同調可能な源が記載されて
いる。外部空洞を有する能動的にモードロックされた半
導体ダイオードレーザからポンプされたエルビウムドー
プファイバ増幅器において、ピコ秒パルスを増幅するこ
とは論文「エルビウムドープファイバ増幅器におけるモ
ードロック半導体ダイオードレーザパルスの増［Ｊ　　
（アール・ニー・ベニカー、デイ−・バーンズ、ケー・
シイ−・バイロン、ダブリュージベット、エレクトロニ
ックレター電気電子学会１７回１９８９年８月２５巻１
７号１１３１−１１３３頁〕でも提案された。この場合
において、外部空調レーザの出力はファイバ増幅器の一
端は印加され、ポンプは他端に印加され、出力は結合器
により隣る他端から取り出される。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体ダイオード増幅器チップ（１）及びある長
    さの希土類ドープ単モード光ファイバ（２）と、リング
    の一部を形成するチップ（１）内の光路及び該ファイバ
    （２）からなるリングの他部分とよりなり、ファイバ（
    ２）がチップ（１）用の分布利得を有する外部空調を提
    供することを特徴とするハイブリットレーザ源。
  2. （２）希土類ドープファイバ（２）を光学的にポンピン
    グする手段（７）を有することを特徴とする請求項１記
    載のハイブリッドレーザ源。
  3. （３）リングはチップ（１）からその間に配置される２
    つの長さの単一モード光ファイバ（３、４）と、それに
    よりリングが完結される光カプラ（５、６）とを含み、
    光ポンピング手段（７）は希土類ドープ光ファイバ（２
    ）の一端に結合され、レーザ源出力は、希土類ドープ光
    ファイバ（２）の他端から取り出されうることを特徴と
    する請求項２記載のハイブリッドレーザ源。
  4. （４）希土類はエルビウムであることを特徴とする請求
    項１乃至３のうちいずれか一項記載のハイブリッドレー
    ザ源。
  5. （５）チップ（１）はＩｎＧａＡｓＰ増幅器チップであ
    ることを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか一項
    記載のハイブリッドレーザ源。
  6. （６）光ポンピング手段（７）はひずみ層半導体ダイオ
    ードレーザよりなることを特徴とする請求項２又は３記
    載のハイブリッドレーザ源。
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US5056096A (en) 1991-10-08
GB2236426A (en) 1991-04-03
DE69003780T2 (de) 1994-02-10
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GB2236426B (en) 1994-01-26
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